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Caracterización de transistores de Unión Bipolar

BJT
Juan Camilo Pesca Granados [25441578], Luis Miguel Martı́nez [25481196], Pilar Andrea Pinto Chaparro [25451777]
Universidad Nacional de Colombia
Laboratorio de Electrónica Análoga I [2016495-4]

I. M ARCO TE ÓRICO El transistor BJT se puede encontrar en cuatro posi-

El transistor BJT surgió gracias al desarrollo en el bles regiones: región de corte, región activa, región de
campo de los materiales semiconductores. Se basa en saturación y región de ruptura como se muestra en la
uniones entre materiales P y N que se disponen en 3 Figura 3 [4]
capas y cuyo dopaje es diferente. La distribución de estas
capas permite clasificar al transistor BJT como de dos
clases tipo N y tipo P. Como se muestra en las figuras
1 y 2 [1] [2].

Figura 1. Transistor BJT tipo NPN.[1] Figura 3. Regiones de un transistor BJT.[4]

Las anteriores regiones definen el funcionamiento del

BJT, por ejemplo en zona activa el transistor es capaz
de funcionar como amplificador. Mientras que la región
de corte indica que el transistor esta apagado.
La polarización de un transistor significa que se deben
Figura 2. Transistor BJT tipo PNP [1]. aplicar las tensiones adecuadas a las uniones Emisor-
Base y Colector-Base que permitan situar al transistor
Se describen a continuación las tres partes principales en la región de funcionamiento adecuada a la aplicación
del BJT requerida.
La Base(B) es la región central, es estrecha y poco do-
pada, permitiendo que no exista una gran recombinación
de portadores y que la mayorı́a des estos fluyan desde el II. S IMULACIONES , GR ÁFICAS , TABLAS Y
emisor al colector, esta actúa como la parte que controla F ÓRMULAS
el paso del flujo de portadores [3].
El Emisor (E) es la región más dopada de las tres,
se llama ası́ precisamente porque es el que provee los
portadores de carga. Cabe resaltar que entre más dopado
este el emisor, podrá aportar una mayor cantidad de
electrones al flujo [3].
El Colector(C) está unido a la base, es de extensión
más amplia y cuyo objetivo es recibir los portadores
inyectados desde el Emisor [3].
Lo anterior muestra que el BJT es un dispositivo
asimétrico y que comparado con el MOSFET, simétrico
haciendo que no se pueda intercambiar E con C [3]. Figura 4. Circuito Caracterización 1 [5].
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10V − 1V
= Rb
0,1mA

Rb = 90KΩ

IE = IB + IC

Figura 5. Circuito Simulación 1 [5].

10mA = 0,1mA + IC
IC = 9,9mA
V − VCE
= Rc
Ic
10V − 6V
= 404ω
9,9mA
Rc = 404Ω

Figura 6. Circuito de caracterización 2 [5].

Figura 8. Simulación primera configuración de polarización.

Primer circuito de polarización
Segundo circuito de polarización
A continuación se muestran los cálculos usados para
A continuación los cálculos realizados se muestran
hallar las resistencias del circuito de la Figura 7. La
para el circuito de la Figura 9. Por último, la simulación
simulación se encuentra en la Figura 8
de los resultados obtenidos se observa en 10.

Figura 9. Segunda configuración de polarización [5].

Como IB = 0, 1mA, IE = 10mA, entonces IC =

Figura 7. Primera configuración de polarización [5]. 9,9mA
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La tensión en el colector es:

V − IC RC = VC (1)

La tensión en el emisor es

VE = IE RE (2)

Entonces, la tensión VCE = 6V , es igual a Figura 11. Tercera configuración de polarización [5].

V − IC RC − IE RE = 6V (3) Como IB = 0,01mA y tomando IE = 10mA. Se

tiene que IE = IB + IBc entonces IC = 9, 99mA.
Reemplazando los valores se obtiene: Como VCE = 6V , se tiene que

9,9mARC + 10mARE = 4V (4) 9,99mARC + 10mARE = 14V (6)

Como VBE debe ser 1V, se fija VRb1 = 3V haciendo Además, como VRb +1V +VE = 10V −0,01mARb +
que VE = 2V . 10mARE = 9V Si Rb = 100KΩ entonces RE = 2KΩ
Para obtener VRb1 = 3V se realiza el divisor de voltaje Remplazando lo anterior en la ecuación 6,se obtiene
para además hallar Rb1 y Rb2 . que RC = 1,2KΩ

10V ∗ Rb1
VRb1 = = 3V (5)
Rb1 + Rb2

Se llega a la relación que Rb1 = 0.42Rb2 . Se elije

Rb2 = 1KΩ y Rb1 = 420Ω.
Como VE = IE RE , entonces RE = 200Ω
Remplazando en la ecuación 4 se obtiene RC = 202Ω.

Figura 12. Simulación segunda configuración de polarización.

III. M ETODOLOG ÍA

R EFERENCIAS
[1] Sedra/Smith. Microelectroic Circuits.Sexta edición, Editorial Ox-
ford pp 352-360.
[2] Boylestad R, Nashelsky L. Electrónica: Teorı́a de circuitos y
dispositivos electrónicos.Décima edición, Editorial Pearson.
Figura 10. Simulación segunda configuración de polarización. [3] Documento pdf. Valor medio y valor efi-
caz de una señal. Consultado en http :
//quegrande.org/apuntes/grado/1G/T EG/teoria/10 −
Tercer circuito de polarización 11/tema 7 − transistores bipolares.pdf
[4] Ruiz Robredo Gustavo A. Caracterı́sticas del
A continuación los cálculos realizados se muestran
transistor Bipolar. Modelo Ebers-Moll. Consultado en
para el circuito de la Figura 11. Por último, la simulación http : //unicrom.com/caracteristicas − transistor −
de los resultados obtenidos se observa en 12 bipolar − modelo − ebers − moll/
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[5] Sergio Andres Dorado. Guı́ de laboratorio No 8 Caracterización

de transistores de Unión Bipolar. Consultado en https :
//sites.google.com/site/electronicaanalogaunal/practicas