Dispositivos Electrnicos:

Introduccin:
I
Corriente continua (CC)

V
P

Corriente:

i
Corriente alterna (CA)

V
P

Donde:
Vp = Voltaje de pico
Vm = V. mx.
Vpp = Voltaje de pico a pico

Diodo semiconductor:

P: Juntura
N: Juntura

Si

P Donde:
N VAK: Voltaje entre ctodo y nodo
ID: Corriente a travs del diodo

Curvas Caractersticas:

Obsv:
t

1
V =Valor medio= f (t )dt
T 0
Reemplazando

VCC = 0 = VDC

Si VAR (+) El diodo est polarizado directamente (conduce corriente)

Si VAR (-) El diodo est polarizado inversamente (no conduce corriente)

Prueba Esttica del Diodo:

HM2
OHMMETER
MAX
+88.888
MOhms

Rectificador de Media Onda:

Graficando:

V cc=

1
f ( t ) dt
T 0

f ( t )= V m sen t 0 t
0 0 t 2

T =2

V
1

V cc = V m sen t dt= m [cos t ] 0

2 0
2

Vm
V
[ cos (cos 0 ) ]= m ( 2 )
2
2
V cc =

Vm
V
I cc = m P cc=V cc I cc

RL

El Rectificador de Onda Completa:

Sea:

i L =i D 1 +i D 2
V 0 =i L R L =(i D 1+i D 2) R L
-Para el ciclo positivo:

i L =i D 1 V 0 =V i
-Para el ciclo negativo:

i L =i D 2 V 0=V i

Graficando:
t

1
V PP =2V m=2 V P V cc= f ( t ) dt
T 0

Pero:

f ( t )= V m sen t 0 t
0 0 t 2

V
1

V cc= V m sen t dt= m [cos t ] 0

0

V CC =V DC =

2V m
V
I cc m

R L

Vm
[ cos (cos 0 ) ]

Vm
2V
[ (1 ) +1 ]= m

El Rectificador Puente:

-Para el ciclo positivo:

V 0 =V i
-Para el ciclo negativo:

V 0 =V i
Obsv:
Para el ciclo positivo

conduce D2 y D4

no conduce D1 y D3
Para el ciclo negativo

conduce D1 y D3

no conduce D2 y D4
Graficando:

V cc =

2Vm
P cc =V cc I cc

I cc =

V cc 2 V m
=
R L R L

Fuente de Alimentacin:

Obsv:
VDC = F (RL) Fuente de alimentacin no regulada
VDC = Es constante con la variacin de RL, hablamos de una F. A. Regulada (ms
utilizada)

i L =i D 1 +i D 2
V 0 =i L R L =(i D 1+i D 2) R L

Obsv:

PIV

(Voltaje Inverso de Pico)

Para comprar un diodo generalmente mencionamos su voltaje (Volt.)

y su corriente en Amperios.
Ejm:
Un diodo de 400 V 10 A
(400 V PIV)(10 A I)

Circuito bsico de una fuente de Alimentacin (F.A.):

Obsv:
El condensador es de tipo

electroltico

Obsv:

+5V

0V

+5V

+5V

+5V

+3V

+3V

+5V

0V

-5V

-5V

-10V

Problemas

1. En el circuito determinar la corriente que circula por la carga R L, si el

diodo es de silicio (Si).
12.7V
-12.7V

RL

0V

1k

Solucin:

I c=

I L=

V V D
RL

12.70.7
1K

I L=12 mA

2. Hallar V0 en la salida, segn la tabla:

V0

4.7

4v

4.7

4v

4.7

4.7

4v

Vo

RL
1k

3. Determinar la forma de onda en la salida (V0) con sus respectivos

valores, hallar el nivel de salida DC y el PIV requerido por cada diodo.

Vi

100

D1
-

D2
+

R1

R2

100k

100k

100

R3
100k

Vo

Sol:
Analizando para el ciclo positivo

V 0=

R3 V i
100 K V i
V 100
2V m 2 ( 50 )
=
= i=
=50 V V DC =
=
R1 + R3 100 K +100 K 2
2

DIODE
DIODE

PIV c /diodo=V m=50 V

4. Hallar VRL, VR, IL, IZ, IR, PZ

Solucin:
Primero debemos comprobar si el Diodo Zener trabaja (regula)
Para ello debe cumplir:

V R =
L

R L V cc 10 K (12 V ) 120V
=
=
=10.9 V
R+ R L 1 K +10 K
11

V R > V Z
L

10.9V > 10V ( trabaja ) V R =V z=10 V

L

Luego:

V RL V z

I L=

V R V z 10 V
= =
=1 mA
R L R L 10 K

I R=

V cc V z 12V 10 V
=
=2 mA
R
1K

Pero:

I R=I Z + I L I Z =I R I L =2 mA1 mA =1mA

P z=V z I z=( 10 V ) ( 1 mA )
Pz =10 mWatt

5. En cada circuito, dibujar la forma de onda en la salida

V 0 , si

RL
R
R
RL

1k

+
Vz

RL
10k

Vo

10k

V i=20 sen 120 t , V z=10 V

R
+
Vi

RL

10k

Vo

10k

V i=20 sen 120 t , V z=10 V

R
+
Vz1
Vi

Vz2
+

V i=sen 120 t ,V z =20 V , V z =10V

1

Obsv:

RL
10k

Vo
-

10k

Si

V i=20 sen 120 t

w=120 =2 f

f =60 H z

V i=V m sen wt

El Transistor Bipolar (BJT):

Sea:

Transistor tipo NPN

Donde:
B = Base

Transistor tipo PNP

C = Colector E = Emisor

I C =corrientede colector
I E =corriente de emisor
I B =corriente de base

V CE=Voltaje Colector Emisor

V BE =Voltaje Base Emisor

Ganancia de Corriente (hfe = B):

hfe=

IC
>1
IB

Su valor es dado por el fabricante

Ubicamos con el manual de semiconductores

Obsv:

hfe mn hfe hfe mx

Polarizacin de un transistor:
Polarizacin por corriente de base:

Polarizacin Tipo H

Polarizacin por retroalimentacin

Obsv:

I E =I B+ I C
Pero:

Obsv:

I C I B I C I CE

I E =I B+ I C

Ejm: En el circuito hallar el punto de trabajo (Q) del transistor y ubicar en la

recta de carga.

Si : V BE 0
hfe=100

Sol:
El circuito lo conecto como:

En primer lugar: Hallamos ICQ de la malla 1:

V CC =I B R b+ V BE

V BE 0
I
I
hfe= C I B= C
IB
hfe

2.4 mA

Ic
I c Rb
V hfe ( 12 )( 100 )
V CC =
Rb + 0=
I c = cc
=
=
hfe
hfe
Rb
500 K

I CQ =2.4 mA

Para hallar

V CEQ : de malla 2:

V CC =I C Rc +V CE
V CE =V CC I CQ Rc =12 V (2.4 mA )(3 K )
12V 7.2V =4.8 V
V CE =4.8 V
Luego: el punto de trabajo Q
Q ( V CEQ , I CQ ) = Q ( 4.8 V , 2.4 mA )
Luego:
Trazamos la recta de carga en C.C. Para ello debemos:
Hallamos

I Cmx :

De la malla 2:

V CC =I C Rc +V CE

I C=

V CC V CE
Rc

Pero I C =I Cmx
ParaV CE 0

4 mA

V CC 12V
I Cmx =
=
=
Rc
3K

Prob: En el circuito, hallar Q y ubicar en la recta de carga.

Asumir :
V BE 0
hfe=100

Obsv:

I B4> I B3> I B2> I B1> I B0

Obsv: cuando el transistor est en la zona de corte la

IC 0 ,

V CE =V CC

Decimos que el transistor entre colector-emisor se comporta como

circuito abierto:
Obsv:
Cuando el transistor est en la zona de saturacin la
valor mximo

IC

la toma su

I C =I Cmx , V CE 0 .

Decimos que el transistor entre colector-emisor se comporta

como cortocircuito.
Obsv:

Parlante

Micrfono

PRE
AMPLIFICADOR

Cuando el transistor est en la zona activa tenemos

I C =I CQ ,V CE=V CEQ , se utiliza como amplificador.

Amplificador (A):
Preamplificador:
Por su configuracin:

AMPLI

POT

 Amplif. de Emisor Comn (E.C.)

Amplif. de Base Comn (B.C.)

-Sin desacoplar
-Desacoplado
-Parcialmente
desacoplado

desacoplar
{-Sin
-desacoplado

Amplif. de Colector Comn (C.C.)

Por su frecuencia:
Amplif. de baja frecuencia
Amplif. de media frecuencia
Amplif. de alta frecuencia

Por su potencia:
Amplif. de baja potencia
Amplif. de media potencia
Amplif. de alta potencia
Sea:
Ci

Vi

Ii

I0

Co

Vo

(GANANCIA)

Zi

Z0
Donde:

i i=corrientede entrada
i 0 =corriente de salida
z i=imperancia de entrada
z 0=imperancia de salida
=ganancia
V
ganancia de voltaje ( V )= 0
Vi

V i=voltaje de entrada
V 0 =voltaje de salida

ganancia de corriente ( i )=

i0
i1

Obsv:

Ci , C0 Son condensadores electrolticos de alta capacidad, se

comportan como cortocircuito (Dejan pasar la seal). Para corriente
alterna o seal, y bloquea la corriente continua (C.C.) o sea se
comporta como circuito abierto.

2 +c

X c =

C .C . f =0 X c =

alta frecuencia f X c =0

EL FET
(TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO)

DONDE :
D=DRENADOR
S= SURTIDOR O FUENTE
G= GATE O PUERTA

CARACTERISTICAS DRENAJE FUENTE DEL JFET

PARAMETROS DEL JFET

Los
nmero

fabricantes especifican un
de parmetros. Estos
parmetros ms tiles son

1. IDSS

Corriente
desaturacion drenaje

fuente
2. Vp = VGS(off) Voltaje de estrangulamiento o voltaje OFF
compuerta fuente .
3. BVGSS Voltaje de ruptura del dispositivo con el drenaje
cortocircuitado.
4. Gm= Gfs Trasconductancia del dispositivo.
5.

Rds(on) Resistencia drenaje fuente cuando el dispositivo est

en conduccin.

(CIRCUITO PARA MEDIR IDSS)

VGS(off) = Vp )

(CIRCUITO PARA MEDIR

TIPOS DE JFET
1. FET de Union
2. FET Metal Oxido Semiconductor de Empobrecimiento (MOSFET DE
EMPOBRECIMIENTO)

3. FET Metal Oxido Semiconductor de Enriquecmiento (MOSFET DE

ENREQUECIMIENTO)

Obs:
CON FRECUENCIA EL MOSFET SE DENOMINA FET DE
COMPUERTA AISLADA
(IGFET, ISULATED GATE FET)
Obs:

FET FIELD EFECT TRANSISTOR

Obs:
Obs:

ID = IDSS (1-

VGS
Vp )

FET CANAL N

FET CANAL P

CARACTERISTICAS DEL FET

1. El FET tiene una resistencia de entrada extremadamente alta

alrededor de 100 M.
2. El FET no tiene voltaje OSFET cuando se utiliza como interruptor
(o CHOPER ).
3. El FET es relativamente inmune a radiaciones , pero el BJT es
4.

5.
6.
7.
8.

muy sensible particularmente el es afectado .

El FET es menos ruidoso que el BJT yasi es mas adecuado para
etapas de entrada de amplificadores de bajo nivel (se utiliza en
receptores de alta fidelidad FL ).
El FET de puede ser operado para proporcionar gran estabilidad
trmica .
Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y
conmutar corrientes grandes .
Los FET son en general los mas fciles de fabricar que los BJT.
Los FET pueden comportarse como resistores variables
controlados por tensin para valores pequeos de tensin
drenaje a fuente.

DESVENTAJAS DEL FET

1. Los FET exiben una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta
capacitancia de entrada.
2. Algunos tipos de FET presentan un linealidad muy pobre.
3. Los FET se pueden daar al manejarlo debido a la electricidad
estatica.

DISPOSITIVO DE POTENCIA

EL TIRISTOR (SCR)
EL TRIAC

ELEMENTOS DE DISPARO
EL DIAC TRIAC
EL UJT
TIRISTOR
EL PUT TIRISTOR

EL DIAC

PNPN

FISICAMENTE:

SIMBOLO:

El Transistor de Unijuntura (UJT)

El Tiristor

GATE O PUERTA

Fsicamente:

PUT

TRIAC

Obsv:

Ejm: en el circuito dibujar V0

Ejm: en el circuito dibujar V0

DIMMER:

Optoelectrnica:

LED

Fotodiodo

Fototransistor

Fototiristor

Fototriac

fotodarlington

Optoaislador = Opto acoplador

Circuito Bsico de Control de Velocidad de un motor

de continua (D.C)

Circuito Integrado (C.I)

 C.I.Analogico
C.I.Digital

amplificador
conmutacin

- sistema combinacional
Las compuertas lgicas
-Sistema secuencial
Los flip flopiffs

C.I.Regulador de Voltaje

Algebra de Boole:

1. A+1=1
A+0=A

f+1=1
f+0=f

2. A.1=1
A.0=A

f.1=1
f.0=f

3. A+ A =1

A. A =0

f+ f =1

f. f =0

4.

f
=f

A =A

5. A+AB=A
A (1+B)=A (1)=A
6. ABC=A(B.C)=(A.B).C
7.

0 =1

1 =0

Memorias
Registros
Conversores
Microprocesador
Microcontrolador
PLC

Leyes de Morgan:
Compuerta Lgica:
I. E l inversor

tabla lgica

A
0 1
1 0

II. El Or o Sumador
De dos

B
0
0
1
1

A
0
1
0
1

f
0
1
1
1

entradas

De 3 entradas:
C
0
0
0
0
1
1
1
1

B
0
0
1
1
0
0
1
1

A
0
1
0
1
0
1
0
1

f
0
1
1
1
1
1
1
1

tabla lgica

De 4 entradas
DCBA
0 0 0 0
0 0 0 1
0 0 1 0
0 0 1 1
0 1 0 0
0 1 0 1
0 1 1 0
0 1 1 1
1 0 0 0
1 0 0 1
1 0 1 0
1 0 1 1
1 1 0 0
1 1 0 1
1 1 1 0
1 1 1 1
Varias Entradas:

NOR OR Negado
B
0
0
1
1

A
0
1
0
1

f
1
0
0
0

CBAf
0 0 0 1
0 0 1 0
0 1 0 0
0 1 1 0
1 0 0 0
1 0 1 0
1 1 0 0
1 1 1 0

El AND o Multiplicador

2 entradas:

BAf
0 0 0
0 1 0
1 0 0
1 1 1

3 entradas:
CBAf
0 0 0 0
0 0 1 0
0 1 0 0
0 1 1 0
1 0 0 0
1 0 1 0
1 1 0 0
1 1 1 1

NAND o AND Negado:

B
0
0
1
1

A
0
1
0
1

f
1
1
1
0

C
0
0
0
0
1
1
1
1

B
0
0
1
1
0
0
1
1

A
0
1
0
1
0
1
0
1

f
1
C
0
0
0
0
1
0

Oscilador de Relajacin con UJT

T =R C ln (

n=

1
)
1n

RA
R A + RB

VEVP

Oscilador de Relajacin con PUT

T =R C ln (

n=

1
)
1n

P
R3 + P

Interruptor Esttico de C.A.

Obsv: optoacopladores:

Ejm:

Implementar la funcin f:

a) Sin simplificar
b) Simplificando
f = ABC+ABC+ABC
a)

b) Simplificando
f = ABC+ABC+ABC
=ABC+ABC
=C (AB+AB) = C.1=C
1

Problemas:

P1. En el circuito .Hallar

V DS

cuyas caractersticas son:

V P =4 v I DSS =4 mA

Primeramente tenemos que:

V GS 2
I D =I DSS 1
VP

Pero:
V P =4 V I DSS=4 mA V GS=1 V

I D =I DSS

V
1 GS
VP

I D =4 mA 1

1
4

I D =2.25 mA
Luego:
V CC =I D R D +V DS
V DC =V CCI D R D
V DC =22V ( 2.25 mA ) (5 K )
V DC =8.75 V

P2) Determinar la corriente de drenaje de un JFET de canal N que

tiene un voltaje de estrangulamiento V P =4 V y una corriente de
saturacin drenaje fuerte

I DSS=12 mA

en los siguientes voltajes

compuerta fuerte.

a)

V GS=0 V

b)

V GS=1.2V

Solucin:
Sabemos que:

I D =I DSS

V
1 GS
VP

0
4

V GS 2
1
=12 mA
VP

Luego:
a)
1

I D =I DSS

V CC =I D R D +V DS
V DC =V CCI D R D
V DC =22V ( 2.25 mA ) (5 K )
V DC =8.75 V

P2) Determinar la corriente de drenaje de un JFET de canal N que

tiene un voltaje de estrangulamiento V P =4 V y una corriente de
saturacin drenaje fuerte

I DSS=12 mA

en los siguientes voltajes

compuerta fuerte.

a)

V GS=0 V

b)

V GS=1.2V

Solucin:
Sabemos que:

I D =I DSS

V
1 GS
VP

0
4

V GS 2
1
=12 mA
VP

Luego:
a)
1

I D =I DSS

b)
12
40

2
V GS
1
=12 mA
VP
1

I D =I DSS

Observacin:
Una de las caractersticas del FET es la transconduccion (gm)
que se expresa en siemens(s)

gm=g mo (1

gm=

V GS
V GS (OFF )

2 I DSS
2I
= DSS
|V GS (OFF)| |V P|

P3) Hallar la transconductancia

valores:

gm

de un JFET que tiene como

V GS(OFF )=4 V en los puntos de polarizacin

I DSS=12 mA
a V GS=0 V

b) V GS=1.5 V

gm=g mo 1

b Gms 1

P4) En el circuito Hallar

V GS
0
=G ms 1
=6 ms=6000us
Vp
4

) (

15
=3.751 ms=3750 us
40

Z i ; Z 0 i ;V 0 ; SiV i=10 mV

hie =

25 mV (h fe )
I CQ

h fe=100
V BE 0
Primeramente hallamos

I CQ , el circuito se transforma

en:

RTH =R B =R 1R 2=120 K 12 K

V BB =V TH =V B=V R 1=

R1 (V CC )
R 1 + R2

Luego:Su parmetro hibrido h

Z i=R 1R 2 hie
Z 0 =R C

Ganancia de voltaje

V
v= 0
Vi

V i=(i b)hie

RL
RC

RL
RC

hfe
hfe (i b )
v=
OBSV:
Como:
V
v= 0
Vi

V 0 = v ( V i

RL
R C
V 0=h fe (i b)