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COORDINACIÓN DE ELECTRÓNICA
Trabajo Investigativo
INTRODUCCIÓN SOBRE TRANSISTORES BJT y FET
Presentado a: M.C. Oscar Mauricio Gelvez Lizarazo.
Rodriguez Bueno CC.:1007735536, Leal Ramirez CC.:1127950636, Hernandez Rueda CC.:1096238671,
Olivares Garcia CC. 1098818620, Yáñez Consuegra CC.: 1073716529, Herrera Velasco CC.: 1052021308
RESUMEN:
I. INTRODUCCIÓN
En 1951, William Shockley inventor del primer transistor
de unión el cual reemplazo el tubo de vacío, a partir de
allí, surgieron avances y mejores del transistor de unión
bipolar (BJT), que ha permitido el avance tecnológico
gracias a su gran utilidad como amplificador y
conmutador. El transistor es considerado como la Figura 1 circuito amplificador de corriente emisor común con
invención más significativa del siglo XX. Luego se un beta de 175
realizaron más invenciones de otros tipos de transistores
como los transistores FET (transistor de efecto de campo) Análisis en dc (punto de operación)
que son dispositivos unipolares porque funcionan con un
Para realizar un análisis en dc se abren los capacitores de
solo tipo de portador de carga. Y se clasifican en JFET
acople y tomando en cuenta que es una transistor npn es decir
(transistor de efecto de campo de unión) y MOSFET
las corriente de base entra al transistor nos queda un circuito
(transistor de efecto de campo semiconductor de óxido de la siguiente manera.
metálico). En 1952, Ian Ross y George Dacey fabricaron
un JFET muy similar al actual.
TRANSISTOR BJT
UNIDADES TECNOLÓGICAS DE SANTANDER
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