TRANSISTORES DE POTENCIA (TRANSISTORES IGBT / GTO)

TRANSISTORES IGBT
Funcionamiento y operación
Cuando se le es aplicado un voltaje VGE a la puerta, el IGBT enciende inmediatamente,
la corriente de colector IC es conducida y el voltaje VCE se va desde el valor de bloqueo
hasta cero. La corriente IC persiste para el tiempo de encendido en que la señal en la
puerta es aplicada. Para encender el IGBT, el terminal C debe ser polarizado
positivamente con respecto a la terminal E. La señal de encendido es un voltaje positivo
VG que es aplicado a la puerta G.
Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15 volts, puede
causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, después de lo cual la corriente de
colector ID es igual a la corriente de carga IL (asumida como constante). Una vez
encendido, el dispositivo se mantiene así por una señal de voltaje en el G. Sin embargo,
en virtud del control de voltaje la disipación de potencia en la puerta es muy baja.
El IGBT se apaga simplemente removiendo la señal de voltaje VG de la terminal G. La
transición del estado de conducción al estado de bloqueo puede tomar apenas 2
microsegundos, por lo que la frecuencia de conmutación puede estar en el rango de los
50 kHz.
EL IGBT requiere un valor límite VGE (TH) para el estado de cambio de encendido a
apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje VCE cae
a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de encendido se mantiene
bajo, el G debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la corriente IC se autolimita.
Símbolos y estructura interna
El IGBT es un dispositivo semiconductor de
cuatro capas que se alternan (PNPN) que son
controlados por un metal-óxido-
semiconductor (MOS), estructura de la puerta
sin una acción regenerativa. Un transistor
bipolar de puerta aislada (IGBT) celular se
construye de manera similar a un MOSFET
de canal n vertical de poder de la construcción, excepto la n se sustituye con un drenaje
+ p + capa de colector, formando una línea vertical del transistor de unión bipolar de PNP.
Este dispositivo posee la características de las señales de
puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad
de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor
bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada
de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo
dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del
MOSFET, mientras que las características de conducción son
como las del BJT. En la figura II se observa la estructura
interna de un IGBT, el mismo cuenta con tres pines Puerta
(G), Emisor (E) y Colector (C).
Aplicaciones
Es usado en aplicaciones de altas y medias energía como fuente conmutada, control de la
tracción en motores y cocina de inducción. Grandes módulos de IGBT consisten en
muchos dispositivos colocados en paralelo que pueden manejar altas corrientes del orden
de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000 voltios.
Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington híbrido. Tiene la capacidad de
manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para mantenerse
en conducción. Sin embargo, las corrientes transitorias de conmutación de la base pueden
ser igualmente altas. En aplicaciones de electrónica de potencia es intermedio entre los
tiristores y los MOSFET. Maneja más potencia que los segundos siendo más lento que
ellos y lo inverso respecto a los primeros.
Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. La tensión de
control de puerta es de unos 15 V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia
aplicando una señal eléctrica de entrada muy débil en la puerta

TRISITOR GTO
Funcionamiento y operación
Un tiristor GTO, al igual que un SCR puede activarse mediante la aplicación de una señal
positiva de compuerta. Sin embargo, se puede desactivar mediante una señal negativa de
compuerta. Un GTO es un dispositivo de enganche y se construir con especificaciones de
corriente y voltajes similares a las de un SCR. Un GTO se activa aplicando a su compuerta
un pulso positivo corto y se desactiva mediante un pulso negativo corto. La simbología
para identificarlo en un circuito es la que se muestra en la figura II.
Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista señal en la compuerta, el dispositivo
se bloquea para cualquier polaridad en el ánodo, pero una corriente de fuga (IA leak)
existe. Con un voltaje de bias en directa el GTO se bloquea hasta que un voltaje de ruptura
VAK = VB0 es alcanzado. En este punto existe un proceso dinámico de encendido., VAK
= 3V y la corriente IA es determinada por la carga. Cuando el GTO se apaga y con la
aplicación de una voltaje en inversa, solo una pequeña corriente de fuga (IA leak) existe.
Una polarización en inversa VAK puede ser alcanzada cuando ocurra un corte. El valor
del voltaje del voltaje de ruptura inverso depende del método de fabricación para la
creación de una regeneración interna para facilitar el proceso de apagado.
Con un voltaje de polarización directo aplicado al ánodo y un pulso de corriente positiva
es aplicada al gate, el GTO se enciende y permanece de esa forma. Para esta condición,
existen 2 formas de apagarlo. Una forma es reduciendo la corriente de ánodo IA por
medios externos hasta un valor menor a la corriente de holding Ih, en la cual, la acción
regenerativa interna no es efectiva. La segunda forma de apagarlo es por medio de un
pulso en el gate, y este es el método más recomendable porque proporciona un mejor
control.
Símbolos y estructura interna

Un tiristor GTO tiene la estructura muy

similar a un tiristor SRC convencional, con
sus 4 capas de silicio (PNPN) y tres
terminales: ánodo (A), cátodo (K) y puerta
(G).

Aplicaciones
• Troceadores y convertidores
• Control de motores asíncronos
• Inversores
• Caldeo inductivo
• Rectificadores
• Soldadura al arco
• Sistema de alimentación ininterrumpida (SAI)
• Control de motores
• Tracción eléctrica
Diferencia entre IGBT y GTO
GTO (Tirador de desactivación de puerta) y IGBT (Transistor bipolar de puerta aislada)
son dos tipos de dispositivos semiconductores con tres terminales. Ambos se utilizan para
controlar corrientes y para fines de conmutación. Ambos dispositivos tienen un terminal
de control llamado 'gate', pero tienen diferentes principios de operación.
El GTO está formado por cuatro capas semiconductoras de tipo P y tipo N, y la estructura
del dispositivo es poco diferente en comparación con un tiristor normal. En el análisis,
GTO también se considera como par de transistores acoplados (uno PNP y otro en
configuración NPN), igual que para los tiristores normales. Tres terminales de GTO se
llaman 'ánodo', 'cátodo' y 'puerta'.
En funcionamiento, el tiristor actúa conduciendo cuando se suministra un pulso a la
puerta. Tiene tres modos de operación conocidos como 'modo de bloqueo inverso', 'modo
de bloqueo hacia adelante' y 'modo de conducción hacia adelante'. Una vez que la
compuerta se dispara con el pulso, el tiristor pasa al "modo de conducción directa" y
continúa conduciendo hasta que la corriente directa se hace menor que el umbral
"corriente de retención".
Además de las características de los tiristores normales, el estado "apagado" del GTO
también se puede controlar a través de pulsos negativos. En los tiristores normales, la
función 'off' ocurre automáticamente. Los GTO son dispositivos de alimentación y se
utilizan principalmente en aplicaciones de corriente alterna.
IGBT es un dispositivo semiconductor con tres terminales conocidos como 'Emisor',
'Recopilador' y 'Puerta'. Es un tipo de transistor que puede manejar una mayor cantidad
de energía y tiene una mayor velocidad de conmutación por lo que es altamente eficiente.
IGBT ha sido introducido al mercado en los años 80.
IGBT tiene las características combinadas de MOSFET y transistor de unión bipolar
(BJT). Es accionado por compuerta como MOSFET y tiene características de voltaje de
corriente como BJT. Por lo tanto, tiene las ventajas de alta capacidad de manejo de
corriente y facilidad de control. Los módulos IGBT (compuestos por varios dispositivos)
manejan kilovatios de potencia.
Diferencias puntuales:
• Tres terminales de IGBT se conocen como emisor, colector y compuerta, mientras
que GTO tiene terminales conocidos como ánodo, cátodo y compuerta.
• La puerta del GTO solo necesita un impulso para la conmutación, mientras que
IGBT necesita un suministro continuo de voltaje de la puerta.
• IGBT es un tipo de transistor y GTO es un tipo de tiristor, que puede considerarse
como un par de transistores estrechamente acoplados en el análisis.
• IGBT tiene solo una unión PN, y GTO tiene tres de ellos
• Ambos dispositivos se utilizan en aplicaciones de alta potencia.
• GTO necesita dispositivos externos para controlar los apagados y los pulsos,
mientras que IGBT no necesita.

Liliana Richelle Reynoso Hernández 2020-2305