Benemérita Universidad Autónoma de

Puebla
Facultad de Ciencias de la Electrónica

INGENIERÍA MECATRÓNICA
Dispositivos Electrónicos, ISAM, IER, LIM, LCE

Erick Silvano Otañez Jimenez

Profesor:
José Miguel Rocha Pérez
NÚMERO TOTAL DE PROBLEMAS: 9 .
NÚMERO DE PROBLEMAS QUE CONCUERDAN CON SPICE:9
AUTOEVALUACIÓN de la Tarea 1: 10
October 23, 2021
Erick Silvano Otañez Jimenez 1

ı́ndice General
1 PRIMER EJERCICIO 3

2 SEGUNDO EJERCICIO 5

3 TERCER EJERCICIO 8

4 CUARTO EJERCICIO 11

5 QUINTO EJERCICIO 13

6 SEXTO EJERCICIO 16

7 SÉPTIMO EJERCICIO 18

8 OCTAVO EJERCICIO 20

9 NOVENO EJERCICIO 23

10 CONCLUSIÓN 27

1
Erick Silvano Otañez Jimenez 2

Tarea 1, Dispositivos Electrónicos, Otoño 2021.

Fecha de entrega: 23 de Octubre del 2021.
Prof. José Miguel Rocha Pérez.
PUNTO DE OPERACION DEL BJT Y DEL MOS (Análisis de DC)

PATERNO: OTAÑEZ MATERNO: JIMENEZ NOMBRE(S): ERICK SILVANO

Auto Evaluación:10

1. Objetivo.

“Análisis del punto de Operación del BJT y del MOS y su verificación en SPICE”

2. Introducción. Esta sección es opcional. Agregar teorı́a en esta sección si lo considera adecuado.
Se recomienda agregar teorı́a que verse sobre el principio de funcionamiento del BJT, sus modelos, ecuaciones im-
portantes, etc).
SI DECIDE AGREGAR TEORIA TOMELA SOLAMENTE DE LIBROS. NO REALICE UN COPY/PASTE DE
PAGINAS DE INTERNET. Mencione las referencias dentro del texto y agréguelas en la bibliografı́a al final de su
tarea.

3. Desarrollo.
Es la solución de la tarea en sı́.

4. Conclusiones.
Discuta sus resultados y mencione sus conclusiones.

2
Erick Silvano Otañez Jimenez 3

1 PRIMER EJERCICIO
a. Calcule TODAS las corrientes de DC de rama y TODOS los voltajes de DC de nodo.
b. Compruebe sus cálculos con una simulación SPICE.
c. ¿En qué región de operación esta el transistor ?
d. Si el transistor no esta en lineal, modifique los valores de los resistores para llevarlo a lineal.

VEE = 12V

RE 3.3KΩ

VE
VB
β=100

VC

220KΩ RB

Figure 1: Figura para el Problema 1.

ANALIZANDO LA MALLA DE ENTRADA:

VEE = VRE + VEB + VRB VEE = IE RE + VEB + IB RB

VEE = (β + 1)IB RE + VEB + IB RB VEE − VEB = IB (101RE + RB )

VEE − VEB 12V − 0.7V

IB = = IB = 20.422µA
RB + 101RE 220KΩ + (101)3.3KΩ

OBTENIENDO LAS CORRIENTES IC e IE

IC = βIB IC = (100)(20.422µA) IC = 2.0422mA

IE = (β + 1)IB = (101)(20.422µA) IE = 2.062mA

ANALIZANDO LA MALLA DE SALIDA:

VEE = VRE + VEC VEC = VEE − VRE = VEE − IE RE

VEC = 12V − (2.062mA)(3.3KΩ) VEC = 5.195V VCE = −5.195V

3
Erick Silvano Otañez Jimenez 4

CALCULANDO VC , VB y VE :
VC = 0V
VE = VEE − VRE VE = VEE − IE RE = 12V − (2.062mA)(3.3KΩ)
VE = 5.1756V
VB = IB RB = (20.422µA)(220KΩ)
VB = 4.4928V

El transistor PNP tiene el siguiente punto de operación (−5.195V, −2.0422mA),si tomamos el valor absoluto del
voltaje colector-emisor y la corriente de colector ,el transistor pertenece a la REGIÓN LINEAL. Todos los valores
obtenidos en los presentes cálculos, fueron corroborados en el simulador TopSpice, obteniendo los resultados
mostrados a continuación.

SIMULACIÓN Y TABLA DE VALORES EN TopSpice

VARIABLE MAGNITUD UNIDADES VARIABLE MAGNITUD UNIDADES

BETADC 100.0668 constante IC -2.0481E-03 A
IB -2.0467E-05 A IE 2.0686E-03 A
VCE -5.1740 V VBE -0.6714 V
VC 0 V VB 4.50261541E+00 V
VE 5.17402587E+00 V

Todos los cálculos coinciden con el simulador, en algunas corrientes se tiene la misma magnitud pero diferente
signo, esto debido al punto de referencia que se tome.

4
Erick Silvano Otañez Jimenez 5

2 SEGUNDO EJERCICIO
a. Calcule TODAS las corrientes de DC de rama y TODOS los voltajes de DC de nodo.
b. Compruebe sus cálculos con una simulación SPICE.
c. ¿En qué región de operación esta el transistor ?
d. Si el transistor no esta en lineal, modifique los valores de los resistores para llevarlo a lineal.

VEE =12V

100KΩ R2 RE 1KΩ

IE
VE
VB
β=100
IB IC
VC

500KΩ R1 RC 10KΩ

Figure 2: Figura para el Problema 2.

Se calcula el circuito equivalente de Thevenin para obtener IB :

R2
RT H = R1 ||R2 VT H = VEE
R1 ||R2
R1 R2 R2
RT H = VT H = VEE
R1 + R2 R1 + R2
(500KΩ)(100KΩ) 100KΩ
RT H = VT H = 12V
500KΩ + 100KΩ 600KΩ
RT H = 83.333KΩ VT H = 2V

Table 1: Tabla con los valores del equivalente Thevenin

5
Erick Silvano Otañez Jimenez 6

A CONTINUACIÓN SE MUESTRA EL CIRCUITO EQUIVALENTE THEVENIN

ANALIZANDO LA MALLA DE ENTRADA CON THEVENIN:

VT H = RE IE + VE IB + VRT H
Despejando la IB :
VT H − VEB
IB =
RT H + RE(β + 1)
2V − 0.7V
IB =
83.333KΩ + 1KΩ(100 + 1)

IB = 7.0525µA
Sabiendo que: IC = βIB y IE = IC + IB
IC = 7.0525X10−4 A IE = 7.123X10−4 A
ANALIZANDO LA MALLA DE SALIDA:
VEE = VRE + VEC + VRC
Por lo tanto:
VEC = VEE − RE IE − RC IC VEC = 12V − (1KΩ)(7.123X10−4 A) − (10KΩ)(7.0525X10−4 A)

VEC = 4.2352V Por lo tanto: VCE = −4.2352V

CALCULANDO VC , VB y VE :
VC = IC RC = ()7.123X10−4 A)(10KΩ)
VC = 7.123V
VE = VEE + VRE = VEE − IE RE = 12V − (7.123X10−4 A)(1KΩ)
VE = 11.2877V
VB = VE − VBE = 11.2877V − 0.7V
VB = 10.5877V

El transistor PNP reposa en el siguiente punto de operación (−4.2352V, −7.0525X10−4 A).Si obtenemos el valor
absoluto del voltaje de colector-emisor y la corriente de colector, vislumbramos que, el transistor esta trabajando
en la REGIÓN LINEAL.Todos los valores obtenidos en los presentes cálculos, fueron corroborados en el simulador
TopSpice, obteniendo los resultados mostrados a continuación.

6
Erick Silvano Otañez Jimenez 7

SIMULACIÓN Y TABLA DE VALORES EN TopSpice

VARIABLE MAGNITUD UNIDADES

BETADC 100.0283 constante
IC -7.3496E-04 A
IB -7.3475E-06 A
IE 7.4231E-04 A
VCE -3.9087 V
VBE -0.6455 V
VC 7.34906368E+00 V
VB 1.06122489E+01 V
VE 1.12577466E+01 V

Todos los voltajes y corrientes obtenidos en el análisis de malla coinciden con la simulación de TopSpice.
Solamente se tienen algunas variaciones en cuanto a milivots en el voltaje de colector, pero esto debido a las cifras
tomadas en cuenta. Por otro lado algunas corrientes del simulador presentan signo negativo en relación con las
obtenidas en el cálculo, esto debido al punto de Tierra.
En general, tanto el análisis de la malla de salida como el equivalente de Thevenin, fueron realizados exitosamente.

7
Erick Silvano Otañez Jimenez 8

3 TERCER EJERCICIO
a. Calcule TODAS las corrientes de DC de rama y y TODOS los voltajes de DC de nodo.
b. Compruebe sus cálculos con una simulación SPICE
c. ¿En qué región de operación esta el transistor?
d. Si el transistor no esta en lineal, modifique los valores de los resistores para llevarlo a lineal.

VEE = 10V

vx
β=100

390KΩ RB
4.3KΩ RC

Figure 3: Figura para el Problema 3.

ANALIZANDO LA MALLA DE ENTRADA:

VEE − VEB 10V − 0.7V
VEE = VEB + VRB VEE = VEB + IB RB IB = =
RB 390KΩ

IB = 23.846µA

OBTENIENDO LAS CORRIENTES IC e IE

IC = βIB IC = (100)(23.846µA) IC = 2.3846mA

IE = (β + 1)IB = (101)(23.846µA) IE = 2.4084mA

ANALIZANDO LA MALLA DE SALIDA:

VEE = VEC + VRC VEC = VEE − VRC VEC = VEE − RC IC = 10V − (4.3KΩ)(2.3846mA)
VEC = 0.25378V Por lo tanto : VCE = −0.25378V

CALCULANDO VC , VB y VE
VE = 10V

VB = IB RB = (23.846µA)(390KΩ) VB = 9.299V V

VC = IC RC = (2.3846mA)(4.3KΩ) VC = 10.2537V V

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Erick Silvano Otañez Jimenez 9

El punto de operación del presente transistor del tipo PNP esta en (−0.25378V, −2.3846mA), es decir, esta en la
REGIÓN DE SATURACIÓN. Por lo tanto, se necesita modificar el valor de la corriente de base IB , y dado que
ya conocemos el valor de la β igual a 100 necesitamos aumentar el valor de RB de tal manera que VCE pueda
ahora estar en la región lineal.
Como vimos en el cálculo el VCE depende de la diferencia del voltaje entre VE y VC , y dado que el primero viene
dado por la fuente, la única alternativa es modificar el voltaje en el colector.
VC se obtiene a través del producto de IC RC , tenemos dos caminos de dismunuir esta caida de voltaje, una es
disminuyendo RC y otra disminuyendo IC , para este ejercicio, tomaremos el camino más largo, es decir,
alteraremos el valor de IC . Para disminuir el valor de IC , necesitamos disminuir la corriente de base IB y esta a su
ves esta determinada por la siguiente ecuación:
VEE − VEB
IB =
RB

Es decir, se necesita elevar el valor de RB .

Proponemos el valor de RB = 1.5M Ω

ANALIZANDO LA MALLA DE ENTRADA:
VEE − VEB 10V − 0.7V
VEE = VEB + VRB VEE = VEB + IB RB IB = =
RB 1.5M Ω

IB = 6.2µA

OBTENIENDO LAS CORRIENTES IC e IE

IC = βIB IC = (100)(6.2µA) IC = 0.62mA Tomando en cuenta que la corriente de colector tiene sentido
a la Tierra, IC = −0.62mA

IE = (β + 1)IB = (101)(6.2µA) IE = 0.6262mA

ANALIZANDO LA MALLA DE SALIDA:

VEE = VEC + VRC VEC = VEE − VRC VEC = VEE − RC IC = 10V − (4.3KΩ)(0.62mA)
VEC = 7.334V Por lo tanto : VCE = −7.334V

CALCULANDO VC , VB y VE
VE = 10V

VB = IB RB = (6.2µA)(1.5M Ω) VB = 9.3V V

VC = IC RC = (0.62mA)(4.3KΩ) VC = 2.666V V

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Erick Silvano Otañez Jimenez 10

El transistor PNP tiene ahora el siguiente punto de operación (−7.334V, −0.62mA), Evidentemente, ya pertenece
a la REGIÓN LINEAL. Todos los valores obtenidos en los presentes cálculos, fueron comprobados en el simulador
TopSpice, obteniendo los resultados mostrados a continuación.

SIMULACIONES Y TABLA DE VALORES EN TOPSPICE

VARIABLE MAGNITUD UNIDADES

BETADC 100.0226 constante
IC -6.2444E-04 A
IB -6.2430E-06 A
IE 6.3068E-04 A
VCE -7.3161 V
VBE -0.6397 V
VC 2.68390114E+00 V
VB 9.36033323E+00 V
VE 1.00000000E+01 V

Todos los cálculos coinciden con el simulador de TopSpice .De esta manera percibimos que los valores voltajes y
corrientes son correctos. Es relevante mencionar que algunas corrientes en el simulador presentan signo negativo,
esto debido a el punto de referencia que se tome.

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Erick Silvano Otañez Jimenez 11

4 CUARTO EJERCICIO
EJERCICIO 4. (2 puntos por problema).
a. Calcule TODAS las corrientes de DC de rama y TODOS los voltajes de DC de nodo.
b. Compruebe sus cálculos con una simulación SPICE.
c. ¿En qué región de operación esta el transistor ?
d. Si el transistor no esta en lineal, modifique los valores de los resistores para llevarlo a lineal.

VEE = −6V VCC = 10V

4.7KΩ RC
6.8KΩ RE

vx β=500

Figure 4: Figura para el Problema 4.

ANALIZANDO LA MALLA DE ENTRADA:

VEE + VEB
VEE = VRE − VEB Por lo tanto: IE =
RE
−6V + 0.7V
IE =
6.8KΩ

IE = −7.7941x−4 A
El signo es negativo dada, la polaridad del circuito
Conociendo que IB = IE + IC Despejaremos la expresión para que esté en funcion de IE y β
IE
IB = IE + βIB IE = IB (1 + β) IB =
1−B
IE −7.7941x−4 A
Tenemos que IB = =
1−β 1 − 500

IB = 1.5619µA
IC = βIB = (500)(1.5619µA) IC = 7.8099x10−4 A

ANALIZANDO LA MALLA DE ENTRADA:

VCC = VRC + VCE + VRE + VEE ; VCE = VCC − VRC − VRE − VEE
VCE = 10V − IC RC − IE RE + 6V = 10V − (7.8099x10−4 A)(4.7KΩ) − (7.7941x−4 A)(6.8KΩ) + 6V

VCE = 7.0294V

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Erick Silvano Otañez Jimenez 12

CALCULANDO VC , VB y VE :
VCC = VRC + VC VC = VCC − VRC = 10V − RC IC = 10V − (7.8099x10−4 A)(4.7KΩ)
VC = 6.3294V

VEE = VRE + VE VE = VEE − IE RE

−4
VE = 10V − (7.7941x A)(6.8KΩ) VE = 0.7V
Dado que la base del transistor esta conectada a tierra el voltaje que actúa sobre ella es CERO.
VB = 0V

El transistor NPN reposa en el siguiente punto de operación (7.0294V, 7.80997X10−4 A). Es por ello que pertenece
a la REGIÓN LINEAL.Todos los valores obtenidos en los presentes cálculos, fueron corroborados en el simulador
TopSpice, obteniendo los resultados mostrados a continuación.

SIMULACIÓN Y TABLA DE VALORES OBTENIDOS EN TopSpice

VARIABLE MAGNITUD UNIDADES

BETADC 500 constante
IC 7.8584E-04 A
IB 1.5717E-06 A
IE -7.8741E-04 A
VCE 6.9525 V
VBE 0.6458 V
VC 6.30668449E+00 V
VB 0 V
VE -6.45792726E-01 V

En su totalidad de coincide con el simulador, es por ello que nuestro análisis tanto de la malla de entrada como de
salida es correcto.

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Erick Silvano Otañez Jimenez 13

5 QUINTO EJERCICIO
Calcule los valores de RC y de RE tal que VCE = 5V . Compruebe sus resultados con una simulación SPICE.
¿Concuerdan sus resultados (SI/NO)?

RC

IB
C IC
B 10V
Q1 β = 100
+
VBE−
E IE
5V I
RE

Figure 5: Figura para el Problema 5.

ANALIZANDO LA MALLA DE ENTRADA:

VBB = VBE + VRE = VBE + RE IE VBB − VBE = RE (β + 1)IB

VBB − VBE 5V − 0.7V 4.3V

IB = = IB =
101RE 101RE 101RE

ANALIZANDO LA MALLA DE SALIDA:

VCC = VRC + VCE + VRE VCC = IC RC + VCE + IE RE
10V − 5V
VCC − VCE = βIB RC + (β + 1)IB RE VCC − VCE = IB (100RC + 101RE ) IB =
(100RC + 101RE

5V
IB =
100RC + 101RE

Una vez despejada la corriente de ambas mallas, igualaremos la expresión y calcularemos la relación de RC y RE
4.3V 5V
= ; (4.3V )(100RC + 101RE ) = (5V )(101RE )
101RE 100RC + 101RE

707
430RC + 434.3RE = 505RE 430RC = 505RE − 434.3RE ; 430RC = RE
10

Despejando para RE
4300
RE = RC
707
Ahora que ya conocemos el la razón de proporcionalidad entre las resistencias, suponemos que RE = 2KΩ
RE (707) (2KΩ)(707)
RC = = RC = 328.83Ω
4300 4300

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Erick Silvano Otañez Jimenez 14

CALCULANDO IB , IC e IE
Tomando la ecuación para el cálculo de la IB en función de la malla de entrada para facilitar el cociente:
4.3V 4.3V
IB = = IB = 21.2871µA
101RE 101(2KΩ)

IC = βIB = (100)(21.2871µA) = 2.1287mA

IC = 2.128mA

IE = (β + 1)IB = (101)(21.2871µA) = 2.149mA

IE = 2.149mA

CALCULANDO VB , VC , VE y VCE
VCC = VRC + VCE + VRE ; VCC = IC RC + VCE + IE RE
VCE = VCC − IC RC − IE RE = 10V − (2.128mA)(328.83Ω) − (2.149mA)(2KΩ)

VCE = 5.0022V

VC = VCC − VRC = VCC − IC RC VC = 10V − (2.128mA)(328.83Ω) VC = 9.3002V

VE = IE RE = (2.149mA)(2KΩ) VE = 4.298V

Dado que la base esta conectada directamente a VBB , conocemos que VB = VBB
Por lo tanto, VB = 5V

El transistor NPN se encuentra en el siguiente punto de operación (5.0022V, 2.128mA). Evidentemente se

encuentra en la REGIÓN LINEAL.Todos los valores obtenidos en los presentes cálculos, fueron corroborados en el
simulador TopSpice, obteniendo los resultados mostrados a continuación.

SIMULACIÓN Y TABLA DE VALORES OBTENIDOS EN TopSpice

VARIABLE MAGNITUD UNIDADES

BETADC 100.0124 constante
IC 2.1423E-03 A
IB 2.1420E-05 A
IE -2.1637E-03 A
VCE 4.9682 V
VBE 0.6727 V
VC 9.29556590E+00 V
VB 5.00000000E+00 V
VE 4.32732759E+00 V

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Erick Silvano Otañez Jimenez 15

VISTA DE LOS VOLTAJES DEL CIRCUITO

VISTA DE LAS CORRIENTES DEL CIRCUITO

Los valores calculados a través del análisis de malla coinciden en su totalidad con el simulador TopSpice.
Solamente, podemos ver que la corriente IE tiene signo negativo, esto se debe al punto de referencia, pues está
conectada la terminal a tierra, pero la magnitud calculada es correcta.

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Erick Silvano Otañez Jimenez 16

6 SEXTO EJERCICIO
Calcule los valores de RC y de RB tal que VCE = 6V . Compruebe sus resultados con una simulación SPICE.
¿Concuerdan sus resultados (SI/NO)?

RB RC
12V
6V IC

Q IEβ = 150
IB +
VBE−

Figure 6: Figura para el Problema 6.

LVK PARA LA MALLA DE ENTRADA

VCC − VBE
VCC = VRB + VBE IB =
RB

LVK PARA LA MALLA DE SALIDA

VCC − VCE
VCC = VRC + VCE IB =
βRC

CALCULANDO RB y RC
Igualamos las expresiones equivalentes de la IB para tener la razón de proporcionalidad de las resistencias en
cuestión.
RC β(VCC − VBE ) = RB (VCC − VCE )
RC (150)(12V − 0.7V ) = RB (12V − 6V ) RC (1695V ) = RB (6V )
565
Por lo tanto: RB = RC
2
2(1KΩ)
Supongamos que RB = 1KΩ entonces RC = = 3.539Ω
565
Tenemos que : RB = 1KΩ y RC = 3.539Ω

CALCULANDO IB , IC y VCE

VCC − VBE 12V − 0.7V

IB = = = 11.3mA IB = 11.3mA
RB 1KΩ
IC = βIB = (150)(11.3mA) = 1.695A IC = 1.695A
IE = (β + 1)IB = (151)(11.3mA) = 1.7063A IE = 1.7063A
VCE = VCC − VC = 12V − IC RC = 12V − (1.695A)(3.539Ω) = 6.0013V ≈ 6V VCE ≈ 6V

16
Erick Silvano Otañez Jimenez 17

Aunque no es solicitado en la instrucción del ejercecio. podemos mecionar que,el transistor NPN se encuentra en
el siguiente punto de operación (6V, 1.695A). Lo cual nos dice que dicho transistor se encuentra en la REGIÓN
LINEAL.Todos los valores obtenidos en los presentes cálculos, fueron comprobados en el simulador TopSpice,
obteniendo los resultados, que se exponen a continuación.

SIMULACIÓN Y TABLA DE VALORES OBTENIDOS EN TopSpice

VARIABLE MAGNITUD UNIDADES

BETADC 150.0629 constante
IC 1.6742E+00 A
IB 1.1157E-02 A
IE -1.6853E+00 A
VCE 6.076 V
VBE 0.8445 V

Todos los cálculos coinciden con el simulador de TopSpice .De esta manera percibimos que los valores propuestos
para las resistencias RB y RC son correctos. Es relevante comentar que en la tabla de valores, la corrinte IE es de
igual magnitud pero con signo contrario a lo obtenido en el análisis de malla, esto causado porque IE está en el
sentido a tierra.

17
Erick Silvano Otañez Jimenez 18

7 SÉPTIMO EJERCICIO

Problema 7. Para el circuito del problema 7 a partir de los valores mostrados calcule los valores de RC , RB y RE .
Compruebe sus resultados con una simulación SPICE. ¿Concuerdan sus resultados (SI/NO)?

RB RC

IC = 1mA ↓
7.2V
+ 12V
VB
VCE
→ β = 120
IB −
IE ↓ 1.2V

RE

Figure 7: Figura para el Problema 7.

Antes de comenzar el problema, observamos que el voltaje colector-emisor es igual a 6V . De la misma forma se
presenta la corriente de colector igual a 1mA. Por lo tanto el punto de operación a obtener es el igual a (6V, 1mA)

OBTENIENDO LAS CORRIENTES IB e IE

IC 1mA
IC = βIB IB = = IB = 8.33µA
β 120

IE = (β + 1)IB = (121)(8.33µ) IE = 1.0083mA

APLICANDO LVK A LA MALLA DE ENTRADA

VCC = VRB + VBE + VRE VCC − VBE = VRB + VRE = IB RB + (β + 1)IB RE

VCC − VBE
VCC − VBE = IB (RB + 121RE ) = RB + 121RE
IB

12V − 0.7V
= RB + 121RE 1356000Ω = RB + 121RE
8.33µA
APLICANDO LVK A LA MALLA DE SALIDA
VCC = VRC + VCE + VRE VCC − VCE = VRC + VRE = RC (IB β) + (β + 1)IB RE

VCC − VCE
VCC − VCE = IB (120RC + 121RE ) = 120RC + 121RE
IB

12V − 6V
= 120RC + 121RE 720000Ω = 120RC + 121RE
8.33µA

18
Erick Silvano Otañez Jimenez 19

Al observar las dos ecuaciones de color verde, podemos ver la relación de las resistencias para obtener el punto de
operación deseado. Al proponer valores de forma iterativa para las resistencias, se obtuvo que el valor de la
resistencia RB debe ser grande, puesto que esta tiene la función de restar al valor ohmı́co de 1356000 en la
primera ecuación de color verde. Partiendo de esta explicación expresamos los cálculos.

CALCULANDO RB , RC , y RE
Suponiendo RB = 1M Ω

1356000Ω − RB 1356000Ω − 1M Ω
1356000Ω = RB + 121RE RE = = RE = 2.9421KΩ
121 121

720000Ω − 121RE 720000Ω − 121(2.9421KΩ)

720000Ω = 120RC + 121RE RC = = RC = 3.0333KΩ
120 120

El punto de operación del presente Transistor NPN es (6V, 1mA).Por lo tanto, está trabajando en la REGIÓN
LINEAL. A continuación se muestra la simulación en TopSpice y una tabla de valores obtenido de la misma
plataforma para poder validar nuestro análisis.

SIMULACIÓN EN TOPSPICE Y TABLA DE VALORES

VARIABLE MAGNITUD UNIDADES VARIABLE MAGNITUD UNIDADES

BETADC 120.0457 constante IC 1.0045E-03 A
IB 8.3676E-06 A IE -1.0129E-03 A
VCE 5.9732 V VBE 0.6526 V

Los cálculos obtenidos manualmente coinciden con los del simulador. Solo se presentan algunas variaciones
despreciables, por ejemplo el punto de operacion teoricamente serı́a (6V, 1mA), y en la simuación se tiene
(5.9732V, 1mA).De igual manera, algunas corrientes de la tabla tienen signo negativo pero igual magnitud a las
obtenidas en el análisis, esto debido al punto de referencia.
Concluimos que el valor ohmico de las tres resistencias en cuestión es correcto.

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Erick Silvano Otañez Jimenez 20

8 OCTAVO EJERCICIO

En el circuito de la figura (8) se tiene un α = 0.98, VBE = 0.7V y IE = 2mA. Obtener TODOS los voltajes y
corrientes. Determinar el valor de R1
β
Recuerde que α = β+1

Compruebe sus resultados con una simulación SPICE. ¿Concuerdan sus resultados (SI/NO)?

IC + IB
←

2KΩ RC

R1
IC
+
→
IB + 12V
VCE −
−
IE ↓

200Ω RE

Figure 8: Figura para el Problema 8.

Dadas las caracteristicas del ejercicio, es decir, el valor de la β y el de la corriente IE , no se puede hacer uso del
transistor NPN 2N2222, ya que la beta de este componente está determinada por el simulador. Además ya es
conocida la corriente de emisor. Por lo tanto, se utilizará un transistor genérico NPN para poder establecer la β.

OBTENIENDO EL VALOR DE β
β α .98
α= α = β(1 − α) β= =
β+1 1−α 1 − .98
Por lo tanto: β = 49

CALCULANDO IB , IC

IE 2mA
IE = (β + 1)IB IB = = = 40µA
50 50
Por lo tanto: IB = 40µA IC = βIB = 49(40µA) IC = 1.96mA

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Erick Silvano Otañez Jimenez 21

APLICANDO LVK PARA LA MALLA DE ENTRADA

VCC = VRC + VR1 + BBE + VRE VCC = 2KΩIE + R1 IB + VBE + 200ΩIE

V CC − 2KΩIE − VBE − 200ΩIE 12V − (2KΩ)(2mA) − 0.7V − (200Ω)(2mA)

R1 = R1 =
IB 40µA

R1 = 172.5KΩ

APLICANDO LVK PARA LA MALLA DE SALIDA

VCC = VRC + VCE + BRE VCC = RC IE + VCE + RE IE

VCE = VCC − IE (RC + RE ) VCE = 12V − 2mA(2KΩ + 200Ω)

VCE = 7.6V

CALCULANDO VB , VC y VE

VB = VCC − VRC − VR1 VB = VCC − IE RC − IB R1

VB = 12V − (2mA)(2KΩ) − (40µA)(172.5KΩ) VB = 1.1V

VC = VCC − VRC VC = 12V − IE RC = 12V − (2mA)((2KΩ) VC = 8V

VE = IE RE = (2mA)(200Ω) VC = 0.4V

El transistor NPN se encuentra en el siguiente punto de operación (7.6V, 1.96mA). Evidentemente se encuentra
en la REGIÓN LINEAL.Todos los valores obtenidos en los presentes cálculos, fueron corroborados en el simulador
TopSpice, obteniendo los resultados mostrados en la siguiente página.

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SIMULACIÓN EN TOPSPICE Y TABLA DE VALORES

VARIABLE MAGNITUD UNIDADES

BETADC 49.0611 constante
IC 1.9670E-03 A
IB 4.0094E-05 A
IE -2.0071E-03 A
VCE 7.5847 V
VBE 0.6692 V
VC 7.9861 V
VB 1.07063232E+00 V
VE 4.01388085E-01 V

Los valores obtenidos en el simulador coinciden en todos las corrientes y voltajes obtenidos. Sólo se presenta que
la corriente IE tiene signo negativo en la tabla de valores y en comparación con la obtenida en nuestro análisis es
de igual magnitud pero signo contrario. Esto es propiciado porque la corriente está en sentido a la Tierra del
circuito. Pero ambos resultados son correctos, dependen del punto de referencia.
En conclusión el valor propuesto para R1 satisface totalmente lo solicitado en el ejercicio.

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9 NOVENO EJERCICIO
Los parámetros del transistor son β = 150, VEB = 0.7V y VECsat = 0.3V . Si VCC = 12V , R1 = 200KΩ,
RC = 1.5KΩ y RE = 500Ω, determine:
(a). La corriente de base
(b). La corriente de colector
(c). El voltaje VCE
(d). Verifique sus resultados con una simulación SPICE.

IC + IB
←

RE

R1

VE ↓ IE +
→
IB VB + VCC
VEC −
−
VC
IC

RC

Figure 9: Figura para el Problema 9.

El circuito presenta defectos, ya que esta autopolarizado y la corriente de base no se encuentra conectada a la
masa, es por ello que en la simulación se presenta una β negativa aun cuando se varian las resistencias R1 y RE
Por estas razones y para contemplar una β positiva de 150. Se procede a reescribir el circuito.

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IC + IB
←

RE

VE ↓ IE +
←
R1IB VB + VCC
VEC −
−
VC
IC

RC

Figure 10: Figura reconstruida para el Problema 9.

Antes de comenzar con el análsis de la malla de entrada, se realizaron ensayos iterativos para evaluar el circuito
con una β de 150, pero el simulador presentaba conflicto para alcanzar esta magnitud, es por ello que se procedio
IC
a aumentar el valor de R1 , para este razonamiento se utilizó lo descrito a continuación. Conociendo que β = ;
IB

APLICANDO LVK PARA LA MALLA DE ENTRADA

VCC = VRE + VBE + VR1 = IE RE + VEB + IB R1

VCC − VEB − IE RE
IB =
R1

Estas expresiones nos dicen que para obtener una beta grande, la corriente IB necesita ser pequeña, dado que está
en el denominador y para que esta corriente sea pequeña , R1 necesita ser más grande que el valor ohmico
sugerido en el problema. Por lo que a nivel de simulación, el programa permitı́a una β de 150 cuando el valor de
R1 = 209KΩ

Conociendo que R1 = 209KΩ Calculamos la corriente IB

APLICANDO LVK PARA LA MALLA DE ENTRADA

VCC = VRE + VBE + VR1 = IE RE + VEB + IB R1 VCC − VEB = IB (β + 1)RE + IB R1 = IB (151RE + R1 )

VCC − VEB 11.3V

IB = = IB = 39.71µA
151RE + R1 151(500Ω) + 209KΩ

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CALCULANDO IC e IE

IE = (β + 1)IB = (151)(39.71µA) IE = 5.996mA

IC = βIB = 150(39.71µA) IC = 5.9565mA

Antes de continuar con el cálculo de la malla de salida, el enunciado muestra que el punto de operación debe tener
un VEC = 0.3V , por lo cual, se procede a calcular la malla de salida, pero se debe contemplar cúal debe ser la
relación de RE y RC para obtener dicho voltaje de saturación.

APLICANDO LVK PARA LA MALLA DE SALIDA

VCC = VRE + VEC + VRC VCC − VEC − VRE = VRC

11.7V − 5.996mA(RE )
12V − 0.3V − IE RE = IC RC RC =
IC

Suponiendo que RE = 500Ω tal como dice el problema, sustituimos:

11.7V − 5.996mA(500Ω)
RC = RC = 1460.92Ω
5.9565mA

Para corroborar que estos datos son correctos con lo solicitado en el enunciado del problema. Procedemos a
calcular el voltaje VEC

CALCULANDO VEC

De la malla de salida , despejamos VEC :

VCE = VCC − VRE − VRC VCE = 12V − IE RE − IC RC

VCE = 12V − (5.996mA)(500Ω) − (5.9565mA)(1460.92Ω) VEC = 0.3000V

Por lo tanto : VCE = −0.3000V

El transistor PNP tiene el siguiente punto de operación (−0.300V, −5.9565mA). Si tomamos el valor absoluto del
voltaje de colector-emisor y la corriente de colector, percibimos que, este punto está en la REGIÓN DE
SATURACIÓN. En este caso diferente al del problema 3, no se cambiará el transistor a la zona lineal , ya que, el
enunciado sólo menciona el intéres por conocer la magntud de la corriente IC y el voltaje VCE dado este punto de
saturación.
Todos los valores obtenidos en los presentes cálculos fueron comprobados en el simulador TopSpice, obteniendo los
resultados mostrados a continuación.

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Se obtuvo el siguiente esquemático en Topspice. Se puede verificar que el voltaje

VCE = VC − VE = 8.702V − 9.002V = −0.3V
SIMULACIÓN EN TOPSPICE Y TABLA DE VALORES

VARIABLE MAGNITUD UNIDADES

BETADC 149.9824 constante
IC -5.9566E-03 A
IB -3.9715E-05 A
IE 5.9963E-03 A
VCE -0.3000 V
VBE -0.7015 V
VC 8.7019 V
VB 8.30041231E+00 V
VE 9.00187482E+00 V

Al final del ejercicio se coincidió perfectamente con el simulador. Semejante a los casos anteriores, algunas
corrientes tiene signo negativo debido a el punto de referencia tomado. Por otro lado, es importante mencionar
que los cálculos coincidieron con el simulador , a pesar de trabajar en la zona de saturación, pues como sabemos,
teoricamente en esta región de la curva del transistor, el análisis de malllas no aplicarı́a, puesto que no son
operaciones lineales sino exponenciales. Lo que podriamos argumentar al respecto, es que el transistor se
encuentra en el lı́mite donde termina la región de saturación y limite donde empieza la región lineal .

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10 CONCLUSIÓN
El análisis de mallas en el cálculo de la IB y el VCE es de suma importancia para la obtención del punto de
operación del transistor. En lo personal, el desarrollo de estos ejercicios complementaron las videoconferencias del
profesor, ya que, debiamos poner en práctica la teorı́a otorgada en clase.
En general, todos los problemas resueltos coincidieron con las simulaciones en TopSpice, solo hay un punto que
me gustarı́a mencionar. El simulador toma en cuenta las corrientes que tienen sentido a la Tierra, por lo que, las
pone con signo negativo, pero en cuanto magnitud, el análisis corresponde con la simulación. Otro dato que percibı́
, es que para el punto de operación de los transistores PNP, tanto el voltaje colector-emisor como la corriente de
colector presentan signo negativo,para ası́ satisfacer la recta de carga.

Por otro lado, al realizar el problema 8 y 9, percibı́ que los diagramas presentaban errores de diseño. Al final , una
vez redibujado el circuito o ignorando ciertos datos extra, los problemas tenian coherencia y se podı́an resolver de
manera satisfactoria.
Algo interesante del problema 9 fue que , el transistor PNP aunque estaba en saturación, sus cálculos coincidian
con la simulación. Es decir, se esperaba que hubiera cierta incertidumbre debido a que en la región de saturación
no son válidos los resultados del análisis de malla. Pero inesperadamente, si coincidieron los resultados del
análisis lineal, y la razón a la que atribuyo este comportamiento, es porque el transistor estaba en el lı́mite donde
termina la región de saturación y el lı́mite donde inicia la región lineal de la curva del transistor.

En conclusión el desarrollo de esta actividad me ayudó a profundizar mis conocimientos de los transistores, ya que
nunca habı́a estudiado sus principios y teorı́a. Además, el reporte de esta actividad en el software de LATEX y la
manipulación del simulador TopSpice considero, me ayudarán en mi vida profesional.

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