lOMoARcPSD|4665705

ISSN: 1692-7257
Revista Colombiana de
Tecnologías de Avanzada

LABORATORY POLARIZATION OF TRANSISTORS

LABORATORIO POLARIZACIÓN DE TRANSISTORES

Álvaro Andrés Buitrago Villalobos

Código: 1005346665
Daniel Clavijo Villegas
Código: 1193516531

Universidad De Pamplona, facultad de ingeniería y arquitectura.

Villa del Rosario, Norte De Santander, Colombia.

 Transistor de contacto puntual

 Transistor de unión bipolar
 Transistor de efecto de campo
 Fototransistor
 Software Matlab
 Software proteus
 BR

Resumen: En el informe se realiza un análisis del funcionamiento de un

transistor BJT en dos de sus polarizaciones. Y se dará solución a ambas
polarizaciones hallando sus corrientes (Ib+Ic+Ie) y el voltaje Vce para hallar
su punto Q en la gráfica del transistor, se usarán programas como proteus,
matlab para poder simular su funcionamiento.

Palabras Claves: Transistor, Emisor, Base, Colector, Beta, Polarización,

Divisor de tensión, Retroalimentación.

Summary: The report analyzes the operation of a BJT transistor in two of its
polarizations. And a solution to both polarizations will be found by finding
their currents (Ib + Ic + Ie) and the voltage Vce to find their point Q on the
transistor graph, programs such as proteus, matlab will be used to simulate
their operation.

Keywords: Transistor, Emitter, Base, Collector, Beta, Polarization, Voltage

Divider, Feedback.
 1
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Un transistor puede ser usado como un interruptor

(ya sea a la máxima corriente, o encendido ON, o
INTRODUCCIÓN con ninguna corriente, o apagado OFF) y como
Transistores BJT (de unión dipolar). Están amplificador (siempre conduciendo corriente).
formados por dos uniones PN y constan de 3 La cantidad amplificada de corriente es llamada
terminales (colector, base y emisor), que se ganancia de corriente, β o HFE.
corresponden con las tres zonas de material
semiconductor. Por el emisor entra un flujo de Aplicaciones de los Transistores
portadores que a través de la base llega al
colector. Los transistores tienen multitud de aplicaciones,
entre las que se encuentran:
 Amplificación de todo tipo
(radio, televisión, instrumentación)
 Generación de señal (osciladores, generadores
de ondas, emisión de radiofrecuencia)
 Conmutación, actuando de interruptores
(control de relés, fuentes de alimentación
conmutadas, control de
lámparas, modulación por anchura de
impulsos PWM)
 Detección de radiación luminosa
(fototransistores)
Probando un transistor
 Tipos de transistores
Los transistores pueden dañarse por calor cuando
los estamos soldando o por uso indebido en un
Hay dos tipos de transistores estándar, NPN y
circuito. Si tú sospechas que un transistor puede
PNP, con diferentes símbolos de circuito. Las
estar dañado hay dos maneras fáciles de
letras hacen referencia a las capas de material
probarlo:1. Probarlo con un multímetro Usa un
semiconductor usado para construir el transistor.
multímetro, polímetro o un simple téster (batería,
La mayoría de los transistores usados hoy son
resistor y LED) para verificar por conducción
NPN porque este es el tipo más fácil de construir
cada par de terminales. Coloca un multímetro
usando silicio. Si tú eres novato en la electrónica
digital en la posición diodo test o un multímetro
es mejor que te inicies aprendiendo cómo usar un
analógico en el rango de baja resistencia. Prueba
transistor NPN.
cada par de terminales en ambos sentidos (seis en
Los terminales son rotulados como base (B),
total):
colector (C) y emisor (E). Estos términos se
refieren al funcionamiento interno del transistor,  La juntura base-emisor (BE) debería
pero no ayuda mucho a entender cómo se usa, así comportarse como un diodo y conducir sólo
que los trataremos como rótulos en un sentido.
 La juntura base-colector (BC) debería
comportarse como un diodo y conducir sólo
en un sentido.
 Entre colector-emisor (CE) no debería
conducir en ningún sentido.
Los transistores amplifican corriente, por
ejemplo, pueden ser usados para amplificar la
pequeña corriente de salida de un circuito
integrado (IC) lógico de tal forma que pueda
manejar una bombilla, un relé u otro dispositivo
de mucha corriente.
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6.5vY 9,5V con beta=150, dicho transistor

debe estar en zona activa, luego se aumente
beta primero un 50% y luego a100%, incluya
los resultados en la tabla n°1. Realice la
gráfica de la recta del transistor donde se
muestre los diferentes puntos de trabajo del
Para un transistor PNP los diodos están transistor.
invertidos, pero puede usarse el mismo Observación: El valor de las fuentes de
procedimiento de prueba. alimentación será seleccionado según el grupo
de trabajo, no puede haber 2 valores para las
fuentes iguales, por lo cual deberá haber
Ficha comunicación entre los grupos para no repetir,
técnica
si se llega a repetir repercutirá en la nota
de
transist general del laboratorio.
or
2n2222  BETA=150

Polarización de transistores

VCC-ICRC-VCE=0
12V-IC(1KΩ)-6,5V=0
IC = (12-6,5)/1000
IC=5,5mA
IC=βIB
IB=IC/β
IB=5,5mA/150
IB=36,6uA
RB=(VCC-0,7V) / IB
RB=(12V-0,7V) / 36,6uA
RB=308181,8KΩ ≈308KΩ
REACTIVOS: N/A IE=(β+1) IB
IE= (150+1)36,6uA
IE=5,52Ma
PROCEDIMIENTO:
 BETA =225
1. Diseñe un circuito de polarización emisor
común el cual a su salida se obtenga Vce =
3
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IC=10,98mA
IE=(β+1) IB
IE= (300+1) (36,6uA)
IE=11,01mA
VCC-ICRC-VCE=0
VCE=VCC-ICRC
VCE=12-(10,98mA) (1KΩ)
VCE=1,02V
Isat=VCC/RC=12V/1KΩ
Isat=12mA Vcorte=VCC=12V

Teóri
co
VCC-IBRB-VBE=0 Beta IB(m IE(m IC(m Vce(
IB=(VCC-0,7V) / RB A) A) A) V)
IB=(12V-0,7V) / 308181,8Ω 150 36,6 5,52 5,5 6,5
IB=36,6uA
IC= βIB +50% 36,6 8,271 8,235 3,765
IC= (225) (36,6uA)
IC=8,235mA +100 36,6 11,01 10,98 1,02
IE=(β+1) IB %
IE= (225+1) (36,6uA)
IE=8,271mA
VCC-ICRC-VCE=0
VCE=VCC-ICRC
VCE=12-(8,235mA) (1KΩ)
VCE=3,765V

 BETA=300

2. Realizar la simulación del circuito del ítem

número 1 en Proteus, ubicando los medidores
necesarios para evidenciar los valores de
corrientes y tensiones del circuito, incluir los
resultados en la tabla n°2, realice la gráfica de
la recta del transistor donde se muestre los
diferentes puntos de trabajo del transistor.

 BETA=150

VCC-IBRB-VBE=0
IB=(VCC-0,7V) / RB
IB=(12V-0,7V) / 308181,8Ω
IB=36,6uA
IC= βIB
IC= (300) (36,6uA)
4
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 BETA=225
3. Realizar un programa en Matlab donde me
pregunte sobre que polarización deseo
(inicialmente se realizará con dos: P. emisor
común y P. con Re) una vez ingrese mi
selección, me pregunte los valores de las
resistencias, Beta y fuente de voltaje, para
luego, me entregue el valor del punto de
trabajo del transistor Ingresar los valores
obtenido en la tabla n°3, realice la gráfica de
la recta del transistor donde se muestre los
diferentes puntos de trabajo del transistor.

 BETA=300 4. Repita el inciso 1,2 y 3, ahora aplicado a una

polarización con estabilizador con resistencia
de emisor.

1. Diseñe un circuito de polarización emisor

común el cual a su salida se obtenga Vce = 6.5v
con beta=150, dicho transistor debe estar en zona
activa, luego se aumente beta primero un 50% y
luego a 100%, incluya los resultados en la tabla
n°1. Realice la gráfica de la recta del transistor
donde se muestre los diferentes puntos de trabajo
del transistor.
Prote
us  Primer diseño con una polarización con
Beta IB(m IE(m IC(m Vce( estabilizador con resistencia de emisor
A) A) A) V)
150 36,3 5,48 5,45 6,5

(+)50% 36,3 8,2 8,16 3,84

(+)100 36,2 10,9 10,9 1,13

%

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Despejo a RC
RC=(VCC-VCE-((β+1)(IB)*RE))/IC
RC=(12v-6.5v- ((150+1)
(50.1108µA)*500Ω))/7.5166mA
RC=228.3791Ω.
IS=16.4749mA

Datos obtenidos
RC=228.3791Ω
IC=7.5166mA
PROCEDIMIENTO TEORICO IE=7.5667mA
IB= 50.1108µA
Malla 1 IS=16.4749mA

VBB-VRB-VBE-VRE=0  Segundo diseño con una polarización

VBB-(IB*RB)-VBE-(IE*RE)=0 con estabilizador con resistencia de
Reemplazo a IE= IB*(β+1) emisor
VBB-(IB*RB)-VBE
v-
((IB*(β+1))*RE)=0
VBB-VBE-IB(RB+RE(β+1))=0
Despejo a IB
IB=(VBB-VBE)/(RB+RE(β+1))
Reemplazo a IB
IB=(12v-0.7v)/(150kΩ+500Ω(150+1))
IB= 50.1108µA
En base a IB reemplazamos en IE PROCEDIMIENTO TEORICO
IE= IB*(β+1) Malla 1
IE=50.1108µA *(150+1)
IE=7.5667mA VBB-VRB-VBE-VRE=0
Teniendo a IB podemos hallar a IC en: VBB-(IB*RB)-VBE-(IE*RE)=0
IC=β*IB Reemplazo a IE= IB*(β+1)
IC=150*50.1108µA VBB-(IB*RB)-VBE
IC=7.5166mA v-((IB*(β+1))*RE)=0
VBB-VBE-IB(RB+RE(β+1))=0
Malla 2 Despejo a IB
IB=(VBB-VBE)/(RB+RE(β+1))
VCC-VRC-VCE-VRE=0 Reemplazo a IB
VCC-(IC*RC)-VCE-(IE*RE)=0 IB=(12v-0.7v)/(150kΩ+500Ω(225+1))
Reemplazo a IE IB= 42.9658µA
VCC-(IC*RC)-VCE-((β+1)(IB)*RE)=0 En base a IB reemplazamos en IE
Ahora se halla la Corriente de saturación IE= IB*(β+1)
IS IE=42.9658µA *(225+1)
IS= VCC/(RC+RE) IE=9.7103mA
IS= 12v/(228.3791Ω+500Ω) Teniendo a IB podemos hallar a IC en:

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IC=β*IB
IC=225*42.9658µA
IC=9.6673mA

Malla 2 PROCEDIMIENTO TEORICO

VCC-VRC-VCE-VRE=0 Malla 1
Reemplazo a IE
VCC-(IC*RC)-VCE-((β+1)(IB)*RE)=0 VBB-VRB-VBE-VRE=0
Despejo a VCC VBB-(IB*RB)-VBE-(IE*RE)=0
Reemplazo a IE= IB*(β+1)
Ahora se halla la Corriente de saturación IB=(VBB-VBE)/(RB+RE(β+1))
IS Reemplazo a IB
IB=(12v-0.7v)/(150kΩ+500Ω(300+1))
IS= VCC/(RC+RE) IB= 37.6034µA
IS= 12v/(228.3791Ω+500Ω) En base a IB reemplazamos en IE
VCC-(IC*RC)-VCE-(IE*RE)=0 IE= IB*(β+1)
VCC=-(IC*RC)+VCC-((β+1)(IB)*RE) VBB-(IB*RB)-VBE
VCE=-(9.6673mA*228.3791Ω)+12v- v-((IB*(β+1))*RE)=0
((225+1)(42.9658µA)*500Ω) VBB-VBE-IB(RB+RE(β+1))=0
VCE=4.9370v Despejo a IB
IE=37.6034µA *(300+1)
IS=16.4749mA IE=11.3188mA
Teniendo a IB podemos hallar a IC en:
Datos obtenidos IC=β*IB
RC=228.3791Ω IC=300*37.6034µA
IC=9.6673mA IC=11.2810mA
IE=9.7103mA
IB= 42.9658µA Malla 2
IS=16.4749mA
VCE=4.9370v VCC-VRC-VCE-VRE=0
VCC-(IC*RC)-VCE-(IE*RE)=0
 Tercer diseño con una polarización con Reemplazo a IE
estabilizador con resistencia de emisor VCC-(IC*RC)-VCE-((β+1)(IB)*RE)=0

Ahora se halla la Corriente de saturación

IS
IS= VCC/(RC+RE)
IS= 12v/(228.3791Ω+500Ω)
Despejo a VCC
VCC=-(IC*RC)+VCC-((β+1)(IB)*RE)
VCE=-(11.2810mA *228.3791Ω)+12v-
((300+1)( 37.6034µA)*500Ω)
VCE=3.8456V
IS=16.4749mA

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TABLA DE RESULTADOS

Teóri
co
BET IB IE(m IC(m VCE
A (µA) A) A) (v)
150 50.11 7.566 7.516 6.5
08 7 6
225 42.96 9.710 9.667 4.93
58 3 3 70
300 37.60 11.31 11.28 3.84
34 88 10 56

Proteus
2. Realizar la simulación del circuito del ítem BET IB IE(m IC(m V
número 1 en Proteus, ubicando los medidores A (µA) A) A) CE
necesarios para evidenciar los valores de (v)
corrientes y tensiones del circuito, incluir los 150 49 7.49 7.44 6.5
resultados en la tabla n°2, realice la gráfica de la .6 6
recta del transistor donde se muestre los 225 42 9.60 9.56 5.0
diferentes puntos de trabajo del transistor.
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3. Realizar un programa en Matlab donde

me pregunte sobre que polarización deseo
(inicialmente se realizará con dos: P.
emisor común y P. con Re) una vez
ingrese mi selección, me pregunte los
valores de las resistencias, Beta y fuente
de voltaje, para luego, me entregue el
valor del punto de trabajo del transistor
Ingresar los valores obtenido en la tabla
n°3, realice la gráfica de la recta del
transistor donde se muestre los diferentes
puntos de trabajo del transistor.

5. Compare los resultados

MATL de las diferentes tablas y calcule el porcentaje de error de cada una con respecto al
AB
teórico. % e: ((teo-prac)
/teo) BET
(100) IB IE(m IC(m VC
A (µA) A) A) E
(v)
150 5 7.567 7.517 6.5
0 6
225 4 9.710 9.667 5.0
3 14
300 3 11.31 11.28 3.7
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 htp://[Link]/cursos/ingen
Er ieria/2001771/html/cap03/03_06_01.html.
ro
r
PRACTICA DEL LABORATORIO =
BET IB(uA) IE(mA) IC(mA) Vce(v)
A
150 0,819672 0,724637 0,909090 0,769230
1 6 9 77
3 8 1
(+)50 0,819672 0,858420 0,910746 1,992031
MATERIALES:

 Software de simulación
 Proteus
 Matlab

NIVEL DE RIESGO:

La práctica de laboratorio presenta un nivel de

riesgo bajo, se recomienda preguntar al docente
encargado ante cualquier duda en la conexión de
los componentes para evitar descargas eléctricas
debidas a malas conexiones.

CONCLUSIONES:

 Si observamos en la práctica el beta “β”

no dependedel transistor para los valores
medidos.

 Para poder identificar el punto Q solo

debe tenerse en cuenta el circuito en Dc
para saca Icq y VcQ.

 En la práctica para poder obtener VCEQ

se debe medir VC a VE en DC solamente.
MATLAB=
 Siempre debemos analizar el datasheet del • Álvaro Andrés Buitrago Villalobos
transistor para analizar sus ganancias y while 4
parámetros con los que trabaja.
fprintf('\nDigitar la opcion que desea
REFERENCIAS: calcular');

 Principios de Electrónica, MALVINO Albert

opc=input('\[Link] de Emisor Comun
P. Cuarta, quinta y sexta edición, España,
\[Link] de con Resistencia en el
1999.
Emisor \n3. salir\n');
 htp://[Link]/ds/1N/1N522
[Link]
switch opc

Universidad de Pamplona 10
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case 1
Vb=input('Digite Vb : '); case 3
Vcc=input('Digite Vcc :');
Rc=input('Digite Rc:'); clear;
Rb=input('Digite Rb:'); clc;
B=input('Digite B:'); break;
Ib=(Vb-0.7)/Rb; end
Ie=(B+1)*Ib; clear;
Ic=(Ib)*B; end
Vce=Vcc-(Rc*Ic);
Isat=Vcc/Rc;
fprintf('Ie=%f A',Ie);
fprintf('\nIc=%f A',Ic);
• Daniel Clavijo
fprintf('\nIb=%f A',Ib);
fprintf('\nVce=%f V\n',Vce);
plot(Vce,Ic,'r*'); while 4
hold on;
plot([0 Vcc],[Vcc/Rc 0],'k:');
legend('Punto Q','Zona Activa'); fprintf('\nDigite la opcion que desea
title('Grafica Ic VS Vcc De Emisor calcular');
Comun');
opc=input('\[Link] de emisor comun
xlabel('Punto de Corte (mA)');
ylabel ('Punto de Saturacion (V)'); \[Link] de con resistencia en el
emisor \n3. salir\n');

switch opc
case 2
case 1
Vb=input('Digite Vb :');
vb=input('Digite Vb : ');
Vcc=input('Digite Vcc:
vcc=input('Digite Vcc :');
'); Re=input('Digite
rc=input('Digite Rc:');
Re:'); Rc=input('Digite
rb=input('Digite Rb:');
Rc:'); Rb=input('Digite
b=input('Digite B:');
Rb:'); B=input('Digite
B:');
ib=(vb-0.7)/rb;
ie=(b+1)*ib;
Ib=(Vb-0.7)/(Rb+Re*(B+1));
ic=(ib)*b;
Ie=(B+1)*Ib;
vce=vcc-(rc*ic);
Ic=B*Ib;
isat=vcc/rc;
Vce=Vcc-(Ic*Rc)-(Ie*Re);
Isat=Vcc/(Rc+Re);
fprintf('Ie=%f A',ie);
fprintf('\nIc=%f A',ic);
fprintf('Ie=%f A',Ie);
fprintf('\nIb=%f A',ib);
fprintf('\nIc=%f A',Ic);
fprintf('\nVce=%f V\n',vce);
fprintf('\nIb=%f A',Ib);
fprintf('\nVce=%f V\n',Vce);

plot(Vce,Ic,'r*');
plot(vce,ic,'r*');
hold on;
plot([0 Vcc],[Vcc/(Rc+Re) 0],'k:');
hold on;
legend('Punto Q','Zona Activa');
plot([0 vcc],[vcc/rc 0],'k:');
title('Grafica Ic VS Vcc Con
legend('Punto Q','Zona Activa');
Resistencia en el Emisor');
title('Grafica Ic VS Vcc De Emisor
Comun');
xlabel('Punto de Corte (mA)');
ylabel ('Punto de Saturacion (V)');
xlabel('Punto de Corte (mA)');
11
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ylabel ('Punto de Saturacion (V)');

case 2
vb=input('Digite Vb :');
vcc=input('Digite Vcc: ');
re=input('Digite Re:');
rc=input('Digite Rc:');
rb=input('Digite Rb:');
b=input('Digite B:');
ib=(vb-0.7)/(rb+re*(b+1));
ie=(b+1)*ib; PROGRAMA EN EXCEL CON GRAFICAS:
ic=b*ib;
vce=vcc-(ic*rc)-(ie*re);
isat=vcc/(rc+re);
fprintf('Ie=%f A',ie);
fprintf('\nIc=%f A',ic);
fprintf('\nIb=%f A',ib);
fprintf('\nVce=%f V\n',vce);
plot(vce,ic,'r*');
hold on;
plot([0 vcc],[vcc/(rc+re) 0],'k:');
legend('Punto Q','Zona Activa');
title('Grafica Ic VS Vcc Con Resistencia En
El Emisor');
xlabel('Punto de Corte (mA)');
ylabel ('Punto de Saturacion (V)');
case 3
clear;
clc;
break;
end
clear;

end

GRAFICAS AUTOMÁTICAS DEL PUNTO

Q EN MATLAB:
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