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Actividad 1
Actividad 1

Determinar el punto de trabajo (I C ;V CE ) del transistor polarizado con fuente de corriente.

Actividad 1 Determinar el punto de trabajo ( I ;V ) del transistor polarizado con fuenteSubir Actividad 2 ¿Cuál debe ser el valor de las resistencias para que la corriente de colector sea I = 5 mA y la potencia disipada por el diodo Zener sea menor que 1 mW ? ¿Se encuentra el transistor en activa directa? Datos : V = 12 V ,  = 200, V = 0,7V, V = 0,2 V , V = 5 V . " id="pdf-obj-0-12" src="pdf-obj-0-12.jpg">

Datos: V CC = 12V, I E = 3mA, R C = 1;5K, R B = 330K, = 100, V BE = 0,7V.

Solución: I C = 3mA, V CE = 6V.

Actividad 2
Actividad 2

¿Cuál debe ser el valor de las resistencias para que la corriente de colector sea I C = 5mA y la potencia disipada por el diodo Zener sea menor que 1mW? ¿Se encuentra el transistor en activa directa?

Actividad 1 Determinar el punto de trabajo ( I ;V ) del transistor polarizado con fuenteSubir Actividad 2 ¿Cuál debe ser el valor de las resistencias para que la corriente de colector sea I = 5 mA y la potencia disipada por el diodo Zener sea menor que 1 mW ? ¿Se encuentra el transistor en activa directa? Datos : V = 12 V ,  = 200, V = 0,7V, V = 0,2 V , V = 5 V . " id="pdf-obj-0-66" src="pdf-obj-0-66.jpg">

Solución: R 1 > 31K, R E = 0;88K, V CE = 7,6V >V sat

CE

Actividad 3
Actividad 3

Calcular el punto de trabajo del transistor en el circuito siguiente.

Solución : R > 31 K  , R = 0;88 K  , V =Subir Actividad 3 Calcular el punto de trabajo del transistor en el circuito siguiente. Datos : V = 12V, R = 150  , R = 1 K  , R = 10 K  ,  = 150, V = 0,7V, V = 0,7 V . Solución : I = 4,7 mA , V = 6,6 V . Subir Actividad 4 Utilizar la aproximación  → ∞ para hallar el punto de trabajo de los transistores en el circuito cascodo de la figura. " id="pdf-obj-1-28" src="pdf-obj-1-28.jpg">

Datos: V EE = 12V, R E = 150, R C = 1K, R 1 = 10K, = 150, V EB = 0,7V, V = 0,7V.

Solución: I C = 4,7mA, V EC = 6,6V.

Actividad 4
Actividad 4

Utilizar la aproximación para hallar el punto de trabajo de los transistores en el circuito cascodo de la figura.

Datos : V = 9V, R = 1 K  , R = 1 K Subir Actividad 5 Calcular el punto de trabajo de los transistores utilizando la aproximación  → ∞ . Datos : V = 10V, R = 80 K  , R = 20 K  , R = 2 K  , R = 1 K  , R = 1 K  , R = 2 K  , V = V = 0,7V. Solución : I = 1,3 mA, V = 6,1V, I = 1,9 mA , V = 4,3V. Subir " id="pdf-obj-2-2" src="pdf-obj-2-2.jpg">

Datos: V CC = 9V, R C = 1K, R E = 1K, R 1 = 6,8K, R 2 = 5,6K, R 3 = 3,3K, V BE = 0,7V.

Solución: I C = 1,3mA, V CE1 = V CE2 = 3,2V.

Actividad 5
Actividad 5

Calcular el punto de trabajo de los transistores utilizando la aproximación .

Datos : V = 9V, R = 1 K  , R = 1 K Subir Actividad 5 Calcular el punto de trabajo de los transistores utilizando la aproximación  → ∞ . Datos : V = 10V, R = 80 K  , R = 20 K  , R = 2 K  , R = 1 K  , R = 1 K  , R = 2 K  , V = V = 0,7V. Solución : I = 1,3 mA, V = 6,1V, I = 1,9 mA , V = 4,3V. Subir " id="pdf-obj-2-69" src="pdf-obj-2-69.jpg">

Datos: V CC = 10V, R 1 = 80K, R 2 = 20K, R C1 = 2K, R E1 = 1K, R E2 = 1K, R C2 = 2K, V BE = V EB = 0,7V.

Solución: I C1 = 1,3mA, V CE1 = 6,1V, I C2 = 1,9mA, V EC2 = 4,3V.

Actividad 6
Actividad 6

Calcular el punto de trabajo de los transistores polarizados con fuentes de corriente.

Actividad 6 Calcular el punto de trabajo de los transistores polarizados con fuentes de corriente. DatosSubir Actividad 7 Calcular el punto de trabajo de los transistores haciendo uso de la aproximación  → ∞ . Datos : V = 9V, R = 20 K  , R = 20 K  , R = 1 K  , R = 1 K  , R = 1 K  , V = 0,7V. Solución : I = 0,7 mA , V = 4,5V, V = 3,1 mA , V = 2,1V. Subir " id="pdf-obj-3-7" src="pdf-obj-3-7.jpg">

Datos: V CC = 15V, R E1 = 4K, R C2 = 4K, I 1 = 10μA, I 2 = 2mA, = 100, V BE = 0,7V.

Solución: I C1 = 1mA, V CE1 = 11V, I C2 = 2mA, V CE2 = 3,7V.

Actividad 7
Actividad 7

Calcular el punto de trabajo de los transistores haciendo uso de la aproximación .

Actividad 6 Calcular el punto de trabajo de los transistores polarizados con fuentes de corriente. DatosSubir Actividad 7 Calcular el punto de trabajo de los transistores haciendo uso de la aproximación  → ∞ . Datos : V = 9V, R = 20 K  , R = 20 K  , R = 1 K  , R = 1 K  , R = 1 K  , V = 0,7V. Solución : I = 0,7 mA , V = 4,5V, V = 3,1 mA , V = 2,1V. Subir " id="pdf-obj-3-71" src="pdf-obj-3-71.jpg">

Datos: V CC = 9V, R 1 = 20K,

R 2 = 20K, R C1 = 1K,

R E1 = 1K, R C2 = 1K, V BE = 0,7V.

Solución: I C1 = 0,7mA, V CE1 = 4,5V, V CE1 = 3,1mA, V CE2 = 2,1V.

Actividad 8
Actividad 8

Calcular el punto de trabajo de los transistores haciendo uso de la aproximación

Actividad 8 Calcular el punto de trabajo de los transistores haciendo uso de la aproximación Subir Actividad 9 Calcular la relación I — I del par Darlington modificado y del par Sziklai modificado representados en la figura, trabajando en activa directa. Asumir que los transistores son idénticos y que V = V . Solución: Par Darlington, I " id="pdf-obj-4-10" src="pdf-obj-4-10.jpg">

Datos: V CC = 9V, R 1 = 2K, R 2 = 1K, R C1 = 2,6K, R E1 = 500, R C2 = 60, R E2 = 600, V BE = 0,7V.

Solución: I C1 = I C2 = 2,3mA, V CE1 = 6,7V, V CE2 = 3,5V, I C4 = 7,3mA, V CE4 = 4,2V.

Actividad 9
Actividad 9

Calcular la relación I C I B del par Darlington modificado y del par Sziklai modificado representados en la figura, trabajando en activa directa. Asumir que los transistores son idénticos y que V BE1 = V BE2 .

Solución: Par
Solución:
Par

Darlington,

I C

=

= <a href=Subir Actividad 10 Calcular el punto de trabajo ( I V , V ) del MOSFET en los siguientes circuitos. Datos : V = 5V, I = 1 mA , R = 1 K  , V = 1V, k = 0,25 mA /V . Solución : I = 1mA , V = 8V, V = 3V; I = 1 mA , V = 3V, V = 3V; I = 1,5 mA , V = 3,5 V , V = 3,5 V . Subir Actividad 11 Calcular el valor de los componentes del circuito de la figura para que el transistor opere en saturación con I = 0,5mA, V = 3V y la potencia disipada por el divisor de tensión sea de 5μW. " id="pdf-obj-5-4" src="pdf-obj-5-4.jpg">

Actividad 10

Calcular el punto de trabajo (I D, V DS , V GS ) del MOSFET en los siguientes circuitos.

= <a href=Subir Actividad 10 Calcular el punto de trabajo ( I V , V ) del MOSFET en los siguientes circuitos. Datos : V = 5V, I = 1 mA , R = 1 K  , V = 1V, k = 0,25 mA /V . Solución : I = 1mA , V = 8V, V = 3V; I = 1 mA , V = 3V, V = 3V; I = 1,5 mA , V = 3,5 V , V = 3,5 V . Subir Actividad 11 Calcular el valor de los componentes del circuito de la figura para que el transistor opere en saturación con I = 0,5mA, V = 3V y la potencia disipada por el divisor de tensión sea de 5μW. " id="pdf-obj-5-22" src="pdf-obj-5-22.jpg">

Datos: V DD = 5V, I = 1mA, R = 1K, V t = 1V, k n = 0,25mA/V 2 .

Solución: I D = 1mA, V DS = 8V, V GS = 3V; I D = 1mA, V DS = 3V, V GS = 3V; I D = 1,5mA, V DS = 3,5V, V GS = 3,5V.

Actividad 11

Calcular el valor de los componentes del circuito de la figura para que el transistor opere en

saturación con I D = 0,5mA, V D = 3V y la potencia disipada por el divisor de tensión sea de

5μW.

= <a href=Subir Actividad 10 Calcular el punto de trabajo ( I V , V ) del MOSFET en los siguientes circuitos. Datos : V = 5V, I = 1 mA , R = 1 K  , V = 1V, k = 0,25 mA /V . Solución : I = 1mA , V = 8V, V = 3V; I = 1 mA , V = 3V, V = 3V; I = 1,5 mA , V = 3,5 V , V = 3,5 V . Subir Actividad 11 Calcular el valor de los componentes del circuito de la figura para que el transistor opere en saturación con I = 0,5mA, V = 3V y la potencia disipada por el divisor de tensión sea de 5μW. " id="pdf-obj-5-105" src="pdf-obj-5-105.jpg">

Datos: V SS = 5V, V t = 1V, k n = 0,5mA=V 2 .

Solución: R 1 = 2M, R 2 = 3M, R D = 6K.

Actividad 12

Calcular el punto de trabajo de los transistores del siguiente circuito:

Datos : V = 5V, V = 1V, k = 0,5 mA=V . Solución : RSubir Actividad 12 Calcular el punto de trabajo de los transistores del siguiente circuito: Datos : V = 5V, k = k = 100 μA =V , V = 2V, R = 1 M  . Solución : V = V = V = V = 5V, I = I = 0,9 mA. Subir Actividad 13 Calcular el punto de trabajo de los transistores del circuito de la figura. " id="pdf-obj-6-43" src="pdf-obj-6-43.jpg">

Datos: V SS = 5V, k n = k p = 100μA=V 2 , V t = 2V, R 1 = 1M.

Solución: V SG1 = V SD1 = V GS2 = V DS2 = 5V, I D1 = I D2 = 0,9mA.

Actividad 13

Calcular el punto de trabajo de los transistores del circuito de la figura.

Datos : V = 15V, R = 1,4 M  , R2 = 1 M Subir Actividad 14 Calcular el punto de trabajo de los transistores del siguiente circuito de polarización: Datos : V = 12V, R = 33 K  , R = 68 K  , R = 1 K  , R = 1 M  , R = 1 K  ; para el BJT,  = 100 y V = 0,7V en activa directa; para el JFET, V = – 3V, I = 9 mA Solución : V = – 1,7V, V = 5,3V, I = I = 1,7 mA , V = 3,3V. Subir " id="pdf-obj-7-2" src="pdf-obj-7-2.jpg">

Datos: V DD = 15V, R 1 = 1,4M, R2 = 1M, R S = 1,5K, I O = 2mA, k n = 2mA/V2, V t = 0,6V.

Solución: V GS1 = 1,6V, V DS1 = 10,4V, I D1 = 2mA, V GS2 = 1,5V, V DS2 = 11,9, I D2 = 2,1mA.

Actividad 14

Calcular el punto de trabajo de los transistores del siguiente circuito de polarización:

Datos : V = 15V, R = 1,4 M  , R2 = 1 M Subir Actividad 14 Calcular el punto de trabajo de los transistores del siguiente circuito de polarización: Datos : V = 12V, R = 33 K  , R = 68 K  , R = 1 K  , R = 1 M  , R = 1 K  ; para el BJT,  = 100 y V = 0,7V en activa directa; para el JFET, V = – 3V, I = 9 mA Solución : V = – 1,7V, V = 5,3V, I = I = 1,7 mA , V = 3,3V. Subir " id="pdf-obj-7-72" src="pdf-obj-7-72.jpg">

Datos: V CC = 12V, R 1 = 33K, R 2 = 68K, R C = 1K, R G = 1M, R S = 1K; para el BJT, = 100 y V BE = 0,7V en activa directa; para el JFET, V p = 3V, I DSS = 9mA

Solución: V GS = 1,7V, V DS = 5,3V, I D = I C = 1,7mA, V CE = 3,3V.

Actividad 15

Diseñar el valor de R E en la fuente de corriente de la figura para tener I O = 1mA. ¿Cuál es la tensión máxima que se puede aplicar a la salida manteniendo la corriente constante?

Actividad 15 Diseñar el valor de R en la fuente de corriente de la figura paraSubir Actividad 16 Determinar la corriente corriente I y la impedancia de salida de la fuente de corriente con componentes discretos de la figura. Datos : V = 12V, V = V = 0,7V, VA = 200V,  = 100, R = 2,5 K  , R = 2 K  , R = 200  . " id="pdf-obj-8-16" src="pdf-obj-8-16.jpg">

Datos: V CC = 5V, V EB = 0,7V, V sat CE = 0,2V.

Solución: R E = 4,3K, V = 0,5V.

Actividad 16

Determinar la corriente corriente I O y la impedancia de salida de la fuente de corriente con componentes discretos de la figura.

Actividad 15 Diseñar el valor de R en la fuente de corriente de la figura paraSubir Actividad 16 Determinar la corriente corriente I y la impedancia de salida de la fuente de corriente con componentes discretos de la figura. Datos : V = 12V, V = V = 0,7V, VA = 200V,  = 100, R = 2,5 K  , R = 2 K  , R = 200  . " id="pdf-obj-8-50" src="pdf-obj-8-50.jpg">

Datos: V EE = 12V, V = V BE = 0,7V, VA = 200V, = 100, R 1 = 2,5K, R 2 = 2K, R E =

200.

Solución: I O = 27mA, R O = 119K, V T = 25,9mV.

Actividad 17

Diseñar una fuente básica de corriente y una fuente Widlar que proporcionen una corriente constante I O = 10μA. Para ello considerar que V BE = 0,7V para una corriente de colector de

1mA.

 → ∞, Datos: V A = 100V, V T = 25,9mV.
 → ∞,
Datos:
V A = 100V, V T = 25,9mV.

Solución: R = 942K, R O = 10M(fuente básica), R 1 = 9,3K, R 2 = 11,9K, R O = 56M(fuente Widlar).

Actividad 18

Diseñar una fuente de corriente Wilson basada en transistores bipolares y con corriente de referencia generada mediante una resistencia, R, que proporcione una corriente de salida I O = 5mA. Se dispone de una fuente de tensión.

V CC = 30V. Calcular la resistencia de salida, R O .

Datos: V BE = 0,7V, V A = 150V, = 100.

Actividad 19

Dado el siguiente espejo de corriente en configuración cascodo, determinar la resistencia de salida y la tensión de salida mínima.

<a href=Subir Actividad 19 Dado el siguiente espejo de corriente en configuración cascodo, determinar la resistencia de salida y la tensión de salida mínima. Datos : V = 5V, I = 10  A , V = 1V,  C = 20  A / V , L = 10  m , W = 40  m , V = 20V. Solución : R = r (2+ g r ) = 164 M  , V = – 3V. Subir Actividad 20 Calcular el valor que debe tener la resistencia RE para que la corriente de salida sea IO = 1,5mA. " id="pdf-obj-10-9" src="pdf-obj-10-9.jpg">

Datos: V SS = 5V, I ref = 10A, V t = 1V, n C ox = 20A/V 2 , L = 10m, W = 40m, V A = 20V.

Solución: R O = r o4 (2+g m4 r o2 ) = 164M, V min O = 3V.

Actividad 20

Calcular el valor que debe tener la resistencia RE para que la corriente de salida sea IO =

1,5mA.

<a href=Subir Actividad 19 Dado el siguiente espejo de corriente en configuración cascodo, determinar la resistencia de salida y la tensión de salida mínima. Datos : V = 5V, I = 10  A , V = 1V,  C = 20  A / V , L = 10  m , W = 40  m , V = 20V. Solución : R = r (2+ g r ) = 164 M  , V = – 3V. Subir Actividad 20 Calcular el valor que debe tener la resistencia RE para que la corriente de salida sea IO = 1,5mA. " id="pdf-obj-10-83" src="pdf-obj-10-83.jpg">

Datos: V CC = 12V, I DSS = 1mA, V p = 3V, V T = 25,9mV,

Solución: R E = 36.

Actividad 21

¿Cuál debe ser la relación entre las dimensiones de la puerta W 3 y L 3 del transistor M 3 para que la corriente de

salida sea I O = 100A?

Datos : V = 12V, I = 1 m A, V = – 3V, V =Subir Actividad 21 ¿Cuál debe ser la relación entre las dimensiones de la puerta W y L del transistor M para que la corriente de salida sea I = 100  A ? Datos :  C = 20  A / V , W = W = 20  m , L = L = 10  m , V = 1V, V = 5V Solución : W / L = 17. Subir - Apoyo a acciones de Innovación Docente - Vicerrectorado de Estudios / Consultas e Incidencias - Tlf: 96 522 2483 - info@goumh.es - Iniciar sesión | Informar de uso inadecuado | Imprimir página | " id="pdf-obj-11-58" src="pdf-obj-11-58.jpg">

Datos: n C ox = 20A/ V 2 ,W 1 = W 2 = 20m, L 1 = L 2 = 10m, V t = 1V, V DD = 5V

Solución: W 3 / L 3 = 17.

Datos : V = 12V, I = 1 m A, V = – 3V, V =Subir Actividad 21 ¿Cuál debe ser la relación entre las dimensiones de la puerta W y L del transistor M para que la corriente de salida sea I = 100  A ? Datos :  C = 20  A / V , W = W = 20  m , L = L = 10  m , V = 1V, V = 5V Solución : W / L = 17. Subir - Apoyo a acciones de Innovación Docente - Vicerrectorado de Estudios / Consultas e Incidencias - Tlf: 96 522 2483 - info@goumh.es - Iniciar sesión | Informar de uso inadecuado | Imprimir página | " id="pdf-obj-11-108" src="pdf-obj-11-108.jpg">

- Apoyo a acciones de Innovación Docente - Vicerrectorado de Estudios / Consultas e Incidencias - Tlf: 96 522 2483 - info@goumh.es -

Datos : V = 12V, I = 1 m A, V = – 3V, V =Subir Actividad 21 ¿Cuál debe ser la relación entre las dimensiones de la puerta W y L del transistor M para que la corriente de salida sea I = 100  A ? Datos :  C = 20  A / V , W = W = 20  m , L = L = 10  m , V = 1V, V = 5V Solución : W / L = 17. Subir - Apoyo a acciones de Innovación Docente - Vicerrectorado de Estudios / Consultas e Incidencias - Tlf: 96 522 2483 - info@goumh.es - Iniciar sesión | Informar de uso inadecuado | Imprimir página | " id="pdf-obj-11-116" src="pdf-obj-11-116.jpg">