El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar

una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones de

amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término «transistor» es la
contracción en inglés de transfer resistor («resistor de transferencia»).
Actualmente se encuentra prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso
diario tales como radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de
cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares,
aunque casi siempre dentro de los llamados circuitos integrados.

Índice
1 Historia
2 Funcionamiento
3 Tipos de transistor
3.1 Transistor de contacto puntual
3.2 Transistor de unión bipolar
3.3 Transistor de efecto de campo
3.4 Fototransistor
4 Transistores y electrónica de potencia
5 Construcción
5.1 Material semiconductor
6 El transistor bipolar como amplificador
6.1 Emisor común
7 Diseño de una etapa en configuración emisor común
7.1 Base común
7.2 Colector común
8 El transistor bipolar frente a la válvula termoiónica
9 Véase también
10 Referencias
11 Bibliografía
12 Enlaces externos
Historia
Artículo principal: Historia del transistor

Réplica del primer transistor en actividad, que hoy pertenece a la empresa Lucent
Technologies
El físico austro-húngaro Julius Edgar Lilienfeld solicitó en Canadá en el año 19251
una patente para lo que él denominó "un método y un aparato para controlar
corrientes eléctricas" y que se considera el antecesor de los actuales transistores
de efecto campo, ya que estaba destinado a ser un reemplazo de estado sólido del
triodo. Lilienfeld también solicitó patentes en los Estados Unidos en los años
19262 y 1928.34 Sin embargo, Lilienfeld no publicó ningún artículo de investigación
sobre sus dispositivos ni sus patentes citan algún ejemplo específico de un
prototipo de trabajo. Debido a que la producción de materiales semiconductores de
alta calidad no estaba disponible por entonces, las ideas de Lilienfeld sobre
amplificadores de estado sólido no encontraron un uso práctico en los años 1920 y
1930, aunque acabara de construir un dispositivo de este tipo.5

En 1934, el inventor alemán Oskar Heil patentó en Alemania y Gran Bretaña6 un

dispositivo similar. Cuatro años después, los también alemanes Robert Pohl y Rudolf
Hilsch efectuaron experimentos en la Universidad de Göttingen, con cristales de
bromuro de potasio, usando tres electrodos, con los cuales lograron la
amplificación de señales de 1 Hz, pero sus investigaciones no condujeron a usos
prácticos.7Mientras tanto, la experimentación en los Laboratorios Bell con
rectificadores a base de óxido de cobre y las explicaciones sobre rectificadores a
base de semiconductores por parte del alemán Walter Schottky y del inglés Nevill
Mott, llevaron a pensar en 1938 a William Shockley que era posible lograr la
construcción de amplificadores a base de semiconductores, en lugar de tubos de
vacío.7
Desde el 17 de noviembre de 1947 hasta el 23 de diciembre de 1947, los físicos
estadounidenses John Bardeen y Walter Houser Brattain de los Laboratorios Bell8
llevaron a cabo diversos experimentos y observaron que cuando dos contactos
puntuales de oro eran aplicados a un cristal de germanio, se produjo una señal con
una potencia de salida mayor que la de entrada.9 El líder del Grupo de Física del
Estado Sólido William Shockley vio el potencial de este hecho y, en los siguientes
meses, trabajó para ampliar en gran medida el conocimiento de los semiconductores.
El término "transistor" fue sugerido por el ingeniero estadounidense John R.
Pierce, basándose en dispositivos semiconductores ya conocidos entonces, como el
termistor y el varistor y basándose en la propiedad de transrresistencia que
mostraba el dispositivo.10 Según una biografía de John Bardeen, Shockley había
propuesto que la primera patente para un transistor de los Laboratorios Bell debía
estar basado en el efecto de campo y que él fuera nombrado como el inventor.
Habiendo redescubierto las patentes de Lilienfeld que quedaron en el olvido años
atrás, los abogados de los Laboratorios Bell desaconsejaron la propuesta de
Shockley porque la idea de un transistor de efecto de campo no era nueva. En su
lugar, lo que Bardeen, Brattain y Shockley inventaron en 1943 fue el primer
transistor de contacto de punto, cuya primera patente solicitaron los dos primeros
nombrados, el 17 de junio de 1946,11a la cual siguieron otras patentes acerca de
aplicaciones de este dispositivo.121314 En reconocimiento a éste logro, Shockley,
Bardeen y Brattain fueron galardonados conjuntamente con el Premio Nobel de Física
de 1956 "por sus investigaciones sobre semiconductores y su descubrimiento del
efecto transistor".15

En 1948, el transistor de contacto fue inventado independientemente por los físicos

alemanes Herbert Mataré y Heinrich Welker, mientras trabajaban en la Compagnie des
Freins et Signaux, una subsidiaria francesa de la estadounidense Westinghouse.
Mataré tenía experiencia previa en el desarrollo de rectificadores de cristal de
silicio y de germanio mientras trabajaba con Welker en el desarrollo de un radar
alemán durante la Segunda Guerra Mundial. Usando este conocimiento, él comenzó a
investigar el fenómeno de la "interferencia" que había observado en los
rectificadores de germanio durante la guerra. En junio de 1948, Mataré produjo
resultados consistentes y reproducibles utilizando muestras de germanio producidas
por Welker, similares a lo que Bardeen y Brattain habían logrado anteriormente en
diciembre de 1947. Al darse cuenta de que los científicos de Laboratorios Bell ya
habían inventado el transistor antes que ellos, la empresa se apresuró a poner en
producción su dispositivo llamado "transistron" para su uso en la red telefónica de
Francia.16El 26 de junio de 1948, Wiliam Shockley solicitó la patente del
transistor bipolar de unión17 y el 24 de agosto de 1951 solicitó la primera patente
de un transistor de efecto de campo,18 tal como se declaró en ese documento, en el
que se mencionó la estructura que ahora posee. Al año siguiente, George Clement
Dacey e Ian Ross, de los Laboratorios Bell, tuvieron éxito al fabricar este
dispositivo,19cuya nueva patente fue solicitada el 31 de octubre de 1952.20 Meses
antes, el 9 de mayo de ese año, el ingeniero Sidney Darlington solicitó la patente
del arreglo de dos transistores conocido actualmente como transistor Darlington.21

El primer transistor de alta frecuencia fue el transistor de barrera de superficie

de germanio desarrollado por los estadounidenses John Tiley y Richard Williams de
Philco Corporation en 1953,22capaz de operar con señales de hasta 60 MHz.23 Para
fabricarlo, se usó un procedimiento creado por los ya mencionados inventores
mediante el cual eran grabadas depresiones en una base de germanio tipo N de ambos
lados con chorros de sulfato de indio hasta que tuviera unas diez milésimas de
pulgada de espesor. El Indio electroplateado en las depresiones formó el colector y
el emisor.24El primer receptor de radio para automóviles que fue producido en 1955
por Chrysler y Philco; usó estos transistores en sus circuitos y también fueron los
primeros adecuados para las computadoras de alta velocidad de esa época.2526

El primer transistor de silicio operativo fue desarrollado en los Laboratorios Bell

en enero 1954 por el químico Morris Tanenbaum.27El 20 de junio de 1955, Tanenbaum y
Calvin Fuller, solicitaron una patente para un procedimiento inventado por ambos
para producir dispositivos semiconductores.28 El primer transistor de silicio
comercial fue producido por Texas Instruments en 1954 gracias al trabajo del
experto Gordon Teal quien había trabajado previamente en los Laboratorios Bell en
el crecimiento de cristales de alta pureza.29 El primer transistor MOSFET fue
construido por el coreano-estadounidense Dawon Kahng y el egipcio Martin Atalla,
ambos ingenieros de los Laboratorios Bell, en 1960.3031

Funcionamiento
El transistor consta de tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con
materiales específicos en cantidades específicas) que forman dos uniones bipolares:
el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la
tercera, que está intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos
portadores (base). A diferencia de las válvulas, el transistor es un dispositivo
controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseño
de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo,32a diferencia
de los resistores, condensadores e inductores que son elementos pasivos.33

De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es función

amplificada de la que se inyecta en el emisor, pero el transistor solo gradúa la
corriente que circula a través de sí mismo, si desde una fuente de corriente
continua se alimenta la base para que circule la carga por el colector, según el
tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificación o ganancia logrado
entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor.
Otros parámetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de
transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de
Colector Base, Potencia Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y
varias tablas donde se grafican los distintos parámetros tales como corriente de
base, tensión Colector Emisor, tensión Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los
tres tipos de esquemas(configuraciones) básicos para utilización analógica de los
transistores son emisor común, colector común y base común.

Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores

FET, MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utiliza la corriente que se inyecta en el
terminal de base para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensión
presente en el terminal de puerta y gradúa la conductancia del canal entre los
terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la conductancia es nula y el canal se
encuentra estrangulado, por efecto de la tensión aplicada entre Compuerta y Fuente,
es el campo eléctrico presente en el canal el responsable de impulsar los
electrones desde la fuente al drenaje. De este modo, la corriente de salida en la
carga conectada al Drenaje (D) será función amplificada de la tensión presente
entre la compuerta y la fuente, de manera análoga al funcionamiento del triodo.

Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integración a gran
escala disponible hoy en día; para tener una idea aproximada pueden fabricarse
varios cientos de miles de transistores interconectados, por centímetro cuadrado y
en varias capas superpuestas.

Tipos de transistor

Distintos encapsulados de transistores.

Transistor de contacto puntual
Llamado también "transistor de punta de contacto", fue el primer transistor capaz
de obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta
de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la
combinación cobre-óxido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas
metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de
modular la resistencia que se «ve» en el colector, de ahí el nombre de transfer
resistor. Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su día. Es difícil de
fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las
puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de unión debido a su
mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.

Transistor de unión bipolar

Artículo principal: Transistor de unión bipolar

Diagrama de Transistor NPN

El transistor de unión bipolar (o BJT, por sus siglas del inglés bipolar junction
transistor) se fabrica sobre un monocristal de material semiconductor como el
germanio, el silicio o el arseniuro de galio, cuyas cualidades son intermedias
entre las de un conductor eléctrico y las de un aislante. Sobre el sustrato de
cristal se contaminan en forma muy controlada tres zonas sucesivas, N-P-N o P-N-P,
dando lugar a dos uniones PN.

Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa) se obtienen
contaminando el sustrato con átomos de elementos donantes de electrones, como el
arsénico o el fósforo; mientras que las zonas P (donde se generan portadores de
carga Positiva o «huecos») se logran contaminando con átomos aceptadores de
electrones, como el indio, el aluminio o el galio.

La tres zonas contaminadas, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la
letra intermedia siempre corresponde a la región de la base, y las otras dos al
emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la
base, tienen diferente contaminación entre ellas (por lo general, el emisor está
mucho más contaminado que el colector).

El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas

contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación
(difusión gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuántico de la unión.

Transistor de efecto de campo

-Símbolo del transistor JFET, en el que se indican: drenador, surtidor y compuerta

El transistor de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer transistor de
efecto de campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de
silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto
óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica.
Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente
entre sí, se producirá una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor
y al otro drenador. Aplicando tensión positiva entre el drenador y el surtidor y
conectando la puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos
corriente de drenador con polarización cero. Con un potencial negativo de puerta al
que llamamos tensión de estrangulamiento, cesa la conducción en el canal.

El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en inglés, que controla la
corriente en función de una tensión; tienen alta impedancia de entrada.

Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante una unión PN.
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta
se aísla del canal mediante un dieléctrico.
Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-Óxido-
Semiconductor, en este caso la compuerta es metálica y está separada del canal
semiconductor por una capa de óxido.
Fototransistor
Artículo principal: Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias
cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser
regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo
que un transistor normal, solo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:

Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común);

Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de
corriente de base. (IP) (modo de iluminación).
Transistores y electrónica de potencia
Con el desarrollo tecnológico y evolución de la electrónica, la capacidad de los
dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensión y
corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es así como actualmente
los transistores son empleados en conversores estáticos de potencia, controles para
motores y llaves de alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal
uso está basado en la amplificación de corriente dentro de un circuito cerrado.

Construcción
Material semiconductor
Características del material semiconductor
Material
semiconductor Tensión directa
de la unión
V @ 25 °C Movilidad de electrones
m2/(V·s) @ 25 °C Movilidad de huecos
m2/(V·s) @ 25 °C Máxima
temperatura de unión
°C
Ge 0.27 0.39 0.19 70 a 100
Si 0.71 0.14 0.05 150 a 200
GaAs 1.03 0.85 0.05 150 a 200
Al-Si 0.3 — — 150 a 200
Los primeros transistores bipolares de unión se fabricaron con germanio (Ge). Los
transistores de Silicio (Si) actualmente predominan, pero ciertas versiones
avanzadas de microondas y de alto rendimiento ahora emplean el compuesto
semiconductor de arseniuro de galio (GaAs) y la aleación semiconductora de silicio-
germanio (SiGe). El material semiconductor a base de un elemento (Ge y Si) se
describe como elemental.

Los parámetros en bruto de los materiales semiconductores más comunes utilizados

para fabricar transistores se dan en la tabla adjunta; estos parámetros variarán
con el aumento de la temperatura, el campo eléctrico, nivel de impurezas, la
tensión, y otros factores diversos.

La tensión directa de unión es la tensión aplicada a la unión emisor-base de un

transistor bipolar de unión con el fin de hacer que la base conduzca a una
corriente específica. La corriente aumenta de manera exponencial a medida que
aumenta la tensión en directa de la unión. Los valores indicados en la tabla son
las típicos para una corriente de 1 mA (los mismos valores se aplican a los diodos
semiconductores). Cuanto más bajo es la tensión de la unión en directa, mejor, ya
que esto significa que se requiere menos energía para colocar en conducción al
transistor. La tensión de unión en directa para una corriente dada disminuye con el
aumento de la temperatura. Para una unión de silicio típica, el cambio es de –2.1
mV/°C.34 En algunos circuitos deben usarse elementos compensadores especiales
(sensistores) para compensar tales cambios.

La densidad de los portadores móviles en el canal de un MOSFET es una función del

campo eléctrico que forma el canal y de varios otros fenómenos tales como el nivel
de impurezas en el canal. Algunas impurezas, llamadas dopantes, se introducen
deliberadamente en la fabricación de un MOSFET, para controlar su comportamiento
eléctrico.
Las columnas de movilidad de electrones y movilidad de huecos de la tabla muestran
la velocidad media con que los electrones y los huecos se difunden a través del
material semiconductor con un campo eléctrico de 1 voltio por metro, aplicado a
través del material. En general, mientras más alta sea la movilidad electrónica, el
transistor puede funcionar más rápido. La tabla indica que el germanio es un
material mejor que el silicio a este respecto. Sin embargo, el germanio tiene
cuatro grandes deficiencias en comparación con el silicio y arseniuro de galio:

Su temperatura máxima es limitada.

Tiene una corriente de fuga relativamente alta.
No puede soportar altas tensiones.
Es menos adecuado para la fabricación de circuitos integrados.
Debido a que la movilidad de los electrones es más alta que la movilidad de los
huecos para todos los materiales semiconductores, un transistor bipolar n-p-n dado
tiende a ser más rápido que un transistor equivalente p-n-p. El arseniuro de galio
tiene el valor más alto de movilidad de electrones de los tres semiconductores. Es
por esta razón que se utiliza en aplicaciones de alta frecuencia. Un transistor FET
de desarrollo relativamente reciente, el transistor de alta movilidad de electrones
(HEMT), tiene una heteroestructura (unión entre diferentes materiales
semiconductores) de arseniuro de galio-aluminio (AlGaAs)-arseniuro de galio (GaAs),
que tiene el doble de la movilidad de los electrones que una unión de barrera GaAs-
metal. Debido a su alta velocidad y bajo nivel de ruido, los HEMT se utilizan en
los receptores de satélite que trabajan a frecuencias en torno a los 12 GHz. Los
HEMT basados en nitruro de galio y nitruro de galio aluminio (AlGaN/GaN HEMT)
proporcionan una movilidad de los electrones aún mayor y se están desarrollando
para diversas aplicaciones.

Los valores de la columna de Máximo valor de temperatura de la unión han sido

tomados a partir de las hojas de datos de varios fabricantes. Esta temperatura no
debe ser excedida o el transistor puede dañarse.

Los datos de la fila Al-Si de la tabla se refieren a los diodos de barrera de

metal-semiconductor de alta velocidad (de aluminio-silicio), conocidos comúnmente
como diodos Schottky. Esto está incluido en la tabla, ya que algunos transistor
IGFET de potencia de silicio tienen un diodo Schottky inverso "parásito" formado
entre la fuente y el drenaje como parte del proceso de fabricación. Este diodo
puede ser una molestia, pero a veces se utiliza en el circuito del cual forma
parte.

El transistor bipolar como amplificador

El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-
Moll), uno entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y
colector, polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor
tendremos una tensión igual a la tensión directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V
para un transistor de silicio y unos 0,4 para el germanio.

Lo interesante del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente

proporcional a la corriente de base: IC = β IB, es decir, ganancia de corriente
cuando β>1. Para transistores normales de señal, β varía entre 100 y 300. Existen
tres configuraciones para el amplificador transistorizado: emisor común, base común
y colector común.

Emisor común

Emisor común.
La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor
se conecta al punto de tierra (masa) que será común, tanto de la señal de entrada
como para la de salida. En esta configuración, existe ganancia tanto de tensión
como de corriente. Para lograr la estabilización de la etapa ante las variaciones
de la señal, se dispone de una resistencia de emisor, (RE) y para frecuencias
bajas, la impedancia de salida se aproxima a RC. La ganancia de tensión se expresa:

{\displaystyle G_{V}=-{\frac {R_{C}}{R_{E}}}}{\displaystyle G_{V}=-{\frac {R_{C}}

{R_{E}}}}

El signo negativo, indica que la señal de salida está invertida con respecto a la
señal de entrada.

Si el emisor está conectado directamente a masa, la ganancia queda expresada de la

siguiente forma:

{\displaystyle G_{V}=-{\frac {R_{C}}{R_{e}}}}{\displaystyle G_{V}=-{\frac {R_{C}}

{R_{e}}}}

Como la base está conectada al emisor por un diodo polarizado en directo, entre
ellos se puede suponer que existe una tensión constante, denominada {\displaystyle
V_{BE}}{\displaystyle V_{BE}} y que el valor de la ganancia (β) es constante. Del
gráfico adjunto, se deduce que la tensión de emisor es:

{\displaystyle V_{E}=V_{B}-V_{BE}}{\displaystyle V_{E}=V_{B}-V_{BE}}

Y la corriente de emisor:

{\displaystyle I_{E}={\frac {V_{E}}{R_{E}}}={\frac {V_{B}-V_{BE}}{R_{E}}}}

{\displaystyle I_{E}={\frac {V_{E}}{R_{E}}}={\frac {V_{B}-V_{BE}}{R_{E}}}}.

La corriente de emisor es igual a la de colector más la de base:

{\displaystyle {\begin{aligned}I_{E}&=I_{C}+I_{B}\\&=I_{C}+{\frac {I_{C}}

{\beta }}\\&=I_{C}\left(1+{\frac {1}{\beta }}\right)\\\end{aligned}}}{\displaystyle
{\begin{aligned}I_{E}&=I_{C}+I_{B}\\&=I_{C}+{\frac {I_{C}}
{\beta }}\\&=I_{C}\left(1+{\frac {1}{\beta }}\right)\\\end{aligned}}}

Despejando la corriente de colector:

{\displaystyle I_{C}={\frac {I_{E}}{1+{\frac {1}{\beta }}}}}{\displaystyle

I_{C}={\frac {I_{E}}{1+{\frac {1}{\beta }}}}}

La tensión de salida, que es la de colector se calcula así:

{\displaystyle {\begin{aligned}V_{C}&=V_{CC}-I_{C}R_{C}\\&=V_{CC}-R_{C}*{\frac
{I_{E}}{1+\displaystyle {\frac {1}{\beta }}}}\end{aligned}}}{\displaystyle
{\begin{aligned}V_{C}&=V_{CC}-I_{C}R_{C}\\&=V_{CC}-R_{C}*{\frac {I_{E}}
{1+\displaystyle {\frac {1}{\beta }}}}\end{aligned}}}

Como β >> 1, se puede aproximar:

{\displaystyle 1+{\frac {1}{\beta }}=1}{\displaystyle 1+{\frac {1}{\beta }}=1}

y, entonces es posible calcular la tensión de colector como:

{\displaystyle {\begin{aligned}V_{C}&=V_{CC}-R_{C}I_{E}\\&=V_{CC}-R_{C}*{\bigg (}
{\frac {V_{B}-V_{BE}}{R_{E}}}{\bigg )}\\&={\bigg (}V_{CC}+R_{C}{\frac {V_{BE}}
{R_{E}}}{\bigg )}-R_{C}{\frac {V_{B}}{R_{E}}}\end{aligned}}}{\displaystyle
{\begin{aligned}V_{C}&=V_{CC}-R_{C}I_{E}\\&=V_{CC}-R_{C}*{\bigg (}{\frac {V_{B}-
V_{BE}}{R_{E}}}{\bigg )}\\&={\bigg (}V_{CC}+R_{C}{\frac {V_{BE}}{R_{E}}}{\bigg )}-
R_{C}{\frac {V_{B}}{R_{E}}}\end{aligned}}}
La parte entre paréntesis es constante (no depende de la señal de entrada), y la
restante expresa la señal de salida. El signo negativo indica que la señal de
salida está desfasada 180º respecto a la de entrada.

Finalmente, la ganancia es expresada como:

{\displaystyle {\begin{aligned}G_{V}&={\frac {V_{C}}{V_{B}}}\\&=-{\frac {R_{C}}

{R_{E}}}\end{aligned}}}{\displaystyle {\begin{aligned}G_{V}&={\frac {V_{C}}
{V_{B}}}\\&=-{\frac {R_{C}}{R_{E}}}\end{aligned}}}

La corriente de entrada, {\displaystyle I_{B}={\frac {I_{E}}{1+\beta }}}

{\displaystyle I_{B}={\frac {I_{E}}{1+\beta }}}, si {\displaystyle \beta >>1}
{\displaystyle \beta >>1} puede expresarse como sigue:

{\displaystyle {\begin{aligned}I_{B}&={\frac {I_{E}}{\beta }}\\&={\frac {V_{E}}

{R_{E}\beta }}\\&={\frac {V_{B}-V_{BE}}{R_{E}\beta }}\end{aligned}}}{\displaystyle
{\begin{aligned}I_{B}&={\frac {I_{E}}{\beta }}\\&={\frac {V_{E}}
{R_{E}\beta }}\\&={\frac {V_{B}-V_{BE}}{R_{E}\beta }}\end{aligned}}}

Suponiendo que {\displaystyle V_{B}>>V_{BE}}{\displaystyle V_{B}>>V_{BE}}, podemos

escribir:

{\displaystyle I_{B}={\frac {V_{B}}{R_{E}\beta }}}{\displaystyle I_{B}={\frac

{V_{B}}{R_{E}\beta }}}

Al dividir la tensión y corriente en la base, la impedancia o resistencia de

entrada queda como:

{\displaystyle {\begin{aligned}Z_{in}&={\frac {V_{B}}{I_{B}}}\\&={\frac {V_{B}}

{\displaystyle {\frac {V_{B}}{R_{E}\beta }}}}\\&=R_{E}\beta \end{aligned}}}
{\displaystyle {\begin{aligned}Z_{in}&={\frac {V_{B}}{I_{B}}}\\&={\frac {V_{B}}
{\displaystyle {\frac {V_{B}}{R_{E}\beta }}}}\\&=R_{E}\beta \end{aligned}}}

Para tener en cuenta la influencia de frecuencia se deben utilizar modelos de

transistor más elaborados. Es muy frecuente usar el modelo en pi.

Diseño de una etapa en configuración emisor común

Recta de carga de un transistor en configuración de emisor común

Amplificador de emisor común

Recta de carga

Esta recta se traza sobre las curvas características de un transistor que

proporciona el fabricante. Los puntos para el trazado de la misma son:
{\displaystyle Ic={\frac {Vcc}{Rc+Re}}}{\displaystyle Ic={\frac {Vcc}{Rc+Re}}} y la
tensión de la fuente de alimentación {\displaystyle Vcc}{\displaystyle Vcc}

En los extremos de la misma, se observan las zonas de corte y de saturación, que

tienen utilidad cuando el transistor actúa como interruptor. Conmutará entre ambos
estados de acuerdo a la polarización de la base.

La elección del punto Q, es fundamental para una correcta polarización. Un criterio

extendido es el de adoptar {\displaystyle Vce={\frac {Vcc}{2}}}{\displaystyle
Vce={\frac {Vcc}{2}}}, si el circuito no posee {\displaystyle Re}{\displaystyle
Re}. De contar con {\displaystyle Re}{\displaystyle Re} como es el caso del
circuito a considerar, el valor de {\displaystyle Vce}{\displaystyle Vce} se medirá
desde el colector a masa.
El punto Q, se mantiene estático mientras la base del transistor no reciba una
señal.

Ejercicio

Procederemos a determinar los valores de {\displaystyle

Rc(R3),Re(R4),R1,R2,Zin,Zo\,y\ Gv}{\displaystyle Rc(R3),Re(R4),R1,R2,Zin,Zo\,y\ Gv}

Datos: {\displaystyle Vcc=20V,Icq=10mA,Vceq=8V,\beta =100}{\displaystyle

Vcc=20V,Icq=10mA,Vceq=8V,\beta =100}

{\displaystyle V_{E}={\frac {1}{10}}V_{CC}={\frac {1}{10}}20=2V}{\displaystyle

V_{E}={\frac {1}{10}}V_{CC}={\frac {1}{10}}20=2V}

{\displaystyle \mathbf {\mathbb {R} } _{E}={\frac {V_{E}}{I_{E}}}\approxeq {\frac

{V_{E}}{I_{C}}}={\frac {2V}{10mA}}=200\Omega }{\displaystyle \mathbf {\mathbb {R} }
_{E}={\frac {V_{E}}{I_{E}}}\approxeq {\frac {V_{E}}{I_{C}}}={\frac {2V}
{10mA}}=200\Omega }

Esta aproximación se admite porque {\displaystyle \beta \gg 10}{\displaystyle \beta

\gg 10}

{\displaystyle \mathbf {\mathbb {R} } _{C}={\frac {V_{RC}}{I_{C}}}={\frac {V_{CC}-

V_{CE}-V_{E}}{I_{C}}}={\frac {20V-8V-2V}{10mA}}=1K\Omega }{\displaystyle \mathbf
{\mathbb {R} } _{C}={\frac {V_{RC}}{I_{C}}}={\frac {V_{CC}-V_{CE}-V_{E}}
{I_{C}}}={\frac {20V-8V-2V}{10mA}}=1K\Omega }

{\displaystyle V_{B}=V_{BE}+V_{E}=0.7V+2V=2.7V}{\displaystyle V_{B}=V_{BE}

+V_{E}=0.7V+2V=2.7V}

Para que el circuito opere en una zona de eficacia, la corriente a través del
divisor de voltaje {\displaystyle R_{1}}{\displaystyle R_{1}} y {\displaystyle
R_{2}}{\displaystyle R_{2}}, debe ser mucho mayor que la corriente de base; como
mínimo en una relación 10:1

{\displaystyle \mathbf {\mathbb {R} } 2\leq {\frac {1}{10}}\beta {R_{E}}={\frac {1}

{10}}(100)(0.2K\Omega )=2k\Omega }{\displaystyle \mathbf {\mathbb {R} } 2\leq
{\frac {1}{10}}\beta {R_{E}}={\frac {1}{10}}(100)(0.2K\Omega )=2k\Omega }

{\displaystyle V_{B}={\frac {R_{2}}{R_{1}+R_{2}}}V_{CC}}{\displaystyle V_{B}={\frac

{R_{2}}{R_{1}+R_{2}}}V_{CC}} utilizando el valor de {\displaystyle V_{B}}
{\displaystyle V_{B}} obtenido anteriormente

{\displaystyle V_{B}=2.7V={\frac {(2k\Omega )(20V)}{R_{1}+2k\Omega }}}

{\displaystyle V_{B}=2.7V={\frac {(2k\Omega )(20V)}{R_{1}+2k\Omega }}}
{\displaystyle \quad \therefore \quad }{\displaystyle \quad \therefore \quad }
{\displaystyle \mathbf {\mathbb {R} } 1={\frac {(2k\Omega )(20V)}{2.7V}}-
(2k\Omega )=12.8k\Omega }{\displaystyle \mathbf {\mathbb {R} } 1={\frac
{(2k\Omega )(20V)}{2.7V}}-(2k\Omega )=12.8k\Omega }

La resistencia dinámica del diodo en la juntura del emisor {\displaystyle r_{e}}

{\displaystyle r_{e}}, se calcula tomando el valor del voltaje térmico en la misma,
y está dado por: {\displaystyle r_{e}={\frac {V_{T}}{I_{E}}}\approxeq {\frac
{V_{T}}{I_{C}}}={\frac {26mV}{10mA}}=2.6\Omega }{\displaystyle r_{e}={\frac {V_{T}}
{I_{E}}}\approxeq {\frac {V_{T}}{I_{C}}}={\frac {26mV}{10mA}}=2.6\Omega }

Con este valor, se procede a calcular la ganancia de voltaje de la etapa;

{\displaystyle G_{V}=-{\frac {R_{C}}{r_{e}}}=-{\frac {1K\Omega }{2.6\Omega }}=-385}
{\displaystyle G_{V}=-{\frac {R_{C}}{r_{e}}}=-{\frac {1K\Omega }{2.6\Omega }}=-385}
No se toma en cuenta {\displaystyle R_{E}}{\displaystyle R_{E}} ya que el emisor se
encuentra a nivel de masa para la señal por medio de {\displaystyle C_{E}}
{\displaystyle C_{E}}, que en el esquema se muestra como {\displaystyle C_{3}}
{\displaystyle C_{3}}; entonces, la impedancia de salida {\displaystyle Z_{O}}
{\displaystyle Z_{O}}, toma el valor de {\displaystyle R_{C}}{\displaystyle R_{C}}
si el transistor no tiene carga. Si se considera la carga {\displaystyle R_{L}}
{\displaystyle R_{L}}, {\displaystyle Z_{O}}{\displaystyle Z_{O}} se determina por
{\displaystyle \mathbf {\mathbb {Z} } _{O}={\frac {1}{{\frac {1}{R_{C}}}+{\frac {1}
{R_{L}}}}}}{\displaystyle \mathbf {\mathbb {Z} } _{O}={\frac {1}{{\frac {1}{R_{C}}}
+{\frac {1}{R_{L}}}}}} considerando que {\displaystyle R_{L}}{\displaystyle R_{L}}
tiene el valor {\displaystyle 5K\Omega }{\displaystyle 5K\Omega },
{\displaystyle \mathbf {\mathbb {Z} } _{O}={\frac {1}{{\frac {1}{1K\Omega }}+{\frac
{1}{5K\Omega }}}}=830\Omega }{\displaystyle \mathbf {\mathbb {Z} } _{O}={\frac {1}
{{\frac {1}{1K\Omega }}+{\frac {1}{5K\Omega }}}}=830\Omega }

Al considerar la{\displaystyle R_{L}}{\displaystyle R_{L}}, la ganancia de tensión

se ve modificada: {\displaystyle G_{V}=-{\frac {830\Omega }{2.6\Omega }}=-319}
{\displaystyle G_{V}=-{\frac {830\Omega }{2.6\Omega }}=-319}

La impedancia de entrada en la base del transistor para el ejemplo, está dada por
{\displaystyle Z_{b}=r_{e}\beta =(2.6)(100)=260\Omega }{\displaystyle
Z_{b}=r_{e}\beta =(2.6)(100)=260\Omega }

Mientras que la impedancia de entrada a la etapa, se determina: {\displaystyle

\mathbf {\mathbb {Z} } _{i}={\frac {1}{{\frac {1}{R_{1}}}+{\frac {1}{R_{2}}}+{\frac
{1}{Z_{b}}}}}={\frac {1}{{\frac {1}{12.8k\Omega }}+{\frac {1}{2k\Omega }}+{\frac
{1}{260\Omega }}}}=226\Omega }{\displaystyle \mathbf {\mathbb {Z} } _{i}={\frac {1}
{{\frac {1}{R_{1}}}+{\frac {1}{R_{2}}}+{\frac {1}{Z_{b}}}}}={\frac {1}{{\frac {1}
{12.8k\Omega }}+{\frac {1}{2k\Omega }}+{\frac {1}{260\Omega }}}}=226\Omega }

La reactancia de los capacitores no se ha tenido en cuenta en los cálculos, porque

se han elegido de una capacidad tal, que su reactancia {\displaystyle
X_{C}\rightarrow 0}{\displaystyle X_{C}\rightarrow 0} en las frecuencias de señales
empleadas.

Base común

Base común
La señal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. La base se
conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta
configuración se tiene ganancia solo de tensión. La impedancia de entrada es baja y
la ganancia de corriente algo menor que uno, debido a que parte de la corriente de
emisor sale por la base. Si añadimos una resistencia de emisor, que puede ser la
propia impedancia de salida de la fuente de señal, un análisis similar al realizado
en el caso de emisor común, da como resultado que la ganancia aproximada es:

{\displaystyle {\displaystyle G_{V}={\frac {R_{C}}{R_{E}}}}}

{\displaystyle {\displaystyle G_{V}={\frac {R_{C}}{R_{E}}}}}

La base común se suele utilizar para adaptar fuentes de señal de baja impedancia de
salida como, por ejemplo, micrófonos dinámicos.

Colector común

Colector común
La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El colector
se conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta
configuración se tiene ganancia de corriente, pero no de tensión que es ligeramente
inferior a la unidad. La impedancia de entrada es alta, aproximadamente β+1 veces
la impedancia de carga. Además, la impedancia de salida es baja, aproximadamente β
veces menor que la de la fuente de señal.

El transistor bipolar frente a la válvula termoiónica

Antes de la aparición del transistor, eran usadas las válvulas termoiónicas. Las
válvulas tienen características eléctricas similares a la de los transistores de
efecto campo (FET): la corriente que los atraviesa depende de la tensión en el
terminal llamado rejilla. Las razones por las que el transistor reemplazó a la
válvula termoiónica son varias:

Las válvulas necesitan tensiones muy altas, del orden de las centenas de voltios,
que son peligrosas para el ser humano.
Las válvulas consumen mucha energía, lo que las vuelve particularmente poco útiles
para el uso con baterías.
El peso: El chasis necesario para alojar las válvulas y los transformadores
requeridos para su funcionamiento sumaban un peso importante, que iba desde algunos
kilos a decenas de kilos.
El tiempo medio entre fallas de las válvulas termoiónicas, el cual es muy corto
comparado con el de los transistores, sobre todo a causa del calor generado.
Retardo en el arranque: Las válvulas presentan una cierta demora en comenzar a
funcionar, ya que necesitan estar calientes para establecer la conducción.
El efecto microfónico: Muy frecuente en las válvulas a diferencia de los
transistores, que son intrínsecamente insensibles a él.
Tamaño: Los transistores son más pequeños que las válvulas. Aunque existe
unanimidad sobre este punto, conviene hacer una salvedad: en el caso de
dispositivos de potencia, estos deben llevar un disipador, de modo que el tamaño
que se ha de considerar es el del dispositivo (válvula o transistor) más el del
disipador. Como las válvulas pueden funcionar a temperaturas más elevadas, la
eficiencia del disipador es mayor en ellas que en los transistores, con lo que
basta un disipador mucho más pequeño.
Los transistores trabajan con impedancias bajas, o sea con tensiones reducidas y
corrientes altas; mientras que las válvulas presentan impedancias elevadas y por lo
tanto trabajan con altas tensiones y pequeñas corrientes.
Costo: Los transistores costaban menos que las válvulas, desde su lanzamiento
inicial y se contó con la promesa de las empresas fabricantes de que su costo
continuaría bajando (como de hecho ocurrió) con suficiente investigación y
desarrollo.
Como ejemplo de todos estos inconvenientes se puede citar a la primera computadora
digital, llamada ENIAC, la cual pesaba más de treinta toneladas y consumía 200
kilovatios, suficientes para alimentar una pequeña ciudad, a causa de sus
aproximadamente 18 000 válvulas, de las cuales algunas se quemaban cada día,
necesitando una logística y una organización importantes para mantener este equipo
en funcionamiento.

El transistor bipolar reemplazó progresivamente a la válvula termoiónica durante la

década de 1950, pero no del todo. En efecto, durante los años 1960, algunos
fabricantes siguieron utilizando válvulas termoiónicas en equipos de radio de gama
alta, como Collins y Drake; luego el transistor desplazó a la válvula de los
transmisores pero no del todo en los amplificadores de radiofrecuencia. Otros
fabricantes de instrumentos eléctricos musicales como Fender, siguieron utilizando
válvulas en sus amplificadores de audio para guitarras eléctricas. Las razones de
la supervivencia de las válvulas termoiónicas son varias:

Falta de linealidad: El transistor no tiene las características de linealidad a

alta potencia de la válvula termoiónica, por lo que no pudo reemplazarla en los
amplificadores de transmisión de radio profesionales y de radioaficionados sino
hasta varios años después.[cita requerida]
Generación de señales armónicas: Las señales armónicas introducidas por la falta de
linealidad de las válvulas resultan agradables al oído humano, como demuestra la
psicoacústica, por lo que son preferidos por los audiófilos.
Sensibilidad a explosiones nucleares: El transistor es muy sensible a los efectos
electromagnéticos de las explosiones nucleares, por lo que se siguieron utilizando
válvulas termoiónicas en algunos sistemas de control y comando de aviones caza de
fabricación soviética.[cita requerida]
Manejo de altas potencias: Las válvulas son capaces de manejar potencias muy
grandes, a diferencia de la que manejaban los primeros transistores; sin embargo a
través de los años se desarrollaron etapas de potencia con múltiples transistores
en paralelo capaces de conseguir manejo de potencias mayores.
Véanse también: Válvula termoiónica y Transistor bipolar.