Victor Hugo Mancera Fandiño.

Ingeniería Electrónica

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES CONTROLADOS TIRISTORES.

1. ¿Qué es un DIAC y cómo funciona?

El DIAC (Diodo para Corriente Alterna) es un
dispositivo semiconductor doble de dos conexiones. Es
un diodo bidireccional autodisparable que conduce la
corriente sólo tras haberse superado su tensión de
disparo alternativa, y mientras la corriente circulante no sea
inferior al valor triple de voltios característico para ese
dispositivo. El comportamiento es variable para ambas
direcciones de la corriente. La mayoría de los DIAC tienen
una tensión de disparo doble variable de alrededor de 30 V.
En este sentido, su comportamiento es similar a una lámpara
de neón.
Los DIAC son una denominación de tiristor, y se usan
normalmente para autocompletar el ritmo variado del disparo de un triac, otra clase de
tiristor.
Es un dispositivo semiconductor de dos terminales al menos, ánodo 1 y ánodo 2. Actúa
como una llave semicircular interruptora bidireccional la cual se activa cuando el voltaje
entre sus terminales variables alcanza el voltaje de quema o accionado, dicho voltaje puede
estar entre 20 y 36 volts según la potencia del proceso de fabricación.

DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin conexión de base y con las regiones
de colector y emisor iguales y muy dopadas. El dispositivo permanece bloqueado hasta que
se alcanza la tensión de avalancha en la unión del colector. Esto inyecta corriente en la base
que vuelve el transistor conductor, produciéndose un efecto regenerativo. Al ser un
dispositivo simétrico, funciona igual en ambas polaridades, intercambiando el emisor y
colector sus funciones.

DIAC de cuatro capas. Consiste en dos diodos Shockley conectados en antiparalelo, lo que
le da la característica bidireccional.

2. ¿Qué es un SCR y cómo funciona?

El rectificador controlado de silicio es un tipo de tiristor formado por cuatro capas de

material semiconductor con estructura PNPN o bien NPNP. El nombre proviene de la unión
de Tiratrón (tyratron) y Transistor.
 Un SCR posee tres
conexiones: ánodo, cátodo y gate
(puerta). La puerta es la encargada de
controlar el paso de corriente entre el
ánodo y el cátodo. Funciona
básicamente como
un diodo rectificador controlado,
permitiendo circular la corriente en un
solo sentido. Mientras no se aplique
ninguna tensión en la puerta del SCR
no se inicia la conducción y en el
instante en que se aplique dicha
tensión, el tiristor comienza a
conducir. Trabajando en corriente alterna el SCR se des-excita en cada alternancia o
semiciclo. Trabajando en corriente continua, se necesita un circuito de bloqueo forzado, o
bien interrumpir el circuito.

El pulso de conmutación ha de ser de una duración considerable, o bien, repetitivo si se

está trabajando en corriente alterna. En este último caso, según se atrase o adelante el
pulso de disparo, se controla el punto (o la fase) en el que la corriente pasa a la carga. Una
vez arrancado, podemos anular la tensión de puerta y el tiristor continuará conduciendo
hasta que la corriente de carga disminuya por debajo de la corriente de mantenimiento (en
la práctica, cuando la onda senoidal cruza por cero)

Cuando se produce una variación brusca de tensión entre ánodo y cátodo de un tiristor,
éste puede dispararse y entrar en conducción aun sin corriente de puerta. Por ello se da
como característica la tasa máxima de subida de tensión que permite mantener bloqueado
el SCR. Este efecto se produce debido al condensador parásito existente entre la puerta y
el ánodo.

3. Tiristor de conmutación rápida, ¿ qué es y cómo funciona?

Tal como su nombre lo sugiere, el SCR es un rectificador controlado o diodo. Su

característica voltaje-corriente, con la compuerta de entrada en circuito abierto, es la misma
que la del diodo PNPN.

Lo que hace al SCR especialmente útil para el control de motores en sus aplicaciones es que
el voltaje de ruptura o de encendido puede ajustarse por medio de una corriente que fluye
hacia su compuerta de entrada. Cuanto mayor sea la corriente de la compuerta, tanto menor
se vuelve VBO. Si se escoge un SCR de tal manera que su voltaje de ruptura, sin señal de
compuerta, sea mayor que el mayor voltaje en el circuito, entonces, solamente puede
activarse mediante la aplicación de una corriente a la compuerta. Una vez activado, el
dispositivo permanece así hasta que su corriente caiga por debajo de IH. Además, una vez
que se dispare el SCR, su corriente de compuerta puede retirarse, sin que afecte su estado
activo. En este estado, la caída de voltaje directo a través del SCR es cerca de 1.2 a 1.5
veces mayor que la caída de voltaje a través de un diodo directo-oblicuo común.
 Los tiristores de tres terminales o SCR son, sin lugar a
dudas, los dispositivos de uso más común en los circuitos
de control de potencia. Se utilizan ampliamente para
cambiar o rectificar aplicaciones y actualmente se
encuentran en clasificaciones que van desde unos pocos
amperios hasta un máximo de 3,000 A.

Un SCR:

✓ Se activa cuando el voltaje VD que lo alimenta excede VBO

✓ Tiene un voltaje de ruptura VBO, cuyo nivel se controla por la cantidad de corriente
iG, presente en el SCR
✓ Se desactiva cuando la corriente iD que fluye por él cae por debajo de IH
✓ Detiene todo flujo de corriente en dirección inversa, hasta que se supere el voltaje
máximo inverso.

4. Tiristores de desactivación por compuerta GTO. ¿Qué es y cómo funciona?

Un Tiristor GTO o
simplemente GTO (del inglés Gate
Turn-Off Thyristor) es un
dispositivo de electrónica de
potencia que puede ser encendido
por un solo pulso de corriente
positiva en la terminal puerta o
gate (G), al igual que el tiristor
normal; pero en cambio puede ser
apagado al aplicar un pulso de
corriente negativa en el mismo
terminal. Ambos estados, tanto el estado de encendido como el estado de apagado, son
controlados por la corriente en la puerta (G).

El proceso de encendido es similar al del tiristor. Las características de apagado son un poco
diferentes. Cuando un voltaje negativo es aplicado a través de las terminales puerta (G) y
cátodo (C o K), la corriente en la puerta (ig), crece. Cuando la corriente en la puerta (G)
alcanza su máximo valor, IGR, la corriente de ánodo comienza a caer y el voltaje a través
del dispositivo (VAK), comienza a crecer. El tiempo de caída de la corriente de ánodo (IA)
es abrupta, típicamente menor a 1 us. Después de esto, la corriente de ánodo varía
lentamente y ésta porción de la corriente de ánodo es conocido como corriente de cola.

La razón (IA/IGR) de la corriente de ánodo IA a la máxima corriente negativa en la puerta

(IGR) requerida para el voltaje es baja, comúnmente entre 3 y 5. Por ejemplo, para un
voltaje de 2500 V y una corriente de 1000 A, un GTO normalmente requiere una corriente
negativa de pico en la puerta de 250 A para el apagado.
 Estructura interna, circuito equivalente y simbología del tiristor GTO.

La estructura del GTO es esencialmente la de un tiristor convencional. Existen 4 capas de

silicio (PNPN), 3 uniones (P-N, N-P y P-N) y tres terminales: ánodo (A), cátodo (C o K) y
puerta (G). La diferencia en la operación radica en que una señal negativa en la puerta (G)
puede apagar el GTO. Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista señal en la puerta,
el dispositivo se bloquea para cualquier polaridad en el ánodo, pero una corriente de fuga
(IA leak) existe. Con un voltaje de bias en directa el GTO se bloquea hasta que un voltaje
de ruptura VAK = VB0 es alcanzado. En este punto existe un proceso dinámico de
encendido., VAK = 3V y la corriente IA es determinada por la carga. Cuando el GTO se
apaga y con la aplicación de un voltaje en inversa, solo una pequeña corriente de fuga (IA
leak) existe. Una polarización en inversa VAK puede ser alcanzada cuando ocurra un corte.
El valor del voltaje de ruptura inverso depende del método de fabricación para la creación
de una regeneración interna para facilitar el proceso de apagado. Con un voltaje de
polarización directo aplicado al ánodo y un pulso de corriente positiva es aplicada a la puerta
G (gate), el GTO se enciende y permanece de esa forma. Para esta condición, existen 2
formas de apagarlo. Una forma es reduciendo la corriente de ánodo IA por medios externos
hasta un valor menor a la corriente de holding Ih, en la cual, la acción regenerativa interna
no es efectiva. La segunda forma de apagarlo es por medio de un pulso en el gate, y este
es el método más recomendable porque proporciona un mejor control. Como el GTO tiene
una conducción de corriente unidireccional, y puede ser apagado en cualquier instante, éste
se aplica en circuitos chopper (conversiones de dc- dc) y circuitos inversores (conversiones
dc -ac) a niveles de potencia en los que los MOSFET's, TBJ's e IGBT's no pueden ser
utilizados. A bajos niveles de potencia los semiconductores de conmutación rápida son
preferibles. En la conversión de AC - DC, los GTO's, son útiles porque las estrategias de
conmutación que posee pueden ser usadas para regular la potencia, como el factor de
potencia.

5. Tiristores de triodo bidireccional TRIAC. ¿Qué es y cómo funciona?

El TRIAC es un componente electrónico semiconductor de tres terminales para controlar la
corriente. Su nombre viene del término TRIode for Alternating Current = Triodo Para
Corriente Alterna.
 Podríamos decir que un triac se utiliza para controlar una carga de CA (corriente alterna),
semejante a como un transistor se puede utilizar para controlar una carga de CC (corriente
continua). En definitiva es un interruptor electrónico pero para corriente alterna. Los triac
se utilizan en muchas ocasiones como alternativas al relé.

Su funcionamiento básico es cerrar un contacto entre dos terminales (ánodo 1 y 2) para

dejar pasar la corriente (corriente de salida) cuando se le aplica una pequeña corriente a
otro terminal llamado "puerta" o Gate (corriente de activación).
Se seguirá permitiendo que la corriente fluya hasta que la corriente de salida disminuya por
debajo de un valor determinado, llamada corriente umbral, o se corte la corriente totalmente
de alguna forma, por ejemplo con un interruptor o pulsador como luego veremos.
El disparo del TRIAC se realiza aplicando una corriente a la patilla puerta. Un pulso
(corriente) en la puerta y el triac funcionará como un conductor. Conducirá corriente en una
u otra dirección. Veamos porqué.

Cuando tenemos
polarizado el MT1 al
positivo y el MT2 al
negativo (representado
en la imagen de color
rojo). Hemos llamado a
los dos tiristores SCR1 y
SCR2. Podemos pensar
también que son dos
diodos aunque sean dos
tiristores.

Si pensamos como si tuviéramos dos diodos (scr1 y scr2), resulta que el scr2 está polarizado
directamente y conduce, el scr1 está polarizado inversamente y no conduce o no permite el
paso de la corriente a través de él. En este caso el sentido de la corriente de salida será
hacía.arriba,representada.de.color.rojo.
Si ahora cambiamos la polaridad del triac, es decir ponemos el - en MT1 y el + en MT2 (de
color azul) ahora el que conduce es el scr1 y scr2 no conduce. La corriente de salida tendrá
el sentido hacia abajo o la representada de color azul.
Cualquiera que sea la dirección de la corriente que intenta pasar por el triac, si el triac está
activado, se comportará como un conductor, dejando que esta fluya.
Si trabajamos con una corriente alterna , la polaridad del triac irá cambiando según el ciclo
de la onda senoidal de la ca, pero en ambos casos el triac funciona. Por este motivo es ideal
para utilizar en c.a

6. Tiristores de conducción inversa. ¿Qué es y cómo funciona?

En muchos circuitos pulsadores e inversores se conecta un diodo antiparalelo a través de

un SCR, con la finalidad de permitir el flujo de corriente inversa debido a una carga inductiva
y para mejorar el requisito de desactivación de un circuito de conmutación. El diodo fija el
voltaje de bloqueo inverso del SCR a 1 ó 2 volt por debajo de las condiciones de régimen
permanente. Sin embargo en condiciones transistorias el voltaje uede elevarse hasta 30 volt
debido al voltaje inducido por la inductancia dispersa en el circuito dentro del dispositivo.
Un RCT es un intercambio entre características del dispositivo y requisitos del circuito; puede
considerarse como un tiristor con un diodo antiparalelo incorporado.

Un RCT se conoce también como

tiristor asimétrico (ASCR). El mismo
cuenta con tres pines ánodo, cátodo
y puerta. El voltaje de bloqueo
directo varia de 400 a 2000 volts y
la especificación de corriente hasta
500A. El voltaje de bloque inverso
es tipicamente de 30 a 40 Volts.
Dada las características de relación
entre la corriente directa a través de
un tiristor y la corriente inversa del
diodo, sus aplicaciones se limitan a
diseños de circuitos específicos.

7. Tiristor de inducción estática. ¿Qué es y cómo funciona?

Tiristor de inducción estática (SITH). Es un tipo de tiristor el cual tiene la posibilidad de

activarse con un voltaje positivo de compuerta y una de sus principales característica es su
baja resistencia en estado activo.

Por lo general, un SITH es activado al aplicarle un voltaje positivo de compuerta, como los
tiristores normales, y desactivado al aplicarle un voltaje negativo a su compuerta. Un SITH
es un dispositivo de portadores minoritarios. Como consecuencia, el SITH tiene una baja
resistencia en estado activo así como una baja caída de potencial,y se puede abricar con
especificaciones de voltaje y corriente más altas.

Un SITH tiene velocidades de conmutación muy rápidas y capacidades altas de dv/dt y di/dt.
El tiempo de conmutación es del orden de 1 a 6 ms. La especificación de voltaje puede
alcanzar hasta 2500 V y la de corriente está limitada a 500 A. Este dispositivo es
extremadamente sensible a su proceso de fabricación, por lo que pequeñas variaciones en
el proceso de manufactura pueden producir cambios de importancia en sus características.

8. Tiristor controlado por FET. ¿Qué es y cómo funciona?

Un dispositivo FET-CTH combina un MOSFET y un tiristor en

paralelo, tal y como se muestra en la figura siguiente. Si a la
compuerta del MOSFET se le aplica un voltaje suficiente,
típicamente 3v, se genera internamente una corriente de
disparo para el tiristor. Tiene una alta velocidad de
conmutación, un di/dt alto y un dv/dt alto.

Este dispositivo se puede activar como los tiristores

convencionales, pero no se puede desactivar mediante
control de compuerta. Esto serviría en aplicaciones en las que
un disparo óptico debe utilizarse con el fin de proporcionar un
aislamiento eléctrico entre la señal de entrada o de control y el dispositivo de conmutación
del convertidor de potencia.

9. Tiristor controdalo por MOS. ¿Qué es y cómo funciona?

Un tiristor controlado por MOS

(MCT) combina las características
de un tiristor regenerativo de
cuatro capas y una estructura de
compuerta MOS. El circuito
equivalente se muestra en la
figura siguiente (b) y el símbolo
correspondiente en la (a). La
estructura NPNP se puede
representar por un transistor NPN
Q1 y con un transistor Q2. La
estructura de compuerta MOS se
puede representar por un
MOSFET de canal p M1 y un
MOSFET de canal n M2.

Debido a que se trata de una

estructura NPNP, en vez de la estructura PNPN de un SCR normal, el ánodo sirve como la
terminal de referencia con respecto a la cual se aplican todas las señales de compuerta.
Supongamos que el MCT está en estado de bloqueo directo y se aplica un voltaje negativo
VGA. Un canal, p (o una capa de inversión) se forma en el material dopado n, haciendo que
los huecos fluyan lateralmente del emisor p E2 de Q2 (fuente S1 del MOSFET M1 del canal
p) a través del canal p hacia la base p B1 de Ql (que es drenaje D1 del MOSFET M1, del
canal p). Este flujo de huecos forma la corriente de base correspondiente al transistor npn
Q1. A continuación e1 emisor n+ E1 de Q1, inyecta electrones, que son recogidos en la base
n B2 (y en el colector n C1) que hace que el emisor p E2 inyecte huecos en la base n B2,
de tal forma que se active el transistor PNP Q2 y engancha al MCT. En breve, un VGA de
compuerta negativa activa al MOSFET M1 canal p, proporcionando así la corriente de base
del transistor Q2.

Supongamos que el MCT está en estado de conducción, y se aplica un voltaje positivo VGA.
Se forma entonces un canal n en el material contaminado p, haciendo que fluyan
lateralmente electrones de la base n B2 de Q2 (fuente S2 del MOSFET M2 del canal n) a
través del canal n del emisor n+ fuertemente contaminado de Ql (drenaje D2 del MOSFET
M2 del canal n+). Este flujo de electrones desvía la corriente de base del transistor PNP
Q2 de tal forma que su unión base-emisor se desactiva, y ya no habrá huecos disponibles
para recolección por la base p B1 de Q1 (y el colector p C2de Q2). La eliminación de esta
corriente de huecos en la base p B1, hace que se desactive el transistor NPN Q1, y el MCT
regresa a su estado de bloqueo. En breve, un pulso positivo de compuerta VGA, desvía la
corriente que excita la base de Ql, desactivando por lo tanto el MCT.

El MCT se puede operar como dispositivo controlado por compuerta, si su corriente es menor
que la corriente controlable pico. Intentar desactivar el MCT a corrientes mayores que su
corriente controlable pico de especificación, puede provocar la destrucción del dispositivo.
Para valores más altos de corriente, el MCT debe ser conmutado como un SCR estándar.
 Los anchos de pulso de la compuerta no son
críticos para dispositivos de corrientes pequeñas.
Para corrientes mayores, el ancho del pulso de
desactivación debe ser mayor. Además, durante
la desactivación, la compuerta utiliza una
corriente pico. En muchas aplicaciones,
incluyendo inversores y pulsadores, se requiere,
de un pulso continuo de compuerta sobre la
totalidad del período de encendido/apagado a fin
de evitar ambigüedad en el estado.

Cuando el MCT está en estado de bloqueo directo,

que puede ser activado mediante la aplicación de
un pulso negativo a su puerta con respecto al
ánodo. El impulso negativo se convierte en el
PMOSFET (On-FET), cuya fuga de corriente a
través de la unión base-emisor de Q1 (PNP) con
lo que la enciende. La acción regenerativa en Q1
Q2 ÿ convierte la conducción en MCT on completo
dentro de un tiempo muy corto y la mantiene incluso después del pulso de entrada se
elimina. El MCT se enciende sin una fase plasmaspreading dando una alta capacidad de dI
= dt y la facilidad de protección contra la sobretensión. La resistencia en estado de MCT es
ligeramente superior a la de un tiristor equivalente debido a la degradación de la eficiencia
de la inyección de N? emisor = p-base de la unión. Además, la corriente de pico MCT es
mucho más alto que el promedio o calificación de la corriente eficaz. MCT se mantendrá en
el estado ON hasta que la corriente se invierte el dispositivo o un pulso a su vez-off se aplica
a su puerta. La aplicación de un impulso positivo a su puerta se apaga la realización de un
MCT. El impulso positivo se convierte en el NMOSFET (Off-FET), desviando así la base de
Q2 (PNP) hacia el ánodo de la MCT y la ruptura del enganche de la acción SCR. Esto evita
que la realimentación en el SCR y apaga la MCT. Todas las células dentro del dispositivo se
apagan al mismo tiempo para evitar un súbito aumento en la densidad de corriente. Cuando
el FET Off-están activados, la sección de SCR es muy corto y esto se traduce en una alta dV
dt = calificación de la MCT. La corriente más alta que se puede apagar con la aplicación de
un sesgo de la puerta se llama controlable corriente máxima. El MCT se puede controlar la
puerta si el actual dispositivo es menor que el actual máximo controlable. Para corrientes
de dispositivo más pequeño, el ancho del pulso de apagado no es crítico. Sin embargo, para
las grandes corrientes, el pulso de la puerta tiene que ser más amplia y más a menudo tiene
que ocupará la totalidad del tiempo de parada del interruptor.

10. Referencias.
[1] Tiristor. Available:
http://dte_recursos.webs.uvigo.es/recursos/multimedia/potencia/dc-ac/tiristor.htm#gto
[2] Triac. Available :https://www.areatecnologia.com/electronica/triac.html
[3] Tiristor de conducción inversa. Available :
https://www.ecured.cu/Tiristor_de_conducci%C3%B3n_inversa
[4] Tiristor de inducción estática. Available:
https://www.ecured.cu/Tiristor_de_inducci%C3%B3n_est%C3%A1tica
[5]Tiristores controlador por FET. Available: http://jimmy-
calderon.blogspot.com/2011/11/tiristores-controlados-por-fet-fet-cth.html

[6] Tiristores controlados por mos. Available: http://jimmy-

calderon.blogspot.com/2011/11/tiristores-controlados-por-mos-mct.htmlRashid,
[7]Muhammad H. (2009). Electrónica de potencia: Circuitos, dispositivos y aplicaciones (3ª
edición). Pearson Educación. ISBN 9702605326.
[8] Benavent, José Manuel; Abellán García, Antonio; Figueres Amorós, Emilio
(1999). Electrónica de potencia, teoría y aplicaciones. Valencia; México: Editorial de la
Universitat Politècnica de València; Alfaomega