FACULTAD DE INGENIERIA

‘TIRISTORES’

Integrantes:

Stefano Atoche Marquez

Jose Cabanillas Soto
William Mondragon Sernaque

Asesores:

Cesar Chinguel
Luis Agurto

Asignatura:

Electrónica General (EL)

Piura,15 de febrero del 2022

 Tabla de contenido
Lista de ilustraciones:...................................................................................................................3
1.Resumen:..................................................................................................................................5
2.Objetivos:..................................................................................................................................6
3.CAPITULO I:...............................................................................................................................6
3.1. Diodo de 4 capas:..................................................................................................................7
3.2. SCR (Silicon Controlled Rectifier)...........................................................................................9
3.3. DIAC (diode for alternating current)....................................................................................12
3.4. TRIAC (Triodo for alternating current).................................................................................15
3.5. Tiristor desactivado por compuerta (GTO)..........................................................................19
3.6. Tiristor de conducción inversa (RCT)...................................................................................21
3.7. Rectificador controlado de silicio fotoactivo (LASCR)..........................................................21
3.8. Tiristor controlado por MOS (MCT).....................................................................................22
3.9. Tiristores controlados por FET- CTH....................................................................................23
3.10. Tiristores bidireccionales (BCT).........................................................................................24
4.CAPITULO II:............................................................................................................................26
5.CAPITULO III:...........................................................................................................................39
5.1 SCR.......................................................................................................................................39
5.2. TRIAC:..................................................................................................................................42
5.3. DIAC.....................................................................................................................................43
6.CAPITULO IV:...........................................................................................................................46
7.Conclusiones:..........................................................................................................................51
8.Anexos.....................................................................................................................................53
8.1. Bibliografía:.........................................................................................................................53
8.2. Cronograma de trabajo:......................................................................................................54
8.3. Tabla de Rendimiento:........................................................................................................54
 Lista de ilustraciones:
Ilustración 1 Diodo de 4 capas.....................................................................................................7
Ilustración 2 Símbolo del diodo de 4 capas..................................................................................7
Ilustración 3 Estructura interna del diodo de 4 capas..................................................................8
Ilustración 4 Curva característica del diodo de 4 capas................................................................8
Ilustración 5 SCR C106D...............................................................................................................9
Ilustración 6 Símbolo del SCR.......................................................................................................9
Ilustración 7 Estructura interna del SCR.....................................................................................10
Ilustración 8 Curva característica del SCR...................................................................................10
Ilustración 9 Desmembramiento del SCR...................................................................................11
Ilustración 10 Circuito Equivalente.............................................................................................12
Ilustración 11 DIAC DB3.............................................................................................................12
Ilustración 12 Símbolo del DIAC.................................................................................................13
Ilustración 13 Estructura interna del DIAC.................................................................................13
Ilustración 14 Funcionamiento del DIAC....................................................................................14
Ilustración 15 Curva característica del DIAC...............................................................................15
Ilustración 16 TRIAC BT137........................................................................................................16
Ilustración 17 Símbolo del TRIAC................................................................................................16
Ilustración 18 Estructura interna del TRIAC................................................................................16
Ilustración 19 MT2 y puerta son positivos respecto a MT1........................................................17
Ilustración 20 MT2 es positivo y puerta es negativo respecto a MT1.........................................18
Ilustración 21 MT2 y puerta son negativos respecto a MT1.......................................................18
Ilustración 22 MT2 es positivo y la puerta es negativo respecto a MT1.....................................19
Ilustración 23 Curva característica del TRIAC.............................................................................19
Ilustración 24 Símbolo del tiristor desactivado por compuerta..................................................20
Ilustración 25 Circuito equivalente y símbolo del RCT................................................................21
Ilustración 26 Estructura, símbolo y sección transversal del LASCR...........................................22
Ilustración 27 Circuito equivalente y símbolo del MOS..............................................................23
Ilustración 28 Tiristor controlado por FET..................................................................................24
Ilustración 29 Sección transversal de una oblea BCT.................................................................24
Ilustración 30 Diagrama del circuito y su separación en dos tiristores.......................................25
Ilustración 31 Circuito con SCR...................................................................................................26
Ilustración 32 Circuito de potencia con SCR...............................................................................28
Ilustración 33 Circuito con potenciómetro.................................................................................30
Ilustración 34 Circuito con DIAC Y TRIAC....................................................................................31
Ilustración 35 Esquema del circuito...........................................................................................32
Ilustración 36 Circuito con DIAC.................................................................................................33
Ilustración 37 Circuito con tensión de voltaje igual al voltaje de ruptura..................................34
Ilustración 38 Circuito con diodo de 4 capas..............................................................................35
Ilustración 39 Circuito con transistor MOSFET...........................................................................36
Ilustración 40 Componentes......................................................................................................39
Ilustración 41 Simulación de encendido.....................................................................................40
Ilustración 42 simulación del circuito activado...........................................................................41
Ilustración 43 simulación del circuito apagado..........................................................................41
Ilustración 44 simulación del TRIAC...........................................................................................42
Ilustración 45 simulación del TRIAC encendido..........................................................................43
Ilustración 46 simulación del DIAC.............................................................................................44

3
Ilustración 47 Componentes para armar el circuito...................................................................44
Ilustración 48 Simulación del circuito con DIAC al estar encendido...........................................45
Ilustración 49 Fuente de tensión alterna menor a 32V..............................................................45
Ilustración 50 Correcto funcionamiento del circuito con DIAC...................................................46
Ilustración 51 simulación en estado off......................................................................................47
Ilustración 52 simulación exitosa del encendido de la lampara.................................................48
Ilustración 53 simulación del circuito de control........................................................................49
Ilustración 54 Simulación cuando reventó el fusil......................................................................50
Ilustración 55 Simulación exitosa en estado encendido.............................................................51

4
1.Resumen:
Este proyecto acerca de los tiristores está constituido por 4 capítulos, el primer capítulo
es la teoría básica acerca del funcionamiento del diodo de 4 capas y de los demás
tiristores. Luego está el segundo capítulo que consiste en presentar y resolver circuitos
donde intervengan los tiristores. Después sigue el tercer capítulo que explica como
simular circuitos electrónicos con tiristores en el software PROTEUS. A continuación
de ello se encontrará el ultimo capitulo, que trata de la aplicación de tiristores en
circuitos electrónicos simulados en PROTEUS, ya para finalizar se encuentran las
conclusiones del proyecto.

5
2.Objetivos:
*Entender el funcionamiento de los tiristores mas comunes y mayormente usados.
*Comprender los ejemplos prácticos para un mayor desenvolvimiento en el tema de
tiristores.
*Usar adecuadamente el software PROTEUS, que, a su vez, nos permite entender en
que estamos fallando al diseñar un circuito electrónico.
*Estudiar las distintas aplicaciones que tienen los tiristores en ingeniería.
*Aprender a trabajar en equipo.
*Que todo lo investigado, aprendido y estudiado, quede como base para los cursos que
siguen en adelante.
*Desarrollar la capacidad de autoaprendizaje, para de esa manera, resolver los distintos
problemas y dificultades que se atraviesen en nuestra vida como estudiantes y futuros
ingenieros.

3.CAPITULO I:

6
El presente capítulo contiene la teoría básica referente a cada uno de los tiristores, según
se detalla a continuación.
3.1. Diodo de 4 capas:
O también llamado diodo Shockley, es un tipo de tiristor, conformado por 4 capas. Al
tener 4 capas, lo vuelve un dispositivo más resistente a las diferentes variaciones de
temperatura.

Ilustración 1 Diodo de 4 capas

Posee 2 terminales, ánodo(A) y cátodo(K), por ello se dice que es similar al SCR, la
única diferencia radica en que el diodo Shockley no tiene terminal puerta mienta que el
SCR si posee terminal puerta(gate).

Ilustración 2 Símbolo del diodo de 4 capas

El diodo Shockley, su estructura, son 4 capas semiconductoras PNPN y tres uniones

denominadas J1, J2, J3.

7
 Ilustración 3 Estructura interna del diodo de 4 capas

Funcionamiento del diodo de 4 capas:

Cuando se ejerce una tensión positiva entre el ánodo y cátodo, al principio se encuentra
en un estado de bloqueo directo. Al incrementar la tensión positiva se llega a una
tensión de ruptura de la unión J2, donde la corriente aumenta y la caída de tensión
disminuye en el diodo, pasando así de un estado de bloqueo a un estado de conducción.

Ilustración 4 Curva característica del diodo de 4 capas

8
 3.2. SCR (Silicon Controlled Rectifier)
Rectificador controlado de silicio es un tipo de tiristor conformado por cuatro capas de
material semiconductor, con estructura PNPN O NPNP. Posee tres terminales:
Ánodo(A), Cátodo (K) , Gate(G) o puerta .
Es un dispositivo unidireccional, por tanto, solo permite el paso de la corriente en una
sola dirección.
Funciona en un modo de conmutación, pues conduce o no conduce.
Para que empiece a conducir el tiristor debe aplicarse un impulso de disparo sobre la
puerta o gate.
Los SCR son usados en aplicaciones de electrónica de potencia, en el campo del control,
y control de motores.

Ilustración 5 SCR C106D

El símbolo que representa al SCR es similar al diodo, sin embargo, la diferencia es que
el SCR posee una puerta(gate) en su símbolo.

Ilustración 6 Símbolo del SCR

La estructura del SCR está conformada por 4 capas que pueden ser del tipo PNPN o
NPNP como ya se ha mencionado antes, estos forman 3 uniones, conocidas como J1, J2
Y J3.

9
La puerta(gate) tiene como función comportarse como un terminal de control para el
SCR.

Ilustración 7 Estructura interna del SCR

Funcionamiento del SCR:

Puede operar en 3 distintos casos o modos.

Ilustración 8 Curva característica del SCR

*Modo de bloqueo hacia adelante (Forward Blocking) (estado apagado)

10
Aquí el SCR se acopla de modo que el ánodo termina siendo positivo respecto al
cátodo, y el terminal puerta(gate) permanece abierto. En este caso tanto J1 como J3
están polarizadas hacia adelante y J2 esta polarizado hacia atrás.
*Modo de bloqueo inverso (Reverse Blocking)
En este caso, el cátodo pasa a ser positivo respecto al ánodo, esto tiene como
consecuencia que J1 Y J3 están en polarización inversa mientras que J2 está polarizado
hacia adelante. 0Esto ocasiona que el SCR este en la región de bloqueo inverso, aquí el
SCR actúa como un interruptor abierto, pues conduce una corriente de fuga diminuta,
que no es suficiente para poder encender el SCR.
*Modo de conducción hacia adelante (Forward Conduction) (estado encendido)
En este caso el SCR este encendido y conduce la corriente. El SCR se puede comportar
de dos maneras, primero al aplicarle un voltaje que sea superior al voltaje de ruptura, o
ejercer en el terminal puerta(gate) un voltaje.
Sucede que, si se incrementa el voltaje de polarización hacia adelante ejercido entre el
ánodo y cátodo, la unión J2 termina exhausta por efecto de ruptura de avalancha
ocasionando que el SCR empieza a conducir corriente sin embargo si se realiza esto de
manera paulatina se reduce la vida útil del SCR.
Analogía del SCR
Para una mejor visualización, se procede a separar las uniones del SCR, por tanto, se
tiene dos uniones que representan a transistores BJT.

Ilustración 9 Desmembramiento del SCR

Circuito Equivalente
Al polarizar los transistores con voltaje positivo por el terminal ánodo y negativo por el
terminal cátodo, la corriente circula hasta el transistor tipo NPN, pero no logra
atravesarlo, debido a que su base no se encuentra polarizada a cierto voltaje y corriente,
por ello se envía un pequeño pulso a la base de este transistor, este deja que pase la
corriente de colector a emisor de manera que llegara al terminal cátodo. Estos
11
transistores entran a un tipo de bucle, por tanto, seguirán conduciendo a pesar de no
haber recibido otro pulso externo NPN, la razón por la cual seguirán conduciendo
corriente, es porque se alimentan uno del otro, es decir, una realimentación. Estos dos
transistores permanecen en plena conducción. Por ello para desconectar el SCR se tiene
que disminuir considerablemente la tensión entre el ánodo y el cátodo a un mínimo
valor que evite que se siga dando la realimentación entre transistores, de esta forma ya
no volverán a conducir, a menos que se le aplique nuevamente un pulso a la base del
transistor NPN.

Ilustración 10 Circuito Equivalente

3.3. DIAC (diode for alternating current)

Definición del DIAC:
Es un interruptor o dispositivo simétrico semiconductor doble de dos conexiones. Los
DIAC son un tipo de tiristor que se usa comúnmente para completar el ritmo variado de
un TRIAC y otros circuitos donde intervengan tiristores.
Los DIAC empiezan a transmitir corriente eléctrica cuando el voltaje o tensión de
disparo aplicado es mayor al voltaje de ruptura.
Mayormente los DIAC tienen una tensión de disparo doble variable de 30V
aproximadamente.

12
 Ilustración 11 DIAC DB3

A pesar formar parte de la familia de los tiristores, los DIAC no poseen un terminal de
puerta de control, pues se pueden encender y desactivar disminuyendo la tensión de
voltaje, por debajo del voltaje de ruptura de avalancha, además esto se puede hacer en
ambas polaridades.
Ya que el DIAC es un dispositivo bidireccional, no se puede nombrar sus terminales
como ánodo y cátodo como es en el caso del diodo, por tanto, sus terminales son
denominadas como A1 y A2 o MT1 Y MT2.

Ilustración 12 Símbolo del DIAC

La estructura interna del DIAC no posee ningún terminal base y está conformado por 5
capas, las capas más cercanas a los terminales son una combinación de capas tanto
positivas como negativas.
Por ello cuando el voltaje pasa hacia los terminales, la capa con la polaridad respecto al
voltaje se activa; por tanto, esta combinación de ambas polaridades da como resultado
que el DIAC pueda operar de manera bidireccional.

13
 Ilustración 13 Estructura interna del DIAC

Funcionamiento del DIAC:

Se considera que el terminal A2 es (+), por tanto, se activa la capa P2 (más cercana a
A2), por ello la conducción se llevara a cabo en el orden P2-N2-P1-N1. Entonces la
corriente pasara de A2 a A1, y las uniones entre P2-N2 y P1-N1 estarán polarizadas
hacia adelante, y N2-P1 su unión estará polarizada hacia atrás, por consiguiente, la
conducción es viable en ambas direcciones.

Ilustración 14 Funcionamiento del DIAC

Curva Característica del DIAC:

La conducción es posible cuando la tensión de disparo se alcanza. Cuando esto ocurre la
tensión en el DIAC disminuye, por tanto, entra en conducción y pasa la corriente
necesaria para el disparo.

14
 Ilustración 15 Curva característica del DIAC

En la gráfica se aprecia lo siguiente:

Si la tensión eléctrica tiene un valor mayor que supera la tensión de disparo, el DIAC
entra en conducción permitiendo que pase la corriente.
Si la tensión eléctrica tiene un valor menor que la tensión de disparo, el DIAC se
comporta como un circuito abierto, es decir, no conduce.

3.4. TRIAC (Triodo for alternating current)

Es un dispositivo semiconductor, que se diferencia de los demás SCR, en que puede
conducir corriente en ambas direcciones. De hecho, se puede afirmar que el TRIAC es
un interruptor con la capacidad de conmutar la corriente alterna.
Para realizar el disparo del TRIAC se debe ejercer o aplicar una corriente en la puerta
(Gate).
Los TRIAC que tienen baja potencia son utilizados para el control de velocidad de
motores eléctricos, en sistemas de control computarizado, y en los dimmer o
atenuadores de luz.

15
 Ilustración 16 TRIAC BT137

El TRIAC posee tres terminales, que son el ánodo, cátodo y la puerta (Gate). Además,
tiene 6 capas, aunque por lo general actúa como un transistor de 4 capas, las cuales
permiten controlar la energía de la corriente alterna.

Ilustración 17 Símbolo del TRIAC

La estructura interna del TRIAC está conformada por dos SCR, los cuales están
conectados en paralelo inverso, en donde el común, será el terminal de puerta.
La región N y P están conectadas a las terminales de puerta (Gate).

Ilustración 18 Estructura interna del TRIAC

16
Funcionamiento del TRIAC:
Para encender el TRIAC, el voltaje aplicado debe ser mayor al voltaje de ruptura. Si el
voltaje es menor al voltaje de ruptura, se utiliza el método de activación de puerta para
que se logre encender el TRIAC. Este se suele subdividir en 4 cuadrantes según la
polaridad de la puerta y el terminal secundario (MT2), estas dos respecto al terminal
primario (MT1).
El TRIAC puede ser disparado en el cuadrante I y III, a través de un impulso positivo o
negativo, usando la puerta(gate) como el terminal MT1.
Cuadrante I:
MT2 y la polaridad de la puerta son positivo respecto a MT1.
Este es el caso más común.
Al ser el terminal MT2 positivo la corriente transcurre en el camino P1-N1-P2-N2. La
unión de las capas P1-N1 y P2-N2 están siendo polarizadas hacia adelante. Y la unión
de las capas N1-P2 están siendo polarizadas hacia atrás.
Luego se ejerce una señal positiva en la puerta(gate), por ello, la unión de capas de P2-
N2 está siendo polarizada hacia adelante, y ello produce una ruptura.

Ilustración 19 MT2 y puerta son positivos respecto a MT1

Cuadrante II:

MT2 positivo y la polaridad de la puerta negativo respecto a MT1.

Puerta con polaridad negativa y terminal MT2 positivo respecto a terminal MT1
Si el terminal MT2 es positivo y la polaridad de la puerta es negativo, la corriente
transcurrirá en el camino P1-N1-P2-N2 como en el primer cuadrante, sin embargo,
P2-N2 su unión estará polarizada hacia adelante
Cuando el MT2 es positivo y el pulso de la puerta es negativo, el flujo de corriente
estará en el mismo camino que el primer modo, que es P1-N1-P2-N2, pero aquí la unión
entre P2-N2 está polarizada hacia adelante.

17
 Ilustración 20 MT2 es positivo y puerta es negativo respecto a MT1

Cuadrante III:

MT2 y la polaridad de la puerta son negativos respecto a MT1.

Si el terminal MT2 es negativo y la polaridad de la puerta también es negativo, la
corriente transcurre en dirección de P2-N1-P1-N3, por tanto, P2-N1 Y P1-N3 estarán
polarizadas hacia adelante, mientras que la unión N1-P1 esta polarizada hacia atrás.

Ilustración 21 MT2 y puerta son negativos respecto a MT1

Cuadrante IV:
En este caso la tensión del terminal MT2 es positiva, mientras que la polaridad de la
puerta (gate) es negativa.

18
 Ilustración 22 MT2 es positivo y la puerta es negativo respecto a MT1

Curva Característica del TRIAC:

Cuando el TRIAC se enciende, pasa una corriente que puede llegar a dañar el
dispositivo, por ello, se debe agregar una resistencia para limitar la corriente.
El TRIAC está encendido hasta que la corriente empieza a disminuir por debajo de
Ih(corriente de mantenimiento),esto se debe a que se reduce la tensión en la fuente.

Ilustración 23 Curva característica del TRIAC

3.5. Tiristor desactivado por compuerta (GTO)

Un tiristor desactivado por compuerta o GTO es un dispositivo de conmutación de
semiconductores bipolar (portadora minoritaria controlada por corriente) de tres
terminales. Similar al tiristor convencional, los terminales son ánodo, cátodo y
compuerta como se muestra en la figura 24. Como su nombre lo indica, tiene la
capacidad de apagar la puerta.

19
Estos son capaces no solo de encender la corriente principal con un circuito de
accionamiento de compuerta, sino también de apagarla. Una pequeña corriente de
compuerta positiva activa el GTO en modo de conducción y también mediante un pulso
negativo en la compuerta, es capaz de apagarse. Se observa en la figura 24 que la puerta
tiene flechas dobles que distinguen el GTO del tiristor normal. Esto indica el flujo de
corriente bidireccional a través del terminal de puerta.

Ilustración 24 Símbolo del tiristor desactivado por compuerta

La corriente de puerta requerida para apagar el GTO es relativamente alta. Por ejemplo,
un GTO clasificado con 4000 V y 3000 A puede necesitar una corriente de compuerta
de -750 A para apagarlo. Por lo tanto, la ganancia de apagado típica de GTO es baja y
está en el rango de 4 a 5. Debido a esta gran corriente negativa, los GTO se utilizan en
aplicaciones de baja potencia.
Por otro lado, durante el estado de conducción GTO se comporta como un tiristor con
una pequeña caída de tensión en el estado ON. El GTO tiene una velocidad de
conmutación más rápida que el tiristor y tiene valores nominales de voltaje y corriente
más altos que los transistores de potencia.
Varias variedades de GTO están disponibles en el mercado actual con capacidades de
voltaje asimétrico y simétrico. Los GTO con idénticas capacidades de bloqueo directo e
inverso se denominan GTO simétricos (S-GTO). Estos se utilizan en inversores de
fuente de corriente, pero estos son algo más lentos. La mayoría de los GTO asimétricos
(A-GTO) se utilizan debido a su menor caída de voltaje en estado ON y características
de temperatura estable.
Estos GTO asimétricos tienen una capacidad increíble de voltaje inverso (típicamente
de 20 a 25 V). Estos se utilizan comúnmente donde nunca se produciría el voltaje
inverso a través de él o en el caso que se conecta un diodo de conducción inversa a

20
través del circuito. El presente trabajo describe solo los GTO asimétricos (Electronics
Hub, 2019).

3.6. Tiristor de conducción inversa (RCT)

El tiristor de conducción inversa es un tiristor asimétrico con un diodo antiparalelo
monolíticamente integrado en un solo chip de silicio, como se muestra en la figura
25(a), El tiristor se apaga pasando un pulso de corriente a través de la parte de diodo del
chip. Al combinar el ASCR y el diodo en un solo dispositivo, se obtiene un diseño de
circuito más compacto y se simplifica el disipador de calor. La inductancia de bucle
perdido entre el ASCR y el diodo también se minimiza, lo que evita la generación de
transitorios de voltaje inverso en el ASCR y hace que su comportamiento de apagado
sea más predecible. El aislamiento de las funciones del tiristor y el diodo es importante
para garantizar que los portadores de carga presentes en el diodo durante la
conmutación no se difundan en la parte del tiristor del chip para provocar un nuevo
disparo cuando se vuelva a aplicar el voltaje directo. El símbolo de RCT se muestra en
la figura 25(b).
El voltaje de bloqueo directo varía de 400 a 2000 V y la corriente nominal sube a 500
A. El voltaje de bloqueo inverso suele ser de 30 a 40 V. Una desventaja del RCT es que
es inflexible en comparación con dos dispositivos discretos porque la relación de
corriente entre el tiristor y el diodo del chip es fija para un diseño dado. Si el diodo solo
lleva un pulso de corriente de conmutación, la mayor parte del chip se puede dedicar al
tiristor para maximizar su capacidad de corriente. En el inversor de fuente de voltaje, la
corriente de carga es controlada por el tiristor y fluye libremente en la otra dirección a
través del diodo. Para tales circuitos, el RCT debe tener valores nominales de corriente
iguales para las secciones de tiristores y diodos.
Los dispositivos RCT diseñados específicamente ahora se fabrican para circuitos de
inversor y chopper de alto rendimiento (Singh & K, 2007).

Ilustración 25 Circuito equivalente y símbolo del RCT

3.7. Rectificador controlado de silicio fotoactivo (LASCR)

21
Según (Rashid, 1995), este dispositivo se activa mediante radiación directa sobre el
disco de silicio provocada con luz. Los pares electrón-hueco que se crean debido a la
radiación producen la corriente de disparo bajo la influencia de un campo eléctrico. La
estructura de compuerta se diseña a fin de proporcionar la suficiente sensibilidad para el
disparo, a partir de fuentes luminosas prácticas.
Los LASRC se utilizan en aplicaciones de alto voltaje y corriente (por ejemplo,
transmisión de cd de alto voltaje (HVDC) y compensación de potencia reactiva estática
o de volt-amperes reactivos (VAR)). Un LASCR ofrece total aislamiento eléctrico entre
la fuente de disparo luminoso y el dispositivo de conmutación de un convertidor de
potencia, que flota a un potencial tan alto como unos cuantos cientos de kilovoltios. La
especificación de voltaje de un LASCR puede llegar tan alto como 4 kV a 1500 A, con
una potencia de disparo luminoso de menos de 100 mW.
La figura 26 muestra un corte de un foto-SCR típico. Con polarización apropiada los
fotones entrantes crean pares electrón-hueco en la vecindad de la segunda unión y estos
portadores libres son atraídos a través de las uniones produciendo una corriente ánodo-
cátodo. A un cierto nivel de radiación, la ganancia neta de corriente del dispositivo
excede a la unidad y la corriente ánodo-cátodo sólo viene limitada por la impedancia
exterior (Universidad de Colima, 2018).

Ilustración 26 Estructura, símbolo y sección transversal del LASCR

3.8. Tiristor controlado por MOS (MCT)

Un tiristor controlado por MOS (MCT) combina las características de un tiristor
regenerativo de cuatro capas y una estructura de compuerta MOS. El circuito
equivalente y el símbolo correspondiente se muestran en la figura 27. La estructura
NPNP se puede representar por un transistor NPN Q1 y un transistor PNP Q2. La
estructura de compuerta MOS se puede representar por un MOSFET de canal p M₁ y un
MOSFET de canal n M2 (Rashid, 1995).
El MCT se puede operar como dispositivo controlado por compuerta, si su corriente es
menor que la corriente controlable pico. Intentar desactivar el MCT a corrientes
mayores que su corriente controlable pico de especificación, puede provocar la
destrucción del dispositivo. Para valores más altos de corriente, el MCT debe ser

22
conmutado como un SCR estándar. Para corrientes mayores, el ancho del pulso de
desactivación debe ser mayor. Además, durante la desactivación, la compuerta utiliza
una corriente pico.
Se ha utilizado en varias aplicaciones, algunas de las cuales se encuentran en la zona de
ac-dc y la conversión de corriente alterna-alterna, donde la entrada es de 60 Hz de
corriente alterna. El funcionamiento variable del factor de potencia se logró mediante el
MCT como una fuerza conmutada de interruptor de alimentación.

Ilustración 27 Circuito equivalente y símbolo del MOS

3.9. Tiristores controlados por FET- CTH

Un dispositivo FET-CTH combina un MOSFET y un tiristor en paralelo, tal y como se
muestra en la figura 28, Si a la compuerta del MOSFET se le aplica un voltaje
suficiente, típicamente 3 V. se genera internamente una corriente de disparo para el
tiristor. Tiene una alta velocidad de con mutación, un di/dt alto y un dv/dt alto.
Este dispositivo se puede activar como los tiristores convencionales, pero no se puede
desactivar mediante control de compuerta. Esto serviría en aplicaciones en las que un
disparo óptico debe utilizarse con el fin de proporcionar un aislamiento eléctrico entre la
señal de entrada o de control y el dispositivo de conmutación del convertidor de
potencia (Rashid, 1995).

23
 Ilustración 28 Tiristor controlado por FET

3.10. Tiristores bidireccionales (BCT)

El comportamiento eléctrico de un BCT corresponde al de dos tiristores antiparalelos
integrados en una lámina de silicio en la figura 29, cada mitad del tiristor funciona como
el correspondiente tiristor de oblea completa con respecto a sus propiedades estáticas y
dinámicas. Un gran desafío en la integración de las dos mitades del tiristor es diafonía
entre las dos mitades. El conjunto de máscaras fotográficas ha sido diseñado con un alto
enfoque en evitar efectos dañinos de diafonía bajo todas las condiciones de operación
relevantes.
El rendimiento eléctrico muestra una uniformidad muy alta entre las dos mitades en los
parámetros del dispositivo, como la carga de recuperación inversa y voltaje en estado.
En la figura 29, se muestra las mitades del tiristor A y B y se definen las dos direcciones
de voltaje directo VA(t) y VB(t).

Ilustración 29 Sección transversal de una oblea BCT

24
En un tiristor clásico, la corriente de sobretensión máxima permitida depende de si se
aplica voltaje inverso o directo después el transitorio actual. El caso más crítico es el
voltaje directo. Evidentemente, en un BCT, un voltaje inverso VR para el tiristor A es
simultáneamente un voltaje directo VD para el tiristor B . Sin embargo, hace una
diferencia si el voltaje vuelto a aplicar después de un pico de corriente el pulso es
positivo (en dirección hacia adelante) con respecto al tiristor que anteriormente
conducía (tiristor A por ejemplo, caso 1) o positivo con respecto a su contraparte B que
antes era no conducente (caso 2). En la situación correspondiente a Tensión directa
reaplicada para un tiristor clásico (caso 1), el límite de corriente de sobretensión de un
BCT es similar al de un clásico tiristor de igual área. Sin embargo, en el caso a menudo
relevante para aplicaciones SVC, donde un tiristor clásico está expuesto a inversión solo
voltaje reaplicado, es decir, caso 2, una situación exclusiva del BCT aparece, donde las
regiones de borde 1 y 2 cerca de la separación región son las más sensibles (ABB
Switzerland Ltd, 2006).
En la figura 30 se muestran las corrientes y voltajes después del apagado del tiristor A.
(a): diagrama del circuito, (b): separado en dos tiristores, (c): vista esquemática de la
oblea. Las regiones 1 y 2 son las más sensibles con respecto a la sobre corriente (con
«reversa» reaplicado voltaje) y la capacidad tq de un BC.

Ilustración 30 Diagrama del circuito y su separación en dos tiristores

25
4.CAPITULO II:
El segundo capítulo contendrá ejemplos prácticos matemáticos de los tiristores o en
combinación entre ellos
En este capítulo, encontrara diversos circuitos con tiristores resueltos, ya sea solo
compuesto por un tiristor o en combinación entre ellos.
Ejemplo práctico 1:
El SCR del circuito tiene los siguientes datos:
VT=1V
IH=100mA
VG=0.9V
IG=12mA

Ilustración 31 Circuito con SCR

Se pide hallar lo siguiente:

a. Calcular el voltaje Vi que se necesita para que se produzca el disparo en el SCR.
b. Si Ve=400V, calcular la intensidad del SCR cuando conduce.
c. Hallar el valor máximo de Ve para que el SCR se desactive.
Solución:
a. Calcular el voltaje Vi que se necesita para que se produzca el disparo en el SCR.

26
Para hallar el voltaje Vi que será el que activa el disparo en el SCR, se tiene que sumar
tanto el VG del SCR como el Voltaje que habrá en la primera resistencia.
Para hallar el voltaje que se presenta en esta resistencia, se usa la Ley de Ohm.
Para esto se tiene IG=7mA y el valor de R=100Ω
Vr=I G . R
Vr=12 mA∗300 Ω
Vr=3.6 V

Dato: VG=0.90 V

Entonces Vi será la suma de VG y Vr:

Vi=VG+Vr
Vi=0.9 V +3.6 V
Vi=4.5 V

b. Si Ve=400V, calcular la intensidad del SCR cuando conduce.

Para ello se utiliza la siguiente expresión:
Ve−VT
IL=
RL

Ve=400 V
VT=1V
RL=25Ω
Al reemplazar:
400V −1V
IL=
25 Ω

399 V
IL=
25 Ω

IL=15.96 A

c. Hallar el valor máximo de Ve para que el SCR se desactive.

Aquí VT= VH = 1V
Se tiene la siguiente expresión:

27
 IH . RL+VH >VE

RL=25 Ω
VH=1V
IH=100mA
Al reemplazar:
100 mA∗25 Ω+ 1V >VE
3.5 V >VE

Ejemplo práctico 2:
El SCR de la siguiente figura tiene como valores:
IH=6mA
VG=0.8V
IG=7.5mA

Ilustración 32 Circuito de potencia con SCR

Se pide determinar lo siguiente:

a. Si el SCR se encuentra apagado; ¿Cuánto es el valor del voltaje de salida?
b. ¿Cuál es el valor del voltaje de entrada que se necesita para que el SCR se
active?
c. ¿Qué voltaje hay en la primera resistencia en el punto de IH?

28
 d. Para desactivar el SCR, ¿Cuánto voltaje debe disminuir de los 20 V?
Solución:
a. a. Si el SCR se encuentra apagado; ¿Cuánto es el valor del voltaje de salida?
Ya que el SCR esta apagado, este tiristor se comporta como un circuito
abierto, por tanto, no pasa corriente. Entonces el voltaje en salida será
los 20 V.

b. ¿Cuál es el valor del voltaje de entrada que se necesita para que el SCR se
active?
Para ello se utiliza la siguiente formula:
Vi=VG+Vr

Dato VG=0.80 V

Se halla Vr:

Vr=I G . R
Vr=7.5 mA∗1.5 K Ω
Vr=11.25 V

Se reemplaza:
Vi=VG+Vr
Vi=0.8 V +11.25V
Vi=12.05V

C. ¿Qué voltaje hay en la primera resistencia en el punto de IH?

VT =I H . R
VT =6 mA .50 Ω
VT =0.3 V

D. Para desactivar el SCR, ¿Cuánto voltaje debe disminuir de los 20 V?

Vcc=VG +VT
Vcc=0.8 V +0.3 V
Vcc=1.1V

Ejemplo práctico 3:
En el siguiente circuito; si se quiere apagar el SCR, a que valor debe cambiarse el
potenciómetro.

29
 Ilustración 33 Circuito con potenciómetro

Datos:
VT=5V
IH=8mA
Solución:
Por LTK, se tiene lo siguiente:
50 V −Vpot −5 V =0
Vpot =45 V

Ahora que se conoce el valor de Vpot, se usa la ley de ohm.

Vpot =IH∗Rpot

Al reemplazar:
45 V =8 mA∗Rpot
45 V
=Rpot
8 mA
5625 Ω=Rpot
5.625 K Ω=Rpot

Por tanto, si se quiere apagar el SCR, el valor del potenciómetro debe ser mayor a
5.625kΩ

30
Ejemplo práctico 4:
Se observa el siguiente circuito:
Datos del TRIAC:
VG=3V
IG=2mA
Datos del DIAC:
VR=30V (Voltaje de ruptura)

Ilustración 34 Circuito con DIAC Y TRIAC

Se pide hallar lo siguiente:

a) Calcular la mínima tensión en el condensador para que se active el TRIAC
b) Si el TRIAC conduce, ¿Qué valor tendrá IL? Asumir un VTRIAC=1.5V
Solución:
a) Calcular la mínima tensión en el condensador para que se active el TRIAC
Para el apartado a, para una mejor explicación se tiene lo siguiente.

31
 Ilustración 35 Esquema del circuito

Ilustración 35 ESQUEMA DEL CIRCUITO

Primero se halla el voltaje en la resistencia.

Vr=IG∗R
Vr=2 mA∗5 K Ω
Vr=10 V

Luego tenemos un voltaje de ruptura en el DIAC.

VDIAC=30V
Y por ultimo el Voltaje en la puerta o compuerta del TRIAC.
VG=3V
Se suma tanto el voltaje que hay en la resistencia, como el voltaje de ruptura en el DIAC
y el voltaje en la compuerta del TRIAC.
VT =Vr+Vdiac +VG

Se reemplaza:
VT =10 V + 30V + 3V
VT =43 V

Por lo tanto, se necesitan 43V para cargar el condensador y se ejecute el disparo que
activara el TRIAC.
b) Si el TRIAC conduce, ¿Qué valor tendrá IL? Asumir un VTRIAC=1.5V
Para el apartado b, se tiene el voltaje de la fuente y el voltaje del TRIAC y el valor de la
resistencia igual a 20kΩ , por tanto, se aplica ley de Ohm.
Ve−V
=IL
R

32
 60V −1.5 V
=IL
20 K Ω
2.925 mA=IL

Si el TRIAC conduce el valor de IL será 2.925 mA.

Ejemplo práctico 5:
En el siguiente circuito, se pide hallar:
a) Hallar el valor de la corriente que circula por el circuito, cuando la tensión en la
fuente de voltaje es igual a su voltaje de ruptura.
Datos del DIAC:
Vr=35V (voltaje de ruptura)
Ep=7V

Ilustración 36 Circuito con DIAC

Solución:
Se tiene como condición que la tensión en la fuente de voltaje es igual al voltaje de
ruptura del DIAC, por tanto, se tiene el siguiente circuito.

33
 Ilustración 37 Circuito con tensión de voltaje igual al voltaje de ruptura

Resuelvo
Vr−(Vr−Ep)
=I
R
35V −(35 V −7 V )
=I
200 Ω+300 Ω
7V
=I
500V
0.014 A=I
14 mA =I

El valor de la corriente que circulará será 14mA.

34
Ejemplo práctico 6:
Se pide hallar:
a. La constante de tiempo RC
b. El periodo, teniendo como condición que su frecuencia es 4 veces la constante
de tiempo.

Ilustración 38 Circuito con diodo de 4 capas

Solución:
a. La constante de tiempo RC
τ =R .C=1 K Ω∗0.05uF
τ =50µs
b. La frecuencia, teniendo como condición que el periodo es 1/4 veces la constante
de tiempo
1
T= τ
4

1
T = ∗50µs
4

T =12.5µs
Ahora que se tiene el valor del periodo, se procede a hallar la frecuencia.
1
=ƒ
T

35
 1
=ƒ
12.5 µs

80 kHz=ƒ

Ejemplo práctico 7:
En la siguiente figura se aprecia un transistor MOSFET.
Si los datos que se tiene son:
ID=0.5mA
VD=2V
VT=4V
Mn cox = 20uA/V2
L=15um
W=500um
Halle RD, RS Y VS.

Ilustración 39 Circuito con transistor MOSFET

Solución:
Para empezar VG= 0V pues está conectado al común.
En la resistencia RD habrá un voltaje VRD.
Para hallar el valor de RD, se hace uso de la ley de Ohm.
V =I ∗R
VDD−VD
=ID
RD
Reemplazando:
10V −2 V
=0.5 mA
RD

36
Reordenando:

8V
=RD
0.5 mA
RD=16 KΩ

Para calcular el valor de VS y RS, primero debo verificar en que región se

encuentran, por ello, hago uso de las siguientes expresiones.
VDS ≥ VGS−VT (Zona Saturacion)
VDS <VGS−VT (Region deltriodo)
VDS= VD- VS
VGS=VG-VS
Ahora:
VDS ≥ VGS−VT
VD−VS ≥ VG−VS−VT

Se elimina VS y queda la expresión de la siguiente manera:

VD−VS ≥ VG−VS−VT
VD=2V
VT=4V
Reemplazando:
2 V ≥−4 V
Por tanto, si cumple con la condición y esta en la Zona de Saturación.
Entonces la expresión de la corriente ID será la siguiente:

( )
ID=0.5∗ ( Mn cox )∗
W
L
∗(VGS−VT )2

0.5 mA =0.5∗( 20uA /V )∗(

15 um )
2 500 um 2
∗(VGS−4)

VGS=+2.775 V
VGS=+5.225 V
Al efectuar la operación, se obtiene 2 valores de VGS.
Para elegir que valor de VGS, usar tenemos la siguiente condición.
VT <VGS
Por tanto, VGS=+5.225V es la respuesta, pues en este caso si existe corriente.
VGS=VG−VS
5.225 V =0−VS
VS=−5.225V

Ahora que se tiene VS, se puede calcular RS, a través de ley de Ohm.
V =I ∗R

VS−VSS
=ID
RS

37
Reemplazando:
(−5.225 V )−(−10V )
=0.5 mA
RD
Reordenando:

4.775
=RD
0.5 mA

RD=9.55 KΩ

38
 5.CAPITULO III:
Explicación de como simular en el software PROTEUS los siguientes tiristores: SRC,
DIAC y TRIAC.

5.1 SCR
Para esta simulación haremos el manejo de los SCR que son rectificador controlado de
silicio, una característica principal de los SCR es que se presentan de la forma como si
fuera un diodo rectificador solo que tiene un pin más el cual lo convierte en un
componente de control, además para esta simulación vamos a utilizar un led y un botón
para activar y desactivarlo y una resistencia para que el led no sufra altos voltajes y
colocamos todo en nuestro espacio de trabajo
Para este circuito necesitamos dos resistencias de trabajo, un led y dos botones para
activarlo y desactivarlo. En la imagen podemos observar el SCR, cuenta con ánodo y un
cátodo y un tercer ping que es gate o puerta luego unimos los puntos.

El

Ilustración 40 Componentes
botón va conectado en realidad a lo que es negativo para poder desactivar nuestro SCR,
la activación de este se ejecuta por medio de la alimentación de potencial positivo.
Como todo diodo rectificado en este caso, el negativo va a ingresar por el cátodo y va a
pasar a través del ánodo para llegar al cátodo del led y de esa manera van a llegar al
circuito con la alimentación positiva, ahora tenemos nuestro circuito el potencial que le
debe de entrar al gate del SRC no debe de ser muy alto como en las compuertas
digitales, Al presionar el botón de positivo para encender el gate, el led se enciende
vemos que la corriente fluye hacia un sentido. Por más que el botón este presionado y lo
vuelvo a presionar el circuito ya está activado ya está dejando pasar la corriente
constantemente no importa nada más, solo se debe de apagar alterando el gate con el
negativo.

39
 Ilustración
Ilustración4141Simulación
SimulacióndeEncendido
encendido

En PROTEUS encontramos este pequeño inconveniente, el que no apaga el circuito,

hemos estado haciendo varias pruebas y cambiando valores, para demostrar lo que
debió ocurrir con el circuito, simulando una especie de funcionamiento, en este caso
colocaremos igual potenciador positivo desde otra vía. Como la impedancia en el SCR
no deja que exista un punto cero para que se llegue a pagar, así que le aumentamos la
resistencia. En este caso nuestro nuevo botón será el de la nueva vía que activará
nuestro led y para desactivarlo debemos presionar el otro botón y eso es lo que debe
ocurrir en un circuito y en esta simulación, encenderlo con un solo toque y apagarlo
solamente presionando el botón inferior.

40
Ilustración 42 simulación del circuito activado

Ilustración 43 simulación del circuito apagado

41
 5.2. TRIAC:
El TRIAC es un componente electrónico semiconductor de tres terminales para
controlar la corriente. Se puede afirmar que el TRIAC se utiliza para controlar una carga
de corriente alterna semejante a un transistor y también se puede controlar una carga de
corriente continua en definitiva podemos decir que es un interruptor electrónico pero en
este caso se utiliza para corriente alterna, su funcionamiento básico es crear un contacto
entre dos terminales como lo vemos en la imagen o ilustración 44 , los cuales tiene su
ánodo 1 y ánodo 2 para dejar pasar la corriente cuando a esto se le aplica una pequeña
corriente a otro terminal que es el gate que es una corriente de activación esto hará que
va seguir permitiendo que la corriente fluya debajo de un valor determinado llamada
corriente umbral de alguna otra forma que funcione como un interruptor o pulsador
En nuestro circuito que hemos realizado nuestro bombillo tiene 6 voltios, está el
TRIAC, el interruptor y una resistencia de 180, le hemos puesto estos valores para ver si
funciona.

Ilustración 44 Simulación del TRIAC

Ilustración 44 simulación del TRIAC

Como vemos en la ilustración 44; nuestro circuito ya está en funcionamiento y si lo
desactivamos la bombilla deja de funcionar, este circuito puede funcionar de varias
formas, pero éste es un claro ejemplo de cómo funciona.

42
 Ilustración 45 simulación del TRIAC encendido

EL TRIAC es un desarrollo avanzado que se hizo de un SCR ,a diferencia del tiristor

que solo es capaz de conducir en una dirección, se podría decir que es un dispositivo
bidireccional que la corriente puede fluir ya sea hacia una dirección o hacia otra
dirección lo cual lo hace un poco más polivalente para que se cree otro tipo de circuitos
y se apliquen en diferentes dispositivos lo cual esto nos conlleva que el TRIAC es un
dispositivo que nos puede funcionar ya sea para un sistema de luces, para un sistema de
alarma , etc.

5.3. DIAC
El DIAC significa diodo de corriente alterna el cual es algo curioso porque tiene su
aspecto no es igual al de un diodo, pero por alguna razón posee este nombre, también su
aspecto es igual al de un pequeño cilindro que posee dos conectores, un conector se
llama mt1 y el otro mt2. El diac no es posible polarizarlo, no tiene polaridad. Es una
característica de los diac y su más específica característica función es que tiene correr
ciertos requisitos para funcionar, como en la simulación que hemos puesto de 32 Voltios
que significa que no va a funcionar hasta que no posea 32 voltios para arriba

43
Los materiales que hemos usado son: una fuente de tensión alterna, un condensador, un
diac, un diodo, una resistencia y un pequeño led que nos ayudara para demostrar que
pasa la corriente.

Ilustración 47 Componentes para armar el circuito

Probaremos con la fuente de tensión alterna con 127 voltios y lo dejaremos con 60hz,
también la resistencia con 22k, el condensador lo dejamos a 10uF y la última resistencia
también le colocaremos el valor de 680𝞨, colocamos los materiales y unimos los
puntos.
Se simula y como se puede ver en la imagen tenemos una fuente de tensión que posee
más de los 32 voltios requeridos y el led enciende.

44
 Ilustración 48 Simulación del circuito con DIAC al estar encendido

¿ Qué pasaría si le ponemos menos de los 32 voltios?.- La simulación no funciona .

Ilustración
Ilustración 49
49 Fuente
Fuente de
de tensión
tensión alterna
alterna menor
menor aa 32
32VV

No está pasando corriente, porque no cumple la condición de que la fuente de tensión

sea mayor a 32V.
En la ilustración 50 se aprecia que si funciona correctamente el circuito.

45
 Ilustración 50 Correcto funcionamiento del circuito con DIAC

6.CAPITULO IV:
* En este capítulo se explicará y se simulará 2 ejemplos de aplicaciones de los tiristores.
*Primer Ejemplo: ‘Circuito de control para encender una lampara’
Para este circuito tenemos un pulsador para activar el TRIAC una resistencia de 1k para
controlar el flujo de corriente hacia el gate, entonces un TRIAC, una carga de 220 de
corriente alterna, en este caso es una lampara y una fuente de 220 volteo de corriente
alterna.

46
 Ilustración 51 simulación en estado off

En este caso tenemos a un TRIAC en el cuál se tiene el orden de los pines ánodo 1, ánodo2 y el
gate, vemos que en un extremo de la resistencia está unida al gate del TRIAC, el extremo de la
resistencia está unido a un pulsador, el otro extremo del pulsador está unido al a2 del TRIAC,
necesitamos una carga de 220v de corriente alterna una lámpara para nuestro circuito,
también una fuente de 220v de corriente alterna para conectarlo. Notamos que el extremo de
la lámpara va unidad hacia el a2 del TRIAC y hacia un extremo del pulsador, el otro extremo de
la lámpara va unida hacia una línea de una fuente alterna de 220v, el otro extremo de la
fuente alterna va unida hacia el a1 del TRIAC. Tengamos mucho cuidado cuando energicemos
el circuito ya que estamos trabajando con una fuente de 220v de corriente alterna

Cuando presionamos el pulsador veremos que se activa el TRIAC comportándose como un

interruptor cerrado y en ese instante se enciende la lámpara, si dejamos de presionar el
pulsador el TRIAC se comporta como un interruptor abierto apagando la lámpara .

47
 Ilustración 52 simulación exitosa del encendido de la lampara

Segundo Ejemplo: ‘Circuito de protección’

Como sería un tiristor en un circuito de protección y como es su comportamiento, en la

imagen (ilustración nº53) de la simulación. En este circuito conectamos una fuente, un
fusil, una llave para hacer la simulación y de momento que la tensión que circula por lo
que sería el ánodo del tiristor y del diodo Zener es inferior a la tensión del valor de
Zener, la corriente seguirá circulando por la carga de la resistencia y del diodo led-rojo
para limitar un poco la corriente, la carga va estar funcionando. Tenemos una fuente
de 7v y una tensión de Zener de 7.5 por lo tanto la tensión del ánodo del Zener es de
0v, pero si en algún momento la tensión de la fuente se eleva en este caso hicimos del
mismo circuito con una carga de 10v supera la tensión de valor de Zener polariza lo
que sería puerta del tiristor que va conducir y al conducir con una resistencia muy baja,
casi genera un corto y esto volaría lo que sería el fusil, impidiendo que el circuito siga
funcionando.

48
Ilustración 53 simulación del circuito de control

49
 Ilustración 54 Simulación cuando reventó el fusil

La ventaja que tiene este circuito con respecto a un circuito de protección conformado
solamente con un diodo Zener es que el diodo se pone en corto de esta manera su
función es conducir y disparar el tiristor conduce cuando la tensión es elevada, cuando
la tensión se normaliza ya no conduce más, pero no hace corto circuito ni se arruina lo
que es el tiristor. Es mucho más eficiente un circuito de protección conformado por un
diodo Zener y un tiristor que solamente por un diodo Zener aunque es más caro es
mas efectivo y termina larga siendo más económico porque en una reparación hay
menos componentes que cambiar. En nuestro caso sería cambiar el fusible .

50
 7.Conclusiones:
La elaboración del proyecto acerca de los tiristores nos ha servido de experiencia, para
aprender a organizarnos de manera adecuada y prudente a la hora de trabajar, así como
para fomentar la habilidad comunicativa entre los integrantes del equipo, impulsar el
intercambio de información y el debate de ideas, y fortalecer la capacidad de trabajo en
equipo y acrecentar la habilidad de liderazgo en cada uno.
Es importante entender que este tipo de trabajos de investigación es la representación de
los proyectos y obras de ingeniería, pues para realizar este proyecto primero se tuvo que
definir los objetivos, luego se hizo una asignación de cargos y se hizo un cronograma de
trabajo, entre otros parámetros teniendo como fin presentar un trabajo que cumpla los
requisitos dados. Como futuros ingenieros nos sirve de mucho elaborar este tipo de
trabajos teórico-práctico pues vamos adquiriendo experiencia y habilidades necesarias
para resolver problemas en la vida real.
Es esencial saber usar softwares como PROTEUS, SOLVE ELEC, MULTISIM entre
otros, pues son de gran ayuda para diseñar los circuitos eléctricos y realizar sus
simulaciones correspondientes, son herramientas que todo estudiante de ingeniería debe
manejar, pues en conjunto con sus conocimientos, le serán de gran utilidad para su vida
académica y profesional.
Los tiristores conducen solo si hay un pulso positivo en el gate o puerta, a diferencia del
GTO que responde tanto a un pulso positivo como negativo.
Un SCR se activa cuando el voltaje que se aplica a su compuerta es mayor al voltaje de
ruptura.

51
En los tiristores, la corriente que fluye caerá, si es menor a la corriente de
mantenimiento.
El SCR es el tiristor más común y utilizado, pues tiene la capacidad de conmutar
rápidamente.
El BCT está conformado por dos tiristores encapsulados, dichos tiristores a pesar de
estar juntos no se interfieren entre ellos, y cada uno tiene su puerta o gate para ser
activado mediante un pulso.
El LASCR es un tiristor que se activa mediante la luz.
El TRIAC son dos tiristores encapsulados, pero a diferencia del BCT, el TRIAC solo
cuenta con una compuerta o gate.
El RCT es generalmente usado para evitar que corrientes parasitas pasen en dirección
opuesta al flujo de la corriente.
El DIAC se comporta como un circuito abierto, hasta que se le aplica cierto voltaje y se
activa.
El GTO se enciende con un pulso positivo y se desactiva con un pulso negativo.
Un tiristor se diferencia de un TRIAC, en que el tiristor la corriente transcurre en una
sola dirección mientras que el TRIAC se comporta como 2 tiristores conectados en
paralelo inverso, por tanto, la corriente puede ir en distintas direcciones.
Los tiristores son usados también como rectificadores, de manera que convierte
corriente alterna en corriente continua, por ejemplo, en soldadura, carga de baterías y
regulación de fuentes de alimentación.
Los tiristores tienen varias aplicaciones van desde los circuitos lógicos como el circuito
de control de una alarma hasta control en la velocidad de los motores.
Los tiristores también son utilizados en sistemas de control de potencia, como laser de
impulsos y generadores de ultrasonidos y en dispositivos electromecánicos como Relés
y protectores de sobrecarga.

8.Anexos
8.1. Bibliografía:
ABB Switzerland Ltd. (2006). Bi-directionally controlled thyristors. Lenzburg.
Electronics Hub. (18 de Junio de 2019). Obtenido de Gate Turn Off Thyristor:
https://www.electronicshub.org/gate-turn-off-thyristor/
Rashid, M. (1995). Electrónica de potencia. Prentice Hall Hispanoamericana.
Singh, M., & K, K. (2007). Power electronics. New Delhi: Tata McGraw-Hill Publishing
Company Limited.
Universidad de Colima. (2018). Fototiristores (LASCR). Unidad 2 Tema 5. México.
52
 8.2. Cronograma de trabajo:
REUNIONES REUNIONES
ACTIVIDADES
ENERO FEBRERO

1 2 3 4

Definición de objetivos
Planificación del
trabajo
Recopilación de
Información
Organización de los
fundamentos teóricos y
definición de los
tiristores.
Desarrollo de ejercicios

53
prácticos.
Intercambios de ideas y
simulación en el
software Proteus.
Aplicaciones de
tiristores
Conclusiones
Informe preliminar o
borrador
Redacción final del
proyecto

8.3. Tabla de Rendimiento:

Alumno Rendimiento
Stefano Atoche Marquez 100 %
Jose Cabanillas Soto 100 %
William Mondragón Sernaque 100 %

54