TRANSISTORES DE

UNIÓN BIPOLAR - 2


Electrónica Analógica I

Configuración en colector común




Configuración en colector común


Esta configuración se utiliza sobre todo para igualar impedancias,
puesto que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia
de salida, lo contrario de las configuraciones anteriores.


Una configuración en colector común aparece en la gráfica
adjunta. Para el análisis se utilizan las mismas curvas
características de la configuración en emisor común.


Límites de operación



Para cada transistor hay una región de operación en las características
que garantizará que no se excedan las capacidades nominales
máximas y que la señal exhiba distorsión mínima. Dicha región se
muestra en la figura 3.22. Todos los límites de operación se definen en
la hoja de especificaciones del transistor.


Límites de operación


Algunos de los límites de operación se explican por sí solos, como la
corriente máxima del colector o corriente continua en el colector, y el
voltaje máximo del colector al emisor (a menudo se abrevia VCE0 o
V(BR)CE0).


La línea vertical de las características definida como VCEsat especifica el
VCE mínimo que se puede aplicar sin caer en la región de saturación. El
nivel de VCEsat está por lo común cerca de 0.3 V, para este transistor.


El nivel máximo de disipación lo define la ecuación:

PCmáx = VCE IC



La región de corte es aquella que está debajo de IC = ICE0 , en algunas
hojas de especificaciones sólo se da ICB0, por lo que hay que utilizar la
ecuación ICE0 = β ICB0 

Límites de operación


Si las curvas características no están disponibles o no aparecen en las
hojas de especificaciones, basta con asegurarse que IC, VCE y su
producto VCE IC queden comprendidos en el intervalo siguiente:


ICE0 ≤ IC ≤ Icmáx



VCEsat ≤ VCE ≤ VCEmáx



VCE IC ≤ PCmáx





Para las características de base común el siguiente producto de
cantidades de salida define la curva de potencia máxima.


PCmáx = VCB IC



Hoja de especificaciones



Hoja de especificaciones



 ENCAPSULADO E IDENTIFICACIÓN DE LAS TERMINALES DE UN TRANSISTOR

Los de construcción para trabajo pesado son dispositivos de alta potencia, en tanto que los de
contenedor pequeño (casquete superior) o de cuerpo de plástico son para dispositivos de baja a
mediana potencia.
Siempre que sea posible, la cápsula del transistor presentará alguna marca para indicar cuáles
conectores están conectados al emisor, colector o base de un transistor.
Transistor de silicio pnp cuádruple tipo Q2T2905 Texas Instruments: (a) apariencia; (b)conexiones de las
puntas.