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2. ESTRUCTURAS CRISTALINAS
Introducción
(a) Los gases inertes no tienen un orden regular en sus átomos. (b,c) Algunos materiales tienen orden en
una distancia muy corta. (d) Los metales y muchos otros sólidos tienen un orden regular de los átomos que
se extiende por todo el material.
Estructura
tetraédrica del sílice
(SiO2) que contiene
enlaces covalentes.
Estructura tetraédrica en
el polietileno
El tamaño y forma de la
celdilla unidad puede
describirse mediante tres
vectores a, b y c, con
origen en un vértice de la
celdilla unidad. Las
longitudes axiales a, b y c
β
Los modelos de las celdas unitarias (CS), (CC) y (CCC), suponiendo un solo átomo por punto de red.
Ejercicio
Ejemplo
Determine la relación entre el radio atómico y el
parámetro de red en estructuras CS, CC y CCC,
cuando existe un átomo en cada punto de red.
Ejemplo
En la estructura CS los átomos de las esquinas están
centrados en los vértices del cubo por tanto:
a0 = 2r
Ejemplo
En las estructuras CCC, los átomos entran en contacto
a lo largo de la diagonal de la cara del cubo, que tiene
una longitud de 2a0 . Hay cuatro radios atómicos en
esta longitud: dos radios provenientes del átomo
centrado en la cara y un radio por cada esquina por lo
que:
4r
a0 =
2
Coordinación entre las celdas unitarias (a) CS y (b) CC. En CS seis átomos tocan
a cada átomo, en tanto que en CC los ocho átomos de esquinan tocan al átomo
centrado en el cuerpo.
factor de empaquetamiento =
(número de átomos / celda )(volumen de cada átomo )
volumen de la celda unitaria
Ejercicio
Densidad ρ =
(átomos / celda )(masa atómica de cada átomo )
(volumen de la celda unitaria )(número de Avogadro )
Ejercicio
(a) Cúbica centrada en el cuerpo; (b) Cúbica centrada en las caras; (c) Hexagonal compacta.
Celda unitaria BCC: (a) de posiciones atómicas; (b) de esferas rígidas; (c) celda unitaria
aislada.
Celda unitaria FCC: (a) de posiciones atómicas; (b) de esferas rígidas; (c) celda unitaria
aislada.
Celda unitaria HCP: (a) de posiciones atómicas; (b) de esferas rígidas; (c) celda unitaria
aislada.
Ejercicio
El hierro a 20º C es BCC con átomos de radio
atómico de 0.124 nm. Calcular la constante de
red o parámetro de red a para el lado del cubo
de la celda unitaria del hierro.
Ejercicio
Calcular el volumen de la celda unitaria de la estructura
cristalina del zinc a partir de los siguientes datos: el zinc
puro tiene una estructura cristalina HCP con constantes de
red a = 0.2665 nm y c = 0.4947 nm.
Por ejemplo, la posición en coordenadas para los átomos en la celda unitaria BCC
se muestra en la siguiente figura.
Posiciones atómicas en
celdas unitarias BCC.
Las posiciones atómicas para los ocho átomos situados en los vértices de
las celda unitarias BCC son:
Ejercicio
Determine los índices de Miller de las direcciones A, B y
C de la siguiente figura.
2 distancias de repetición
Densidad lineal =
0.51125 nm
Observe que la densidad lineal es el reciproco de la
distancia de repetición.
Construcción de direcciones y de
planos
Para construir una dirección o un plano en la celda
unitaria, simplemente se trabaja de forma inversa.
Los recíprocos de las intersecciones que un plano determina con los ejes a1, a2
y a3, dan los índices h, k e i mientras que el reciproco de la intersección con el
eje c da el índice l.
Planos basales
Los planos basales de la celda unitaria HCP son planos muy importantes para
esta celda unitaria y se muestra en la siguiente figura.
Puesto que el plano basal de la parte superior es paralelo a los ejes a1, a2 y a3,
las intersecciones de este plano con estos ejes serán todas de valor infinito. Asi,
a1= , a2= y a3=, +. El eje c, sin embargo, es unitaria ya que es interceptado
∞ ∞ ∞
Índice de Miller-
Bravais de planos
basales.
Planos de prisma
Utilizando el mismo método, las intersecciones del plano del prisma frontal
(ABCD) de la siguiente figura son a1 =+1, a2 = , a3 = -1 y c = . Tomando
∞ ∞
Índices de Miller-Bravais
para planos de primas
Algunas direcciones
importantes en
celdas unitarias HCP.
Ejercicio
Calcule el cambio teórico de volumen que acompaña a
una transformación polimórfica desde la estructura
cristalina FCC a la BCC en un metal puro. Considere el
modelo atómico de esferas rígidas y que no cambia el
volumen atómico antes ni después de la transformación.
Dislocaciones
Las dislocaciones son imperfecciones lineales en una red
que de otra forma sería perfecta. Generalmente se
introducen en la red durante el proceso de solidificación
del material o al deformarlo.
Dislocación de tornillo
La dislocación de tornillo se puede ilustrar haciendo un
corte parcial a través de un cristal perfecto, torciéndolo y
desplazando un lado del corte sobre el otro la distancia
de un átomo.
Dislocación de tornillo
Si continuáramos nuestra rotación, trazaríamos una
trayectoria en espiral. El eje, es decir la línea alrededor
de la cual trazamos esta trayectoria, es la dislocación de
tornillo. El vector de Burgers es paralelo a la dislocación
de tornillo.
Dislocaciones de borde
Una dislocación de borde se puede ilustrar haciendo un
corte parcial a través de un cristal perfecto, separándolo
y rellenando parcialmente el corte con un plano de
átomos adicional. El borde inferior de este plano
adicional representa la dislocación de borde.
Dislocaciones de borde
Al introducir la dislocación, los átomos por encima de la
línea de dislocación se comprimen acercándose los unos
a los otros, en tanto que los que quedan por debajo se
estiran alejándose de sus posiciones de equilibrio. La red
que los rodea ha sido distorsionada debido a la presencia
de la dislocación.
El cristal perfecto es (a) cortado y un plano adicional de átomos es insertado, (b) el borde
inferior del plano adicional es la dislocación de borde y (c) se requiere un vector de
Burgers para cerrar la un circulo de igual cantidad de espaciamientos atómicos alrededor
de la línea de dislocación.
Dislocaciones mixtas
Las dislocaciones mixtas tienen componentes tanto de
borde como de tornillo, con una región de transición
entre ambas. El vector de Burgers, sin embargo, se
conserva igual para todas las porciones de la
dislocación mixta.
Dislocación mixta
Deslizamiento
Podríamos trasladar el
vector de Burgers del
circuito a la dislocación de
borde, según se muestra
en la figura. Después de
ese traslado, encontramos
que el vector de Burgers y
la dislocación forman un
plano en la red. El vector
de Burgers y el plano
resultan útiles para explicar
como se deforman los
materiales.
Deslizamiento
Cuando se aplica una fuerza cortante en la dirección del vector
de Burgers a un cristal que contenga una dislocación, ésta se
puede mover al romper los enlaces entre los átomos de un
plano. El plano cortado se desplaza ligeramente para establecer
enlaces con el plano parcial original de átomos. Este
desplazamiento hace que la dislocación se mueva un espacio de
un átomo hacia el lado, según se muestra en la siguiente figura.
Deslizamiento
Deslizamiento
El proceso mediante el cual se mueve una dislocación causando
que se deforme un material se conoce como deslizamiento. La
dirección en la cual se mueve la dislocación, la dirección de
deslizamiento, es la dirección del vector de Burgers para las
dislocaciones de borde.
Deslizamiento
Durante el deslizamiento, una dislocación recorre estados, o
entornos, de equilibrio idénticos. El esfuerzo Peierls-Nabarro es el
esfuerzo requerido para mover la dislocación de una localización
de equilibrio a otra:
τ = c exp( − kd / b )
Donde es el esfuerzo cortante requerido para mover la
τ
Defectos puntuales
El defecto puntual más simple es la vacante, hueco
creado por la pérdida de un átomo que se encontraba en
esa posición.
Defectos puntuales
Las vacantes adicionales en los metales pueden ser
producidas por deformación plástica del metal, por
enfriamiento rápido de mayores a menores temperaturas
y por bombardeo de partículas energéticas tales como
neutrones.
Defectos puntuales
Defectos intersticiales. Se forma un defecto intersticial cuando
se inserta un átomo adiciona en una posición normalmente
desocupada dentro de la estructura cristalina.
Defectos puntuales
Defectos sustitucionales. Se crea un defecto sustitucional
cuando se reemplaza un átomo por otro de un tipo distinto. El
átomo sustitucional permanece en la posición original.
Cuando estos átomos son mayores que los normales de la
red, los átomos circundantes se comprimen; si son más
pequeños, los átomos circundantes quedan en tensión.
Defectos puntuales
Otros defectos puntuales. Se crea un intersticio cuando un
átomo a los de los puntos normales de la red se coloca en un
lugar intersticial. Estos defectos aparecen con mayor
frecuencia en redes con un factor de empaquetamiento bajo.
Defectos puntuales
Defectos puntuales: (a) vacante, (b) pequeño átomo intersticial, (c) átomo
sustitucional, (d) átomo sustitucional grande, (e) defecto Frenkel, (f) defecto
Schottky. Todos estos defecto alteran el arreglo perfecto de los átomos
circundantes.
Defectos de superficie
Los defectos de superficie son las fronteras o planos
que separan un material en regiones de la misma
estructura cristalina pero con orientaciones
cristalográficas diferentes.
Defectos de superficie
Defectos de superficie
La siguiente figura se muestran de manera esquemática tres granos; la
red de cada uno de ellos es idéntica pero están orientados de manera
distinta.
Defectos de superficie
Un método para controlas las propiedades de un material es
controlando el tamaño de los granos.
Defectos de superficie
La siguiente figura muestra esta relación para el acero.