Cap3-Arreglos Atómicos e Iónicos PDF

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Arreglos atómicos y jónicos
¿Alguna vez se preguntó ...

• ...qué es el silicio amorfo yen qué difiere del silicio con que se hacen los chips de computadora?
• ...cómo funcionan los sensores de oxígeno en los automóviles?
• ... qué son los cristales líquidos?
... si usted fuera a empacar una caja cúbica con esferas de tamaño uniforme, cuál es el empa-
camiento máximo posible?
... cómo se puede calcular la densidad de diversos materiales?
Los arreglos de átomos y de iones desempeñan b) describir los arreglos en los sólidos cris-
un papel importante en la determinación de la talinos de acuerdo con las estructuras
microestructura y las propiedades de un mate- de red, base y cristalina.
rial. Los principales objetivos de este capítulo
Para los sólidos cristalinos, ilustraremos
son:
los conceptos de redes de Bravais, celdas uni-
a) explicar la clasificación de los materia- tarias y direcciones y planos cristalográficos,
les con base en los arreglos atómicos o examinando los arreglos de los átomos o los
iónicos y iones en muchos materiales con importancia
67
68 CAP.3 Arreglos atómicos y iónicos
tecnológica. Entre ellos están los metales (como atómicos y iónicos sobre las propiedades de los
Cu, Al, Fe, W, Mg, etc.), semiconductores (co- materiales diseñados. En particular, nos concen-
mo Si, Ge, GaAs, etc.), cerámicos avanzados traremos en lo que son los arreglos "perfectos"
(como Zr02, A1203, BaTr03, etc.), superconducto- de los átomos o los iones.
res cerámicos, diamante y otros materiales. De- Los conceptos descritos en este capítulo nos
sarrollaremos la nomenclatura necesaria para prepararán para comprender la forma en que las
caracterizar los arreglos atómicos o iónicos en desviaciones respecto a esos arreglos perfectos
los materiales cristalinos. Examinaremos el uso en los materiales cristalinos originan lo que se
de la difracción de rayos X, la microscopía describe como defectos a nivel atómico. El
electrónica de transmisión y la difracción término defecto, en este contexto, indica una
de electrones. Estas técnicas nos permiten ex- falta de perfección en el orden atómico o iónico
plorar los arreglos de los átomos o de los iones del material cristalino, y no indica imperfección
en distintos materiales. Presentaremos una pers- o mala calidad en un material diseñado. En el ca-
pectiva de los distintos tipos de materiales pítulo 4 describiremos la forma en que estos de-
amorfos, como el silicio amorfo, los vidrios me- fectos a nivel atómico permiten el desarrollo de
tálicos, polímeros y los vidrios inorgánicos. aceros moldeables, y aún así resistentes, que se
En el capítulo 2 se subrayó la manera en que usan en automóviles y edificios, de las aleacio-
el enlazamiento interatómico influye sobre cier- nes de aluminio para aviones, las celdas solares
tas propiedades de los materiales. En este capí- y los módulos fotovoltaicos para satélites, de se-
tulo destacaremos la influencia de los arreglos miconductores y muchas otras tecnologías.
3.1 Orden de corto alcance versus orden de largo ~cance

En los distintos estados de la materia se pueden encontrar cuatro clases de arreglos atómicos
o iónicos (Fig. 3-1).
Sin orden En los gases monoatómicos como el argón (Ar) o el plasma que se forma en un
tubo de luz fluorescente, los átomos o los iones no tienen arreglo ordenado. Estos materiales
llenan todo el espacio disponible que tienen.
Orden de corto alcance (SRa) Un material tiene orden de corto alcance (SRO, short-
rallge order) si el arreglo especial de los átomos sólo se extiende a su vecindad inmediata.
Cada molécula de agua en el vapor tiene un orden de corto alcance debido a los enlaces
covalentes entre los átomos de hidrógeno y los de oxígeno; esto es, cada átomo de oxíge-
no está unido a dos átomos de hidrógeno formando 104.5° entre los enlaces. Sin embargo,
las moléculas de agua en el vapor no tienen un arreglo especial con respecto a sus posiciones
mutuas.
Una situación parecida se observa en los materiales llamados vidrios inorgánicos. En el
capítulo 2 describimos la estructura tetraédrica de la sílice, que satisface el requisito de que
cuatro iones de oxígeno estén unidos a cada ion de silicio (Fig. 3-2). Sin embargo, como se
describirá después, en un vidrio, las unidades tetraédricas se unen entre sí en una forma aleato-
ria. Esos tetraedros pueden compartir vértices, aristas o caras. Así, más allá de la unidad básica
de un tetraedro de (Si04)4-, no hay periodicidad en los arreglos de los átomos. En contraste,
en el cuarzo o en otras formas de sílice cristalina, los tetraedros de (Si04)4- sí se conectan y
forman distintos arreglos periódicos.
Ordende corto alcance versus orden de largo alcance 69
Ar
H O H
(a) (b)
(e) (d)
Figura 3-1 Niveles de ordenamiento atómico en los materiales: (a) los gases monoatómicos iner-
tes no tienen ordenamiento regular de átomos. (b) y (e) Algunos materiales, que incluyen vapor
de agua, nitrógeno gaseoso, silicio amorfo y vidrios de silicato, tienen orden de corto alcance. (d)
Los metales, aleaciones y muchas cerámicas, así como algunos polímeros, tienen ordenamiento
regular de átomos o iones que se extiende a través del material.
Figura 3-2
Tetraedro básico de 5i-0 en el vidrio de silicato.
Muchos polímeros muestran también arreglos atómicos de corto alcance que se parecen
mucho a la estructura del vidrio de silicato. El polietileno está formado por cadenas de áto-
mos de carbono con dos átomos de hidrógeno fijos a cada uno de los carbonos. Como el car-
bono tiene valencia cuatro y los átomos de carbono e hidrógeno están unidos con enlaces
covalentes, de nuevo se produce una estructura tetraédrica (Fig. 3-3). Las unidades tetraé-
dricas se pueden unir en forma aleatoria para producir las cadenas del polímero.
Figura 3-3
Arreglo tetraédrico de los enlaces C-H en el polietileno.
Figura 3.4
(a) Fotografía de un
monocristal de silicio.
(b) Micrografía de un acero
inoxidable policristalino,
donde se ven los granos y
los límites de grano. (Corte-
sía de los Ores. M. Hua, /.
Garcia y A.J. Oeardo.)
(a)
(b)
Orden de largo alcance (LRO) La mayoría de los metales y aleaciones, los semiconduc-
tores, los cerámicos y algunos polímeros tienen una estructura cristalina donde los átomos o io-
nes muestran orden de largo alcance (LRO, long-range order); el arreglo atómico especial
abarca escalas de longitud mucho mayores de - > 100 nm. Los átomos o los iones en esos ma-
teriales forman un patrón regular y repetitivo, semejante a una red en tres dimensiones. A esos
materiales se les llama materiales cristalinos. Si un material cristalino está formado por un so-
lo cristal grande, se le llama material monocristalino o monocristal. Los monocristales se usan
en muchas aplicaciones electrónicas y ópticas. Por ejemplo, los chips de computadora se fabri-
can con monocristales grandes de Si (hasta de 30 cm de diámetro) [Fig. 3-4(a)]. De igual mane-
ra, muchos de los dispositivos electroópticos útiles se fabrican a partir de cristales de niobato de
litio, LiNb03• También se pueden procesar los monocristales en forma de películas delgadas,
que se usan en muchas aplicaciones electrónicas y de otra índole. Ciertos tipos de álabes de tur-
bina también se fabrican con monocristales de superaleaciones a base de níquel. Un material
Orden de corto alcance versus orden de largo alcance 71
Figura 3-5
Pantalla de cristal líquido. Estos ma-
teriales son amorfos en un estado y
sufren cristalización localizada como
respuesta a un campo eléctrico exter-
no; se usan mucho en las pantallas
de cristal líquido (LeO). (Cortesía de
Nick Koudis/PhotoDisc/Getty Images.)
policristalino está formado por muchos cristales pequeños con diversas orientaciones en el es-
pacio. Estos cristales más pequeños se llaman granos. Un material policristalino se parece a un
collage de varios monocristales diminutos. Los bordes entre los cristales diminutos, donde los
cristales están desalineados entre sí, se llaman límites de grano. La figura 3-4(b) muestra la mi-
croestructura de un material de acero inoxidable policristalino. Muchos materiales cristalinos
que se manejan en aplicaciones técnicas son policristalinos (como los aceros que se usan en la
construcción, las aleaciones de aluminio para aviones, etc.). En capítulos posteriores aprendere-
mos que muchas de las propiedades de los materiales policristalinos dependen de las caracterís-
ticas físicas y químicas de los granos y también de los límites de grano. Las propiedades de los
materiales monocristalinos dependen de su composición química y de las direcciones específi-
cas dentro del cristal (llamadas direcciones cristalográficas). El orden de largo alcance en los
materiales cristalinos se puede detectar y medir con técnicas como la difracción de rayos X o
la difracción de electrones (sección 3-9).
Cristales líquidos Los cristales líquidos son materiales poliméricos que tienen un orden
especial. En cierto estado los polímeros de cristal líquido se comportan como materiales
amorfos (semejantes a líquidos). Sin embargo, cuando se les aplica un estímulo externo (co-
mo un campo eléctrico o un cambio de temperatura) algunas moléculas de polímero se ali-
nean y forman pequeñas regiones que son cristalinas; de ahí el nombre de "cristales líquidos".
Estos materiales tienen muchas aplicaciones en la tecnología de pantallas de cristal líquido
(LCD, por sus siglas en inglés) (Fig. 3-5).[ 1]
En 2001, el Premio Nobel de Física fue para Eric A. Cornell, Wolfgang Ketterle y Carl E.
Wieman, científicos que verificaron un nuevo estado de la materia, llamado condensado de
Bose-Einstein. Ya en 1924, el Dr. Satyendranath Base y Albert Einstein predijeron la existen-
cia de este estado de la materia (Fig. 3-6).[2,3] En ese estado tan extraño, un grupo de áto-
mos enfriados a temperaturas muy bajas Gusto arriba de O Kelvin), mediante láseres y trampas
magnéticas, tiene el mismo estado cuántico fundamental. Aunque los condensados de Bose-
Einstein no tienen aplicaciones técnicas en la actualidad, serían útiles en estudios relaciona-
dos con el desarrollo de nanodispositivos, como láseres atómicos. La figura 3-7 muestra un
resumen de la clasificación de los materiales con base en el tipo de orden atómico.
Figura 3-6 Albert Einstein y Satyendranath Base predijeron la existencia del condensado de Bose-
Einstein en 1924. (Foto de Einstein cortesía de la Biblioteca de la Universidad de Pennsylvania; foto
de Bose cortesía dellndian National Council of Science Museums, Emilio Segre Visual Archives. )
Monocristal
Ejemplos: Si, GaAs
C: Cristales líquidos
Orden de corto alcance
y de largo alcance
en pequeños volúmenes.
Ejemplo: polímeros en pantallas
de cristal líquido
Figura 3-7 Clasificación de los materiales con base en la clase de orden atómico.
3.2 Materiales amorfos: principios y aplicacionestecnológicas

Todo material que sólo muestra ordenamiento de átomos o iones de corto alcance es un ma-
terial amorfo, es decir, un material no cristalino. En general, la mayoría de los materiales
tienden a formar arreglos periódicos, porque esta configuración maximiza su estabilidad termo-
dinámica. Los materiales amorfos tienden a formarse cuando, por una u otra razón, la cinéti-
ca del proceso de obtención de los mismos no permitió la formación de arreglos periódicos.
Materiales amarlos:principios y aplicaciones tecnológicas 73
Los vidrios, que normalmente se forman en sistemas cerámicos y poliméricos, son buenos
ejemplos de los materiales amorfos. De igual modo, algunas clases de geles poliméricos o co-
loidales, o materiales parecidos a los geles, también se consideran amorfos. Los materiales
amorfos ofrecen, con frecuencia, una mezcla única e inusual de propiedades, porque los áto-
mos o los iones no están acomodados en sus arreglos "regulares" y periódicos. Obsérvese que
con frecuencia hay muchos materiales de ingeniería calificados como "amorfos" que pueden
contener una fracción cristalina. Las técnicas como difracción de electrones y difracción de
rayos X (sección 3-9) no se pueden usar para caracterizar el orden de corto alcance en los ma-
teriales amorfos. Los científicos usan la dispersión de neutrones y otros métodos para inves-
tigar el orden de corto alcance en los materiales amorfos.
Un ejemplo común de un material amorfo es un vidrio de silicato. Con el llamado proceso
de vidrio flotado, se funden varios ingredientes, como sílice (Si02), alúmina (AI203), óxido de
sodio (N~O)I, óxido de calcio (CaO), etc., para formar los vidrios que se usan en los parabri-
sas de automóviles o los vidrios de ventanas. En este proceso, se agregan otros óxidos a la sílice
para bajar la temperatura de fusión, porque aun a temperaturas de -1400 oC, la sílice pura fun-
dida es demasiado viscosa para que el proceso funcione. El vidrio fundido flota sobre un baño
de estaño fundido; de ahí el nombre de vidrio flotado. Al solidificarse, los tetraedros de (Si04)4-
(Fig. 3-2), que hay aun en el vidrio fundido, no tienen oportunidad de formar un arreglo perió-
dico regular. Si en forma deliberada se eleva la temperatura de un vidrio de silicato y se mantie-
ne alta (por ejemplo a 1000 oC) durante largo tiempo, pequeñas porciones de este vidrio, que
originalmente era amorfo, comienzan a "cristalizar", y los tetraedros de (Si04)4- comienzan a
organizarse y a formar cristales diminutos. A medida que los cristales diminutos crecen, comien-
zan a dispersar la luz y el vidrio comienza a perder transparencia. Si no se controla la cristali-
zación, se desarrollarán esfuerzos que harán que el vidrio se fracture.
Por otra parte, la cristalización de los vidrios puede controlarse. Los científicos y los in-
genieros en materiales, como Donald Stookey [Fig. 3-8(a)], han desarrollado formas de nu-
clear en forma deliberada cristales ultrafinos en vidrios amorfos. Los materiales obtenidos se
llaman vitrocerámicas [Fig. 3-8(b»), pueden hacerse hasta -99.9% cristalinos y son bastan-
te resistentes. Algunas vitrocerámicas se pueden hacer ópticamente transparentes mantenien-
do extremadamente pequeño el tamaño de los cristales (- < 100 nm). La mayor ventaja de las
vitrocerámicas es que se moldean con las técnicas de conformación del vidrio, pero no se frac-
turan como el vidrio.[4) Describiremos este tema con más detalle en el capítulo 8.
Igual que los vidrios inorgánicos, muchos plásticos también son amorfos. Aunque pueden
contener pequeñas porciones de material cristalino. Durante su procesamiento, las cadenas re-
lativamente grandes de moléculas de polímero se enredan entre sí, como el espagueti. Las mo-
léculas de polímero enredadas no se organizan para formar materiales cristalinos. Durante el
procesamiento de polímeros se aplican esfuerzos mecánicos a la preforma de la botella, por
ejemplo, en la manufactura de una botella normal de dos litros para bebida gaseosa, con plás-
tico de tereftalato de polietileno PET (polyethylene therephthlate). Este proceso se llama mol-
deado por soplado y estirado (Fig. 3-9). Los esfuerzos radiales (soplado) y longitudinales
(estirado) durante la formación de la botella desenrollan algunas de las cadenas de polímero,
causando cristalización inducida por esfuerzo. La formación de cristales aumenta la resisten-
cia de las botellas de PET. Igual que en el caso de las vitrocerámicas, se debe controlar el pro-
ceso de cristalización para que los cristales refuercen en realidad al plástico PET, pero que no
sean demasiado grandes como para dispersar la luz y perjudicar la transparencia.
En comparación con los plásticos y los vidrios inorgánicos, los metales y las aleaciones
tienden a formar materiales cristalinos con bastante facilidad. Por 10tanto, para formar estruc-
turas amorfas en estos materiales, es decir, vidrios metálicos se requieren velocidades de en-
friamiento del metal líquido > 106 oC/s. Esta técnica de enfriar muy rápidamente los metales
y aleaciones se llama solidificación rápida. Muchos vidrios metálicos tienen propiedades que
son a la vez útiles y excepcionales. Algunos, como Metglas™, tienen aplicaciones comerciales
1 N. del T.: En realidad, se usa carbonato de sodio, Na2CO]'

(a)
(b)
Figura 3-8 (a) Donald Stookey, a quien se le acreditan investigaciones precursoras sobre vitroce-
rámicas. (b) Obtenidas a partir de vidrios amorfos, las vitrocerámicas representan una familia útil
de materiales diseñados. (Cortesía de Corning Corporation.)
como materiales magnéticos más eficientes, para transformadores y otras aplicaciones. El te-
ma de solidificación se discutirá más a fondo en el capítulo 8.
El silicio amorfo, llamado a:Si-H, es otro ejemplo importante que tiene el orden básico de
corto alcance del silicio cristalino (Fig. 3-10).[5] La H del símbolo indica que este material tam-
bién contiene algo de hidrógeno. En el silicio amorfo, los tetraedros de silicio no están unidos
entre sí en el arreglo periódico que tiene el silicio cristalino. Algunos enlaces también están in-
completos o "abiertos". Esta falta de arreglo periódico disminuye la movilidad de los portadores
Materiales amorfos: principios y aplicaciones tecnológicas 75
: I~~I
Figura 3-9 La figura superior muestra una botella normal de dos litros, y una preforma con la que
se produce la botella. La figura inferior muestra un esquema del proceso de formado por soplado
y estirado para fabricar una botella normal de dos litros de PET (tereftalato de polietileno) a par-
tir de una preforma. El esfuerzo inducido en la cristalización causa la formación de cristales pe-
queños que contribuyen a reforzar el resto de la matriz amorfa. (Fuente: proceso de fabricación
de botellas en paysmart.comjusedcentral.)
---es decir, la velocidad con la que se mueven los portadores de carga, que pueden ser electrones,
bajo un campo eléctrico- en el silicio amorfo, en comparación con el silicio cristalino. Sin em-
bargo, el silicio amorfo se puede fabricar sobre sustratos de mayor área que el silicio cristalino;
esto es fundamental en las aplicaciones electrónicas. El silicio amorfo se fabrica por deposición
química de vapor que implica descomponer el silano (SiH4) gaseoso. Este proceso representa
un ejemplo de producción de materiales amorfos sin fusión. Durante este proceso, los átomos de
silicio del silano precursor se depositan sobre un sustrato y no tienen oportunidad de formar sili-
cio cristalino. Las capas delgadas de silicio amorfo se usan en la fabricación de transistores para
pantallas de matriz activa en las computadoras. También se usa mucho el silicio amorfo en apli-
caciones como celdas solares y tableros solares.
76 CAP. 3 Arreglos atómicos y iónicos
Átomo de
i.id rogeno
........•..
Átomo
de silicio
(a) (b)
Figura 3-10 Arreglos atómicos en el silicio cristalino y en el silicio amorfo. (a) Silicio amorfo.
(b) Silicio cristalino. Obsérvese la variación en la distancia interatómica en el silicio amorfo.
Los (o lasf geles como los de sílice coloidal también son ejemplos de materiales amor-
fos. Estos materiales como gelatina se usan en fórmulas de cosméticos, para moldes de colado
de precisión para metales y aleaciones, en pinturas y productos farmacéuticos.
Resumiendo, los materiales amorfos se pueden obtener restringiendo a los átomos o io-
nes para que no ocupen sus posiciones periódicas "regulares". Esto significa que los materia-
les amorfos no tienen orden de largo alcance. Eso nos permite obtener materiales con muchas
propiedades distintas y excepcionales. Muchos materiales que se consideran como "amorfos"
pueden contener algún grado de cristalinidad. Como los átomos están dispuestos en posicio-
nes que no son de equilibrio, la tendencia natural de un material amorfo es cristalizar; ya que
eso conduce a un material con mayor estabilidad termodinámica. Esto se puede hacer propor-
cionando una fuerza motriz adecuada, que puede ser térmica (como en un vidrio de silicato),
termomecánica (como en polímeros PET) o eléctrica (como en polímeros de cristal líquido). Los
materiales amorfos y los cristalinos obtenidos a partir de los primeros tienen muchas aplica-
ciones tecnológicas útiles.
3.3
Una red es una colección de puntos, llamados puntos de red, ordenados en un patrón perió-
dico de tal modo que los alrededores de cada punto de la red son idénticos. Una red puede ser
uni, bi o tridimensional. En la ciencia e ingeniería de los materiales se usa el concepto de
"red" para describir los arreglos de átomos o de iones. Un grupo de uno o más átomos ubica-
dos en forma determinada entre sí, y asociados con cada punto de red, se llama motivo, mo-
tif o base. Se obtiene una estructura cristalina sumando la red y la base; es decir: estructura
/ cristalina = red + base.
La celda unitaria es la subdivisión de una red'que sigue conservando las características ge-
nerales de toda la red. En la figura 3-11 se muestran celdas unitarias. Al apilar celdas unitarias
idénticas se puede construir toda la red. Hay siete arreglos únicos, llamados sistemas cristalinos,
que llenan el espacio tridimensional. Son los sistemas cúbico, tetragonal, ortorrómbico, rombo-
édrico (que también se llama trigonal), hexagonal, monoclínico y triclínico. Aunque existen es-
tos siete sistemas cristalinos, hay un total de 14 arreglos distintos de puntos de red. Son arreglos
2 N. del T.: Por ejemplo, el gel del proceso sol-gel, y la gel de sílice. También, en ambos ejemplos se pue-
de usar "el" o "Ia".

Redes, celdas unitarias, bases y estructuras cristalinas 77
Cúbica simple Cúbica centrada Cúbica centrada

en las caras en el cuerpo
Tetragonal Tetragonal centrada Hexagonal

simple en el cuerpo
Ortorrómbica Ortorrómbica centrada Ortorrómbica centrada Ortorrómbica

simple en el cuerpo en las bases centrada
en las caras
Romboédrica
DD
Monoclínica
simple
Monoclínica centrada
en las bases
Triclínica
Figura 3-11 Los catorce tipos de redes de Bravais, agrupados en siete sistemas cristalinos. En las
figuras 3-12 y 3-16 se muestra la celda unitaria real para un sistema hexagonal.
únicos que se llaman redes de 8ravais, en honor del francés Auguste Bravais (1811-1863), uno
de los primeros cristalógrafos. Se identifican 14 tipos de redes de Bravais agrupados en siete sis-
temas cristalinos (Fig. 3-11 Ytabla 3-1). Los puntos de red están en las esquinas de las celdas uni-
tarias y, en algunos casos, en las caras o en el centro de la celda unitaria. Obsérvese que para el
sistema cristalino cúbico existen redes de Bravais cúbica simple (Se, simple eubie), cúbica cen-
trada en las caras (FCC,faee-eentered eubie) y cúbica centrada en el cuerpo (BCC, body-eente-
red eubie). En forma parecida, para el sistema cristalino tegragonal existen las redes tetragonal
simple y tetragonal centrada en el cuerpo. Se puede expresar cualquier otro arreglo de átomos con
las 14 redes de Bravais. Obsérvese que el concepto de red es matemático y que no se mencionan
átomos, iones o moléculas. Sólo cuando se toma una red de Bravais y se comienza a definir la
base --es decir, uno o más átomos asociados con cada punto de red-, se puede describir una es-
tructura cristalina. Por ejemplo, si se toma la red cúbica centrada en las caras y se supone que ca-
da punto de red tiene un átomo, se obtiene la estructura cristalina cúbica centrada en las caras.
Obsérvese que aunque sólo hay 14 redes de Bravais, se pueden tener muchas bases más.
Como la estructura cristalina se obtiene sumando red y base, se tienen cientos de estructuras
TABLA 3-1 • Características de los siete sistemas crístalinos

Estructura Ejes Ángulos entre ejes Volumen de la celda unitaria
Cúbica a=b=e Todos los ángulos iguales a 90° a3

Tetragonal a = b'i' e Todos los ángulos iguales a 90° a2c
Ortorrómbica a'i' b'i' e Todos los ángulos iguales a 90° abc
Hexagonal a = b'i' e Dos ángulos de 90°. 0.866a2c
Un ángulo de 120°
Romboédrica a=b=e Todos los ángulos son iguales
o trigonal y ninguno es de 90°.
Monoclínica a'i' b'i' e Dos ángulos de 90°. abc sen f3
Un ángulo (p)no es
igual a 90°
Triclínica a'i' b'i' e Todos los ángulos son abeV 1 - cos2 el - cos2 f3 - COS2'Y + 2 cos el COS f3 cos 'Y
distintos y ningún ángulo
es igual a 90°
cristalinas distintas. Muchos materiales distintos pueden tener la misma estructura cristalina.
Por ejemplo, el cobre y el níquel tienen la estructura cristalina cúbica centrada en las caras.
En este libro, para simplificar, supondremos que cada punto de red tiene solamente un átomo
--es decir, que la base es uno-, a menos que se mencione otra cosa. Esta hipótesis permite
decir red y estructura cristalina en forma equivalente. Ahora describiremos algunas caracte-
rísticas de una red o celda unitaria.
Parámetros de red Los parámetros de red, que describen el tamaño y la forma de la

celda unitaria, incluyen las dimensiones de las aristas de la celda unitaria y los ángulos entre
éstas (Fig. 3-12). En un sistema cristalino cúbico, sólo se necesita la longitud de uno de los
lados del cubo para describir en forma completa la celda (se suponen ángulos de 90°, a menos
que se diga otra cosa). Esta longitud es el parámetro de red o (que a veces se le llama 00),
La longitud se expresa en nanómetros (nm) o en unidades angstrom (Á), donde:
e
a
o o
Cúbico Ortorrómbico Hexagonal
Figura 3-12 Definición de los parámetros de red y su aplicación en los sistemas cristalinos cúbi-
co, ortorrómbico y hexagonal.
1 nanómetro (nm) = 10-9 m = 10-7 cm = 10 Á

1 angstrom (Á) = 0.1 nm = 10-10 m = 10-8 cm
Se requieren varios parámetros de red para definir el tamaño y la forma de celdas unitarias
complicadas. Para una celda unitaria ortorrómbica se deben especificar las dimensiones de sus
tres lados: ao' bo y co' Las celdas unitarias hexagonales requieren dos dimensiones, ao y co'
y el ángulo de 120° entre los ejes ao' La celda más complicada es la triclínica, que se descri-
be con tres longitudes y tres ángulos.
Cantidad de átomos por celda unitaria Cada una de las celdas unitarias se define con
una cantidad específica de puntos de red. Por ejemplo, los vértices de las celdas se identifican
con facilidad, así como las posiciones centrada en el cuerpo (centro de lá celda) y centrada en las
caras (centros de los seis lados de la celda) (Fig. 3-11). Cuando se cuenta la cantidad de puntos
de red que pertenece a cada celda, se debe tener en cuenta que esos puntos de red pueden estar
compartidos por más de una celda unitaria. Un punto de red en un vértice de una celda unitaria
está compartido con siete celdas unitarias adyacentes -y, en consecuencia, compartido por un
total de ocho celdas-; sólo un octavo de cada vértice pertenece a determinada celda unitaria. Así,
la cantidad de puntos de red de todas las posiciones en vértices de una celda unitaria es:
.!. punt~ ~e red)

( 8 vertlce
(8 vértices) = 1 punto de red
celda celda unitaria
Átomo centrado en la
cara, compartido entre
dos celdas unitarias
CDc ada atomo

'
"0 , .
en un vertlce es
compartido por ocho celdas
unitarias (1-4 en el frente,
(a)
5-8 atrás)
Cúbica simple Cúbica centrada Cúbica centrada

en el cuerpo en las caras
(b)
Figura 3-13 (a) Ilustración de la distribución de los átomos en caras y vértices. (b) Los modelos de
celdas unitarias cúbica simple (SC), cúbica centrada en el cuerpo (BCC) y cúbica centrada en las
caras (FCC), suponiendo que hay un sólo átomo por punto de red.
80 CAP.3 Arreglos atómicos V iónicos
Obsérvese que desde el punto de vista matemático no se puede dividir un punto. Esto sig-
nifica que el átomo que está en un punto de red se puede considerar como compartido entre
celdas unitarias. Los vértices equivalen a 1/8 de un punto, las caras a 1/2 Y las posiciones
centradas en el cuerpo contribuyen con un punto completo [Fig. 3-13(a)].
La cantidad de átomos por celda unitaria es igual al producto de la cantidad de átomos
por punto de red por la cantidad de puntos de red por celda unitaria. En la mayoría de los
metales, hay un átomo ubicado en cada punto de red. Las estructuras de las celdas unitarias
cúbica simple (SC), cúbica centrada en el cuerpo (BCC) y cúbica centrada en las caras (FCC),
que tienen un átomo ubicado en cada punto de red, se ven en la figura 3-13(b). En estructu-
ras más complicadas, en especial en materiales poliméricos, cerámicos y biológicos, se pue-
den asociar varios átomos con cada punto de red -es decir, la base es mayor que uno- y se
forman celdas unitarias muy complicadas. En el ejemplo 3-1 se ilustra cómo determinar la
cantidad de puntos de red en sistemas cristalinos cúbicos.
Determinación de la cantidad de puntos de red en sistemas

cristalinos cúbicos
Calcule la cantidad de puntos de red por celda en los sistemas cristalinos cúbicos.
Si sólo hay un átomo en cada punto de red, calcule la cantidad de átomos por celda
unitaria.
SOLUCiÓN
En la celda unitaria SC, los puntos de red sólo están en los vértices del cubo:
punto de red ( l)
----- = (8 vértices) - = I
celda unitaria 8
En las celdas unitarias BCC, los puntos de red están en los vértices y en el centro del
cubo:
punto de red ( l)
---o -. = (8 vértices) - + (1 centro) (1) = 2
celda unltana 8
En las celdas unitarias FCC, los puntos de red están en los vértices y en las caras del
cubo:
punto d~ re~ = (8 vértices) (~) + (6 caras) (~) = 4

celda unltana 8 2
Como se supone que solamente hay un átomo en cada punto de red, la cantidad de áto-
mos 'p(Ír"'ce'lda.unitaria sería 1, 2 Y 4, para las celdas unitarias cúbica simple, cúbica
.céntnl.dá en el cuerpo y cúbica centrada en las caras, respectivamente.
-".:" ,
."'~<.>';:T~':;:,;:'?/~.'"
1
."
/ Radib; atómico 1!.:versu5 p~'[,iimetros de red En la celda unitaria, las direcciones a 10
, 'i~~go d~ 'las cuales:'ios,:¡itom'cis están en contacto continuo son direcciones de empaqueta-
. - , ,.)\~:"iniento compacto, ..o',,"~'ir~cciones compactas". En las estructuras simples, en especial en las
'~. , " que sólo hay un,.6tci'm'c):porpunto de red, se utilizan esas direcciones para calcular la relación
entre el tamaño ap.;rt.é'~tedel átomo y el tamaño de la celda unitaria. Al determinar geométri-
.. camente la'longitud de la dirección con base en los parámetros de red, y a continuación
'-, íncluyen'd9r~í número de radios atómicos a lo largo de esta dirección, se puede determinar la
,. rel¡¡,ci'6nque se desee. En el ejemplo 3-2 se demuestra cómo se determinan las relaciones entre
I~pará~etros de red y el radio atómico.
Determinación de la relación entre el radio atómico

y los parámetros de red
Determine la relación entre el radio atómico y el parámetro de red en las estructuras
se, Bee y Fee cuando se tiene un átomo en cada punto de red.
SOLUCiÓN
Si se observa la figura 3-14, se encuentra que los átomos se tocan a lo largo de la arista del
cubo en las estructuras Se. Los átomos de los vértices tienen su centro en ellas, así que
Go = 2r (3-1)
En las estructuras Bee, los átomos se tocan a lo largo de la diagonal del cuerpo, que
tiene una longitud ~. Hay dos radios atómicos desde el centro del átomo y un
radio atómico desde cada uno de los átomos de los vértices en la diagonal del cuerpo,
así que
4r
Go =- (3-2)
V3
En las estructuras Fee, los átomos se tocan a 10 largo de la diagonal de la cara del cu-
bo, cuya longitud es~. Hay cuatro radios atómicos a lo largo de esta longitud:
dos del átomo centrado en la cara y uno desde cada vértice, así que
4r
Go =-- (3-3)
V2
Figura 3-14 Relaciones entre el radio atómico y el parámetro de red en sistemas

cúbicos (para el ejemplo 3-2).
Número de coordinación El número de co

can a determinado átomo, o sea la cantidad d
lar. Es una medida de qué tan compacto y efi I
los sólidos iónicos, el número de coordi
aniones más cercanos. El número de coor .
más cercanos. En la sección 3-7 se describi
iónicos y otros materiales.
En las estructuras cúbicas que sólo contienen
nen un número de coordinación que se relaciona con
las celdas unitarias de la figura 3-15, se observa que ca 'to
número de coordinación seis, mientras que en la estructura e
nos más próximos. En la sección 3-5, se mostrará que cada áto
un número de coordinación de 12, que es el máximo.
Figura 3-15
Ilustración de los números de
coordinación en celdas unita-
rias (a) SC y (b) BCC. En la SC
seis átomos tocan a cada áto-
mo, mientras que en la celda
unitaria BCC ocho átomos
tocan a cada átomo.
(a) (b)
Factor de empaquetamiento El factor de empaquetamiento es la fracción de espacio

ocupada por átomos, suponiendo que son esferas duras que tocan a su vecino más cercano. La
ecuación general del factor de empaquetamiento es:
Factor de (cantidad de átomos/celda) (volumen de átomos)

(3-4)
empaquetamiento volumen de la celda unitaria
En el ejemplo 3-3 se ilustra cómo calcular el factor de empaquetamiento para una celda FCC.
Cálculo del factor de empaquetamiento

Calcule el factor de empaquetamiento de la celda FCC.
SOLUCiÓN
En la celda FCC hay cuatro puntos de red por celda; si hay un átomo por punto de red,
también hay cuatro átomos por celda. El volumen de un átomo es 4m.3/3, y el volumen
de la celda unitalia es {l6'
. (4 átomos/celda) (17Tr3)
Factor de empaquetamIento = 3
{lo
Como {lo 7" 4r/V2: para las celdas unitarias FCC:
1",. '. . (4) (17Tr3) 7T
,.'
,,' ' f.\l~tor de empaquetalmento
.. r--:, ,
= • ¡;:
(4r/ V 2)3
= V8 == 0.74
El factor de t;mpaquetáll]iento
.. ,
\
de 7T/VI8
== 0.74 en la celda unitaria representa el
• " emp'~quetariliento mát~rl&ie,!1teposible. Las celdas BCC tienen un factor de empaque-
tamiento de 0.68'y lá~, se de 0.52. Observe que el factor de empaquetamiento es
independiente drl!a'dio de los átomos, siempre y cuando se suponga que todos los
átomos tenga,\1un' r~dio fijo. Lo que significa es que no importa que se estén empacan-
do átomo¡; en celdas unitarias, balones de básquetbol o pelotas de tenis en una ca-
N( ja c~bica;-iel máximo factor de empaquetamiento que se puede tener es Este 7T/VI8!
c,onceplo de geometría discreta se llama conjetura de Kepler. Johannes Kepler la
'piépuso desde 1611, Y quedó sin demostrar hasta 1998, cuando Thomas C. Hales de-
-'~ mos.tró que en realidad es cierta.[6]
.,'~
'¡, \
",
-.L.
\."
•••.
"
El arreglo FCC representa una estructura con empaquetamiento compacto (CP, por sus
siglas en inglés); es decir, la fracción de empaquetamiento es la máxima posible con átomos de
un tamaño. Las estructuras SC y BCC son relativamente abiertas. En la siguiente sección vere-
mos que es posible tener una estructura hexagonal con la misma eficiencia de empaquetamiento
que la FCC. Esta última se llama estructura hexagonal compacta (HCP, por sus siglas en in-
glés). Los metales con enlaces metálicos únicamente se empacan con la máxima eficiencia posi-
ble. Los que tienen enlaces mezclados, como el hierro, pueden tener celdas unitarias con un factor
de empaquetamiento menor que el máximo. Ninguno de los metales o aleaciones comunes dise-
ñados tienen la estructura SC, pero esa estructura sí se encuentra en los materiales cerámicos.
Densidad La densidad teórica de un material se puede calcular con las propiedades de su

estructura cristalina. La fórmula general es:
. (cantidad de átomos/celda) (masa átomica)
DenSIdad p = (3-5)
(volumen de la celda unitaria) (número de A vogadro)
Si un material es iónico y consiste en distintas clases de átomos o iones, habrá que modificar
esta fórmula para reflejar esas diferencias. En el ejemplo 3-4 se ilustra cómo determinar la
densidad del hierro BCC.
Determinación de la densidad del hierro BCC

Determine la densidad del hierro BCC, cuyo parámetro de red es 0.2866 nm.
SOLUCIÓN
Para una celda BCC,
Átomos/celda = 2
Q
o = 0.2866 nm = 2.866 X 10-8 cm
Masa atómica = 55.847 g/mol
Volumen de la celda unitaria = Q~ = (2.866 X 10-8 cm)' = 23.54 X 10-24 cm3/celda
Número de Avogadro NA = 6.02 X 1023 átomos/mol
(cantidad de átomos/celda) (masa átomica del hielTo)
Densidad p = --------------------
(volumen de la celda unitaria) (número de Avogadro)
(2) (55.847) 3
P = ----------= 7.882 g/cm
(23.54 X 10-24) (6.02 X 1023)
La densidad medida es 7.870 g/ cm'. La pequeña discrepancia entre las densidades teó-
rica y medida es una consecuencia de los defectos en el material. Como se dijo antes, el
término "defecto", en este contexto, significa impe~ecciones respecto al arreglo atómico.
La estructura hexagonal compacta Una forma especial de la estructura hexagonal, la he-

xagonal compacta (HCP) se muestra en la figura 3-16. La celda únitaria es el prisma oblicuo que
se muestra por separado. Esta estructura HCP tiene un punto de red por celda, uno de cada uno
de los ocho vértices del prisma, pero con cada punto de red se asocian dos átomos. Un átomo es-
tá en un vértice y el segundo está dentro de la celda unitaria. En consecuencia, la base es 2.
Volumen = a~ Co cos 3° Figura 3.16

La estructura hexagonal
compacta HCP (izquierda)
y su celda unitaria.
TABLA 3-2 • Propiedades de la estructura cristalina de algunos metales

Átomos Número de Factor de
Estructura Bo en función de r por celda coordinación empaquetamiento Ejemplos
Cúbica simple (SC) 80 = 2r 6 0.52 Polonio (Po),

Mn-a
Cúbica centrada en 80 = 4r/V3 2 8 0.68 Fe, Ti, W, Mo, Nb,
el cuerpo (BCC) Ta, K, Na, V, Zr, Cr
Cúbica centrada en 80 = 4r/V2 4 12 0.74 Fe, Cu, Au, Pt, Ag,
las caras (FCC) Pb, Ni
Hexagonal com- 80 = 2r 2 12 0.74 Ti, Mg, Zn, Be,
pacta (HCP) CO ~ 1.63380 Co, Zr, Cd
En los metales con una estructuras HCP ideal, los ejes ao y Co se relacionan en la forma
c o / a o = 1.633. Sin embargo, la mayoría de los metales HCP tienen relaciones c o / a o un po-
co diferentes del valor ideal, por los enlaces mixtos. Debido a que la estructura HCP, al igual
que la FCC, tiene el factor más eficiente de empaquetamiento de 0.74 y un número de coor-
dinación de 12, varios metales la poseen. La tabla 3-2 es un resumen de las características de
estructuras cristalinas de algunos metales.
Las estructuras de materiales enlazados en forma iónica se pueden considerar como for-
madas por el empaquetamiento (cúbico o hexagonal) de aniones. Los cationes entran en los
sitios o huecos intersticiales que quedan después de empacarse los aniones. En la sección 3-7
./,>~y~..,. ',.
se describé~s'to' con mayor detalle .
:1, " ..•.•
3.4 TransformaCion$sialotrópicas O polimorfas

..t.:j1..~.Y. ....._~
..• _ .~. ,-.: :" •
, Los ~ateriales q~:~);tie.ldiÚl.'*~'r'más de una estructura cristalina se llaman alotrópicos, poli-

mqtros o polimórfico~f,~}t~¡¡;lino alotropía suele reservarse para este comportamiento en los
".'e~ementos puros;. ~~~~'que polimorfismo se usa para los compuestos. El lector habrá no-
/; t~do que en la tablii"3'~.7>~hay algunos metales, como el hierro y el titanio, que tienen más de
£.~'~,"una estructura cri~talina.A bajas temperaturas, el hierro tiene la estructura BCC, pero a ma-
.. yorf<~temperjltpra~ se transforma en una estructura FCC. Estas transformaciones dan como

\~suIjado c~!pWbs en 'las propiedades de los materiales y son la base del tratamiento térmico
f _., .•...
M,los ac~fu~"y de muchas otras aleaciones.
, M~~os materiales cerámicos, como la sílice (SiOz) y la zirconia (anhídrido de zirconia,
dióx\9,P-,¥ zirconio u óxido de zirconio, ZrOz)' también son polimórficos. Durante su calen-
.,;.: ;
~ .. .....~
\
....
, ."
"
Transformaciones alotrópicas o polimorfas 85
Figura 3-17
Los sensores de oxígeno gaseo-
so que se usan en automóviles
y en otras aplicaciones se basan
en composiciones de zirconia
estabilizada. (Imagen cortesía
de Bosch @ Robert Bosch
GmbH.)
tamiento o enfriamiento, la transformación puede acompañarse de un cambio de volumen; si

no se controla en forma adecuada, este cambio de volumen hace que el material cerámico, que
es frágil, se agriete y fracture. Por ejemplo, para la zirconia (zr02), la forma estable a tempe-
ratura ambiente de ~25 oC es la monoclínica. Al aumentar la temperatura, hay estructuras
cristalinas más simétricas que se vuelven estables. A 1170 oC, la zirconia monoclínica se
transforma a una estructura tetragonal. La forma tetragonal es estable hasta 2370 oC, punto en
el cual se transforma en una forma cúbica. La forma cúbica queda estable desde 2370 oC has-
ta la temperatura de fusión de 2680 °C.[7] La zirconia también puede tener una forma orto-
rrómbica, cuando se le aplican grandes presiones.
Los componentes cerámicos hechos de zirconia pura suelen fracturarse al bajar su tempera-
tura, cuando la zirconia se transforma de tetragonal a monoclínica, debido a la expansión volu-
métrica (el cambio de fase cúbica a tetragonal no causa mucho cambio en volumen). El resultado
es que no se usan polimorfos monoclínicos o tetragonales puros de zirconia. En su lugar, los
científicos y los ingenieros en materiales han encontrado que agregando dopan tes como itria
(Y203) es posible estabilizar la fase cúbica de la zirconia, aun a temperatura ambiente. La zirco-
nia estabilizada con itria (YSZ) contiene hasta 8% mol de Y203• Se obtiene un efecto estabiliza-
dor parecido usando CaO, y a la resultante se le llama zirconia estabilizada con calcia (CSZ).[8]
Las formulaciones con zirconia total o parcialmente estabilizada tienen muchas aplicaciones,
como recubrimientos de barrera térmica para álabes de turbina y electrolitos para sensores de
oxígeno, así como celdas de combustible de óxido sólido. Casi todo automóvil que se fabrica
hoy usa un sensor de oxígeno fabricado con formulaciones de zirconia estabilizada (Fig. 3-17).
La zirconia conduce la electricidad por el movimiento de los iones de oxígeno. En un sensor de
oxígeno se produce una señal de voltaje a través de la zirconia usando presiones parciales de oxí-
geno: una presión parcial patrón de oxígeno y una presión parcial variable de oxígeno en la
mezcla aire-combustible. El voltaje producido indica la pobreza o la riqueza de la mezcla aire-
combustible. Esto permite usar el combustible de la manera más eficiente. El sensor de zirconia
es sólo un ejemplo de la forma en que los científicos e ingeni s materiales desarrollan ma-
teriales y dispositivos para beneficio de la sociedad y al o optimizan el uso de los
recursos naturales y limitan la contaminación ambien . posible que algunos de
los automóviles que están por venir tengan siste ce t le a base de zirconia.
La transformación de zirconia tetragona oclínic a aumentar la tena-
cidad de los materiales cerámicos. Tenae' 'fica i e un material de
absorber una cantidad considerable de ene 1 os m eriales, la dila-
tación relacionada con el cambio de zirconia a a nerar un es-
fuerzo de compresión enfrente de la punta de tar tenacidad
de un material cerámico que contenga partículas . ~o a cuado.
El polimorfismo también tiene importancia cen en v~s otras aplicac Lru ropie-
dades de algunos materiales pueden depender much del~! de polimorfo. . mp , las
propiedades dieléctricas de materiales como PZT (zirco to-Qto d o) y '03 ta-
nato de bario) dependen de la forma polimórfica de que tra se
cómo calcular los cambios de volumen en los polimorfos d zir o ' ib
el grado de los cambios de volumen que pueden presentarse ura
86 CAP, 3 Arreglos atómicos y iónicos
Cálculo de cambios de volumen en polimorfos de zirconia

Calcule el cambio volumétrico porcentual cuando la zirconia pasa de una estructura
tetragonal a una monoclínica.[9] Las constantes de red para las celdas unitarias mono-
clínicas son: a = 5.156, b= 5.191 ye = 5.304 Á, respectivamente. El ángulo (3, de
la celda unitaria monoclínica es 98.9°. Para la celda unitaria tetragonal, las constantes
de red son a = 5.094 Y e = 5.304 Á, respectivamente.[IO] Durante la transformación
¿se expande o se contrae la zirconia? ¿Cuáles son los efectos de esta transfonnación so-
bre las propiedades mecánicas de la cerámica de zirconia?
SOLUCiÓN
El volumen de una celda unitaria tetragonal es V = a2e = (5.094)2(5.304) = 134.33 Á3.
El volumen de una celda unitaria monoclínica es V = abe sen {3 = (5.156)(5.191)

(5.304) sen (98.9°) = 140.25 Á3.
Entonces, hay una expansión de la celda unitaria confonne el Zr02 se transfonna
de tetragonal a monoclínico.
El cambio porcentual de volumen es = [(volumen final - volumen inicial)/(volumen
inicial)] * 100 = [(140.25 - 134.33Á3)/140.25Á3] * 100 = 4.21%.
La mayoría de los cerámicos son muy frágiles y no pueden resistir un cambio de

volumen mayor que 0.1 %. En los capítulos 6 y 7 se describirá el comportamiento mecá-
nico de los materiales. Aquí la conclusión es que los cerámicos de Zr02 no se pueden
usar en su fonna monoclínica porque cuando la zirconia pase a la forma tetragonal, ca-
si con seguridad se rompe. Por tanto, el zr02 se estabiliza con frecuencia en una fonna
cúbica, usando diversos aditivos, como CaO, MgO y Y20r
Diseño de un sensor para medir cambio de volumen

Para estudiar el comportamiento del hierro a temperaturas elevadas, nos gustaría dise-
ñar un instrumento que pueda detectar (con exactitud de 1%) el cambio de volumen de
un cubo de hierro de 1 cm3 cuando se calienta pasando por su temperatura de transfor-
mación polimórfica. A 911°C, el hierro es BCC con un parámetro de red de 0.2863 nm.
A 913. oC, es FCC, con parámetro de red de 0.3591 nm. Determine la exactitud que se
requiére en el instrumento medidor.
SOLUCiÓN
El cambio de volumeñ\lurante la transformación se puede calcular a partir de datos
cristalográficQs .. EIy01jJfnen de una celda unitaria del hierro BCC antes de transfor-
.' ,,-
mar lo es: . :". '!
VBCC = a~ = (0.2863 nm)3 = 0.023467 nm3
Es el vol~m~n que ocupan dos átomos de hierro, porque hay dos átomos por celda uni-
taria en la estructura cristalina BCC.
," . Ervolumen de la celda unitaria en el hierro FCC es:
V Fec = a~ = (0.3591 nm)3 = 0.046307 nm3
'"
.'.
.'
Puntos, direcciones y planos en la celda unitaria 87
Pero éste es el volumen que ocupan cuatro átomos de hierro, porque hay cuatro áto-
mos por celda unitaria FCC. En consecuencia, se deben comparar dos celdas BCC
(con volumen de 2(0.023467) = 0.046934 nm3) con cada celda FCC. El cambio por-
centual de volumen durante la transformación es:
(0.046307 - 0.046934)
Cambio de volumen = 0.046934 X 100 = -1.34%
Esto indica que el hierro se contrae al calentarlo durante el intervalo de temperaturas

que causa el cambio de BCC a FCC.
El cubo de hierro de 1 cm3 se contrae a 1 - 0.0134 = 0.9866 cm3 después de la
transformación; en consecuencia, para asegurar una exactitud de 1%, el instrumento
debe detectar un cambio de:
AV = (0.01) (0.0134) = 0.000134 cm3.
3.5
Coordenadas de puntos Se pueden localizar ciertos puntos en la red o celda unitaria, co-
mo por ejemplo las posiciones de los átomos, definiendo el sistema de coordenadas de mano de-
recha de la figura 3-18. La distancia se mide en términos de la cantidad de parámetros de red
que hay que recorrer en cada una de las direcciones x, y y z para ir del origen al punto en cues-
tión. Las coordenadas se escriben como las tres distancias, y los números se separan con comas.
Direcciones en la celda unitaria Hay ciertas direcciones en la celda unitaria que tienen
interés especial. Los Índices de MilIer de las direcciones son la notación abreviada para descri-
bir esas direcciones. El procedimiento para determinar los índices de Miller de las direcciones
es el siguiente:
l. Usar un sistema coordenado de mano derecha y determinar las coordenadas de dos
puntos que estén en la dirección.
2. Restar las coordenadas del punto "cola" de las coordenadas de las del punto "cabeza"
para obtener la cantidad de parámetros de red recorridos en la dirección de cada eje
del sistema de coordenadas.
3. Eliminar las fracciones y/o reducir los resultados obtenidos de la resta, hasta los en-
teros mínimos.
4. Encerrar los números entre corchetes [ l. Si se produce un signo negativo, represen-
tarlo con una barra o raya sobre el número.
z Figura 3-18
Coordenadas de puntos seleccionados en la celda unitaria.
El número indica la distancia al origen, en términos de pará-
metros de red.
En el ejemplo 3-7 se muestra una forma de determinar los índices de Miller de dirección.
Determinación de índices de Mil/er de direcciones

Determine los índices de Miller de las direcciones A, B Y e en la figura 3-19.
z Figura 3-19
Direcciones y coordenadas cristalográficas (para
el ejemplo 3-7).
1, O, O
x
SOLUCiÓN
Dirección A
l. Dos puntos son 1, O, O Y O, O, O
2. 1, O, O - O, O, O = 1, O, O
3. No hay fracciones que eliminar ni enteros que reducir.
4. [100]
Dirección B
1. Dos puntos son 1, 1, 1 Y O, O, O
2. 1, 1, 1, -O, O, 0= 1, 1, 1
4. [111]
Dirección e
1. Dos puntos son O, O, l y~, -1, O
2. O, O, 1-~, 1, O = -~, -1, 1
3. 2(-~,-1,1) = -1, -2,2
4. [T22]
Se deben resaltar algunos puntos acerca del uso de índices de Miller para direcciones:
l. Como las direcciones son vectores, una dirección y su negativa no son idénticas; [100]
no es igual que [TOO]; representan la misma línea, pero en direcciones opuestas.
2. Una dirección y su múltiplo son idénticos; [100] es igual que [200]. Simplemente ol-
vidamos reducir hasta los enteros mínimos.
3. Ciertos grupos de direcciones son equivalentes; tienen sus índices particulares por la
forma en que se definen las coordenadas. Por ejemplo, en un sistema cúbico, una di-
rección [100] es una dirección [O10] si redefinimos el sistema de coordenadas como
se observa en la figura 3-20. Se pueden indicar los grupos de direcciones equivalentes
z z
x y
Figura 3-20 Equivalencia de las direcciones cristalográficas de una forma, en sistemas cúbicos.
TABLA 3-3 • Direcciones de la familia (110) en sistemas cúbicos
[IIOJ [HOJ
[ 101J [lOIJ
(IIO) =
[OIIJ [OHJ
[IIOJ [lIOJ
(iOIJ [l01J
[01 I] [OIIJ
como direcciones de una forma (o familia). Se usan los paréntesis especiales ( ) para
indicar este conjunto de direcciones. Todas las direcciones de la forma (100) se obser-
van en la tabla 3-3. Cabe esperar que un material tenga las mismas propiedades en cada
una de estas 12 direcciones de la forma (110).
Importancia de las direcciones cristalográficas Las direcciones cristalográficas se

usan para indicar determinada orientación de un solo cristal o de un material policristalino.
En muchas aplicaciones, es útil describirlas. Por ejemplo, los metales se deforman con más
facilidad en direcciones a lo largo de las cuales los átomos están en contacto más estrecho.
Otro ejemplo del mundo real es la dependencia de las propiedades magnéticas del hierro y de
otros materiales magnéticos respecto a las direcciones cristalográficas. Es mucho más fácil
magnetizar al hierro en la dirección [1OOJque en las direcciones [111] o [110]. Es la razón por
la que los granos en los aceros Fe-Si que se usan en aplicaciones magnéticas (por ejemplo,
en núcleos de transformadores) estén orientados en la dirección [100] o en sus equivalentes.
En el caso de los materiales magnéticos que se usan para medios de grabación, se debe estar
seguro de que los granos estén alineados en determinada dirección cristalográfica, de tal mo-
do que la información almacenada no se borre con facilidad. Asimismo, los cristales con los que
se fabrican las aspas o álabes de turbinas están alineados en ciertas direcciones para aprove-
char sus mejores propiedades mecánicas.
Distancia de repetición, densidad lineal y fracción de empaquetamiento Otra

forma de caracterizar las direcciones es con la distancia de repetición; es la distancia entre
puntos de red a lo largo de la dirección. Por ejemplo, se podría examinar la dirección [110]
en una celda unitaria FCC (Fig. 3-21); si se comienza en el lugar O, O, O, el siguiente punto de
red está en el centro de una cara; es un sitio 112, 112, O. La distancia entre puntos de red, en
consecuencia, es la mitad de la diagonal de la cara, o ~ v!2ao'
En el cobre, cuyo parámetro de
red es 0.36151 nm, la distancia de repetición es 0.2556 nm.
Figura 3-21
Determinación de la distancia de repetición, densi-
dad lineal y fracción de empaquetamiento para
una dirección [110] en el cobre FCC.
La densidad lineal es la cantidad de puntos de red por unidad de longitud a lo largo de

la dirección. En el cobre hay dos distancias de repetición a lo largo de la dirección [110] en
cada celda unitaria; como esa distancia es \l2ao = 0.51125 nm, entonces:
2 distancias de repetición
Densidad lineal = --------- = 3.91 puntos de red/nm
0.51125 nm
Observe que la densidad lineal también es el recíproco de la distancia de repetición.
Por último, se puede calcular la fracción de empaquetamiento de determinada dirección, que
es la fracción realmente ocupada por átomos. Para el cobre, en el que un átomo está en cada pun-
to de red, esta fracción es igual al producto de la densidad lineal por el doble del radio atómico.
Para la dirección [110] en el cobre FCC, el radio atómico es r = \l2ao/4 = 0.12781 nm.
En consecuencia, la fracción de empaquetamiento es:
Fracción de empaquetamiento = (densidad lineal) (2r)
= (3.91) (2) (0.12781)
= (1.0)
Los átomos se tocan a lo largo de la dirección [110], porque es una dirección compacta en los
metales FCC.
Planos en la celda unitaria Ciertos planos de átomos en un cristal también tienen im-
portancia especial. Por ejemplo, los metales se deforman a lo largo de planos de átomos que
estén empacados de la manera más compacta. La energía superficial de las distintas caras de
un cristal depende de los planos cristalográficos particulares. Esto tiene importancia en el cre-
cimiento de los cristales. En el crecimiento de ciertos materiales electrónicos en forma de pe-
lículas delgadas (como Si o GaAs), se necesita estar seguro de que el sustrato esté orientado
de tal manera que la película delgada pueda crecer en determinado plano cristalográfico.
Para identificar estos planos de importancia, se usan índices de Miller, como notación
abreviada, como se observa en el siguiente procedimiento.
l. Identificar los puntos en donde el plano cruza los ejes x, y y z en función de los pará-
metros de red. Si el plano pasa por el origen, ¡hay que mover el origen del sistema de
coordenadas!
2. Sacar los recíprocos de esas intersecciones.
3. Simplificar fracciones, pero no reducir a enteros mínimos.
4. Encerrar entre paréntesis ( ) los números que resulten. De nuevo, los números negati-
vos se deben escribir con una raya sobre ellos.
En el siguiente ejemplo se demuestra cómo obtener los índices de MiIler de planos.
Determinación de los índices de Mil/er de planos

Determine los Índices de Miller de los planos A, B Y e de la figura 3-22.
2 Figura 3-22
Planos cristalográficos y sus inter-
secciones (para el ejemplo 3-8).
SOLUCiÓN
Plano A
1. x= I,y= 1,2= 1
I I I
2. - = 1, - = 1, - = 1
x y z
3. No hay fracciones que eliminar.
4. (111)
PlanoB
1. El plano nunca cruza el eje 2, por lo que x = 1, Y = 2 Y 2 = 00
I I I 1
2. - = 1, - = -, - = O
x y 2 2
I
3. Eliminar fracciones: .!.. = 2,.!.. = 1-=0
x y , 2
4. (210)
Plano e
l. Se debe cambiar el origen, porque el plano pasa por O, O, O. Movámoslo un pará-
metro de red en dirección y. Entonces x = 00, y = - 1 Y 2 = oo.
1 1 I
2. - = O, - = -1, - = O
x y 2
3. No hay fracciones que eliminar.

4. (OTO)
Se deben hacer notar algunos aspectos importantes de los Índices de Miller de planos:
1. Los planos y sus negativos son idénticos (éste no fue el caso con las direcciones). En
consecuencia, (020) = (020).
2. Los planos y sus múltiplos no son idénticos (de nuevo, es 10 contrario de 10 que se vio
en las direcciones). Esto se puede demostrar definiendo las densidades planares y las
fracciones de empaquetamiento planares. La densidad planar es la cantidad de áto-
mos cuyos centros están en el plano por unidad de área; la fracción de empaqueta-
miento es la fracción del área de ese plano que realmente está cubierta por esos
átomos. En el ejemplo 3-9 se muestra cómo se pueden calcular estas cantidades.
3. En cada celda unitaria, los planos de una forma (o familia) representan grupos de
planos equivalentes que tienen sus índices particulares debido a la orientación de las
coordenadas. Se representan estos grupos de planos similares con la notación de llaves
{ }. Los planos de la forma {Il0} en los sistemas cúbicos se muestran en la tabla 3-4.
4. En los sistemas cúbicos, una dirección que tiene los mismos índices que un plano es
perpendicular a ese plano.
TABLA 3-4 • Planos de la familia {110} en los sistemas cúbicos
( 110)
(101 )
(011 )
{ 1lO}
( 110)
(101)
(011)
Nota: Los negativos de los planos no son planos únicos.
~ÉJEMPLO 3-9 Cálculo de la densidad planar y la fracción de empaquetamiento
Calcule la densidad planar y la fracción de empaquetamiento planar para los planos

(010) y (020) en el polonia cúbico simple, cuyo parámetro de red es 0.334 nm.
SOLUCiÓN
Los dos planos se trazan en la figura 3-23. En el plano (010), los átomos tienen su centro
en cada vértice de la cara del cubo, y en realidad 1/4 de cada átomo está en la cara de la
celda unitaria. Entonces, los átomos totales en cada cara es uno. La densidad planar es:
átomos por cara 1 átomo por cara

Densidad planar (O10) = ----- = 2
área de la cara (0.334)
= 8.96 átomos/nm2 = 8.96 X 1014 átomos/cm2
La fracción de empaquetamiento planar es dada por:
(020) Figura 3-23

(010) (020) Las densidades plana res de
los planos (010) y (020) en
celdas unitarias se no son
(010) D idénticas (para el ejemplo

3-9).
área de átomos por cara (1 átomo) (7T?)

Fracción de empaquetamiento (O1O) =
área de la cara ( ao)2
7T?
(2r)2 = 0.79
Sin embargo, no hay átomos con centros en los planos (020). Por consiguiente, la den-
sidad planar y la fracción de empaquetamiento planar son cero, ambas. iLos planos
(010) y (020) no son equivalentes!
Construcción de direcciones V planos Para construir una dirección o un plano en la

celda unitaria, tan sólo se procede en reversa. En el ejemplo 3-10 se muestra cómo hacerlo.
EJEMPLO 3.10 Trazadode dirección y plano

Trazar a) la dirección [121] Y b) el plano (210) en una celda unitaria cúbica.
SOLUCiÓN
a) Como sabemos que hay que moverse en la dirección negativa, ubiquemos el origen
en O, + 1, O. La "cola" de la dirección estará en este nuevo origen. Se determina un
segundo punto de la dirección avanzando + I en la dirección x, -2 en la dirección
y y + 1 en la dirección z [Fig. 3-24(a)).
b) Para trazar el plano (210), se determinan primero los recíprocos de los Índices para
obtener las intersecciones:
1 1
x = - = -- y =- = 1 z = - = 00
-2 2 1 O
Como el cruce con x está en una dirección negativa y se desea trazar el plano dentro
de la celda unitaria, se cambia el origen + 1 en la dirección x, hasta 1, O, O. Entonces
se puede ubicar la intersección con x en -1/2 Y con Y en + l. El plano será paralelo
al eje z (Fig. 3-24(b)).
(a) z z
/1
..,-------
___ 1
..•
~.-2, 1 ¡~-o/.!¿
: J-------
~~-----
x
.-IQyx O, O, O
Figura 3-24 Construcción de (a) una dirección y (b) un plano dentro de una celda
unitaria (para el ejemplo 3-' O).
índices de Miller para celdas unitarias hexagonales Se ha desarrollado un conjun-

to especial de Índices de Miller-Bravais para las celdas unitarias hexagonales, debido a la si-
metría exclusiva del sistema (Fig. 3-25). En el sistema de coordenadas se usan cuatro ejes en
lugar de tres, y el eje a3 es redundante. El procedimiento para determinar los Índices de pia-
nos es exactamente igual a los anteriores, pero se requieren cuatro intersecciones y se obtie-
nen Índices de la forma (hkil). Debido a la redundancia del eje a3 y de la geometría especial
del sistema, los tres primeros enteros en la designación, que corresponden a las interseccio-
nes al' az y a3, se relacionan con /¡ + k = -i.
Las direcciones en las celdas HCP se indican con cualquiera de los sistemas de tres o de
cuatro ejes. Con el sistema de tres ejes, el procedimiento es igual que para los Índices de Miller
convencionales; en el ejemplo 3-11 se describe este procedimiento. En el sistema de cuatro
ejes se necesita un procedimiento más complicado, mediante el cual la dirección se descom-
pone en cuatro vectores. Se determina la cantidad de parámetros de red que es necesario mover
en cada dirección para ir de la "cola" a la "punta" de la misma, y al mismo tiempo se asegura
que /¡ + k = -i, para tener consistencia. Esto se observa en la figura 3-26, donde se aprecia que
la dirección [O10] es igual que la dirección [1210]'
También se puede convertir la notación con tres ejes en la de cuatro ejes para direcciones,
con las siguientes ecuaciones, en las que /¡', k' Y [' son los Índices en el sistema de tres ejes:
e Figura 3-25
En las celdas unitarias HCP se obtienen los índices de Miller-
Bravais usando un sistema coordenado de cuatro ejes. Los
planos identificados con A y B Y las direcciones identificadas
con e y o son los del ejemplo 3-11.
Figura 3-26
Direcciones comunes en la celda
unitaria HCP, usando sistemas con
tres y cuatro ejes. Las líneas pun-
teadas muestran que la dirección
~[100] = [2IlO] [12'iO] es equivalente a una direc-
ción [010].
[110] = [1120]-.....:
al
h = .!. (2h' - k')

3
h = .!. (2k' - h')

3 ~~
1
i = --(h' + k')
3
1 = l'
Después de la conversión, podrá necesitarse eliminar las fracciones en h, k, i Y 1, o reducirlos

a los enteros mínimos.
Determinación de los indices de Miller-Bravais para planos

y direcciones
Determine los índices de Miller-Bravais para los planos A y B Y para las direcciones
e y D de la figura 3-25.
SOLUCiÓN
Plano A
1. al = a2 = a3 = 00, e = 1
1 1 1 1
2. - = - = - = O, - =
al a2 a3 e
3. No hay fracciones que simplificar.
4. (0001)
PianoS
1. al = 1, a2 = 1, a3 = -!, e = 1
1 1 1 l
2. - = 1,- = 1,- = -2, - = l
(11 a2 a3 e
3. No hay fracciones que simplificar.
4. (1121)
Dirección e
l. Dos puntos son O, 0,1 Y 1, O, O
2. O, O, 1 - 1, O, O = - 1, O, 1
4. [101] o [2113]
DirecciónD
1. Dos puntos son O, 1, O Y 1, O, O
2. O, 1, O - 1, O, O = - 1, 1, O
4. [110] o [1100]
Planos y direcciones compactos Al examinar la relación entre el radio atómico y el

parámetro de red, hemos buscado direcciones de empaquetamiento compacto, donde no se
pierde el contacto entre los átomos. Ahora ya podemos asignar índices de MilIer a estas di-
recciones de empaquetamiento compacto, como se muestra en tabla 3-5.
También se pueden examinar con más detalle las celdas FCC y HCP para descubrir que
hayal menos un conjunto de planos de empaquetamiento compacto en cada una de ellas. En
la figura 3-27 se muestran esos planos. Observe que se produce un arreglo hexagonal de áto-
mos en dos dimensiones. Los planos de empaquetamiento compacto son fáciles de encontrar
en la celda unitaria HCP; son los planos (0001) y (0002) de la estructura HCP, y se les da el
nombre especial de planos basales. De hecho, se puede construir una celda unitaria HCP api-
lando planos de empaquetamiento compacto en la secuencia de apilamiento ... ABABAB ...
(Fig. 3-27). Los átomos en el plano B, que es el plano (0002), entran en los valles interme-
dios de los átomos del plano A, que es el plano inferior (0001). Si se coloca otro plano con
orientación idéntica al plano A en los valles del plano B, se crea la estructura HCP. Observe
que todos los planos de empaquetamiento compacto posibles son paralelos entre sí. Sólo los
planos basales, (0001) y (0002), tienen empaquetamiento compacto.
En la figura 3-27 se observa el número de coordinación de los átomos en la estructura
HCP. El átomo central de un plano basal toca seis átomos en el mismo plano. Ese átomo tam-
bién toca tres átomos en un plano inferior y tres en un plano superior. El número de coordi-
nación es 12.
En la estructura FCC, los planos de empaquetamiento estrecho tienen la forma {lll}
(Fig. 3-28). Cuando se apilan planos paralelos (111), los átomos en el plano B entran en los
valles del plano A, Y los átomos en el plano C entran en los valles de los planos A y B. El
cuarto plano ajusta en forma directa sobre átomos en el plano A. En consecuencia, se produce
una secuencia de apilamiento ... ABCABCABC... al usar el plano (111). De nuevo, se obser-
va que cada átomo tiene un número de coordinación igual a 12.
A diferencia de la celda unitaria HCP, hay cuatro conjuntos de planos de empaquetamien-
to compacto no paralelos: (111), (111), (111) y (111), en la celda FCC. Esta diferencia entre
TABLA 3.5 • Planos y direcciones compactas

Estructura Direcciones Planos
SC (100) Ninguno
BCC (111 ) Ninguno
FCC (110) {111 }
HCP (100), (110) o (1120) (0001), (0002)
Figura 3-27
La secuencia de apilamiento ABABAB de planos compactos
A produce la estructura HCP.
A
Sitios intersticiales 97
Figura 3-28
La secuencia de apilamiento
A ABCABCABC de planos compac-
tos produce la estructura FCC.
las celdas unitarias FCC y HCP, la presencia o ausencia de planos con empaquetamiento com-
pacto, afecta al comportamiento de los metales que tienen esas estructuras.
Comportamiento isotrópico y anisotrópico A causa de las diferencias de arreglo ató-

mico en los planos y direcciones dentro de un cristal, también varían algunas propiedades con
la dirección. Un material es cristalográficamente anisotrópico si sus propiedades dependen
de la dirección cristalográfica en la cual se mide la propiedad. Por ejemplo, el módulo de elas-
ticidad del aluminio es 75.9 OPa (11 X 106 psi) en las direcciones (111), pero sólo 63.4 OPa
(9.2 X 106 psi) en las direcciones (IOO). Si las propiedades son idénticas en todas las di-
recciones, el material es cristalográficamente isotrópico. Obsérvese que un material como el
aluminio, que es cristalográficamente anisotrópico, se puede comportar como material isotró-
pico si está en forma poli cristalina. Esto se debe a las orientaciones aleatorias de los distintos
cristales en un material policristalino, que en su mayoría anulan cualquier efecto de la anisotro-
pía como resultado de la estructura cristalina. En general, la mayoría de los materiales policris-
talinos muestra propiedades isotrópicas. Los materiales que son monocristales, o en los cuales
hay muchos granos orientados en ciertas direcciones (obtenidos en forma natural o deliberada),
tendrán normalmente propiedades mecánicas, ópticas, magnéticas y dieléctricas anisotrópicas.
Distancia interplanar La distancia entre dos planos paralelos adyacentes de átomos con
los mismos Índices de Miller se llama distancia interplanar (d hkl)' Esta distancia, en los ma-
teriales cúbicos, se calcula con la siguiente ecuación:
ao
dhkl = -;:::========= (3-7)
Yh2 + ¡¿. + ¡2
en donde ao es el parámetro de red, y h, k Y 1 representan los Índices de Miller de los planos
adyacentes que se estén considerando. Las distancias interplanares de materiales no cúbicos
se calculan con ecuaciones más complejas.[II]
3.6 Sitiosintersticiales
En cualquiera de las estructuras cristalinas que hemos descrito, hay pequeños huecos entre los
átomos normales, y en ellos se pueden ubicar átomos más pequeños. A esos lugares se les
llama sitios intersticiales.
yOctaédrico
1 1 1
2' '2
SC BCC FCC
Figura 3-29 Ubicación de los sitios intersticiales en las celdas unitarias cúbicas. Sólo se muestran
sitios representativos.
Cuando se coloca un átomo en un sitio intersticial, toca a dos o más átomos de la red. Es-
te átomo intersticial tiene un número de coordinación igual a la cantidad de átomos en con-
tacto con él. La figura 3-29 muestra los lugares intersticiales en las estructuras SC, BCC y
FCe. El sitio cúbico, con un número de coordinación de ocho, se presenta en la estructura
Se. Los sitios octaédricos producen un número de coordinación de seis (no ocho). Se llaman
sitios octaédricos porque los átomos que tocan al átomo intersticial forma un octaedro y los
átomos mayores ocupan los puntos normales de la red. Los sitios tetraédricos producen un
número de coordinación igual a cuatro. Por ejemplo, los sitios octaédricos en las celdas uni-
tarias BCC están en las caras del cubo; un átomo pequeño colocado en el sitio octaédrico to-
ca los cuatro átomos de los vértices de la cara, un átomo en el centro de la celda unitaria, más
otro en el centro de la celda unitaria adyacente, con lo que se obtiene un número de coordi-
nación de seis. En las celdas unitarias FCC, los sitios octaédricos están en el centro de cada
arista del cubo y también en el centro de la celda unitaria.
Cálculo de sitios octaédricos

Calcule la cantidad de sitios octaédricos que pertenezcan enforma exclusiva a una cel-
da unitaria FCe.
SOLUCiÓN
Los sitios octaédricos incluyen las 12 aristas de la celda unitaria, con las coordenadas
~,O,O ~, 1,0, !. 0, 1 ~, 1, 1
O,!. ° I,~, ° 1, ~, l O,~, l
0, 0, ~ 1, 0, ~ 1, 1, ~ 0,1, t
más la posición central, 1/2, 1/2, 1/2. Cada uno de los sitios en la arista de la celda
unitaria i>ecomparte entre cuatro celdas unitarias, por lo que sólo 1/4 de cada sitio
pertenece exclusivamente a cada celda unitaria. Entonces, la cantidad de sitios que per-
tenecen exclusivamente a cada celda es:
(12 aristas) ct por celda) + l en el centro = 4 sitios octaédricos.
Los átomos o iones intersticiales cuyos radios son un poco mayores que el del sitio in-
tersticial pueden caber en él, apartando los átomos que los rodean. Sin embargo, los átomos
cuyos radios son menores que el radio del hueco no pueden entrar en el sitio intersticial, por-
que el ion "rebotaría" dentro del sitio. Si el átomo intersticial es demasiado grande, entra de
Sitios intersticia/es 99
TABLA 3-6 • Elnúmero de coordinación y la relación de radios

Número de
coordinación Intersticial Relación de radios Representación
2 Lineal 0-0.155
00
3 Centro de triángulo 0.155-0.225
C29
4 Centro de tetraedro 0.225-0.414
6 Centro de octaedro 0.414-0.732

~
8 Centro de cubo 0.732-1.000
S
preferencia en un sitio con mayor número de coordinación (tabla 3-6). En consecuencia, un
átomo cuyo radio sea entre 0.225 y 0.414 entra en un sitio tetraédrico; si su radio es algo ma-
yor que 0.414, entra a un sitio octaédrico. Cuando los átomos tienen el mismo tamaño, como
en los metales puros, la relación de radios es uno y el número de coordinación es 12; éste es
el caso de los metales con estructuras FCC y HCP.
Muchos cristales iónicos (sección 3-7) se pueden considerar como generados por empa-
quetamiento compacto de aniones mayores. Entonces, se puede considerar que los cationes
son iones más pequeños que caben en los sitios intersticiales de los aniones compactamente
empacados. Así, las relaciones de radios que se describen en la tabla 3-6 también se aplican a
las relaciones de radios del catión al del anión. El empaquetamiento en los cristales iónicos
no es tan compacto como el de los metales FCC o HCP.
Diseño de una pared absorbente de radiación

Se desea producir una pared absorbente de radiación formada por 10000 esferas de
plomo, cada una de 3 cm de diámetro, en arreglo cúbico centrado en la cara. Se deci-
de que habrá mejor absorción si se llenan con esferas más pequeñas los sitios intersti-
ciales entre las esferas de 3 cm. Diseñe el tamaño de las esferas de plomo pequeñas y
determine cuántas se necesitan.
SOLUCiÓN
Para este diseño, podemos aplicar los conocimientos sobre estructuras cristalinas. Por
ejemplo, podremos optar por introducir esferas pequeñas de plomo que quepan exac-
tamente en todos los sitios intersticiales octaédricos entre las esferas de 3 cm. Primero,
podemos calcular el diámetro de los sitios octaédricos entre las esferas de 3 cm de diá-
metro. La figura 6-30 muestra el arreglo de esferas en un plano que contiene un sitio
octaédrico.
Longitud de AB = 2R + 2r = 2R 2 2
- -
r= 2 2R-R=(2 2-I)R
r/R = 0.414
Esto es consistente con la tabla 3-6. Como rIR = 0.414, el radio de la esfera pequeña
de plomo es
r = 0.414 * R = (0.414) (3 cm/2) = 0.621 cm
En el ejemplo 3-12, se observa que hay cuatro sitios octaédricos en el arreglo FCC,
que también tiene cuatro puntos de red. Así, se necesita la misma cantidad de esferas
pequeñas de plomo que de esferas grandes: 10 000 esferas pequeñas. (Como ejercicio,
el lector puede determinar el cambio en el factor de empaquetamiento, debido a las es-
feras pequeñas; también puede comparar los sitios tetraédricos con los octaédricos.)
Figura 3.30
Cálculo de un sitio intersticial octaédrico
(para el ejemplo 3-13).
sitio
octaédrico
3.7 Estructuras cristalinas de los materiales jónicos

Muchos materiales cerámicos contienen, entre sus aniones y cationes, una fracción considera-
ble de enlaces iónicos. Estos materiales iónicos deben tener estructuras cristalinas que asegu-
ren la neutralidad eléctrica, pero que también permitan el empaquetamiento eficiente de iones
de distintos tamaños. Como se mencionó antes, las estructuras cristalinas iónicas se pueden
considerar como estructuras de aniones con empaquetamiento compacto. Los aniones forman
tetraedros u octaedros y permiten a los cationes entrar en los sitios intersticiales adecuados. En
algunos casos, podrá ser más fácil visualizar poliedros de coordinación de cationes con anio-
nes que entran en los sitios intersticiales. Recuerde que en el capítulo 2 se explicó que, con mu-
cha frecuencia, en los materiales reales con aplicaciones en ingeniería, el enlazamiento nunca
es 100% iónico. Sin embargo, seguiremos usando esta descripción de la estructura cristalina
para describir la de muchos materiales cerámicos. Se deben tener en cuenta los siguientes fac-
tores para comprender las estructuras cristalinas de los sólidos con enlaces iónicos.
Radios iónicos Las estructuras cristalinas de los compuestos enlazados iónicamente se pue-
den describir colocando los aniones en los pllntos normales de red de una celda unitaria, y los
cationes en uno o más de los sitios intersticiales descritos en la sección 3-6 (o viceversa). La re-
lación de los tamaños de los radios iónicos de aniones y cationes influye tanto sobre la manera
Estructuras cristalinas de los materiales iónicos 101
de empaquetamiento como sobre el número de coordinación (tabla 3-6). Obsérvese que los ra-
dios de los átomos y los iones son diferentes. Por ejemplo, el radio de un átomo de oxígeno es
0.6 Á, mientras que el de un anión de oxígeno (02-) es 1.32 Á. Esto se debe a que un anión de
oxígeno ha adquirido dos electrones más y se ha agrandado. Como regla general, los aniones
son mayores que los cationes. Es de esperar que los cationes, al haber adquirido una carga po-
sitiva al perder electrones, sean más pequeños. Hablando en el sentido estricto, los radios de ca-
tiones y aniones también dependen del número de coordinación.(12, 13] Por ejemplo, el radio
del ion Al+3 es 0.39 Á cuando el número de coordinación es cuatro (coordinación tetraédrica).
Sin embargo, ese radio es 0.53 Á cuando el número de coordinación es seis (coordinación oc-
taédrica). Obsérvese también que el número de coordinación de los cationes es la cantidad de
los aniones más cercanos, y viceversa para los aniones. Esto también es cierto en los átomos.
Por ejemplo, el radio de un átomo de hierro ¡es diferente en los polimorfos FCC y BCC! Eso
indica que los átomos y los iones no son "esferas duras", sino que se pueden deformar. En el
apéndice B de este libro se presentan los radios atómicos y iónicos de distintos elementos.
Neutralidad eléctrica Todo el material debe ser eléctricamente neutro. Si las cargas del
anión y del catión son idénticas y el número de coordinación de cada ion es idéntico para ase-
gurar un equilibrio correcto de la carga, entonces el compuesto tendrá una fórmula AX (A : ca-
tión, X: anión). Por ejemplo, cada catión puede estar rodeado por seis aniones, mientras cada
anión, a su vez, está rodeado por seis cationes. Sin embargo, si la valencia del catión es +2'y
la del anión es -1, debe haber doble cantidad de aniones, y la fórmula será AX2• La estructu-
ra del compuesto AX2 debe asegurar que el número de coordinación del catión sea el doble
del número de coordinación del anión. Por ejemplo, cada catión puede tener ocho vecinos in-
mediatos, mientras que a cada anión sólo lo tocan cuatro cationes.
Conexión entre poliedros de anión Como regla, los poliedros de coordinación (formados
por el empaquetamiento compacto de aniones) comparten los vértices y no las caras ni las aris-
tas. Esto se debe a que en poliedros que comparten vértices se reduce en forma considerable la
repulsión electrostática entre los cationes, yeso causa la formación de una estructura cristalina
más estable. En las siguientes descripciones, se reseñan varias estructuras comunes en los mate-
riales cerámicos. En comparación con las de los metales, las estructuras de los cerámicos son más
complicadas. El lector notará también que las constantes de red de los materiales cerámicos tien-
den a ser mayores que las de los materiales metálicos, porque la repulsión electrostática entre
los iones evita un empaquetamiento compacto tanto de aniones como de cationes (Fig. 3-31).
Tetraedros con Tetraedros con Tetraedros con

vértices compartidos aristas compartidas cara compartida
(a) (b) (e)
Figura 3.31 Conexión entre poliedros de aniones. Las distintas conexiones posibles incluyen la
distribución de vértices. aristas o caras. En esta figura. se muestran ejemplos de conexiones en-
tre tetraedros.
Visualización de estructuras cristalinas en computadoras Antes de comenzar a

describir diversas estructuras cristalinas, es importante hacer notar que hay muchos progra-
mas y herramientas de cómputo nuevos disponibles. Son muy eficaces para comprender me-
jor los conceptos de estructura cristalina y otros más que se describirán en el capítulo 4. Un
ejemplo de un programa útil es el CaRlne™ (para mayor información consulte el prefacio
de este libro).
Estructura del cloruro de cesio El cloruro de cesio, CsCl, tiene estructura cúbica simple,
y el sitio intersticial "cúbico" está lleno con el anión Cl [Fig. 3-32(a)). La relación de radios
rc:! rCl- = 0.167 nm/0.18l nm = 0.92 obliga a que el cloruro de cesio tenga un número de
coordinación igual a ocho. La estructura se puede caracterizar como una cúbica simple con
dos iones: uno Cs+ y uno Cl-1, asociados con cada punto de red (o una base de 2). Esta es-
tructura es posible cuando el anión y el catión tienen la misma valencia.
(a) (b)
Na+
Cl-
CsCl
NaCl
Figura 3-32 (a) La estructura del cloruro de cesio, una celda unitaria SC con dos iones (Cs+ y CI-)
por punto de red. (b) La estructura del cloruro de sodio, una celda unitaria FCCcon dos iones (Na+
y CI-) por punto de red. Nota: Los tamaños de los iones no están a escala.
Relación de radios del KCI

Para el cloruro de potasio (KCl), a) verificar que el compuesto tiene la estructura del
cloruro de cesio y b) calcular el factor de empaquetamiento de este compuesto.
SOLUCiÓN
a) Según el apéndice B. rK" = 0.133 nm, y rC¡- = 0.181 nm; entonces
rK+ 0.133
- = -- = 0.735
rcr 0.181
Como 0.732 < O. 735 < 1.000, el número de coordinación de cada clase de ion es
8, y la estructura del CsCI es la más probable.
b) Los iones se tocan a lo largo de la diagonal del cuerpo de la celda unitaria; entonces
V3ao = 2rk+ + 2rCl- = 2(0.133) + 2(0.181) = 0.628 nm

ao = 0.363 nm
. 17Tr~+ (1 ion K) + 17Tr~l- (1 ion CI)
Factor de empaquetamiento = 3
ao
17T(0.133)3 + 17T(0.181)3
-------- = 0.725
(0.363)3
Esta estructura se muestra en la figura 3-32(a).
Estructura del cloruro de sodio La relación de radios de los iones sodio y cloruro es
r Na+/r Cl- = 0.097/0.181 nm = 0.536; el ion sodio tiene carga + l Y el ion cloro tiene carga
-l. Entonces, con base en el equilibrio de cargas y la relación de radios, cada anión y catión
debe tener un número de coordinación de seis. La estructura FCC, donde los iones CI-l están
en las posiciones FCC y los Na+ en los cuatro sitios octaédricos, satisface estos requisitos
[Fig. 3-32(b)]. También se puede considerar que esta estructura es FCC con dos iones, un Na+ 1
Y un CI-l , asociados con cada punto de red. Muchos cerámicos, incluyendo el óxido de mag-
nesio (MgO), el óxido de calcio (CaO) y el óxido ferroso (FeO), tienen esta estructura.
Ilustración de una estructura cristalina y cálculo de su densidad

Demuestre que el MgO tiene la estructura cristalina del cloruro de sodio y calcule la
densidad del MgO.
SOLUCiÓN
Del apéndice B, rMg+2= 0.066 nm, y ro-' = 0.132 nm; entonces:
rMg+2 0.066
-=--=0.50
ro-2 0.132
Como 0.414 < 0.50 < 0.732, el número de coordinación de cada ion es seis, y es po-
sible la estructura del cloruro de sodio.
Las masas atómicas son 24.312 y 16 g/mol, respectivamente, del magnesio y del
oxígeno. Los iones se tocan a lo largo de la arista del cubo; entonces:
= 2rMg+' + 2ro-' = 2(0.066) + 2(0.132) = 0.396nm

lIo = 3.96 X 1O-8cm
(4Mg+2)(24.312) + (40-2)(16)
p = ----------- = 431 g/cm3
(3.96 X 10-8 cm)3 (6.02 X 1023) .
Estructura de la blenda de zinc Aunque los iones Zn tienen una carga +2 y los iones
S tienen carga -2, la blenda de zinc (ZnS) no puede tener la estructura del cloruro de sodio,
n
porque rz +, = 0.074 nm/0.184 nm = 0.402. Esta relación de radios demanda un número de
rs-,
coordinación cuatro, yeso a su vez significa que los iones sulfuro entran en sitios tetraédricos
de una celda unitaria, como se indica en el "cubito" de la celda unitaria (Fig. 3-33). La es-
tructura FCC, con cationes Zn en los puntos de red normales y los aniones S en la mitad de
los sitios tetraédricos, puede adaptarse a las restricciones de equilibrio de cargas y de número
1 1
2: 2:
(a) (b)
Figura 3-33 (a) La estructura de la blenda de zinc (b) vista de planta.
de coordinación. Hay varios materiales, incluyendo el semiconductor GaAs y muchos otros

semiconductores III-V (capítulo 2), que tienen esta estructura.
Cálculo de la densidad teórica del GaAs

La constante de red del arseniuro de galio (GaAs) es 5.65 Á. Demuestre que la densi-
dad teórica del GaAs es 5.33 g/cm3.
SOLUCiÓN
En la celda unitaria de "blenda de zinc" GaAs, hay cuatro átomos de Ga y cuatro
de As.
De acuerdo con la tabla periódica (capítulo 2):
Cada mol (6.023 X 1023átomos) de Ga tiene una masa de 69.7 g. En consecuencia, la
masa de cuatro átomos de galio será (4 * 69.7/6.023 X 1023)g
Cada mol (6.023 X 1023átomos) de As tiene una masa de 74.9 g. En consecuencia, la

masa de cuatro átomos de As será (4 * 74.9/6.023 X 1023)g.
Estos átomos ocupan un volumen de (5.65 X 10-8)3 cm3.
masa 4(69.7 + 74.9)/6.023 X 1023
densidad = --- ---------- = 5.33 g/cm3
volumen (5.65 X 10-8 cm)3
Por consiguiente, la densidad teórica del GaAs será 5.33 g/cm3.
Estructura de la fluorita La estructura de la fluorita es FCC, con aniones en las ocho

posiciones tetraédricas (Fig. 3-34). Así, hay cuatro cationes y ocho aniones por celda, y el
compuesto cerámico debe tener la fórmula AX2, como en la fluorita de calcio, CaF2. En la de-
signación AX2, A es el catión y X es el anión. El número de coordinación de los iones calcio
es ocho, pero el de los iones fluoruro es cuatro; en consecuencia se asegura un equilibrio de
cargas. Uno de los polimorfos del Zr02, llamado circonia cúbica, tiene esta estructura crista-
lina. Otros compuestos que la tienen son el U02, Th02 y Ce02.
.p- 1
2
Figura 3.34
(a) Celda unitaria de
fluorita (b) vista de
.
(~,~) planta.
1
2
• •
(~,~) (~,~)
1
2
• • 1
2
Celda de fluorita Vista de planta
(a) (b)
Estructura de la perovskita Es la estructura cristalina de un mineral llamado perovski-

ta (o perovsquita), CaTi03, titanato de calcio. En general, estos compuestos se pueden descri-
bir como AB03 (Fig. 3-35). En el CaTi03, los aniones oxígeno ocupan los centros de cara de
la celda unitaria de perovskita; los vértices, o sitios A, están ocupados por los iones Ca+2, y
el sitio octaédrico B en el centro del cubo está ocupado por los iones Ti+4. Con formulacio-
nes basadas en un material llamado titanato de bario (BaTi03), se fabrican miles de millones
de capacitares para aplicaciones en electrónica, En una de sus formas, este material cerámico
tiene la estructura cristalina de la perovskita. Uno de los polimorfos del zirconato titanato de
plomo (PZT, por sus siglas en inglés) también tiene esta estructura cristalina. Muchos nuevos
superconductores cerámicos, como el óxido de cobre, bario e itrio (YBa2Cu307_) y otros,
tienen estructuras que se derivan de la de perovskita. En la figura 3-36, se observa un ejem-
plo de un nuevo superconductor cerámico con base en óxido de cobre, bario e itrio.
Estructura del corindón Es una de las estructuras de la alúmina; se llama alúmina alfa
(a-Alz03). En la alúmina, los aniones oxígeno se empacan en un arreglo hexagonal, y los ca-
tiones de aluminio ocupan algunas de las posiciones octaédricas disponibles (Fig. 3-37). Es
Octaedro de
Ca+2
• Ti+4
0-2
Perovskita Perovskita, vista de planta
Figura 3-35 Celda unitaria de la perovskita mostrando los cationes en sitio A y B Y los iones de
oxígeno que ocupan las posiciones de centro de cara de la celda unitaria. Nota: Los iones no se
muestran a escala.
L
Ion bario
Ion itrio
Ion cobre
• Ion oxígeno
(a) (b) (e)
Figura 3-36 Estructura cristalina de un nuevo superconductor cerámico de alta Te' basado en un
óxido de cobre, bario e itrio. Estos materiales son excepcionales por ser cerámicos cuya resisten-
cia eléctrica desaparece a bajas temperaturas. (Fuente: i1l.frjdifj3D-crysta/sjsuperconductor.htm/;
@M. Hewat, 1998.)
Figura 3-37
Estructura del corindón de alúmina alfa (AI203-a).
posible que la alúmina sea el material cerámico de uso más frecuente. Sus aplicaciones com-
prenden las siguientes, sin limitarse a ellas: bujías de encendido, refractarios, sustratos para
empaques electrónicos y abrasivos.
3.8
Los materiales con enlaces covalentes tienen, con frecuencia, estructuras complicadas para
satisfacer las restricciones direccionales que imponen los enlaces.
Estructura cúbica del diamante Los elementos como el silicio (Si), el germanio (Ge),
el a-S n y el carbono (en su forma de diamante) están unidos por cuatro enlaces covalentes
que producen un tetraedro [Fig. 3-38(a)]. El número de coordinación de cada átomo de sili-
cio es de cuatro, debido a la naturaleza del enlace covalente.
Estructuras cava lentes 107
e
Diamante
(a) (b)
Figura 3-38 (a) Tetraedro y (b) la celda unitaria cúbica del diamante (OC). Se produce esta estruc-
tura abierta por los requerimientos del enlace covalente.
Al combinarse esos grupos tetraédricos, se puede formar un cubo grande [Fig. 3-38(b)].
Este cubo grande contiene ocho cubos menores del tamaño del cubo tetraédrico; sin embargo,
sólo cuatro de esos cubos contienen tetraedros. El cubo grande es la celda unitaria cúbica de
diamante (CD). Los átomos de los vértices de los cubos tetraédricos proporcionan los átomos
en los puntos normales de la red FCC; sin embargo, dentro de la celda unitaria CD hay cuatro
átomos adicionales resultantes de los átomos que están en el centro de los cubos tetraédricos. Se
puede describir la estructura cristalina CD como una red FCC con dos átomos asociados a cada
punto de red (o una base de 2). En consecuencia, debe haber ocho átomos por celda unitaria.
Determinación del factor de empaquetamiento para

el silicio cúbico tipo diamante
Detemúne el factor de empaquetamiento del silicio cúbico tipo diamante.
SOLUCiÓN
Se observa que los átomos se tocan a lo largo de la diagonal del cuerpo de la celda
(Fig. 3-39). Aunque no hay átomos en todos los lugares a lo largo de esa diagonal, hay
huecos que tienen el mismo diámetro que los átomos. En consecuencia:
Figura 3-39
Determinación de la relación entre el pará-
metro de red y el radio atómico en una celda
cúbica de diamante (para el ejemplo 3-17).
o Huecos
V3ao = Sr
S átomos/celda)(~ 7Tr3)
Factor de empaquetamiento = ---------
a~
3
(S) (~ 7Tr )
(Sr/V3?
= 0.34
En comparación con las estructuras de empaquetamiento compacto, ésta es una estruc-

tura relativamente abierta. En el capítulo 5 veremos que estos huecos en la estructura
son uno de los factores que influyen sobre la rapidez con la que distintos átomos pue-
den difundirse dentro de un material dado.
Cálculo del radio y la densidad del silicio

La constante de red del Si es 5.43 Á. ¿Cuál será el radio de un átomo de silicio? Calcu-
le la densidad teórica del silicio. La masa atómica del Si es 2S.1 g/ mol.
SOLUCiÓN
El silicio tiene una estructura cúbica tipo diamante. Como se vio en el ejemplo 3-17,
para la estructura cúbica tipo diamante
V3a = Sr
En consecuencia, al sustituir a = 5.43 Á, el radio del silicio es 1.176 Á. Es el mismo
radio que se observa en el apéndice B. Para la densidad, se usa el mismo método que
en el ejemplo 3-16. Se observa que hay ocho átomos de Si por celda unitaria.
masa S(2S.1 )/6.023 X 1023 3

densidad = ---= -------- = 2.33 g/cm
volumen (5.43 X 10-8 cm)3
Es el mismo valor de densidad que el del apéndice A.
Sílice (o sílica) cristalina En varias de sus formas, la sílice (Si02) tiene una estructura cris-
talina cerámica parte covalente y parte iónica. La figura 3-40 muestra la estructura cristalina
Figura 3-40
Tetraedro silicio-oxígeno y la forma
0-2 cristobalita {3,de sílice resultante.
0-2
S¡+4
Estructuras covalentes 109
a=7.41Á
b=4.94 Á
c= 2.55 Á
Hidrógeno
Carbono
Figura 3.41 Celda unitaria del polietileno cristalino.
de una de las formas de la sílice, la cristobalita /3, una base de estructura FCC complicada.
Los radios iónicos del silicio y del oxígeno son 0.042 nm y 0.132 nm, respectivamente, por
lo que la relación de radios es TSi+./TO-Z = 0.318, Y el número de coordinación es cuatro.
Polímeros cristalinos Varios polímeros pueden formar una estructura cristalina. Las lí-
neas discontinuas de la figura 3-41 representan la celda unitaria para la red del polietileno, que
se obtiene uniendo moléculas de CzH4 para producir cadenas largas de polímero que forman
una celda unitaria ortorrómbica. Algunos polímeros, incluyendo al nailon, pueden tener varias
formas polimórficas. La mayoría de los plásticos ingenieriles son en parte amorfos y pueden
desarrollar cristalinidad durante su procesamiento. También es posible hacer crecer monocris-
tales de polímeros.
Cálculo de la cantidad de átomos de carbono e hidrógeno

en el polietileno cristalino
¿Cuántos átomos de carbono e hidrógeno hay en cada celda unitaria de polietileno
cristalino? Hay el doble de átomos de hidrógeno que de carbono en la cadena. La den-
sidad aproximada del polietileno es 0.9972 g/cm3.
SOLUCiÓN
Si x es la cantidad de átomos de carbono, entonces 2x es la cantidad de átomos de hi-
drógeno. De acuerdo con los parámetros de red que se muestran en la figura 3-41 :
(x)(12 g/mol) + (2x)( 1 g/mol)

p = (7.41 X 10-8 cm)(4.94 X 10-8 cm)(2.55 X 10-8 cm)(6.02 X IOZ3)
0.9972 = 14x
56.2
x = 4 átomos de carbono por celda

2x = 8 átomos de hidrógeno por celda
3.9
La estructura de un material cristalino se puede analizar usando difracción de rayos X o di-
fracción de electrones. Max von Laue (1879-1960) obtuvo el Premio Nobel en 1912 por su
descubrimiento relacionado con la difracción de rayos X en un cristal (Fig. 3-42). William
Henry Bragg (1862-1942) y su hijo William Lawrence Bragg (1890-1971) ganaron el Premio
Nobel en 1915 por sus contribuciones a la difracción de rayos X (Fig. 3-42).
Cuando un haz de rayos X de una longitud de onda específica' del mismo orden de magni-
tud de las distancias interatómicas del material llega a éste, los rayos X se dispersan en todas
direcciones. La mayor parte de la radiación dispersada por un átomo anula la radiación dis-
persada en otros átomos. Sin embargo, los rayos X que llegan a ciertos planos cristalográficos
formando ángulos específicos con ellos se refuerzan, en vez de aniquilarse. A este fenómeno
se le llama difracción. Los rayos X se difractan, o el haz se refuerza, cuando las condiciones
satisfacen la ley de Bragg,
sen e =--A (3-8)

2dhk/
en donde el ángulo e es la mitad del ángulo que forma el haz difractado y el haz original, A
es la longitud de onda de los rayos X y d hk/ es la distancia interplanar que produce refuerzo
constructivo del haz (véase la Fig. 3-43).
Cuando el material se prepara en forma de un polvo fino, siempre hayal menos algunas
partículas de dicho polvo (cristales diminutos o agregados de cristales diminutos) cuyos planos
(hkl) están orientados con el ángulo e adecuado para satisfacer la ley de Bragg. En consecuen-
cia, se produce un haz difractado que forma un ángulo 2e con el rayo incidente. En un difrac-
tómetro [Figs. 3-44 y 3-45(a)], un detector móvil de rayos X registra los ángulos 2e con los
cuales se difracta el haz y se obtiene una figura característica de difracción [Fig. 3-45(b)]. Si
se conoce la longitud de onda de los rayos X, se pueden determinar las distancias entre planos
y, finalmente, la identidad de los planos que causan la difracción. En un difractómetro de ra-
yos X, estos últimos se producen bombardeando un blanco metálico con un haz de electrones
de alta energía. Los rayos X emitidos por el cobre tienen una longitud de onda A == 1.54060 Á.
(línea K-al) y por ello se usan.
En el método de Laue, que fue el primero que se usó, el espécimen está en forma de un
solo cristal. Se usa un haz de "radiación blanca" formada por rayos X de distintas longitudes
de onda. Cada haz difractado tiene distinta longitud de onda. En el método de transmisión de
Laue, se coloca una película fotográfica detrás del cristal. En el método de reflexión de Laue,
los haces que se difractan hacia atrás se registran en una película entre la fuente y la muestra.
A partir de las figuras de difracción registradas, se pueden obtener la orientación y la calidad
del monocristal. También es posible determinar la estructura cristalina usando un cristal gira-
torio y una fuente de rayos X de longitud de onda fija.[11,14]
Normalmente, se puede hacer un análisis de difracción de rayos X en forma bastante rá-
pida (de -30 minutos a una hora por muestra), en muestras pulverizadas representativas, que
no requieren preparación detallada. Esta técnica también se puede usar para determinar si los
granos en un material están orientados en una determinada dirección cristalográfica (textura)
en materiales volumétricos y en películas delgadas. Normalmente, un técnico bien entrenado
puede hacer el análisis e interpretar los datos de difracción en polvos con bastante facilidad.
En consecuencia, la difracción de rayos X se usa en muchas industrias como herramienta pa-
ra fines de control de calidad de sus productos. El análisis de monocristales y materiales que
contienen varias fases puede ser más complicado y tardado.
Técnicas de difracción para el análisis de la estructura cristalina 111
Figura 3-42 Fotografías de William Henry Bragg (arriba, derecha), Lawrence Bragg (arriba, iz-
quierda) y de Max van Laue (abajo). (Imágenes cortesía de la Biblioteca de la Universidad de
Pennsylvania. )
112 CAP. 3 Arreglos atómicos V iónicos
Figura 3-43
No en
En fase Interacciones (a) destructiva y
fase
/ (b) constructiva entre rayos X y el
/ material cristalino. El refuerzo, o
interacción constructiva, sucede
en ángulos que satisfacen la ley
de Bragg.
sen 8 * 2~
(a)
sen 8 = 2~
(b)
Figura 3-44
Fotografía de un difractó metro
de rayos X. (Cortesía de H&M
Ana/ytica/ Services.)
(a)
(200)
(111) (222)
(220)
o 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110
2e
(b)
Figura 3-45 (a) Diagrama de un difractómetro, donde se observan la muestra en po/va y los haces
incidente y difractado. lb) Figura de difracción obtenida con una muestra de polvo de oro.
Para identificar la estructura cristalina de un material cúbico, se observa la estructura de

las líneas difractadas; normalmente se forma una tabla de valores de sen2 8. Al combinar la
ecuación 3-7 con la 3-8 del espaciamiento interplanar, se observa que:
En los metales cúbicos simples, todos los planos posibles difractan, produciendo un patrón de
h 2 + k2 + [2 de 1, 2, 3, 4, 5, 6, 8, ... En los metales cúbicos centrados en el cuerpo, la difrac-
ción sólo sucede en los planos h 2 + k2 + [2 con suma par de 2, 4, 6, 8, 10, 12, 14, 16, ... Para
los metales cúbicos centrados en las caras, se presenta más interferencia destructiva y difrac-
tan los planos con suma h 2 + k2 + [2 igual a 3, 4, 8, 11, 12, 16, ... Si se calculan los valo-
res de sen2 8 y después se determina el patrón adecuado, se puede precisar la estructura de
metales que tengan una de estas estructuras, como se observa en el ejemplo 3-20.
Análisis de la difracción de rayos X

Los resultados de un experimento de difracción de rayos X de A = 0.7107 Á. (radia-
ción que se obtiene con un blanco de molibdeno, Mo) indican que los picos de di-
fracción están en los siguientes ángulos 28:
Pico 20 Pico 20
1 20.20 5 46.19
2 28.72 6 50.90
3 35.36 7 55.28
4 41.07 8 59.42
Determine la estructura cristalina. los índices del plano que produce cada pico y el pa-
rámetro de red del material.
SOLUCiÓN
Primero se determina el valor de sen2 8 para cada pico y después se divide entre el va-
lor mínimo, 0.0308.
Pico 20 sen2 O sen2 IJ/O.030B h2+k2+J2 (hkl)

1 20.20 0.0308 1 2 (110)
2 28.72 0.0615 2 4 (200)
3 35.36 0.0922 3 6 (211 )
4 41.07 0.1230 4 8 (220)
5 46.19 0.1539 5 10 (310)
6 50.90 0.1847 6 12 (222)
7 55.28 0.2152 7 14 (321)
8 59.42 0.2456 8 16 (400)
Al hacerlo, se encuentra un patrón de valores de sen2 8/0.0308 de 1,2, 3, 4, 5, 6,

7 Y 8. Si el material fuera cúbico simple, no habría 7, porque ningún plano tendría el
valor de 7 para h 2 + k2 + /2. En consecuencia, el patrón debe ser en realidad 2, 4, 6,
8, 10, 12, 14, 16,... y el material debe ser cúbico centrado en el cuerpo. Los valores
(hkl) de la lista producen los valores requeridos de h 2 + k2 + /2.
A continuación se podrían usar los valores de 28 de cualquiera de los picos para
calcular la distancia entre planos, y con ella el parámetro de red. Si se escoge el pico 8:
28 = 59.42 o 8 = 29.71
A 0.7107
d400 = -- = = 0.71699 Á.
2sen8 2 sen (29.71)
Go = d400 Yh2 +~ + ¡2 = (0.71699)(4) = 2.868 Á.
Éste es el parámetro de red del hierro cúbico centrado en el cuerpo.
Difracción y microscopía electrónicas Louis de Broglie había supuesto que los elec-
trones se comportan como ondas. En la difracción de electrones se usan electrones de alta
energía (de -100000 a 400000 eV). Estos electrones se difractan en muestras de materiales
transparentes a los electrones. El haz de electrones que sale de la muestra se usa también pa-
ra formar una imagen de la misma. Es así que la microscopía electrónica de transmisión y la
difracción de electrones se usan para obtener imágenes de características microestructurales
y para determinar estructuras cristalinas.
Figura 3-46 Fotografía de un microscopio

electrónico de transmisión (TEM) para el
análisis de la microestructura de los ma-
teriales. (Cortesía de JEOL USA, Ine.)
Un electrón de 100000 eY tiene una longitud de onda aproximada ¡de 0.004 nm![15] Es-
ta longitud tan ultracorta de los electrones de alta energía permite que un microscopio elec-
trónico de transmisión (TEM, por sus siglas en inglés) produzca en forma simultánea la
imagen de la microestructura a una escala muy pequeña. Si la muestra es demasiado gruesa,
los electrones no pueden atravesarla, y no se observará una imagen de la figura o un patrón
de difracción. En consecuencia, en la microscopía electrónica de transmisión y en la difrac-
ción de electrones, se debe preparar la muestra de forma tal que partes de ella sean transpa-
rentes a los electrones. En la figura 3-46 se observa un microscopio electrónico de
transmisión, y en la figura 3-47 se observa una imagen obtenida en él y un patrón difracción
de electrones de una parte de la muestra. Las manchas grandes y brillantes corresponden a los
granos de la matriz. Las manchas más pequeñas se originan en cristales de otra fase.
••.. -
'
.e.
,. .• .
Figura 3-47 Micrografía electrónica de transmisión de una muestra de aleación de aluminio. La fi-
gura de difracción de la derecha muestra manchas luminosas grandes que representan la difrac-
ción de los principales granos de la matriz de aluminio. Las manchas más pequeñas se originan
en cristales de nanoescala de otro compuesto que está presente en esa aleación. (Cortesía del
Dr. Jorg M.K. Wiezorek, Universidad de Pittsburgh.)
116 CAP. 3 Arreglos atómicos V iónicos
Otra ventaja del empleo de un TEM es la alta resolución espacial. Al usarlo es posible de-
terminar diferencias entre regiones cristalinas y amorfas, y regiones cristalinas a escalas de
longitud muy pequeñas (-1 a 10nm). Esta técnica analítica y sus variaciones ----como la mi-
croscopía electrónica de alta resolución (HREM, por sus siglas en inglés), la microscopía
electrónica de transmisión y barrido (STEM, por sus siglas en inglés), etc.- también se usan
para determinar la orientación de los diversos granos y otras propiedades microestructurales
que se describirán en capítulos posteriores. Las funciones avanzadas y especializadas asociadas
con el TEM también permiten el mapeo químico de los elementos en determinado material.
Algunas desventajas del TEM son:
a) la preparación de muestras que sean casi transparentes al haz de electrones ocupa

tiempo;
b) se requiere mucho tiempo y destreza para analizar los datos obtenidos de una muestra
delgada y tridimensional, pero que se representa en una imagen bidimensional y el pa-
trón de difracción;
c) sólo se examina un volumen muy pequeño de la muestra; y
d) el equipo es relativamente costoso y requiere mucho cuidado en su uso.
En general, la microscopía electrónica de transmisión se ha vuelto un método de investi-

gación muy usado y aceptado, para analizar propiedades microestructurales a escalas na-
nométricas .
.,. Los átomos o los iones de los materiales sólidos pueden estar arreglados con un orden de
corto o de largo alcances.
<. Los materiales amorfos, como por ejemplo los vidrios de silicato, vidrios metálicos, silicio
amorfo y muchos polímeros, sólo tienen orden de corto alcance. Se forman siempre que la
cinética del proceso de fabricación del material no permite que los átomos o los iones ocu-
pen las posiciones de equilibrio. Con frecuencia, estos materiales poseen propiedades muy
novedosas y extraordinarias. Muchos materiales amorfos se pueden cristalizar en forma
controlada. Esto es la base de la formación de los vitrocerámicos y del reforzamiento de los
plásticos PET (politereftalato de etileno) que se usan en la fabricación de botellas .
....• Los materiales cristalinos, incluyendo metales y muchos cerámicos, tienen, simultánea-
mente, orden de corto y de largo alcances. En esos materiales, la periodicidad a largo pla-
zo se describe con la estructura cristalina.
,,:. Los arreglos atómicos o iónicos de los materiales cristalinos se describen con siete siste-
mas cristalinos generales, que comprenden 14 redes específicas de Bravais. Entre los
ejemplos, se encuentran las redes cúbica simple, cúbica centrada en el cuerpo, cúbica cen-
trada en la cara y hexagonal.
<. Una red es una colección de puntos organizados de manera única. La base, o elemento re-
currente, se refiere a uno o más átomos asociados con cada punto de red. La estructura
cristalina se deriva sumando red y base. Aunque sólo hay 14 redes de Bravais, hay cien-
tos de estructuras cristalinas.
<. Una estructura cristalina se caracteriza por los parámetros de red de la celda unitaria, que
es la subdivisión más pequeña de la estructura cristalina que sigue describiendo la estruc-
tura general de la red. Entre otras características, están la cantidad de puntos de red y de
átomos por celda unitaria, el número de coordinación (o cantidad de vecinos más cerca-
nos) de los átomos en la celda unitaria y el factor de empaquetamiento de los átomos en
la celda unitaria. Estructura cristalina = red + base.
Glosario 117
.-. Los materiales alotrópicos o polimórficos tienen más de una estructura cristalina posible.
Las propiedades de los materiales pueden depender sensiblemente de la clase de estructu-
ra polimorfa o alótropa de que se trate. Por ejemplo, el titanato de bario tiene propiedades
dieléctricas muy diferentes en sus estructuras cúbica y tetragonal.
,~ Los átomos de los metales que tienen estructura cúbica centrada en la cara (FCC) y hexa-
gonal de empaquetamiento compacto (HCP) están estrechamente unidos; los átomos es-
tán dispuestos en una forma que ocupa la máxima fracción del espacio. Las estructuras
FCC y HCP alcanzan estos empaquetamientos mediante distintas secuencias de apila-
miento de planos atómicos compactos .
.'~ La fracción de empaquetamiento más compacta, con esferas de un solo tamaño, es 0.74,
y es independiente del radio de las esferas (es decir, los átomos y los balones de basquetbol
se empaquetan con la misma eficiencia, siempre que tengan radio constante).
~ Se identifican puntos, direcciones y planos dentro de la estructura cristalina de una manera
formal, asignándoles coordenadas e índices de Miller.
--. Las propiedades mecánicas, magnéticas, ópticas y dieléctricas pueden ser diferentes al
medirlas en distintas direcciones o planos dentro de un cristal; en este caso, se dice que el
metal es anisotrópico. Si las propiedades son idénticas en todas direcciones, el cristal es
isotrópico. El efecto de la anisotropía cristalográfica se puede enmascarar en un material
policristalino por la orientación aleatoria de los granos.
<~ Los sitios o huecos intersticiales entre los átomos normales en una estructura cristalina se
pueden llenar con otros átomos o iones. Se puede explicar la estructura cristalina de mu-
chos materiales cerámicos si se tiene en cuenta la forma en que se ocupan esos sitios. Los
átomos o los iones que están en los sitios intersticiales representan un papel importante en
el reforzamiento de los materiales, en la afectación de sus propiedades físicas y en el con-
trol de su procesamiento.
-~ Las estructuras cristalinas de muchos materiales iónicos se forman por el empaquetamien-
to de aniones (por ejemplo, de iones de oxígeno O-Z). Los cationes entran en los poliedros
de coordinación que forman los aniones. Estos poliedros suelen compartir los vértices,
produciendo estructuras cristalinas. Se deben equilibrar las condiciones de neutralidad de
carga y de estequiometría. Con estas consideraciones, se pueden explicar las estructuras
cristalinas de muchos materiales cerámicos (por ejemplo Alz03, ZrOz' YBaZCu307 _) •
• Las estructuras cristalinas de los materiales con enlace covalente tienden a ser abiertas.
Entre los ejemplos están el diamante cúbico (como Si, Ge).
,~ Aunque la mayoría de los plásticos diseñados tienden a ser amorfos, es posible tener una
cristalinidad apreciable en los polímeros y también es posible hacer crecer monocristales
de ciertos polímeros .
.~ La difracción de rayos X y la difracción de electrones se usan para determinar la estruc-
tura de los materiales cristalinos. También se puede usar la microscopía electrónica de
transmisión para obtener imágenes de propiedades microestructurales en los materiales
con niveles de magnitud más pequeños.
Alotropía Característica de un elemento de ser capaz de existir en más de una estructura cristalina,
dependiendo de la presión y la temperatura. También se llama polimorfismo.
Anisotrópico Que tiene distintas propiedades en distintas direcciones.
Base Grupo de átomos asociados con un punto de red (es igual que elemento recurrente).
118 CAP.3 Arreglos atómicos y jónicos
Celda unitaria Subdivisión de la red que sigue reteniendo las características generales de toda
la red.
Condensado de Bose-Einstein (BEC, por sus siglas en inglés) Estado de la materia recién
comprobado experimentalmente, en el que un grupo de átomos ocupa el mismo estado cuántico funda-
mental.
Conjetura de Kepler Conjetura que hizo Johannes Kepler en 1611, la cual afirma que la fracción
de empaquetamiento máxima con esferas de tamaño uniforme no puede ser mayor que 7T /V18. Tho-
mas Hales demostró, en 1998, que es cierta.
Cristales líquidos Materiales poliméricos que normalmente son amorfos, pero que pueden transfor-
marse parcialmente en cristales cuando se aplica un campo eléctrico externo. El efecto del campo eléc-
trico es reversible. Esos materiales se usan en las pantallas de cristal líquido (LCD).
Cristalización Proceso responsable de la formación de cristales; comúnmente en un material amorfo.
Cristalización inducida por esfuerzo Proceso de formación de cristales mediante la aplicación

de un esfuerzo externo. Normalmente, de esta manera se puede cristalizar una fracción apreciable de
muchos plásticos amorfos, haciéndolos más resistentes.
Cúbica de diamante (OC, por sus siglas en inglés) Estructura especial cúbica centrada en la
cara, que presentan el carbono, el silicio y otros materiales con enlaces covalentes.
Defecto Característica microestructural que representa una interrupción del arreglo periódico perfec-
to de los átomos o iones en un material cristalino. Este término no se usa para indicar la presencia de un
defecto de calidad en el material.
Defectos a nivel atómico Defectos tales como vacancias, dislocaciones, etc., que se presentan en
una escala de longitud comparable a unas pocas distancias interatómicas.
Densidad Masa de un material por unidad de volumen, normalmente en g/cm3•
Densidad lineal Cantidad de puntos de red por unidad de longitud a lo largo de una dirección.
Densidad planar Cantidad de átomos, cuyos centros están en el plano, por unidad de área de ese
plano.
Deposición química de vapor (CVD, por sus siglas en inglés) Proceso de producción de
películas delgadas o polvos inorgánicos que implica la descomposición de precursores seguida de la
reacción química en fase vapor.
Difracción Interferencia o refuerzo constructivo de un haz de rayos X o electrones que interactúa con
un material. El rayo difractado proporciona información útil acerca de la estructura del material.
Difracción de electrones Método para determinar el grado de cristalinidad a órdenes de magnitud

relativamente pequeña. Se basa en la difracción de electrones, y normalmente se usa un microscopio
electrónico de transmisión.
Difracción de rayos X Técnica para analizar materiales cristalinos empleando un haz de rayos X.
Direcciones compactas Direcciones en un cristal a lo largo de las cuales los átomos están en
contacto.
Distancia de repetición Distancia de un punto de red al punto de red adyacente, a lo largo de una
dirección.
Distancia interplanar Distancia entre dos planos paralelos adyacentes que tienen los mismos índi-
ces de Miller.
Estructura compacta Estructura que tiene una fracción de empaquetamiento de 0.74 (FCC y HCP).
Estructura cristalina Arreglo de los átomos de un material en una red regular y repetible.
Factor de empaquetamiento Fracción de espacio que ocupan los átomos en una celda unitaria.
Glosario 119
Familia de direcciones Direcciones cristalográficas, todas con las mismas características, aunque
su sentido sea diferente. Se indican con este paréntesis ( ).
Familia de planos Planos cristalográficos que tienen todos las mismas características, aunque su
orientación sea diferente. Se indican con llaves { }.
Fracción de empaquetamiento Fracción de una dirección (fracción de empaquetamiento lineal)

o de un plano (fracción de empaquetamiento planar) ocupada realmente por átomos o iones. Cuando un
átomo está en cada punto de red, la fracción de empaquetamiento lineal a lo largo de una dirección es
el producto de la densidad lineal por el doble del radio atómico.
Grano Cristal pequeño en un material policristalino.
índices de MiIler Notación abreviada para describir ciertas direcciones y planos cristalográficos en
un material. Se anotan entre corchetes [ J, paréntesis ( ), llaves { } o entre ( ); según sea el caso. Un nú-
mero negativo se representa con una raya arriba del número.
índices de MilJer-Bravais Notación abreviada especial para describir los planos cristalográficos en
celdas unitarias hexagonales compactas.
Isotrópico Que tiene las mismas propiedades en todas direcciones.
Ley de Bragg Relación que describe el ángulo con el cual se difracta un haz de rayos X de deter-
minada longitud de onda, en planos cristalográficos con distancia interplanar específica.
Limites de grano Regiones entre granos de un material policristalino.
Material policristalino Material formado por muchos granos.
Materiales amorfos Materiales, incluidos los gases, que no tienen orden de largo alcance o estruc-
tura cristalina.
Materiales cristalinos Materiales formados por uno o muchos cristales o granos.
Microscopía electrónica de transmisión (TEM, por sus siglas en inglés) Técnica para ob-
tener imágenes y analizar microestructuras, usando un haz de electrones de alta energía.
Moldeado por soplado y estirado Proceso para producir botellas de plástico.
Motif (elemento recurrente) Grupo de átomos afiliado con un punto de red (es lo mismo que base).
Número de coordinación Cantidad de vecinos más cercanos a un átomo en su arreglo atómico.
Orden de corto alcance Arreglo regular y predecible de los átomos en una distancia corta, por lo
general de una o dos distancias entre átomos.
Orden de largo alcance Arreglo regular y repetitivo de átomos en un sólido, que se extiende a una
distancia muy grande.
Parámetros de red Longitudes de los lados de la celda unitaria y los ángulos entre esos lados. Los
parámetros de red describen el tamaño y la forma de la celda unitaria.
Plano basal Nombre especial que se da al plano de empaquetamiento más compacto en las celdas
unitarias hexagonales compactas.
Polimorfismo Compuestos que tienen más de un tipo de estructura cristalina.
Proceso de vidrio flotado Proceso para fabricar grandes piezas de vidrio plano, en el que se hace
flotar vidrio fundido sobre un baño de estaño.
Puntos de red Puntos que forman la red. Los alrededores de cada punto de red son idénticos en to-
do el material.
Radio atómico Radio aparente de un átomo; comúnmente se calcula a partir de las dimensiones de
la celda unitaria usando direcciones compactas (empaquetamiento compacto). Depende del número
de coordinación.
Red (o retículo) Colección de puntos que dividen al espacio en segmentos menores de igual ta-
maño.
Redes de Bravais Las catorce redes posibles que se pueden formar con puntos de red.
Secuencia de apilamiento Secuencia en que se apilan los planos compactos. Si la secuencia es

ABABAB, se produce una celda unitaria hexagonal compacta; si la secuencia es ABCABCABC, se pro-
duce una estructura cúbica centrada en el cuerpo.
Sistemas cristalinos Arreglos cúbico, tetragonal, ortorrómbico, hexagonal, monoclínico, rom-

boédrico y triclínico, de puntos en el espacio que producen 14 redes de Bravais y cientos de estructuras
cristalinas.
Sitio cúbico Posición intersticial cuyo número de coordinación es ocho. Un átomo o ion que en el
sitio cúbico toca a otros ocho átomos o iones.
Sitio octaédrico Posición intersticial que tiene número de coordinación seis. Un átomo o ion que
en el sitio octaédrico toca a otros seis átomos o iones.
Sitio tetraédrico Posición intersticial que tiene número de coordinación cuatro. En el sitio tetraé-
drico, un átomo o ion toca a otros cuatro átomos o iones.
Sitios intersticiales Lugares entre los átomos o iones "normales" de un cristal, en los que se coloca
otro átomo o ion (por lo general, distinto). Normalmente, el tamaño de este lugar intersticial es menor
que el del átomo o ion que se va a introducir.
Solidificación rápida Técnica que se usa para enfriar con mucha rapidez a los metales y aleaciones.
Tetraedro Estructura obtenida cuando los átomos se empacan con coordinación cuádruple.
Vidrio metálico Metales o aleaciones amorfos que se obtienen mediante solidificación rápida.
Vidrios Materiales sólidos no cristalinos (normalmente se derivan del estado fundido) que sólo
tienen orden atómico de corto alcance.
Vitrocerámicos Familia de materiales que normalmente se derivan de vidrios inorgánicos fundidos

y se procesan para formar materiales cristalinos con tamaño de grano muy fino y mejores propiedades
mecánicas.
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Problemas 121
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Sección 3-1 Orden de corto alcance 3.19 Explique cómo el plástico PET se vuelve más resis-
y de largo alcance tente durante el proceso de convertir una preforma en
3.1 ¿Qué es un material "cristalino"? una botella.
3.2 ¿Qué es un monocristal? 3-20 ¿Qué es la cristalización inducida por esfuerzo?
3-3 Describa dos aplicaciones en las que se use un mate- 3-21 ¿Qué es solidificación rápida? ¿Cuál es la aplicación
rial monocristalino. principal de esta técnica?
3-4 ¿Qué es un material policristalino? 3.22 ¿Por qué los geles se consideran amorfos?
3.5 ¿Qué es un material de cristal líquido?
3-6 ¿Qué es un material amorfo? Sección 3-3 Redes, celdas unitarias, bases y
3-7 ¿Por qué algunos materiales tienen estructura amorfa? estructuras cristalinas
3.8 Describa dos aplicaciones de los vidrios de silicato 3-23 Defina los términos red, celda unitaria, base y estruc-
amorfo. tura cristalina.
3-9 Describa un ejemplo de un material amorfo que no se 3.24 Explique por qué no hay red de Bravais tetragonal
derive de la fusión. centrada en las caras.
3-10 Compare y describa las diferencias de los arreglos 3.25 Calcule en cm el radio atómico de lo siguiente:
atómicos en el silicio amorfo y el silicio cristalino.
a) metal BCC con ao = 0.3294 nm y un átomo por
punto de red, y
Sección 3-2 Materiales amorfos: b) metal FCC con ao = 4.0862 Á Y un átomo por
principios y aplicaciones tecnológicas punto de red.
3-11 Las películas extendidas de silicio amorfo se usan pa- 3.26 Determine la estructura cristalina de lo siguiente:
ra fabricar módulos fotovoltaicos. ¿Cómo se obtiene
el silicio amorfo? a) un metal con ao = 4.9489 Á, r = 1.75 Á Y un
átomo por punto de red, y
3.12 Describa dos aplicaciones del silicio amorfo.
b) un metal con a o = 0.42906 nm, r = 0.1858 nm y un
3.13 Compare y describa las diferencias de los arreglos ató- átomo por punto de red.
micos en un vidrio de silicato y en la sílice cristalina.
3.27 La densidad del potasio, que tiene estructura BCC y
3-14 ¿Qué significa el término vitrocerámica? un átomo por punto de red, es 0.855 g/ cm3. El peso
3.15 ¿La vitrocerámica es un material amorfo o cristalino? atómico de potasio es 39.09 g/mol. Calcule
3.16 Compare en forma breve las propiedades de los vi- a) el parámetro de red y
drios y las vitrocerámicas. b) el radio atómico del potasio.
3.17 Describa dos aplicaciones de la vitrocerámica. 3.28 La densidad del torio, que tiene estruclura FCC y un
3.18 Haga un esquema del proceso de soplado y estirado átomo por punto de red, es I\. 72 g/ cm3• El peso ató-
para fabricar botellas de PET. mico del torio es 232 g/mol. Calcule
al el parámetro de red y Sección 3-4 Transformaciones alotrópicas

b) el radio atómico del torio. o polimorfas
3-29 Un metal tiene estructura cúbica, su densidad es 2.6 3-37 ¿Cuál es la diferencia entre un alótropo y un polimorfo?
g/ cm3 , su peso atómico es 87.62 g/ mol y su paráme-
3-38 ¿Cuáles son las diferentes formas polimórficas de la
tro de red es 6.0849 Á. Un átomo se asocia con cada
zirconia?
punto de red. Determine la estructura cristalina del
metal. 3.39 A más de 882 oC, el titanio tiene una estructura cris-
talina BCC con a = 0.332 nm. Abajo de esta tempe-
3-30 Un metal tiene estructura cúbica, su densidad es
ratura, su estructura es HCP con a = 0.2978 nm y c =
1.892 g/ cm3, su peso atómico es 132.91 g/ mol y su
0.4735 nm. Determine el cambio porcentual de volumen
parámetro de red es 6.13 Á. Un átomo está asociado
cuando el titanio BCC se transforma en titanio HCP.
con cada punto de red. Determine la estructura crista-
¿Tiene lugar una contracción o una expansión?
lina de ese metal.
3-40 El Mn-a tiene una estructura cúbica con a o = 0.8931
3-31 El indio tiene una estructura tetragonal, con ao = nm y su densidad es 7.47 g/cm3. El Mn-/3 tiene una
0.32517 nm y c o = 0.49459 nm. La densidad es estructura cúbica distinta, con ao = 0.6326 nm y
7.286 g/cm3 y el peso atómico es 114.82 g/mol. una densidad de 7.26 g/ cm3. El peso atómico del man-
¿Tiene estructura tetragonal simple o tetragonal cen- ganeso es 54.938 g/mol y su radio atómico es 0.112 nm.
trada en el cuerpo? Determine el cambio porcentual de volumen que tiene
3-32 El bismuto tiene una estructura hexagonal, con ao = lugar cuando el Mn-a se transforma en Mn-/3.
0.4546 nm y c o = 1.186 nm. Su densidad es 9.808 3-41 Calcule la densidad teórica de las tres estructuras poli-
g/cm3 y su peso atómico es 208.98 g/mol. Deter- morfas de la zirconia. Las constantes de red de la forma
mine monoclínica son a = 5.126,b = 5.191 yc = 5.304 Á,
al el volumen de la celda unitaria y respectivamente. El ángulo /3. de la celda unitaria mo-
b) la cantidad de átomos en cada celda unitaria. noclínica es 98.9°. Las constantes de red de la celda
unitaria tetragonal son a = 5.094 Y c = 5.304 Á, res-
3-33 El galio tiene una estructura ortorrómbica con ao =
pectivamente. La zirconia cúbica tiene una constante de
0.45258 nm, bo = 0.45186 nm y Co = 0.76570 nm;
red de 5.124 Á.
su radio atómico es 0.1218 nm, su densidad es 5.904
g/cm3 y su peso atómico es 69.72 g/mol. Determine 3-42 De acuerdo con la información presentada en este
capítulo, calcule el cambio de volumen que hay
a) la cantidad de átomos en cada celda unitaria y
cuando la forma cúbica de la zirconia se transforma
b) el factor de empaquetamiento en la celda unitaria.
en tetragonal.
3-34 El berilio tiene una estructura cristalina hexagonal, con
3-43 La zirconia monoclínica no sirve para fabricar senso-
ao = 0.22858 nm y Co = 0.35842 nm. El radio atómico
res de oxígeno u otros dispositivos. Explique por qué.
es 0.1143 nm, la densidad es 1.848 g/ cm3 y el peso ató-
mico es 9.01 g/mol. Determine 3-44 ¿Qué significa el término zirconia estabilizada?
a) la cantidad de átomos en cada celda unitaria y 3-45 Describa dos aplicaciones de la cerámica de zirconia
b) el factor de empaquetamiento en la celda unitaria. estabilizada.
3-46 ¿Qué significa el término cerámica con tenacidad au-
3-35 Un broche (clip) pesa 0.59 g Y es de hierro BCC.
mentada por transformación?
Calcule
3-47 ¿Cuáles son las dos formas alotrópicas del hierro?
al la cantidad de celdas unitarias y
b) la cantidad de átomos de hierro en ese broche.
(Véanse los datos necesarios en el apéndice A.) Sección 3-5 Puntos, direcciones y planos
en la celda unitaria
3-36 Para envolver alimentos, se usa una lámina de aluminio
con un espesor aproximado de 0.001 pulg. Suponga 3-48 Explique la importancia de las direcciones cristalo-
que todas las celdas unitarias del aluminio están arre- gráficas, considerando un ejemplo de su aplicación.
gladas de tal modo que ao es perpendicular a la super- 3-49 ¿Por qué las aleaciones de Fe-Si que se usan en apli-
ficie de la hoja. Para un trozo cuadrado de 4 X 4 pulg, caciones magnéticas tienen "grano orientado"?
determine
3-50 ¿Cómo se usa la influencia de la dirección cristalo-
a) la cantidad total de celdas unitarias en ella y gráfica sobre las propiedades magnéticas en los ma-
b) el espesor de la hoja en cantidad de celdas unita- teriales magnéticos para aplicaciones en medios de
rias. (Véase el apéndice A.) grabación?
Problemas 123
3-51 Determine los índices de Miller para las direcciones en

la celda unitaria cúbica de la figura 3-48.
y
3
2
x
y
Figura 3-51 Planos en una celda unitaria cúbica para el
problema 3-54.
x
• Figura 3-48 Direcciones en una celda unitaria cúbica 3-55 Determine los índices para las direcciones en la red
para el problema 3-51. hexagonal de la figura 3-52, usando los sistemas de
tres y cuatro dígitos.
3-52 Determine los índices para las direcciones en la celda e

unitaria de la figura 3-49.
x
al
Figura 3-49 Direcciones en una celda unitaria cúbica • Figura 3-52 Direcciones en una red hexagonal para el
para el problema 3-52. problema 3-55.
3-56 Determine los índices para las direcciones en la red

3-53 Determine los índices para los planos en la celda uni- hexagonal de la figura 3-53, usando los sistemas de
taria cúbica de la figura 3-50. tres y cuatro dígitos.
e
z
x
• Figura 3-50 Planos en una celda unitaria cúbica para el
problema 3-53.
al
3-54 Determine los índices de los planos en la celda unita- Figura 3-53 Direcciones en una red hexagonal para el
ria cúbica de la figura 3-51. problema 3-56.
3.57 Determine los índices para los planos en la red hexa- 3-61 Trace los siguientes planos y direcciones dentro de
gonal de la figura 3-54. una celda unitaria hexagonal:
al [0110] bl(1120) el (1011)
e dI (0003) el (1010) fl (0111)
3-62 Trace los siguientes planos y direcciones dentro de
una celda unitaria hexagonal:
a)[211OJ bl(1121) el (1010) dI (1210)
2 el (1122) f) (1230)
3 3-63 ¿Cuáles son los índices de las seis direcciones de la
familia (110) que están en el plano (1 11) de una
celda cúbica?
3-64 ¿Cuáles son los índices de las cuatro direcciones de la
az familia (111) que están en el plano (101) de una
celda cúbica?
3-65 Determine la cantidad de direcciones de la familia
at
(I 10) en una celda unitaria tetragonal y compárela con
• Figura 3-54 Planos en una red hexagonal para el la cantidad de direcciones de la familia (110) en una
problema 3-57. celda unitaria ortorrómbica.
3-66 Determine el ángulo entre la dirección [110] Y el pia-
3.58 Determine los índices para los planos en la red hexa- no (110) en una celda unitaria tetragonal; después de-
gonal de la figura 3-55. termine el ángulo entre la dirección [011] y el plano
(011) en una celda tetragonal. Los parámetros de red
son ao = 4.0 Á Y Co = 5.0 Á. ¿Qué es lo que causa
e
la diferencia?
3-67 Determine los índices de Miller del plano que pasa por
los puntos con las siguientes coordenadas:
al O, O, 1; 1, O, O; Y 112, 112, O
b) 112, O, 1; 112, O, O; Y O, 1, O
e) 1, O, O; 0,1, 1/2; Y 1, 112, 114
d) 1, O, O; O, O, 114; Y 112, 1, O
3-68 Determine la distancia de repetición, densidad lineal y
fracción de empaquetamiento para el níquel FCC, que
az tiene un parámetro de red de 0.35167 nm, en las direc-
ciones [100], [110] Y [111]. ¿Cuál de esas direcciones
son compactas?
3-69 Detennine la distancia de repetición, densidad lineal y
Figura 3-55 Planos en una red hexagonal para el fracción de empaquetamiento para el litio BCC, que
problema 3-58. tiene un parámetro de red de 0.35089 nm, en las direc-
ciones [100], [110] Y [111]. ¿Cuál de esas direcciones
3-59 Trace los siguientes planos y direcciones dentro de son compactas?
una celda unitaria cúbica: 3-70 Determine la distancia de repetición, densidad lineal
a) [101] b) [OTO] e) [122] dI [301] y fracción de empaquetamiento para el magnesio HCP
e)[201] f) [213] g) (011) h) (102) en la dirección (2 I 10) Yen la dirección [ 1120]. Los
i) (002) j) (130) k) (212) 1) (312) parámetros de red del magnesio HCP se encuentran
3-60 Trace los siguientes planos y direcciones dentro de en el apéndice A.
una celda unitaria cúbica: 3-71 Determine la densidad planar y la fracción de em-
al [110] b) (221) e) [410] dI (012) paquetamiento del níquel FCC en los planos (100),
el (321) f) [ITI] g) [111] hl [011] (110) Y (111). ¿Cuál de esos planos, si es que lo hay, es
i) (030) j) (T21) kl (113) 1) (041) compacto?
Problemas 125
3- 72 Detennine la densidad planar y la fracción de empa- 3-88 ¿Espera usted que el NiO tenga la estructura del cloru-
quetamiento del litio BCC en los planos (100), (110) ro de cesio, del cloruro de sodio o de la blenda de
Y (111). ¿Cuál de esos planos, si es que los hay, es zinc? De acuerdo con su respuesta, detennine
compacto? al el parámetro de red,
3.73 Suponga que el rodio FCC se produce en forma de bl la densidad y
lámina de I mm de espesor, con el plano (111) paralelo el el factor de empaquetamiento.
a la superlicie de la hoja. ¿Cuántas distancias interpla- 3-89 ¿Espera usted que el U02 tenga la estructura del clo-
nares (111), d 111' tiene de espesor esa lámina? Vea los ruro de sodio, de la blenda de zinc o de la fluorita? De
datos necesarios en el apéndice A. acuerdo con su respuesta, detennine
3-74 En una celda unitaria FCC ¿cuántas d 111 hay entre el al el parámetro de red,
punto O, O, O y el 1, 1, I? bl la densidad y
3-75 ¿Cuáles son las secuencias de apilamiento en las es- el el factor de empaquetamiento.
tructuras FCC y HCP? 3-90 ¿Espera usted que el BeO tenga la estructura del clo-
3-76 ¿Qué significa el término material anisotrópico? ruro de sodio, de la blenda de zinc o de la fluorita? De
acuerdo con su respuesta, detennine
3- 77 Las constantes dieléctricas de un cristal de titan ato de
bario son bastante distintas a lo largo de las direcciones al el parámetro de red,
a y e en la estructura cristalina. ¿Se debe considerar bl la densidad y
que el cristal de BaTi03 es un material isotrópico o el el factor de empaquetamiento.
anisotrópico? 3-91 ¿Espera usted que el CsBr tenga la estructura del cloru-
ro de sodio, de la blenda de zinc, la fluorita o el cloruro
3-78 Explique por qué casi siempre los materiales policris-
de cesio? De acuerdo con su respuesta, determine
talinos tienen propiedades isotrópicas.
al el parámetro de red,
b) la densidad y
Sección 3-6 Sitios intersticiales el el factor de empaquetamiento.
3-79 Detennine el radio mínimo de un átomo que quepa
3-92 Trace un esquema del arreglo iónico del plano (110)
exactamente en:
del ZnS (que tiene la estructura de la blenda de zinc) y
al el sitio intersticial tetraédrico en el níquel FCC y compare este arreglo con el del plano (110) del CaF2
bl el sitio intersticial octaédrico en el litio BCC. (con la estructura de la fluorita). Compare la fracción
3-80 ¿Cuáles son los números de coordinación de los sitios de empaquetamiento planar en los planos (110) de es-
octaédrico y tetraédrico? tos dos materiales.
3-93 El MgO, que tiene la estructura del cloruro de sodio,
Sección 3-7 Estructuras cristalinas de los tiene un parámetro de red de 0.396 nm. Detennine la
densidad planar y la fracción de empaquetamiento
materiales iónicos
planar para los planos (111) y (222) del MgO. ¿Qué
3-81 ¿Qué significa poliedros de coordinación? iones hay en cada plano?
3-82 ¿Es constante el radio de un átomo o un ion? Expli- 3-94 Trace un esquema de la estructura cristalina de perovs-
que por qué. kita del (BaxSrl_x)Ti03 (x = fracción mol de Ba+2).
3-83 Explique por qué se considera que los aniones fonnan Nota: La estructura cristalina es igual a la del CaTi03;
las estructuras de empaquetamiento compacto y los sin embargo, hay dos tipos de cationes en el sitio
cationes entran en los sitios intersticiales. A . Suponga que ocupan aleatoriamente las posiciones
en el sitio A.
3-84 ¿Cuál es el número de coordinación del ion titanio en
la estructura cristalina de la perovskita? 3-95 Trace la estructura cristalina de la estructura Polimorfa
2
de la perovskita del PZT(Pb(Zrx TII_x)03) (x = fracción
3-85 ¿Cuál es el número de coordinación del Ca+ en la es-
mol de Zr+4). Suponga que los dos cationes en el sitio B
tructura del CaTi03 ?
ocupan aleatoriamente las posiciones en el sitio B.
3-86 ¿Cuál es el radio de un átomo que cabe exactamente
en el sitio octaédrico en el cobre FCC sin perturbar la Sección 3-8 Estructuras cava lentes
estructura cristalina?
3-96 Calcule la densidad teórica del Sn-a. Suponga la es-
3-87 Use los radios iónicos del apéndice B para detenninar tructura cúbica del diamante y obtenga la infonnación
el número esperado de coordinación en los siguientes de los radios en el apéndice B.
compuestos: 3-97 Calcule la densidad teórica del Ge. Suponga que tiene
bl U02 el BaO la estructura cúbica tipo diamante y obtenga la infor-
tI MnO gl MgS mación de los radios en el apéndice B.
3-98 ¿Cuáles son las diferentes estructuras polimorfas del gulo de difracción 28. Si se usaron rayos X de lon-
carbono? gitud de onda de 0.15418 nm, determine:
3-99 ¿Por qué las estructuras covalentes son más abiertas al la estructura cristalina del metal,
que las estructuras cristalinas metálicas o iónicas? bl los índices de los planos que producen cada uno
3-100 El polipropileno forma una celda unitaria ortorróm- de los picos y
bica cuyos parámetros de red son a o = 1.450 nm, b o el el parámetro de la red del metal.
= 0.569 nm y Co = 0.740 nm. La fórmula química 3-108 La figura 3-57 muestra los resultados de un experi-
de la molécula del propileno, de donde se obtiene el mento de difracción de rayos X, presentando la inten-
polímero, es C3H6. La densidad aproximada del po- sidad del pico difractado en función del ángulo de
límero es de 0.90 g/ cm3• Determine la cantidad difracción 28. Si se usaron rayos X de 0.07107 nm
de moléculas de propileno, la cantidad de átomos de de longitud de onda, determine:
carbono y la cantidad de átomos de hidrógeno en al la estructura cristalina del metal,
cada celda unitaria. bl los índices de los planos que producen cada uno
3-101 La densidad aproximada de la cristobalita es 1.538 de los picos y
g/cm3 y su parámetro de red es 0.8037 nm. Calcule el el parámetro de la red del metal.
la cantidad de iones Si02, la cantidad de iones de si-
licio y la cantidad de iones oxígeno en cada celda
unitaria.
Sección 3-9 Técnicas de difracción para

el análisis de la estructura cristalina
3-102 Explique el principio de la difracción de rayos X.
3-103 Explique por qué los rayos X deben ser monocro-
máticos en el método de difracción con polvos.
3-104 Explique el principio básico del método de Laue. J
3-105 Se observa un haz de rayos X difractado de los pla- I
nos (220) del hierro, con un ángulo 28 de 99.1°, o 10 20 30 40 50 60 70 80

cuando se usan rayos X de longitud de onda 0.15418 20
nm. Calcule el parámetro de red del hierro.
Figura 3-57 Gráfica de difracción de rayos X para el
3-106 Se observa un haz de rayos X difractado de los problema 3-' 08.
planos (311) del aluminio, con un ángulo 2(J igual a
78.3°, cuando se usan rayos X de longitud de onda
de 0.15418 nm. Calcule el parámetro de la red del 3-109 Una muestra de zirconia contiene polimorfos cúbico
aluminio. y monoclínico. ¿Cuál será una buena técnica de análi-
3-107 La figura 3-56 muestra los resultados de un expe- sis para detectar la presencia de esos dos polimorfos?
rimento de difracción de rayos X, presentando la 3-110 Se cree que una muestra de un material cerámico po-
intensidad del pico difractado en función del án- licristalino tiene algunas fases menores de impurezas.
Se hizo un análisis de difracción de rayos X y no in-
dicó que hubiera impurezas. Un cliente importante
de la cerámica está convencido de que definitiva-
mente hay alguna(s) fase(s) de impureza presente(s).
¿Cómo puede usted analizar este problema e identi-
ficar las fases?
3-111 ¿Puede analizarse una muestra de vidrio o de vi-
trocerámica con difracción de rayos X? Explique
por qué.
I Al 3-112 Un diodo emisor de luz (LEO, por sus siglas en in-
"" glés) se fabrica depositando una película delgada de
o 10 20 30 40 50
AlGaAs sobre una muestra de monocristal de GaAs.
20 ¿Cómo analiza usted la orientación de la película
Figura 3-56 Gráfica de difracción de rayos X para el delgada? ¿Cómo analiza usted la orientación del sus-
problema 3-'07. trato de monocristal?
Problemas 127
Pro~lema5 ~e ~i5eño Pro~lema5 en computa~ora

3-113 Se va a fabricar un sensor de oxígej1o para medir el Nota: debe consultar con su profesor el uso de lenguajes de
oxígeno disuelto en un recipiente grande con acero cómputo. En principio, no importa cuál use. Algunas sugeren-
fundido. ¿Qué clase de material escogería para esta cias son usar C/C+ +, Fortran o Java. Si no están disponi-
aplicación? Explique por qué. bles para usted, también puede resolver la mayoría de estos
3-114 Usted desea clasificar especímenes de hierro; algu- problemas usando programas de hoja de cálculo.
nos de ellos son FCC y otros BCC. Diseñe un méto- 3-118 La tabla 3-1 contiene fórmulas para calcular el vo-
do de difracción de rayos X con el que pueda hacer lumen de varias clases de celdas unitarias. Escriba
lo anterior. un programa de computadora para calcular el vo-
3-115 Desea diseñar un material para fabricar utensilios lumen de la celda unitaria en unidades de Á3 y
para cocinar. El material debe ser transparente y re- nm3. Su programa debe pedir al usuario que teclee
sistir el calentamiento y enfriamiento repetidos. ¿Qué al el tipo de celda unitaria, bl las constantes nece-
clases de materiales podrían usarse para diseñar es- sarias de red y el los ángulos. El programa debe
tos utensilios transparentes y duraderos? reconocer las capturas efectuadas y usar la fórmu-
la adecuada para calcular el volumen de la celda
3.116 Para fabricar parabrisas y vidrios de ventana, se usa el
unitaria.
proceso de vidrio flotado. A veces en esos vidrios
aparecen impurezas de NiS, y a esas partículas se les 3-119 Escriba un programa de computadora que pida al
llama "piedras". Las piedras de NiS sufren una trans- usuario escribir la masa atómica, el radio atómico y la
formación de fase a temperatura ambiente. ¿Qué cree estructura cristalina cúbica de un elemento. El resul-
que le pasará al vidrio como resultado de un cambio tado del programa debe ser la fracción de empaque-
de fase de las piedras de NiS que contiene? (Sugeren- tamiento y la densidad teórica.
cia: muchas transformaciones de fase se acompañan 3-120 Escriba un programa de computadora que pida al usua-
de cambios de volumen y los vidrios son frágiles.) rio escribir el radio de un átomo intersticial y el ra-
3-117 Muchos materiales magnéticos tienen comportamiento dio del átomo anfitrión. El programa debe calcular
muy anisotrópico; es decir, las propiedades magnéticas la relación de radios y pronosticar el número de coor-
dependen mucho de las direcciones cristalográfi- dinación esperado. Modifique el programa para que
cas. A esto se le llama anisotropía magnetocristalina. trabaje también con sólidos iónicos; es decir, los datos
Aunque para algunas aplicaciones es benéfica, hay deben ser los radios de cationes y aniones y se debe
aplicaciones en las que esa fuerte anisotropía mag- calcular el número de coordinación esperado para el
netocristalina no es deseable. ¿Cómo diseñaría usted catión.
un proceso que obtenga aleaciones metálicas de ma-
teriales magnéticos para que virtualmente no haya
anisotropía magnetocristalina?

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PUlG 1 2 3

¿Alguna vez se preguntó ...

• ...cómo funcionan los sensores de oxígeno en los automóviles?

• ... qué son los cristales líquidos?

... cómo se puede calcular la densidad de diversos materiales?

3.1 Orden de corto alcance versus orden de largo ~cance

3.2 Materiales amorfos: principios y aplicacionestecnológicas

1 N. del T.: En realidad, se usa carbonato de sodio, Na2CO]'

de usar "el" o "Ia".

Cúbica simple Cúbica centrada Cúbica centrada

Tetragonal Tetragonal centrada Hexagonal

Ortorrómbica Ortorrómbica centrada Ortorrómbica centrada Ortorrómbica

TABLA 3-1 • Características de los siete sistemas crístalinos

Cúbica a=b=e Todos los ángulos iguales a 90° a3

Parámetros de red Los parámetros de red, que describen el tamaño y la forma de la

Cúbico Ortorrómbico Hexagonal

1 nanómetro (nm) = 10-9 m = 10-7 cm = 10 Á

.!. punt~ ~e red)

CDc ada atomo

Cúbica simple Cúbica centrada Cúbica centrada

Determinación de la cantidad de puntos de red en sistemas

punto d~ re~ = (8 vértices) (~) + (6 caras) (~) = 4

Determinación de la relación entre el radio atómico

Figura 3-14 Relaciones entre el radio atómico y el parámetro de red en sistemas

Número de coordinación El número de co

Factor de empaquetamiento El factor de empaquetamiento es la fracción de espacio

Factor de (cantidad de átomos/celda) (volumen de átomos)

Cálculo del factor de empaquetamiento

Como {lo 7" 4r/V2: para las celdas unitarias FCC:

1",. '. . (4) (17Tr3) 7T

Densidad La densidad teórica de un material se puede calcular con las propiedades de su

Determinación de la densidad del hierro BCC

La estructura hexagonal compacta Una forma especial de la estructura hexagonal, la he-

Volumen = a~ Co cos 3° Figura 3.16

TABLA 3-2 • Propiedades de la estructura cristalina de algunos metales

Cúbica simple (SC) 80 = 2r 6 0.52 Polonio (Po),

:1, " ..•.•

3.4 TransformaCion$sialotrópicas O polimorfas

, Los ~ateriales q~:~);tie.ldiÚl.'*~'r'más de una estructura cristalina se llaman alotrópicos, poli-

.. yorf<~temperjltpra~ se transforma en una estructura FCC. Estas transformaciones dan como

tamiento o enfriamiento, la transformación puede acompañarse de un cambio de volumen; si

Cálculo de cambios de volumen en polimorfos de zirconia

El volumen de una celda unitaria monoclínica es V = abe sen {3 = (5.156)(5.191)

La mayoría de los cerámicos son muy frágiles y no pueden resistir un cambio de

Diseño de un sensor para medir cambio de volumen

," . Ervolumen de la celda unitaria en el hierro FCC es:

V Fec = a~ = (0.3591 nm)3 = 0.046307 nm3

Esto indica que el hierro se contrae al calentarlo durante el intervalo de temperaturas

AV = (0.01) (0.0134) = 0.000134 cm3.

Determinación de índices de Mil/er de direcciones

TABLA 3-3 • Direcciones de la familia (110) en sistemas cúbicos

Importancia de las direcciones cristalográficas Las direcciones cristalográficas se

Distancia de repetición, densidad lineal y fracción de empaquetamiento Otra

La densidad lineal es la cantidad de puntos de red por unidad de longitud a lo largo de

Determinación de los índices de Mil/er de planos

1. El plano nunca cruza el eje 2, por lo que x = 1, Y = 2 Y 2 = 00

3. No hay fracciones que eliminar.

TABLA 3-4 • Planos de la familia {110} en los sistemas cúbicos

Nota: Los negativos de los planos no son planos únicos.

~ÉJEMPLO 3-9 Cálculo de la densidad planar y la fracción de empaquetamiento

Calcule la densidad planar y la fracción de empaquetamiento planar para los planos

átomos por cara 1 átomo por cara

= 8.96 átomos/nm2 = 8.96 X 1014 átomos/cm2