MATERIALES

• METÁLICOS: Son inorgánicos, Hierro, Cobre, Aluminio, Níquel y Titanio, son algunos ejemplos. Tienen
estructura cristalina, son buenos conductores térmicos y eléctricos, alta resistencia y son dúctiles y
maleables a temperatura ambiente.

• POLÍMEROS: Están formadas por largas cadenas de moléculas orgánicas. Sus propiedades son muy
variables, en general son más blandos que los metales y son malos conductores de la electricidad, por lo
que se los utiliza como aislantes
•.
• CERÁMICOS: Pueden ser cristalinos, amorfos o mixtos, en general son muy duros y tienen alto punto de
fusión y son frágiles y aislantes.

• COMPUESTOS: Son mezclas de dos o más materiales, la mayor parte consiste en un material de
refuerzo y una resina compatible de unión para obtener características y propiedades deseadas.

• SEMICONDUCTORES: El más importante es Si puro, modificado para cambiar sus características

eléctricas para ordenadores, relojes digitales, etc. Los materiales electrónicos ocupan un papel vital en
las fábricas, donde casi toda la manufactura se puede hacer por robots asistidos por máquinas
controladas por ordenador. A través de los años se han fabricado circuitos integrados de menor tamaño
que contienen cada vez mayor densidad de transistores.
 PROPIEDADES DE LOS MATERIALES
•Enlaces

•Estructuras cristalinas

•Imperfecciones en los cristales. Es decir defectos en el retículo cristalino.

•Estructuras de metales y aleaciones

•Estructuras de polímeros

•Estructura de materiales cerámicos

•La forma de determinar todas estas características es mediante estudios,

(metalografías, ED Y END) y otros más específicos como por ejemplo
Difracción de rayos x
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 ENLACES
•PRIMARIOS
•Iónicos
•Covalentes
•Metálicos
•Enlaces mixtos: iónico-covalente; iónico-metálico; covalente-
metálico
•SECUNDARIOS
•Enlaces de Van der Waals
•Enlaces por puentes de Hidrógeno
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Conceptos relevantes:

• Celda unidad
• Arreglo periódico
• Sistema cristalino
• Planos y direcciones
• Planos y direcciones compactas
• Factor de empaquetamiento
• Base o motivo

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SISTEMAS CRISTALINOS

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Celdas unitarias

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 APILAMIENTO COMPACTO
•Apilamiento compacto es cuando el segundo plano de átomos se ubica
en los huecos que dejan tres átomos juntos del plano inmediato inferior.
El apilamiento ABAB.. da lugar a la estructura hexagonal compacta
(HC) y el apilamiento ABCABC.. da lugar a la estructura cúbica centrada
en las caras (FCC).

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 DEFECTOS PUNTUALES
• En los metales tenemos la vacancia que es la ausencia de un átomo
en el retículo cristalino, cuyo efecto inmediato es un aumento de la
velocidad de los fenómenos de difusión, y el intersticial que al ser
un átomo insertado fuera de la posición de equilibrio genera una
gran distorsión en la red provocando un aumento de la dureza y
resistencia en el material.

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 SCHOTTKY Y FRENKEL
• Este defecto se presenta en compuestos con enlace iónico, el de Schotky se
da cuando se produce una vacancia simultánea de un anión y un catión, y el
de Frenkel cuándo un catión se mueve de su posición a una intersticial
pegada a otro catión. El efecto inmediato que este defecto produce es el de
un aumento en la conductividad del compuesto en cuestión.
DEFECTOS SUSTITUCIONALES
 DEFECTOS DE LÍNEA
DISLOCACIONES DE BORDE:
Dan lugar a una distorsión de la red en torno a una línea. Se crean durante la solidificación, por
deformación plástica o por condensación de vacancias, generando un semiplano adicional de
átomos dentro de la red. Esto genera un estado de tensiones de compresión en los átomos
superiores y de tracción en los inferiores esto produce una mayor facilidad para la deformación
plástica.
DISLOCACIÓN DE TORNILLO O HELICOIDAL: Se produce por un esfuerzo cortante aplicado a una
red perfecta y se llama así debido a la superficie espiral formada por los planos atómicos alrededor
de la línea de dislocación.
MOVIMIENTO DE DISLOCACIONES
DISLOCACIÓN MIXTA
 VECTOR DE BURGER
El vector de Burger (b) es el desplazamiento que sufre el circuito de Burger alrededor
del defecto citado. En la dislocación de cuña es perpendicular a la misma y en la
helicoidal es paralela al desplazamiento.
 DEFECTOS DE SUPERFICIE
• BORDE DE GRANO: de alto y bajo ángulo. En estas zonas se produce
el comienzo de todas las transformaciones por ser zonas con muchos
defectos y por lo tanto con mucha energía interna.
BORDE DE GRANO
ALUMINIO Y MAGNESIO
ALGUNOS EJEMPLOS
RELACIÓN ENTRE EL LADO “a” Y EL RADIO ATÓMICO “R” EN
LA CELDA BCC
RELACIÓN ENTRE EL LADO “a” Y EL RADIO
ATÓMICO “R” EN LA CELDA FCC