METALURGIA DE LOS

MATERIALES I
IMPERFECCIONES CRISTALINAS
UNIDAD 5
110923
 IMPERFECCIONES
CRISTALINAS
DEFECTOS ESTRUCTURALES EN
LOS MATERIALES
• Los materiales se componen de diversas clasificaciones microscópicas que
suelen modelarse teóricamente como estructuras cristalinas.
• El plantear que es un material clasificado como cristalino posee
estructura cristalina es una idealización que no siempre se cumple en los
materiales reales.
• La forma como están colocados los átomos en un material normalmente
difieren de la posición ideal que se espera a partir de su estructura
cristalina.
• Como sabes los cristales reales no guardan una distribución
perfectamente ordenada y regular de sus átomos, si no que por el
contrario presentan ciertas imperfecciones cristalinas.
• Estas imperfecciones suelen ser un defecto o desviación en los arreglos
atómicos que se esperan en una estructura cristalina
• Las clasificaciones de las imperfecciones
dependen de la geometría y dimensiones de la
imperfección.
• Estas pueden clasificarse como:
• Defectos Puntuales (0 dimensiones)
• Defectos Lineales (o Dislocaciones) (1 dimensión)
• Defectos Superficiales (2 dimensiones)
• Defectos de Volumen (3 dimensiones)
En la Figura 1, podemos ver (en 2D) como se vería un cristal perfecto.
Como ya mencionado, los cristales perfectos no existen y muchos de los
cristales reales contienen muchos defectos. En la Figura 2 se puede ver
cómo sería un material con múltiples imperfecciones (se aproxima a una
estructura real).
• Además, los defectos de un sólido cristalino desempeñan un papel
determinante, en sus propiedades.
• Por ejemplo en la conductividad, propiedades ópticas y de transporte de
cargas entre otras.
• Los defectos más comunes son la dislocación y los defectos puntuales.
• Veremos algunos ejemplos donde se pone de manifiesto el importante
papel que juegan los defectos sobre las propiedades de los cristales.
• Hay propiedades sensibles y otras insensibles a la estructura cristalina.
• El concepto de red perfecta es útil para explicar aquellas propiedades
insensibles a la estructura.
• Cuando se consideran aquellas propiedades sensibles a la estructura se
hace necesario comprender cierto tipo de defectos cristalinos.
TABLA DE LAS PROPIEDADES SENSIBLES E
INSENSIBLES DE LA ESTRUCTURA (Metales)
EFECTO DE LAS IMPERFECCIONES CRISTALINAS
SOBRE LAS PROPIEDADES DE LOS MATERIALES
• En la conductividad eléctrica. La gran conductividad eléctrica de los
metales es debida a los electrones libres (electrones de valencia) que
pueden migrar a través del cristal.
• Simplificando (sin considerar la teoría cuántica) se pueden considerar
a la nube de electrones con un movimiento al azar de alta velocidad.
• Cuando se aplica un campo eléctrico los electrones orientan su
velocidad de traslación en dirección opuesta al campo eléctrico esto
da origen a la corriente eléctrica.
• La magnitud de la corriente para un campo eléctrico depende del
número de choques entre los electrones de conducción y los átomos.
• La teoría cuántica predice que el número de choques será mayor cuanto
más alejados de sus posiciones reticulares se encuentren los átomos.
• La resistencia eléctrica se debe a la dispersión de electrones por los
choques con átomos o iones de la red.
• En un cristal perfecto a temperatura por encima del 0° K, la dispersión se
produce porque los átomos y iones vibran continuamente en torno de sus
posiciones de equilibrio y esto modifica la disposición periódica del
retículo.
• La amplitud de las vibraciones y la dispersión de los electrones se
incrementa con la temperatura y por lo tanto la resistividad eléctrica
también.
• Todas estas propiedades poseen procesos que introducen defectos
cristalinos que provocan la dispersión de los electrones debido a cambios
locales en la disposición periódica de los átomos.
 IMPERFECCIONES CRISTALINAS
• Los cristales reales no guardan una distribución
perfectamente ordenada y regular de sus átomos, sino
que por el contrario presentan ciertas imperfecciones
cristalinas las cuales pueden ser puntuales, lineales,
superficiales o volumétricas.
• Donde se pone de manifiesto el importante papel que
juegan los defectos sobre las propiedades de los
cristales.
 MONOCRISTAL
• Cuando el arreglo de un sólido cristalino es perfecto o se extiende
completamente a lo largo del sólido sin interrupciones se dice que es
un monocristal.
• Todas las celdas unitarias están unidas de la misma manera y tienen la
misma orientación.
• Pueden ser naturales o artificiales.
Algunas aplicaciones en ingeniería requieren monocristales:

• monocriatales de diamante para • aspas de turbina.

abrasivos.
Las propiedades de los materiales
cristalinos se relaciona con su estructura:
• El cuarzo se fractura más fácilmente a lo largo de algunos planos que
de otros.
 POLICRISTALES
• La mayoría de los sólidos están formados por muchos cristalitos o
granos, llamados materiales policristalinos.
• Cada grano tiene orientación distinta.
• La región donde dos granos se encuentran se llama frontera de
grano.
• Policristal de Ce (a y b).
• “Introducción a la Ciencia De Materiales”
M Bizarro
 Monocristales - Propiedades
• Las propiedades cambian con la •
direccione: anisotropicas .
• Ejemplo el módulo elástico E en
el Fe BCC.
• E (diagonal) = 273 Gpa.
 Policristales - Propiedades
• Las propiedades de los
policristales pueden o no
variar con la dirección.
• Si los granos están
orientados al azar
isotrópicos.
• Policristales cuando los granos
están texturizados u orientados
anisotropicos.
 POLIMORFISMO
• Cuando hay dos o mas estructuras cristalinas distintas para el mismo
material se llama polimorfismo o alotropía.
• Sistema hierro por ejemplo:
CLASIFICACIÓN DE LOS DEFECTOS
CRISTALINOS
 DEFECTOS PUNTUALES
• Los defectos puntuales son discontinuidades de la red que involucran
uno o más átomos.
• Estos defectos pueden ser generados en el material mediante el
movimiento de los átomos al ganar energía por calentamiento.
• Los defectos puntuales, como lo sugiere el nombre, son defectos que
se encuentran en regiones tipo puntuales en el cristal.
• Se puede decir que son perturbaciones localizadas a nivel de la
posición de átomos individuales.
• Estas perturbaciones pueden afectar a una región completa de
átomos o iones como se muestra.
PERTURBACIÓN DEBIDO A
DEFECTOS PUNTUALES
 DEFECTOS PUNTUALES

• Todos los átomos en un retículo

perfecto están en sitios atómicos
específicos.
• Dos tipos de defectos puntuales
son posibles:
• 1.- Ausencia de un átomo en la
matriz (vacancia).
• 2.- La presencia de un átomo de
impureza (átomo intersticial o
sustitucional).
Defectos puntuales:
• La eliminación o agregado de átomos extraños trae aparejados
efectos adicionales tales como la distorsión del retículo y
cambios locales de carga eléctrica, por ejemplo en cristales
iónicos como el ClNa.
• Esto es poco importante en cristales con unión metálica pero
no para el caso de unión iónica.
• Para conservar neutro al cristal, las vacancias deben
producirse:
• a) en pares de signos opuestos
• b) asociadas con intersticiales del mismo signo.
 VACANCIAS
• Una vacancia hace alusión a un átomo que se encuentra normalmente
en la red cristalina de un material, y por alguna razón deja de estarlo,
dejando de esa manera un espacio vacío.
• Naturalmente los sólidos cristalinos contienen vacancias y, de hecho, no
es posible crear un material que esté libre de estos defectos.
• La razón de esto es explicada con los principios de la termodinámica.
Debido a la vacancia los niveles de entropía aumentan, esto significa que
el material tiende a estabilizarse.
• Tiene sentido entonces que los materiales a más altas temperaturas
tengan mayores defectos por vacancias debido al movimiento constante
y cambio de posiciones de los átomos.
• Constituye el defecto puntual más simple.
• Es un vacío o hueco creado por la perdida de un átomo que se encontraba en esa
posición.
• Puede producirse durante la solidificación por perturbaciones locales durante el
crecimiento de los cristales.
• También puede producirse por reordenamientos atómicos en el cristal ya formado como
consecuencia de la movilidad de los átomos.
• Las vacantes de no equilibrio tienen tendencia a agruparse formando clusters, que
forman divacantes o trivacantes.
• Las vacantes pueden trasladarse cambiando su posición con sus vecinos. Este
proceso es importante en la migración o difusión de los átomos en el estado sólido,
sobre todo a altas temperaturas donde la movilidad de los átomos es mayor.
• Las vacantes de no equilibrio tienen tendencia a agruparse formando clusters, que
forman divacantes o trivacantes.
• Las vacantes pueden trasladarse cambiando su posición con sus vecinos. Este
proceso es importante en la migración o difusión de los átomos en el estado sólido,
sobre todo a altas temperaturas donde la movilidad de los átomos es mayor.
LA CONCENTRACIÓN DE DEFECTOS
PUNTUALES
CALCULANDO LA ENERGIA DE
ACTIVACION
Se aprecia la falta de un átomo en la red cristalina.
Las vacancias son aquellos espacios que deberían
ser ocupados por átomos, pero no están presentes
 VACANCIAS O VACIOS
• Falta de un átomo.
• Son formados durante la
solidificación de un cristal o
como resultado de las
vibraciones atómicas los
átomos se descolocan de sus
posiciones normales.
• Las propiedades de los
materiales pueden controlarse
creando o controlando estos
defectos.
BIVACANCIA
 DEFECTOS INTERSTICIALES
• Algunas veces, un átomo extra se inserta dentro de la
estructura de la red en una posición que normalmente no
está ocupada formando un defecto llamado “Defecto
intersticial”.
• Generalmente este tipo de defecto introduce relativamente
grandes distorsiones en los alrededores puesto que
normalmente el átomo es sustancialmente más grande que
la posición intersticial en la que se sitúa.
• Consecuentemente la formación de este defecto no es muy
probable. Se pueden introducir en una estructura por
radiación.
• Normalmente, átomos como los de hidrógeno se presentan como
impurezas.
• En el caso del carbono, el mismo es agregado intencionalmente al
hierro con el fin de producir acero.
• Al estar localizados en una región intersticial causa un esfuerzo en los
alrededores, así pudiendo lograr un aumento en la resistencia del
material.
• Debido a la poca probabilidad de formación de intersticios de forma
natural, el número total se mantiene casi constante incluso si hay un
incremento grande de temperatura.
• Estos defectos pueden ser considerados impurezas cuando, en vez de
tener el espacio ocupado por un átomo del mismo cristal se tiene otro
tipo de átomo.
Se aprecia la presencia de un átomo extra en una
posición donde no debería estar. Los defectos
intersticiales se dan cuando un átomo ocupa un lugar
que no debería.
 INTERSTICIO
• Incluye un átomo extra en el
intersticio (del propio cristal).
• Produce una distorsión en el
reticulado ya que el átomo
generalmente es mayor que el
espacio del intersticio.
• La formación de un defecto
intersticial implica la creación
de una vacancia por eso este
defecto es menos probable
que una vacancia.
ATOMOS INTERSTICIALES
 DEFECTOS SUSTITUCIONALES
• Se crea un defecto sustitucional cuando se reemplaza un átomo
de una red cristalina por otro átomo de un tipo diferente.
• El átomo sustitucional permanece en la posición original.
• Cabe resaltar que los átomos no deben tener un radio mayor ni
menor al 15% del radio del átomo original ya que podrían ocurrir
perturbaciones en el material, cuando estos átomos son mayores
que los normales de la red, los átomos circundantes se
comprimen; si son más pequeños, los átomos circundantes
quedan en tensión
Se aprecia la presencia de la sustitución de un átomo de
la red cristalina por otro átomo de un tipo diferente y el
comportamiento de los átomos circundantes.
 OTROS DEFECTOS PUNTUALES
• Cuando un átomo idéntico a los demás átomos
que conforman los puntos normales de la red
cristalina se coloca en un espacio intersticial, se
crea un intersticio.
• Estos defectos aparecen con mayor frecuencia
en redes que poseen un menor factor de
empaquetamiento, debido a que poseen más
espacio entre átomos.
DEFECTOS PUNTUALES EN
ALEACIONES
 DEFECTO FRENKEL
• Es un par de defectos, intersticio-vacancia
formado cuando un ion salta de un punto normal
de la red a un sitio intersticial, dejando detrás una
vacancia.
• Es una imperfección
combinada Vacancia –
Defecto intersticial.
• Ocurre cuando un Ion
salta de un punto
normal dentro de la red
a un sitio intersticial
dejando entonces una
vacancia.
• Ocurre en sólidos
iónicos.
 DEFECTO SCHOTTKY
• Es un par de vacancias en un material de enlace iónico; deben
faltar tanto un anión como un catión de la red si se ha de
preservar la neutralidad eléctrica del cristal. Este defecto es
común en materiales cerámicos.
• El mecanismo de creación de un
defecto de Schottky ocurre por el
movimiento de los átomos desde
posiciones del interior del cristal a
posiciones sobre la superficie del
mismo.
• Presente en compuestos que tienen
que mantener un balance de cargas.
• Comprende la falta de anión y un
catión.
• Es un par de vacancias en un
material con enlaces iónicos.
• Para mantener la neutralidad, deben
perderse de la red tanto un catión
como un anión.
 DETERMINACIÓN DEL NÚMERO DE
LUGARES VACANTES EN EQUILIBRIO
• Sea w el trabajo necesario para crear un defecto de
Schottky.
• Supongamos un cristal que tiene “nv” lugares
vacantes, esto producirá un aumento de la energía
interna del cristal cuando se lo compara con su
situación anterior a la existencia de estas vacancias.
• Este aumento de energía interna tendrá el siguiente
valor “nv. W”.
 MOVIMIENTO DE LOS LUGARES
VACANTES
• El movimiento de los lugares vacantes esta ocasionado por el
salto de átomos dentro de los lugares vacantes.
• El movimiento de los átomos en un sentido implica el de los
lugares vacantes en sentido contrario.
• Los átomos para moverse deben vencer una barrera de
energía.
• La energía requerida para el movimiento es provista por las
vibraciones térmicas o caloríficas del cristal así tenemos la
siguiente grafica:
• Si qo la altura de la barrera de energía que el átomo debe
superar, la energía vibracional del átomo deberá ser superior a
ella para que el salto sea posible.
• La probabilidad que un átomo posea una energía mayor que
dicha barrera es dada por la ecuación de Maxwell:
• P = constante (probabilidad de que un átomo tenga
energía vibracional superior a qo).
• La probabilidad de que un átomo salte debe ser
proporcional a esta función p, es decir que el número
de átomos que saltan por segundo al interior de un
lugar vacante será.
•
• Qm = calor de activación (energía) para el movimiento
de lugares vacantes expresado por calorías por mol.
• La constante A depende del número de átomos que
rodean el agujero y de la frecuencia de vibración.
• El principal interés esta dado por el número de salto
promedio que dan los átomos y para ello debemos
multiplicar el número de saltos de las vacantes por la
relación fraccional siguiente:

• Teniendo en cuenta que y remplazando en la ecuación

anterior tenemos:
 IMPORTANCIA DE LOS DEFECTOS
PUNTUALES
• Los defectos puntuales modifican el arreglo de los átomos
circundantes, distorsionando la red a lo largo de cientos de
espaciamientos de unidades atómicas, a partir del defecto.
• Una dislocación que se mueva a través de las cercanías
generales de un defecto puntual encuentra una red en la cual
los átomos no están en sus posiciones de equilibrio.
• Esta alteración requiere que se aplique un esfuerzo más alto
para obligar a que la dislocación venza al defecto,
incrementándose así, la resistencia del material.
Los defectos de superficie.- son las fronteras o planos que separan un
material en regiones de la misma estructura cristalina, pero con
orientaciones cristalográficas distintas.

• Estas imperfecciones pueden ser:

• Superficies Externas
• Límites de Grano
• Fallas de Apilamiento
• Límites de Macla
• Límites del Dominio
• Límites de Grano de Ángulo Pequeño
 SUPERFICIES EXTERNAS
• Es bastante obvio que los límites de todo el
cristal es la superficie más externa del mismo.
• Los átomos de esta superficie no están
enlazados con los vecinos más cercanos y por
ende tienen mayores niveles de energía que los
átomos dentro del cristal.
• Esto causa un aumento en la energía de
superficie.
• La superficie de los átomos no están
completamente enlazados.
• El estado de la energía de los átomos en la
superficie es mayor que los del interior del cristal.
• La energía superficial esta expresada en erg/cm2
o j/m2.
 LÍMITE DE GRANO
• Los límites de grano se refieren al límite que separa dos granos
grandes o cristales que tienen diferentes orientaciones.
• Un grano es una porción del material dentro del cual el arreglo de los
átomos es casi idéntico pero la orientación, estructura es diferente de
otros granos.
• La frontera de grano es la superficie que separa los granos, es una
zona estrecha en la cual los átomos no están correctamente
espaciados, el límite de separación de grano se debe a que a veces los
átomos están tan pegados o separados que crean una región de
compresión o tensión.
• Se puede definir como la superficie que separa los
granos individuales de diferentes orientaciones
cristalográficas en materiales policristalinos.
• El límite de grano es una zona estrecha en la cual los
átomos no están uniformemente separados, o sea que
hay átomos que están muy juntos causando una
compresión, mientras que otros están separados
causando tensión.
• De cualquier forma los limites de grano son áreas de
alta energía y hace de esta región una mas favorable
para la nucleación y el crecimiento de precipitados
EL GRANO
 EL GRANO
• Formas de controlar el grano:
• Es por la presencia de granos
circundantes.
• Por la composición.
• Por la cristalización.
• Por la solidificación
 CRECIMIENTO DEL GRANO
• CONSIDERACIONES GENERALES
SOBRE EL CONTORNO DE
GRANO:
• Es un empaquetamiento
menos eficiente.
• Es una energía más elevada
• Favorece una nucleación de
nuevas fases (segregación).
• Favorece la difusión.
• Un método para controlar las propiedades de un material es
controlando el tamaño de los granos.
• Reduciendo el tamaño de estos se incrementa su número y por
tanto se aumenta la cantidad de fronteras de grano, de esta
manera se incrementa la resistencia del material.
• Con la ecuación de Hall-Petch se puede relacionar el tamaño del
grano con el límite elástico del material.
𝜎𝑦 = 𝜎𝑜 + 𝐾𝑑 − 0,5
• donde 𝜎𝑦 es el esfuerzo de cedencia, es decir el esfuerzo bajo el
material se deforma de manera permanente, 𝑑 es el diámetro
promedio de los granos, 𝜎𝑜 𝑦 𝐾 son constantes del metal.
• Corresponde a una región que
separa dos ó más granos en los
cristales de orientación
diferente en materiales
policristalinos.
• Un cristal = un grano
• En el interior de cada grano
todos los atómos están
enlazados según un único
modelo y única orientación
caracterizada por la celula
unitaria.
 LÍMITES DE GRANO DE ÁNGULO
PEQUEÑO
• Es un arreglo de dislocaciones que produce una
pequeña desviación de la orientación cristalográfica
entre las redes vecinas, los bordes de ángulo pequeño
formados por dislocaciones de borde se conocen como
bordes inclinados.
• El borde del grano de un ángulo pequeño es producido
por un arreglo de dislocaciones causando una falla de
coincidencia angular entre las redes en ambos lados
del borde.
 CONTORNO DE ANGULO PEQUEÑO
• Ocurre cuando el desorden
de los cristales es pequeña
• Esta formado por el
alineamiento de
dislocaciones
• El contorno de los granos
dificulta el movimiento de
las dislocaciones
FALLA DE LIMITE DE GRANO DE
ÁNGULO PEQUEÑO
LIMITES DE GRANO DE ANGULO
PEQUEÑO
• Recientemente se ha comprobado que puede
existir una subestructura definida en el interior
de los granos rodeados por límites de grano de
energía elevada.
• Los sub granos son límites de ángulo pequeño
en los que la diferencia la orientación.
• Se requiere técnicas especiales de rayos X para
detectar una red de sub estructuras.
 FALLAS DE APILAMIENTO
• Las fallas de apilamiento ocurren en los materiales FCC, representan un
error de la secuencia de apilamiento de planos compactos.
• Estos átomos situados sobre el plano de deslizamiento se encuentran
desplazados con respecto a la →capa de átomos inferior, alterando la
secuencia de apilamiento: ABCA/BCABC →ABCA/CABC.
• La presencia de estas fallas de apilamiento que tiene un espesor de varios
espacios atómicos.
• Las fallas de apilamiento son basta frecuentes en FCC y HCP y bastante
menos en BCC.
• Por tanto en materiales propensos a las fallas de apilamiento se disminuye
su movilidad.
 BORDES DE MACLA
• Es un plano que separa dos partes de un grano que tienen una
pequeña diferencia en la orientación cristalográfica.
• Las maclas se producen cuando una fuerza de corte, que actúa a lo
largo del borde de macla, hace que los átomos cambien de posición.
A la izquierda un plano perfecto que al aplicar un
esfuerzo cortante queda con su borde de macla que
está al lado derecho.
LIMITES DE MACLA
 MACLAS EN LOS CRISTALES
• Es un tipo especial de contorno
de grano
• Los atómos de un lado del
contorno son imagenes
especulares de los atomos del
otro lado del contorno
• Un cristal gemelo o macla ocurre
en un plano definido y en una
dirección especifica, dependiendo
de la estructura cristalina.
 MACLAS EN LOS CRISTALES
• Su presencia esta asociada con:
• A presencia de tensiones térmicas y
mecánicas.
• Desvió de la estequiometria.
• Presencia de impurezas.
• Una macla es un tipo especial de
límite de grano en el cual los
átomos de un lado del límite están
localizados en una posición que es
la imagen especular de los átomos
del otro lado.
 MECANISMOS DE FORMACION DE
MACLAS
• TRES PRINCIPALES MECANISMOS:
. Crecimiento cristalino
. Transformación
. Deformación
 POR CRECIMIENTO CRISTALINO
• Se forma un nuevo cristal sobre la superficie de otro que crece
conservando una relación cristalográfica especial (epitaxia).
 POR TRANSFORMACIÓN
• Al cambiar las condiciones iniciales se producen cambios de fase.
 POR DEFORMACION
• Por cizallamiento debido a la presión ejercida por el medio.
 DEFECTOS LINEALES
DISLOCACIONES
• Un defecto lineal o dislocación se refiere al cambio
abrupto en la estructura de átomos a lo largo de una
línea llamada línea de dislocación.
• Ocurren en densidades altas e influyen fuertemente en
las propiedades mecánicas del material.
• Para describir una dislocación hacemos uso del vector
de Burgers. Este, describe el tamaño y la dirección de
la distorsión.
 LAS DISLOCACIONES
• El defecto bidimensional o lineal más importante es la dislocación .
• La dislocación es el defecto responsable del fenómeno de deslizamiento por
medio del cual se deforman plásticamente la mayoría de los metales.
• Por consiguiente una forma de imaginar las dislocaciones consiste en
considerar que son zonas de perturbación reticular localizada que separan las
áreas deslizadas de un cristal de las que no han sufrido deslizamiento .
• Las dislocaciones están asociadas con una cristalización en la deformación
cuyo origen puede ser; técnico, mecânico o super saturación de defectos
puntuales
• La presencia de este defecto es responsable de la deformación, falla y
rompimiento de los materiales.
• La cantidad o movimiento de dislocaciones pueden ser controladas por el
grado de deformación (conformado mecânico o por los tratamientos térmicos).
 ORIGEN DE LAS DISLOCACIONES
• Todos los cristales como los artificiales siempre contienen un cierto
número de dislocaciones cuyo origen se remonta a las condiciones de
crecimiento del cristal.
• Crecimiento de dislocaciones presentes en el núcleo y las cuales
terminan en el límite entre las fases sólidas y líquidas.
• Multiplicación de dislocaciones del cristal semilla debidos a esfuerzos
técnicos inducidos por el gradiente de temperatura.
• Crecimiento epitaxico defectuoso debido a la contaminación del núcleo
por ejemplo capas de óxidos.
• Contaminación del baño metálico con átomos de impureza que se
incorporan a la fase sólida lo cual trae como consecuencia cambios en
el coeficiente en la expansión térmica del cristal.
• Condensación de vacancias en exceso formando anillos de dislocación
• Se pueden identificar tres tipos de dislocaciones:
• Dislocaciones de Arista
• Dislocaciones Helicoidales
• Dislocaciones Mixtas
• Adicionalmente existe otro tipo de dislocación
derivada de las dislocaciones anteriores que
deben cumplir cierto requisito para darse,
llamada Dislocación Parcial.
HASTA LA PROXIMA
SEMANA