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UTE
INGENIERIA ELECTROMECANICA
ALTO VOLTAJE
Los diodos están hechos de un semiconductor como el silicio El silicio puro no posee ningún
electrón libre. pero el silicio utilizado no es puro: una parte es dopado con impurezas tipo n. y la
otra parte es dopado con impurezas tipo p. por lo que el lado n del diodo tendremos electrones
DAMIAN BRAVO
21-02-2022
UNIVERSIDAD UTE
libres, y en el lado p, Tendremos lugares vacantes para electrones. Algo muy interesante sucede
en la juntura pn de un diodo. El exceso de electrones del lado n tiende naturalmente a migrar hacia
los huecos que están disponibles del lado p, por lo que el extremo del lado p está levemente cargado
negativamente. y el extremo del lado n esta levemente cargado positivamente. Podrán observar la
región de agotamiento que se crea. El campo eléctrico se producirá o migraciones posteriores de
electrones. En resumen, se crea una barrera de potencial para el flujo de electrones. Se aplica una
fuente de potencia externa a través del diodo como se muestra, la fuente de potencia atraerá los
electrones y los huecos. El flujo eléctrico es imposible en este caso. Esta condición se conoce como
polarización inversa del diodo. Podrá observar que el ancho de la zona de agotamiento se ha
incrementado. Sin embargo, si conecta el terminal positivo de la fuente de potencia al lado p del
diodo, la situación es muy diferente.
DAMIAN BRAVO
21-02-2022