Unidad I

INSTITUTO PROFESIONAL INACAP
“ELECTRÓNICA APLICADA”
Componentes Electrónicos
Fundamentos de Electrónica Integrada
Sr. Héctor Alejandro Del Pino Muñoz

Profesor :
Programa de Estudios : Ing. en Maquinaria y Vehículos Automotrices
Mecánica Automotriz
Mecánica Automotriz en Sistemas Electrónicos
Semestre : Tercero
Semestre Lectivo : Otoño
ELECTRÓNICA APLICADA
Programa: Unidad I Conceptos electrónicos

Teoría física electrónica
Funcionamiento de Diodos, transistores y tiristores
Unidad II Fundamentos de Electrónica Integrada

Circuitos integrados monolíticos
Armar circuitos integrados
Unidad III Fundamentos de Electrónica Digital

Tecnologías TTL y CMOS
Circuitos de compuertas lógicas
Microprocesadores
Bibliografía: Electrónica Analógica
SCHAUM
Edición, 1987
Ed. Mc Graw-Hill. España.
Circuitos Electrónicos Discretos e Integrados

SCHILING y BELOVE
Edición, 1997
Editorial Marcombo
Principios de Electrónica
MALVINO, ALBERT PAUL
Edición, 1997
Ed. Mc Graw-Hill. España.
Dispositivos Electrónicos en el Automóvil

GILLIERI, STEFANO
Edición, 1997
Editorial Ceac
Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 4
UNIDAD I COMPONENTES ELECTRÓNICOS

1.1.- Fundamentos de Electricidad:
Las aplicaciones de la electricidad y la electrónica son virtualmente interminables.

Observamos su uso al colocar en marcha un vehículo, en nuestras casas para la iluminación,
la operación de algunos aparatos (teléfonos, televisor, sistemas de música, etc.), en
instrumentos de control, en medios de transporte, etc., La electricidad se emplea en la
fabricación de la mayor parte de las cosas que usamos, ya sea directamente o para operar las
máquinas que hacen o procesan los productos que necesitamos, además hace posible la
mayoría de los avances técnicos y comodidades que disfrutamos.
1.2.- Composición de la Materia:
La electricidad consiste en el movimiento de electrones en un conductor. Para

entender que es un electrón y como se comporta, tendremos que estudiar la composición de
la materia.
Materia es todo aquello que ocupa un lugar en el espacio y tiene masa (ejemplo:
hielo, agua, gas). Toda la materia está compuesta de bloques químicos los cuales son
llamados elementos.
La naturaleza ha proporcionado más de 100 elementos, los cuales en combinación
forman los diferentes tipos de materia que se encuentran en nuestro planeta.
El hierro es un elemento. Cobre, Hidrógeno, Oxígeno, Aluminio, Mercurio, Sodio y
Cloro, son ejemplos de otros elementos. Cuando el Hidrógeno y el Oxígeno se combinan
químicamente, se forma el agua. La Sal es el resultado cuando se combina químicamente el
Cloro y el Sodio.
Sustancia Elemento Átomo

Figura 1.1. Materia
1.2.1.- Estructura de la materia: Si tomamos una gota de agua y la dividimos en dos

tendremos dos partes, pero ambas serán de agua. El agua es un compuesto químico
de dos elementos: Hidrógeno (H) y Oxígeno (O) cuya fórmula es H2O. Podemos
imaginarnos otras divisiones de la gota de agua, hasta que llegue un momento en el
que tendremos dos átomos de Hidrógeno por uno de Oxígeno, y éstos a su vez están
compuestos por electrones, protones y neutrones.
a) Molécula: Es la parte más pequeña en que puede dividirse la materia y seguir

conservando sus características de compuesto. Por ejemplo una molécula de
H2O.
b) Átomo: Es la parte más pequeña en la cual un elemento puede ser reducido y
ser clasificado aún. Por ejemplo un átomo de Hidrógeno, un átomo de Oxígeno,
un átomo de Cloro, etc., El átomo es similar a nuestro sistema solar, en el cual el
Sol es el núcleo y sus planetas las partículas que giran alrededor del núcleo.
Sistema Solar
En el átomo, según la figura, en el centro el SOL está compuesto de partículas

llamadas protones y neutrones. Los protones contienen cargas de electricidad
positivas y los neutrones no tienen carga.
Los “planetas” que giran alrededor del núcleo o el “Sol” llamados electrones, los
cuales contienen cargas de electricidad negativas.
Desde este momento, cuando hablemos de electricidad, sólo hablaremos de
protones y electrones, dado que son partículas que contienen cargas eléctricas.
La estructura de la materia está compuesta como ser indica a continuación.
Materia Molécula Átomo Núcleo atómico Neutrón
Protón
Electrón
Figura 1.2. Estructura de la materia
Característica de la molécula y átomo

l Molécula : Agrupación definida y ordenada de átomos que constituye la
porción más pequeña de una sustancia pura y conserva todas sus propiedades
l Átomo : Es el material que no se divide sin importar su naturaleza.
El átomo se forma del nuevo elemento otra vez, y la estructura es como la figura.
Electrón Electrones
Núcleo
-
+
+
+
Orbita Protones
Neutrones
Estructura del átomo Estructura detallada del átomo

.
Figura 1.3. Estructura del Átomo
Protones ubicados en el núcleo del átomo, son las partículas cargadas

positivamente (+).
Neutrones ubicados también en el núcleo, no tienen carga eléctrica y son
eléctricamente neutros.
Electrones son las partículas que orbitan el núcleo y tienen carga negativa (-).
El átomo es eléctricamente neutro, ya que tiene tantas cargas positivas

(protones), como cargas negativas (electrones). Las cargas de signo contrario se
atraen.
La órbita periférica (la más alejada del núcleo) da al átomo sus propiedades
químicas y eléctricas. Esta no puede tener más de ocho electrones.
Los átomos pueden clasificarse a partir de esta órbita periférica:
ü Los átomos que tienen 1, 2 ó 3 electrones en la órbita periférica, tienen la
tendencia a perderlos y reciben el nombre de electrones libres. Estos
átomos se vuelven “iones positivos” pues, eléctricamente se vuelven
positivos. Este es el caso de los elementos conductores (Cobre, Plata, Oro,
Aluminio, etc.).
ü Los átomos que tengan 5, 6 ó 7 electrones en la órbita periférica, tienen la
tendencia de completar esta órbita a ocho electrones. Estos átomos se
vuelven “iones negativos” pues, eléctricamente se vuelven negativos.
Este es el caso de los Aislantes (Azufre, Cloro, etc.).
ü Los átomos que tienen 4 electrones en la órbita periférica, son intermedios.
Estos átomos son semiconductores (Carbono, Germanio, Silicio, etc.).
ü Los átomos que tengan 8 electrones en la órbita periférica, no tienen
tendencia alguna. Estos son los gases nobles (Neón, Argón, etc.).
8 Protones (+) 8 Neutrones

8 Electrones (-)
Nucleus
Anillos Orbitales K
(K, L, M, N….) L
Átomo de Oxigeno
Figura 1.4. Ionización del átomo

Eléctricamente Neutro Ion Positivo Ion negativo
Figura 1.5. Ion del átomo
1.3.- Semiconductores:
Existe una clase de materiales entre los conductores y los aislantes, que son los
conocidos como Semiconductores. Algunos de ellos son: el Selenio, el Óxido de Cobre,
el Asenato de Galio. Probablemente los dos materiales semiconductores más comunes son
el Silicio y el Germanio.
Muchos diodos y transistores son fabricados con cualquiera de éstos dos elementos.
El Silicio y el Germanio en su forma pura no llevarán a cabo completamente las

funciones para que se necesitan, pero cada uno puede ser cortado para reunir las
especificaciones deseadas. Recuerde que la corriente eléctrica es un flujo de electrones. En
un semiconductor de cristal puro los electrones se encuentran en una configuración muy
“apretada” y no hay lugar para que los electrones se muevan. Lo que tenemos que crear es
un exceso o una ausencia de electrones.
Esto puede ser realizado por una “inyección” o una adición de impurezas al cristal
puro, en su punto de fusión. El tipo de impurezas agregadas al Silicio determinará si tiene un
exceso o una ausencia de electrones.
La inyección de Fósforo al Silicio puro, por ejemplo, resultará un material TIPO – N.

Esto ocasionará que tenga un exceso de electrones. Inyectándolo con Boro, se creará un
material TIPO – P. Esto ocasionará que tenga ausencia de electrones.
Si se aplica voltaje a este cristal de Silicio “inyectado este” podría causar ahora
un flujo ordenado de electrones de una de las terminales de la fuente de voltaje, a la otra.
El voltaje bombea un electrón en un extremo del cristal, y un electrón sale en el

extremo opuesto, así mantendrá un número constante de electrones en el material. Esta es la
razón por la que al agregar más Fósforo al cristal, se dispondrá de más electrones libres para
la conducción.
1.3.1.- Principio de Funcionamiento de los Semiconductores:
a) Enlace Covalente: Cuando los átomos se unen compartiendo pares de

electrones, entre átomos vecinos, se denomina Enlace Covalente:
b) Bandas de Energía: Acá podemos destacar a la “Banda de Valencia”, que
corresponde a la zona en que los electrones se encuentran semi libre, la
“Banda de Conducción”, que corresponde a la zona donde los electrones se
encuentran con la suficiente energía para moverse libremente en una estructura
cristalina, y la “Banda Prohibida” que corresponde a la zona cerrada al paso
libre de los electrones entre las bandas de Conducción y de Valencia.
Figura 1.6. Bandas de Energía en un Semiconductor

Para explicar el funcionamiento de los semiconductores es necesario definir

el concepto de “Par Hueco”. Como se ha visto los átomos se unen unos a otros
mediante enlaces covalentes. Cuando a un átomo se le saca un electrón de
éstos enlaces, queda un “hueco” que puede ser eventualmente llenado por otro
electrón. Por lo tanto, el hueco es ausencia de carga en una posición del átomo
en que debería existir carga. Al hueco se le asigna carga positiva.
1.3.2.- Semiconductor Intrínseco:
Es un cristal puro de Silicio (Si) o Germanio (Ge) de 4 átomos. Esto

significa que en el cristal prácticamente no existen átomos extraños.
Un cristal de silicio forma una estructura tetraédrica similar a la del carbono

mediante enlaces covalentes entre sus átomos, en la figura representados en el plano
por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente, algunos
electrones pueden, absorbiendo la energía necesaria, saltar a la banda de
conducción, dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1).
Figura 1.7. Semiconductor Intrínseco

1.3.3.- Semiconductor Extrínseco:
Es un cristal de Silicio (Si) o de Germanio (Ge) al cual se le han incorporado

impurezas con el fin de aumentar su conductividad. En el caso del Si ó Ge que
son tetravalentes (4 electrones de valencia en la última capa) se le añaden impurezas
del tipo “Trivalente” (tres electrones de valencia), por ejemplo: Aluminio (Al), Boro (Bo), o
del tipo “Pentavalente” (cinco electrones de valencia), por ejemplo: Fósforo (P), Arsénico
(As). Dependiendo de éstas impurezas se obtienen semiconductores del TIPO – N y
del TIPO – P.
a) Semiconductor TIPO – N :
A este cristal se le inyectan impurezas del tipo “Pentavalente” que al unirse con
los átomos de Silicio (Si) o Germanio (Ge) quedará un electrón libre y podrá
extraerse fácilmente de la acción del núcleo, debido a que se encuentra cerca de
la “Banda de Conducción”.
Arsénico (As)
Figura 1.8. Dopaje tipo N
En este tipo de Semiconductor los portadores mayoritarios son los electrones y

los minoritarios son los huecos.
El resultado de todo ello, es que se obtiene un cristal con exceso de electrones
en la banda de conducción. Como los electrones tienen carga eléctrica negativa,
se dice que el semiconductor es de material tipo N (negativo) y se representa
como se muestra en la figura 1.9.
Figura 1.9. Material tipo N

b) Semiconductor TIPO – P :
Si al cristal se le inyectan impurezas del tipo “Trivalente”, éstos no podrán

compartir sus electrones con los cuatro átomos de Silicio (Si) que están a su
alrededor.
Boro (Br)
Figura 1.10. Dopaje tipo P
El signo negativo en la parte superior (Figura 1.11.) revela los portadores

minoritarios producidos por el rompimiento de enlaces covalentes que dejan
pares de hueco – electrón. El signo revela los huecos en la banda de valencia
producido fundamentalmente por el dopaje con átomos trivalentes. Como se
puede observar, en un material tipo P los portadores mayoritarios serán los
huecos en la banda de valencia y los portadores minoritarios serán los electrones

en la banda de conducción.
Como es de suponer, mientras más dopado esté un semiconductor, mayor será
la conducción de corriente por dicho material, en otras palabras, su resistencia
macroscópica será menor.
Figura 1.11. Material tipo P
1.3.4.- Unión N – P :
A través de procesos físico – químicos es posible unir dos semiconductores

Extrínseco, uno del TIPO – N y el otro del TIPO – P, en un solo encapsulado, y a la
zona de contacto se le denomina UNIÓN.
Figura 1.12. Zona de Contacto – Unión N – P

En el cristal N – P se va a producir una difusión de portadores

mayoritarios. Los electrones de la zona N pasarán a la zona P y los huecos de la
zona P pasarán a la zona N, cruzando la unión. Esta difusión se produce debido
a que los electrones tenderán a llenar los huecos adyacentes a la unión, dejando
a su vez una zona de huecos en la posición original. La difusión se manifiesta en
los lados adyacentes de la frontera y se denomina “Zona de Transición”.
Figura 1.13. Unión N – P
Debido al proceso de difusión se producen concentraciones de

cargas opuestas a ambos lados de la unión, carga negativa en la zona P y carga
positiva en la zona N, siendo cerca de la unión, aún mayor, las concentraciones
opuestas, como muestra la Figura 1.13.
Por la concentración de cargas opuestas se genera un campo

eléctrico y una diferencia de potencial a la que se denomina “Barrera de
Potencial”. Esta barrera detiene el proceso de difusión de portadores. La carga
negativa concentrada rechazará a los electrones que intenten pasar, los cuales
no tendrán la suficiente energía para saltar la barrera.
La barrera de potencial es del orden de los miliVolt (mV) y

dependerá de los valores de temperatura y de la naturaleza del cristal, ejemplo el
cristal de Silicio (Si) de 0,7 [V]; el de Germanio (Ge) de 0,3 [V]
Figura 1.14. Unión P – N ó N – P
a) Polarización Directa: En este caso existe una inyección de portadores

mayoritarios por la diferencia de potencial aplicada, con lo cual se reduce la
barrera de potencial y se produce la conducción, Figura 1.15.
Figura 1.15 Polarización directa

b) Polarización Inversa: Al revés de la situación anterior, los portadores

mayoritarios son atraídos por el potencial contrario aplicado en sus extremos,
lo cual hace que aumente el potencial de barrera; por lo tanto, los electrones
no tendrán la suficiente energía para atravesar la barrera y la corriente será
prácticamente nula.
Figura 1.16 Polarización inversa

1.4.- DIODOS:
Un diodo es un dispositivo eléctrico que permitirá el paso de corriente a través de el,

en una sola dirección. Aplicando la teoría convencional del flujo de corriente, el diodo
permitirá el flujo de esta solamente en la dirección de la “flecha”.
Ánodo Cátodo
Figura 1.17. Símbolo del Diodo
Figura 1.18 Diferentes tipos de Diodos
1.4.1.- Aplicaciones del Diodo:
• Rectificación: Cambio de corriente alterna a continua.

• Circuito de control: Corriente directa en direcciones específicas entre circuitos.
• Protección: Controla los pick de voltaje que pueden dañar circuitos de estado
sólido sensibles. Mantener el voltaje del circuito dentro de un rango específico
Cuando seis diodos son montados dentro d dos disipadores de calor, el ensamble es
llamado “Puente Rectificador”. Este tipo de ensamble es usado ampliamente en
alternadores, donde los seis diodos actúan para rectificar o cambiar los voltajes de
corrientes alterna en el estator a voltaje de corriente continua en el terminal de salida
del Alternador. El disipador de calor está ubicado en el lugar donde circula aire frío
para disipar el calor generado en los seis diodos.
El tridiodo es un paquete especial de diodos, diseñados para alimentar el circuito del

campo del alternador.
a) Gráfica de un Diodo:
Otra forma de entender como funciona un diodo es a través de su gráfico, del

cual podemos deducir que es un dispositivo NO lineal, como lo muestra la Figura
1.19.
Figura 1.19 Característica I / V de un Diodo
OA Zona de baja polarización directa, pequeña corriente.

AB Zona de Conducción (a partir de los 0,6 [V] app.)
OC Corriente inversa de saturación, a partir de C, zona de avalancha.
Los diodos tienen diversas aplicaciones, entre los que se destacan, tenemos:
b) Rectificador:
Caída de tensión 0,6 [V]
0,6 [V] R
Queda sometido al voltaje

Corriente de peligro 0,6 se de la fuente (12[V])
puede quemar el diodo
Figura 1.20. Rectificador de Corriente
Fórmulas
Ip Vp
Im = Vm = Vp = 2 ⋅ VRMS
π π
donde: Im = Corriente media

Ip = Corriente peak
Vm = Voltaje medio o VC = Voltaje corriente continua
Vp = Voltaje peak
VRMS = Voltaje efectivo = Voltaje promedio
Ejemplo: Se desea rectificar el voltaje a la salida de un transformador de 12 [V].

Como muestra la siguiente figura, calcular:
a) Voltaje peak
b) Voltaje medio de rectificación
c) Corriente peak.
d) Corriente media.
220 [V] R = 1 [k Ohm]

12 [V]
b) Rectificador de Onda Completa:

1er. Ciclo 2do. Ciclo
D4 D1 D1 - D4
+
Fuente
D3 - D3 + D2
D2
Onda Completa
Figura 1.21. Puente Rectificador
Fórmulas:
2 ⋅ Vp 2 ⋅ Ip
Vm = Im =
π π
A la salida de un rectificador se obtiene una tensión continua pulsante. Para

mejorar esta señal y dejarla lo más cercano posible a una señal continua pura, se
utilizan los filtros.
Existen diferentes tipos de filtros, como son los “capacitivos” (condensadores),

filtro “inductivo” (bobinas). Además pueden usarse ambos juntos (filtro
inductivo – capacitivo.
Figura 1.22. Señal rectificada con un condensador
11,6 a 11,8 [V]
Condensador
Figura 1.23. Rectificación de Onda por medio de un Condensador
El condensador se conecta en paralelo a la fuente.
Como se observa el la Figura 1.23., la señal con el condensador mejora

notablemente.
El funcionamiento del condensador consiste en lo siguiente: Este se carga a

través de la tensión continua pulsante que entrega el rectificador, una vez que el
condensador almacena un valor máximo de tensión, comienza su descarga hasta
que nuevamente la tensión continua pulsante alcance el valor del condensador,
comenzando nuevamente su carga.
El diodo además de rectificar, se puede utilizar como elemento de protección,

como por ejemplo asegurar el paso de corriente en un solo sentido.
Figura 1.24. Circulación de la Corriente
1.5.- OTROS TIPOS DE DIODOS:
1.5.1.- Diodo Zener:
El diodo Zener es un tipo de diodo diseñado especialmente para

conducir satisfactoriamente el flujo de corriente en sentido inverso. La principal
característica de este tipo de diodo, es que se le inyectan más impurezas de lo
normal durante su fabricación, con lo cual se obtiene un gran número de hoyos
(huecos) y electrones, lo que permite al diodo Zener conducir corriente en sentido
inverso sin sufrir daño, si se usa en un circuito de diseño adecuado.
Figura 1.25. Diodo Zener

La única característica de operación del diodo Zener es que no conducirá la

corriente en dirección inversa por debajo de cierto valor predeterminado de voltaje
inverso. Como por ejemplo, un diodo Zener no puede corriente si el voltaje de
polarización inverso es bajo 6 [V], pero cuando este voltaje llega a ser 6 [V] o más,
el diodo conducirá repentinamente corriente en sentido inverso.
Este tipo de diodo es utilizado en circuitos de control.
Figura 1.26. Gráfica del diodo Zener
El diodo Zener:
• Estabiliza la tensión.
• Para trabajar la corriente (I) tiene que ser mayor que la corriente (Iz) mínima.
• Nunca debe pasar la Iz máxima.
El diodo Zener es un elemento estabilizador de tensión, que para pequeños

márgenes de variación de voltaje, trabaja con variaciones importantes de corriente,
para asegurar que el diodo Zener trabaje como estabilizador, debe cumplir las
siguientes condiciones:
• Este diodo debe ser atravesado como mínimo por una corriente igual a Iz
mínimo (dato entregado por el fabricante).
• No debe sobrepasar por ningún caso, la corriente Zener máxima (Iz máx.), ya
que puede producir daños en el componente.
1.5.2.- Diodo LED (Emisor de luz):
Otro tipo de diodo utilizado son los diodos emisores de luz, que son
conocidos universalmente con el nombre de “LED” , abreviatura que corresponde a
las iniciales de su nombre anglosajón (Light Emitter Diode).
Estos diodos funcionan por un complicado proceso físico, que en definitiva,

concluye con la particularidad que tienen determinados electrones de desprender
fotones cuando vuelve a su órbita de valencia.
La energía luminosa radiada puede

ser de color verde, si el material del
semiconductor ha sido tratado con
impurezas de Galio – Fósforo.
Por otro lado, puede ser de color rojo

si el tratamiento se ha llevado a cabo
por medio de Galio – Arsénico.
También existen de color amarillo.
Por lo tanto hay varios tipos básicos

diferentes de LEDs, cado uno de color
indicado según su construcción.
Figura 1.27. Diodo LED
Estos diodos consiguen una luz bastante

viva, con la muy importante particularidad de
utilizar una mínima cantidad de corriente
(pues solo gastan unas decenas de
miliamperios por hora) por lo que resultan
ideales en los circuitos de control de luces
testigos. Figura 1.28. Símbolo del LED
Aplicaciones:
• Indicador posicionado de luces (color verde)

• Testigo de funcionamiento del alternador (color rojo)
• Indicador de funcionamiento de las bujías incandescentes (color amarillo)
• Testigo de funcionamiento de las luces altas de carretera
• Instrumentos de control
• Etc.
Ejemplo: Determine el valor de la resistencia “R” del circuito que se muestra a

continuación.
V Vf − VLED 12 − 1,8
R= = = = 0,51[kΩ]
I ILED 20×10 − 3
1.5.3.- Los Fotodiodos:
El fotodiodo funciona de una manera inversa a lo que se ha visto en los

diodos emisores de luz. Se trata de un diodo semiconductor, en el cual la corriente
inversa varía con la iluminación que incide sobre su unión N – P.
Estos diodos trabajan al recibir una

radiación luminosa y se deben polarizar en
forma inversa.
Se pueden utilizar en medir la velocidad

angular de un motor, en sistemas de
encendido transistorizado (reemplazando al
platino).
Figura 1.29. Fotodiodo
1.6.- TRANSISTORES:
El transistor es un dispositivo eléctrico utilizado para controlar el flujo de

corriente. En ésta sección la operación del transistor es descrita por observación de las
condiciones bajo las cuales el flujo de corriente NO permite el paso de corriente.
En la sección anterior se estudiaron los conceptos

fundamentales y la construcción de los diodos.
Además se estudió que los diodos están formados
por una unión N – P. Cuando se forma una
segunda sección de material TIPO P con la unión
N – P, se forma un “Transistor”.
Figura 1.30 Símbolo del Transistor
El material “P” en el lado izquierdo es llamado “emisor”, el material tipo “N” en el centro es
la “base” y el material tipo “P” en el lado derecho es llamado “colector”. Este arreglo es
conocido como un transistor “PNP”
También es posible formar un transistor “NPN” usando dos áreas de

material “N” y una de material “P” (como se muestra en la Figura 1.31.) El transistor NPN es
el tipo más utilizado.
Figura 1.31 Transistores
El emisor es la línea con la flecha, la línea gruesa es la base y la línea sin

flecha es el colector. Note que la flecha va en la dirección de la teoría convencional del flujo
de corriente de positivo a negativo en el circuito externo.
El transistor es de estructura simple, pero debe cumplir con ciertos

requisitos de “Dopado” y dimensiones especiales, que hacen que el dispositivo no se
comporte como dos diodos.
Modo de Funcionamiento:
Unión Base – Emisor Unión Base – Colector Modos de Funcionmaiento

Directa Directa Saturación Interruptor On
Inversa Inversa Corte Interruptor Off
Directa Inversa Activa
a) En saturación: Cuando el transistor conduce el máximo de Ic que puede tolerar. Esta

disposición se utiliza cuando queremos el transistor funcionando como interruptor.
b) Transistor en corte: En serie con la base se conecta una resistencia de polarización

Rb. Si el diodo emisor – base está polarizado en inversa no puede circular corriente
alguna.
c) En activa: Al polarizar directamente el diodo emisor – base, circula una pequeña corriente
que depende del valor de Rb, la que hace que se establezca otra mucho mayor entre el
emisor y el colector (Ic) proporcional a la corriente de base. De esta forma tenemos una
corriente en el circuito emisor – colector elevada que se puede controlar mediante otra
mucho menor, el transistor funciona como un amplificador de corriente.
Configuraciones de un transistor
Estas dependen del terminal que se elija común a la entrada y a la salida.
Figura 1.32. Configuraciones de un transistor NPN
Donde: Vi = Voltaje de entrada

Vo = Voltaje de salida
1.6.1.- Funciones principales de un transistor:
En lo que respecta al automóvil se destaca la importancia del transistor en la

utilización como Relé y amplificador.
a) Como Relé: Para que funcione de esta forma basta solo conseguir dar órdenes
a la base del transistor, a través de una débil polarización, para conseguir el paso
de una gran corriente entre emisor – colector. La gran ventaje en este caso, con
respecto a un Relé mecánico, es que el transistor no posee contactos ni resortes
o mecanismos que se deterioren con el tiempo y la temperatura y que fácilmente
pierden sus cualidades iniciales.
Basado en este principio, el transistor tiene un amplio campo de aplicación en el

automóvil y un ejemplo de ello es el sistema de encendido, como se muestra en
la figura 1.33.
Figura 1.33 Sistema de encendido transistorizado

La corriente principal proviene de la batería, chapa de contacto y emisor (E) del

transistor. Si los contactos del ruptor se encuentran abiertos, interrumpiendo el
paso de corriente de base (B), de modo que el transistor queda bloqueado.
Cuando los contactos del ruptor se unen polarizando a masa (corriente negativa)
la base (B) del transistor, entonces éste se vuelve conductor, dando paso a la
corriente de emisor (E) a colector (C), hasta el arrollamiento primario de la bobina
de encendido. Este se alimenta y cuando se produce una nueva separación de
los contactos del ruptor, el transistor se bloquea y se induce una corriente de alta
tensión en el arrollamiento secundario (no se muestra en la figura) de la bobina
de encendido, lo que produce el salto de la chispa en la bujía.
En el caso de la figura, se observa que el transistor trabaja como un Relé, porque

una pequeña corriente de base (B) permite el paso de una gran corriente entre
emisor (E) y colector (C).
La figura 1.34. nos permite aclarar la función de un transistor como Relé.
Figura 1.34 Transistor como Relé
El transistor permanece bloqueado hasta que se polarice la base del mismo y

circule una pequeña corriente de base, la cual controla el transistor y lo vuelve
conductor “encendiendo la ampolleta”.
b) Como Amplificador: Estos se utilizan cuando se trata de recibir señales

procedentes de sensores o captadores, los cuales trabajan con señales muy
bajas. Para que éstas señales puedan ser incorporadas a dispositivos
electrónicos, tales como: módulos de encendido, unidad de control electrónica de
inyección u otro microprocesador, deben amplificar las señales.
En resumen un amplificador es un dispositivo por medio del cual una débil

corriente producida por una fuente, hace provocar una fuerte corriente en la
salida.
La figura 1.35 muestra un ejemplo simplificado de cómo un transistor puede

realizar las funciones de un amplificador.
Figura 1.35 Transistor como Amplificador
Canal N
Enriquecimiento
Canal P
Dispositivo de
Fuerza instalado Canal N
(MOSFET)
Transistores de Deflexión
Efecto de Canal P
Campo MESFET
Dispositivo de
TRANSISTOR Puerta de Unión
JFET
NPN
Transistores
Bipolares
PNP
Nota: El cuerpo del transistor está asociado al Terminal COLECTOR del mismo.
1.7.- TIRISTORES:
Son dispositivos semiconductores que tienen tres terminales (conectores), una corriente débil
en una de sus terminales (compuerta) permite que una corriente mucho mayor fluya a través
de los otros dos conductores. La corriente controlada está encendida o apagada; estos no
amplifican señales como los transistores, sino que actúan como interruptores de estado
sólido.
Existen dos familias:
Ø Rectificador controlado de Silicio (S.C.R.): Éste es similar a un transistor bipolar con

una cuarta capa, como lo muestra el dibujo siguiente (configuración interna)
Fig. 1.36 Símbolo de un Tiristor
Funcionamiento de un SCR: Si el ánodo se hace más positivo que el cátodo en un

tiristor, las uniones externas (dos) se polarizan, sin embargo la unión P-N del centro se
polariza de forma inversa y la corriente no puede fluir. Una corriente pequeña en la
compuerta polariza la unión P-N del centro permitiendo que una corriente mucho mayor
fluya a través del dispositivo.
Fig. 1.37 Funcionamiento del SCR

La ampolleta solo funciona cuando el interruptor se cierra y circula una pequeña

corriente, que es limitada por esta resistencia,(R).
Fig. 1.38 Funcionamiento práctico de un SCR
La gráfica siguiente nos muestra el comportamiento de un SCR, para profundizar el

funcionamiento del SCR es conveniente observar su curva característica:
Puede conducir de - 1 [A] hasta más de 2500 [A]
Fig. 1.39 Gráfica de comportamiento de un Tiristor

De acuerdo a la gráfica y observando se ve que existe una característica de bloqueo en

el momento que pasa la corriente (polarización directa), que viene presentado por la
letra A, aquí existe un crecimiento de la tensión directa sin que el SCR permita el paso
de la corriente; pero cuando este alcanza un punto determinado conocido con el nombre
de tensión de operación (VBo), el tiristor SCR permite el paso de la corriente
representado por la letra B, con una línea ascendente.
Cuando la corriente directa desciende su valor bajo el punto C, llamado o conocido
como corriente de mantenimiento o de retención (IH), el SCR se bloquea y por
consiguiente deja de conducir.
En el sentido inverso el SCR se comporta como un diodo normal.
La forma más efectiva para apagar un SCR es reducir la corriente de ánodo bajo el valor
de (IH) o bajar el voltaje bajo el valor (VX), la primera con una resistencia y la segunda
con una fuente variable.
A continuación se muestra un diagrama en bloque de un circuito SCR:
Fig. 1.40 Circuito en bloque con un SCR
Valores típicos:
2N4441
Posee una corriente de mantenimiento : 6 mA

Una corriente de disparo de : 10 mA
Una tensión de bloqueo directa de : 50 V
Una tensión de disparo típica de : 0.75 V
Estos valores indican que la fuente que alimenta al SCR tiene que ser capaz de
suministrar al menos 10 mA a 0,75 V. para que el SCR se mantenga cerrado. Con
respecto a la corriente de mantenimiento, si disminuye a menos de 6 mA el SCR se
convertirá en un circuito abierto.
La tensión de bloqueo de 50 V, nos indica que a menos de este valor el SCR no puede
cerrarse y la única forma de hacerlo sería aplicando un pulso a la compuerta.
Aplicaciones del SCR Tiene variedad de aplicaciones entre ellas están las siguientes:
• Controles de relevador.
• Circuitos de retardo de tiempo.
• Fuentes de alimentación reguladas.
• Interruptores estáticos.
• Controles de motores.
• Recortadores.
• Inversores.
• Ciclo conversores.
• Cargadores de baterías.
• Circuitos de protección.
• Controles de calefacción.
• Controles de fase.
En la figura 1.41(a) se muestra un interruptor estático es serie de medida de media

onda. Si el interruptor está cerrado, como se presenta en la figura 1.41(b), la corriente
de compuerta fluirá durante la parte positiva de la señal de entrada, encendiendo al
SCR. La resistencia R1 limita la magnitud de la corriente de compuerta.
Cuando el SCR se enciende, el voltaje ánodo a cátodo (VF) caerá al valor de

conducción, dando como resultado una corriente de compuerta muy reducida y muy
poca pérdida en el circuito de compuerta. Para la región negativa de la señal de entrada
el SCR se apagará, debido a que el ánodo es negativo respecto al cátodo. Se incluye al
diodo D1 para prevenir una inversión en la corriente de compuerta.
Las formas de onda para la corriente y voltaje de carga resultantes se muestran en la

figura 1.41(b). El resultado es una señal rectificada de media onda a través de la carga.
Si se desea conducción a menos de 180º, el interruptor se puede cerrar en cualquier
desplazamiento de fase durante la parte positiva de la señal de entrada. El interruptor
puede ser electrónico, electromagnético, dependiendo de la aplicación.
a) b)
Figura 1.41 Interruptor estático en serie de media onda.

En la figura 1.42(a) se muestra un circuito capaz de establecer un ángulo de conducción

entre 90º y 180º. El circuito es similar al de la figura 1.41(a), con excepción de la
resistencia variable y la eliminación del interruptor. La combinación de las resistencias R
y R1 limitará la corriente de compuerta durante la parte positiva de la señal de entrada.
Si R1 está en su valor máximo, la corriente de compuerta nunca llegará a alcanzar la
magnitud de encendido. Conforme R1 disminuye desde el máximo, la corriente de
compuerta se incrementará a partir del mismo voltaje de entrada.
De esta forma se puede establecer la corriente de compuerta requerida para el

encendido en cualquier punto entre 0º y 90º, como se muestra en la figura 1.42(b). Si
R1es bajo, el SCR se disparará de inmediato y resultará la misma acción que la
obtenida del circuito de la figura 1.41(b), el control no puede extenderse más allá de un
desplazamiento de fase de 90º, debido a que la entrada está a su valor máximo en este
punto. Si falla para disparar a éste y a menores valores del voltaje de entrada en la
pendiente positiva de la entrada, se debe esperar la misma respuesta para la parte de
pendiente negativa de la forma de onda de la señal. A esta operación se le menciona
normalmente en términos técnicos como control de fase de media onda por resistencia
variable. Es un método efectivo para controlar la corriente rms y, por tanto, la potencia
se dirige hacia la carga.
a) b)
Figura 1.42 Control de fase de resistencia variable de media onda

Ø TRIAC: Este dispositivo es equivalente a dos SCR conectados en paralelo en oposición como
lo muestran las siguientes figuras:
Símbolo:
Fig. 1.43 Representación de un Triac
Estos dispositivos trabajan de forma bilateral tanto en el semiciclo positivo como en el

semiciclo negativo y pueden controlar tanto motores como otros dispositivos eléctricos.

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INSTITUTO PROFESIONAL INACAP

Sr. Héctor Alejandro Del Pino Muñoz

Programa: Unidad I Conceptos electrónicos

Unidad II Fundamentos de Electrónica Integrada

Unidad III Fundamentos de Electrónica Digital

Circuitos Electrónicos Discretos e Integrados

Dispositivos Electrónicos en el Automóvil

UNIDAD I COMPONENTES ELECTRÓNICOS

Las aplicaciones de la electricidad y la electrónica son virtualmente interminables.

1.2.- Composición de la Materia:

La electricidad consiste en el movimiento de electrones en un conductor. Para

Sustancia Elemento Átomo

1.2.1.- Estructura de la materia: Si tomamos una gota de agua y la dividimos en dos

a) Molécula: Es la parte más pequeña en que puede dividirse la materia y seguir

En el átomo, según la figura, en el centro el SOL está compuesto de partículas

La estructura de la materia está compuesta como ser indica a continuación.

Materia Molécula Átomo Núcleo atómico Neutrón

Figura 1.2. Estructura de la materia

Característica de la molécula y átomo

Estructura del átomo Estructura detallada del átomo

Protones ubicados en el núcleo del átomo, son las partículas cargadas

El átomo es eléctricamente neutro, ya que tiene tantas cargas positivas

8 Protones (+) 8 Neutrones

Figura 1.4. Ionización del átomo

Eléctricamente Neutro Ion Positivo Ion negativo

Figura 1.5. Ion del átomo

El Silicio y el Germanio en su forma pura no llevarán a cabo completamente las

La inyección de Fósforo al Silicio puro, por ejemplo, resultará un material TIPO – N.

El voltaje bombea un electrón en un extremo del cristal, y un electrón sale en el

1.3.1.- Principio de Funcionamiento de los Semiconductores:

a) Enlace Covalente: Cuando los átomos se unen compartiendo pares de

Figura 1.6. Bandas de Energía en un Semiconductor

Para explicar el funcionamiento de los semiconductores es necesario definir

1.3.2.- Semiconductor Intrínseco:

Es un cristal puro de Silicio (Si) o Germanio (Ge) de 4 átomos. Esto

Un cristal de silicio forma una estructura tetraédrica similar a la del carbono

Figura 1.7. Semiconductor Intrínseco

1.3.3.- Semiconductor Extrínseco:

Es un cristal de Silicio (Si) o de Germanio (Ge) al cual se le han incorporado

Figura 1.8. Dopaje tipo N

En este tipo de Semiconductor los portadores mayoritarios son los electrones y

Figura 1.9. Material tipo N

Si al cristal se le inyectan impurezas del tipo “Trivalente”, éstos no podrán

Figura 1.10. Dopaje tipo P

El signo negativo en la parte superior (Figura 1.11.) revela los portadores

huecos en la banda de valencia y los portadores minoritarios serán los electrones

Figura 1.11. Material tipo P

A través de procesos físico – químicos es posible unir dos semiconductores

Figura 1.12. Zona de Contacto – Unión N – P

En el cristal N – P se va a producir una difusión de portadores

Figura 1.13. Unión N – P

Debido al proceso de difusión se producen concentraciones de

Por la concentración de cargas opuestas se genera un campo

La barrera de potencial es del orden de los miliVolt (mV) y

Figura 1.14. Unión P – N ó N – P

a) Polarización Directa: En este caso existe una inyección de portadores

Figura 1.15 Polarización directa

b) Polarización Inversa: Al revés de la situación anterior, los portadores

Figura 1.16 Polarización inversa

Un diodo es un dispositivo eléctrico que permitirá el paso de corriente a través de el,

Figura 1.17. Símbolo del Diodo

Figura 1.18 Diferentes tipos de Diodos

1.4.1.- Aplicaciones del Diodo:

• Rectificación: Cambio de corriente alterna a continua.