CLASE 6

IMPERFECCIONES CRISTALINAS
1.DEFECTOS QUE PUEDE CONTENER UN MATERIAL CRISTALINO
El arreglo de los átomos o iones en los materiales de ingeniería, estos contienen imperfecciones
o defectos en su estructura cristalina.
Con frecuencia, estos defectos tienen un efecto profundo sobre las propiedades de los materiales.
Se consideran tres tipos básicos de imperfecciones:
• defectos puntuales,
• defectos lineales (o dislocaciones) y
• defectos superficiales.
• Defectos volumétricos
Estas imperfecciones solo representan desviaciones de los arreglos atómicos
o iónicos perfectos o ideales que se esperan en una estructura cristalina.
Al material no se le considera defectuoso desde un punto de vista tecnológico. En muchas
aplicaciones, la presencia de tales defectos resulta útiles.
Con frecuencia se pueden crear “defectos internos” de manera intencional para producir un
conjunto deseado de propiedades electrónicas, magnéticas, ópticas o mecánicas.
Por ejemplo, el hierro puro es relativamente blando y de baja resistencia, y cuando se le adiciona
una pequeña cantidad de carbono, se crean defectos en su arreglo cristalino y el hierro se
transforma en un acero al carbono, que presenta una resistencia considerable.
Sin embargo, el efecto de los defectos puntuales no siempre es deseable.
Cuando se desea usar el cobre como conductor en microelectrónica, se usa el de mayor pureza
disponible.
Esto se debe a que incluso niveles muy pequeños de impurezas provocarán un incremento de órde-
nes de magnitud, en la resistividad eléctrica de ese elemento.
Las impurezas perturban la regularidad de la red cristalina e incrementa la densidad de defectos,
por diferencias de tamaño y de estructura electrónica con el metal solvente. Cuanto mayor es la
diferencia de tamaños metal-impureza, mayor es la pérdida de conductividad.

1.1 DEFECTOS PUNTUALES

Los defectos puntuales son perturbaciones localizadas en los arreglos iónicos o atómicos de una
estructura cristalina, que de otra manera sería perfecta.
Estas imperfecciones, pueden ser generadas por el movimiento de los átomos o iones cuando
ganan energía al calentarse, durante el procesamiento del material o por la introducción intencio-
nal o no intencional de impurezas.
Las impurezas son elementos o compuestos que contienen materias primas y que aparecen durante
el procesamiento.
Por ejemplo, los cristales de silicio crecen en crisoles de cuarzo cuya impureza es el oxígeno.
En los materiales compuestos los dopantes son elementos o compuestos que se adicionan de
manera deliberada en concentraciones conocidas y en lugares específicos.
En general, el efecto de las impurezas es perjudicial, mientras que el efecto de los dopantes sobre
las propiedades de los materiales semiconductores es útil.
El fósforo y el boro son ejemplos de dopantes que se adicionan al monocristal del silicio para mejorar
las propiedades eléctricas del silicio puro.
En la figura 1, se muestran los principales defectos puntuales:
a) Vacancia, b) átomo intersticial, c) átomo sustitucional pequeño d) átomo sustitucional grande,
e) defecto de Frenkel, f) defecto de Schottky
Todos estos defectos perjudican el arreglo perfecto de los átomos cercanos.

Figura 1. Defectos puntuales: a) vacancia, b) átomo intersticial c) átomo sustitucional pequeño,

d) átomo sustitucional grande, e) defecto de Frenkel y f) defecto de Schottky.
Todos estos defectos perjudican el arreglo perfecto de los átomos cercanos.
El defecto Frenkel se forma cuando un átomo o ión más pequeño (usualmente un catión) deja su
lugar en la red, creando una vacante y se convierte en intersticial alojándose en un lugar cercano.
El defecto Schottky es típico de los materiales cerámicos, pues es un defecto que aparece para
mantener la electroneutralidad del material. Se generan vacantes de iones de signo contrario para
anularse de forma estequiométrica; con el fin de mantener una carga total neutra.

1.2 VACANCIAS
Se produce una vacancia cuando un átomo o un ion está ausente de su sitio normal en la estructura
cristalina. Cuando los átomos o iones están ausentes, aumenta la aleatoriedad o entropía general
del material, lo cual incrementa la estabilidad termodinámica de los materiales cristalinos.
Todos los materiales cristalinos tienen defectos de vacancia. Éstos se introducen en los metales y
aleaciones durante la solidificación, a altas temperaturas, o como consecuencia del daño que
produce la radiación.
Las vacancias desempeñan una función importante en la determinación de la velocidad a la cual los
átomos o iones se mueven alrededor de o se difunden en un material sólido, especialmente en los
metales puros.
Vacancias adicionales pueden producirse por deformación plástica del metal, por enfriamiento
rápido desde temperaturas altas, y por bombardeo con partículas energéticas (neutrones).
Las vacancias son importantes cuando se desean mover los átomos en un material sólido (difusión).
A temperatura ambiente, la concentración de vacancias es pequeña, pero aumenta en forma
exponencial con la temperatura.

A temperatura ambiente (~298 K), la concentración de vacancias es pequeña, pero aumenta

exponencialmente a medida que se incrementa la temperatura, siguen un comportamiento de tipo
Arrhenius:

donde
nv, es el número de vacancias por cm3;
n, es el número de átomos por m3;
Qv, es la energía que se requiere para producir un mol de vacancias, en cal/mol o joules/mol;
R, es la constante de los gases, 1.987 cal/mol ⋅ K o 8.314 J/mol. K
T, es la temperatura en kelvin.

Debido a la gran energía térmica cerca de la temperatura de fusión, puede haber hasta una
vacancia por cada 1,000 átomos.
Observe que esta ecuación señala la concentración de equilibrio de las vacancias a una temperatura
dada.
También, es posible mantener una concentración de las vacancias que se producen a una alta
temperatura, si se enfría rápidamente el material. Por lo tanto, en muchas situaciones, la
concentración de las vacancias observadas a temperatura ambiente no es la concentración de
equilibrio pronosticada por la ecuación tipo Arrhenius.

EJEMPLO 1.
A. Calcule la concentración de vacancias en el cobre a temperatura ambiente (25°C).
B. ¿Qué temperatura se necesita para tratar térmicamente el cobre de tal manera que la
concentración de las vacancias producidas sea 1,000 veces mayor que la concentración de
equilibrio de las vacancias a temperatura ambiente?
Suponga que se requieren 83,680 J para producir un mol de vacancias en el cobre.
Solución:
PARTE A.
a. El parámetro de red del cobre CCCa (FCC) es 0.36151 nm
R es la constante de los gases, 8.314 J/mol. K
Por lo tanto, el número de átomos de cobre por cm3 es
 4 𝑎𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠/𝑐𝑒𝑙𝑑𝑎
n= = 8.466 𝑥 1028 átomos de cobre/𝑐𝑚3
(3.6151 𝑥 10−10 𝑚)3

Temperatura en Kelvin = 273 +25 = 298 Kelvin

−𝑄
𝑛𝑣 = n exp ( 𝑅 𝑇𝑉 )

PARTE B.
Se desea encontrar una temperatura de tratamiento térmico que genere una concentración de
vacancias que sea 1,000 veces mayor que la condición de equilibrio 𝑛𝑣 , que es 1.814 𝑥 1014
vacancias/cm3 a temperatura ambiente 25℃
Se puede resolver este problema por medio del calentamiento del cobre a una temperatura a la cual
se forme este número de vacancias: 1.814 x 1014 vacancias/𝑐𝑚3 x 1000 vacancias=
1.814 x 1017 vacancias/𝑐𝑚3

Resumiendo:
Cuando el cobre se calienta ligeramente por arriba de 100°C, y se mantiene hasta que se alcance el
equilibrio, y después se enfría rápidamente de vuelta a temperatura ambiente, el número de
vacancias atrapadas en la estructura puede ser 1,000 veces mayor que el número de equilibrio de
vacancias a temperatura ambiente. Las concentraciones de las vacancias que se encuentran en los
materiales con frecuencia son determinadas por factores termodinámicos y cinéticos.
EJEMPLO 2
Concentraciones de las vacancias en el hierro
a. Calcule la densidad teórica del hierro
b. Determine el número de las vacancias necesarias para que un cristal de hierro CCCu (BCC)
tenga una densidad experimental o de laboratorio de 7,874 kg/m3. El parámetro de red del
hierro es de 2.866 x 10−10 m.

Solución:

a. La densidad teórica esperada del hierro puede calcularse a partir de su parámetro de red y
masa atómica. Dado que el hierro es CCCu (BCC), están presentes dos átomos de hierro en
cada celda unitaria.

Este cálculo supone que no hay imperfecciones en el cristal.

b. Se calcula el número X de átomos de hierro y las vacancias que estarían presentes en cada
celda unitaria a una densidad de 7,874 kg/m3.
Ya calculamos la densidad teórica, con 2 átomos/celda unitaria y nos da 7879 kg/m3,
tenemos que calcular el número de átomos/celda, para la densidad experimental o de
laboratorio de 7,874 kg/m3, utilizando las siguientes ecuaciones:
𝑲𝒈
En la ecuación, utilizaremos, 𝝆 = 𝟕𝟖𝟕𝟒
𝒎𝟑

Como el número de átomos calculado es inferior a 2,

Debe haber (2.00 - 1.99878)= 0.00122 vacancias por celda unitaria.
El número de vacancias por m3 es
1.3 DEFECTOS INTERSTICIALES
Un defecto intersticial se forma cuando se inserta un átomo o ion adicional en la estructura cristalina
en una posición por lo general desocupada o vacía, como en la figura 2.

Figura 2. Átomo intersticial.

En la clase pasada se ilustraron los sitios intersticiales, de las 3 estructuras cubicas del hierro: CS
figura3, CCCu (BCC) figura 4 y CCCa (FCC) figura 5

Figura 3. Átomo intersticial en la estructura CS

 Fig. 4. Átomos intersticiales en la estructura CCU (BCC)

Figura 5. Átomos intersticiales en la estructura CCCa (FCC)

 Los átomos o iones intersticiales, de tamaño mucho menor que los átomos o iones localizados en
los puntos de red, generan que la región cristalina circundante comprimida y distorsionada.
Con frecuencia, los átomos intersticiales, como el hidrógeno, se presentan como impurezas,
mientras que los átomos de carbono se adicionan de manera intencional al hierro con el fin de
producir el acero.
En concentraciones pequeñas, los átomos de carbono ocupan sitios intersticiales en la estructura
cristalina del hierro, introduciendo un esfuerzo alrededor de la región localizada del cristal.
La introducción de átomos intersticiales es una manera importante para incrementar la resistencia
de los materiales metálicos.
A diferencia de las vacancias, una vez introducidos, el número de átomos o iones intersticiales en la
estructura permanece casi constante, a pesar de que se modifique la temperatura.

Ejemplo 3.

En el hierro CCCa (FCC), los átomos de carbono intersticiales se localizan en los sitios octaédricos,
los cuales tienen lugar en el centro de cada arista de la celda unitaria (0, 0, 1/2) y en el centro de
dicha celda (1/2,1/2, 1/2).
En el hierro CCCu (BCC), los átomos de carbono intersticiales entran en sitios tetraédricos, como
(0, 1/2,1/4).
El parámetro de red es de 0.3571 nm en el caso del hierro CCCa (FCC) y de 0.2866 nm en el del
hierro CCCu (BCC)
Suponga que los átomos de carbono tienen un radio de 0.071 nm.
Se pide realizar los análisis para A y para B.
A) ¿Se debe esperar una mayor distorsión del cristal por un átomo de carbono intersticial en el
hierro CCCa o en el CCCu?
B) ¿Cuál sería el porcentaje atómico del carbono en cada tipo de estructura cristalina del hierro si
se llenaran todos los sitios intersticiales?

Solución:

Para poder analizar más fácilmente se tomará el plano (100) de cada estructura y en cada
estructura se colocaran los átomos de carbono intersticiales y sus coordenadas de posición, serán
para la estructura BCC (a) 0,1/2,1/4 y para la estructura FCC (b) 0,0, 1/2
a) Se puede calcular el tamaño del sitio intersticial en el hierro CCCu en la localización (0, 1/2,1/4)
con la ayuda de la fi gura 4a

Figura 4.

a) Localización de los sitios intersticiales tetraédricos en los metales CCCu (BCC)

b) Sitios intersticiales octaédricos en los metales CCCa (FCC)

c) Los centros de las aristas y los centros de los cubos son algunos de los sitios intersticiales en la
estructura CCCa.

El radio R CCCu del átomo de hierro se calcula como:

Para calcular el valor del radio intersticial de la estructura BCC, utilizamos Pitágoras en la
figura 4 (a)
Suma de los catetos al cuadrado = hipotenusa al cuadrado

En el caso del hierro FCC, los sitios intersticiales como él (0, 0, 1/2) se encuentran a lo largo de
las direcciones 〈001〉. Por lo tanto, el radio del átomo de hierro y el radio del sitio intersticial se
calculan utilizando la figura 4b:

El sitio intersticial en el hierro BCC es menor que en el hierro FCC.

Dado que ambos sitios intersticiales son menores que el átomo de carbono con r=0.12623 nm, al
ocupar este elemento este hueco o intersticio con r=0.0361 nm, distorsiona la estructura cristalina
FCC más que la estructura FCC.
En este caso, se espera que entren menos átomos de carbono en las posiciones intersticiales del
hierro BCC que en las posiciones intersticiales del hierro FCC.
En cada cara del hierro BCC existen 4 sitios intersticiales, de donde 6 caras x 4 sitios intersticiales
po cara, dan 24 sitios intersticiales que compartidos por 2 celdas unitarias, dando un total de 12
sitios intersticiales por celda unitaria.
En la cara del hierro FCC las 12 aristas del cubo son compartidas con otras 4 celdas unitarias,
dando un total de12 aristas x ¼ =3 sitios intersticiales y una otra posición intersticial, es el centro
del cubo que aporta un intersticio, dando un total de 4 sitios intersticiales por celda unitaria
1.4 DEFECTOS SUSTITUCIONALES
Se produce un defecto sustitucional cuando se reemplaza un átomo o un ion por un tipo distinto
de átomo o ion como en la figura ya vista, 1 d).
Los átomos o iones sustitucionales, que ocupan el sitio de red normal, pueden ser mayores o
menores que los átomos o iones normales de la estructura cristalina, en cuyo caso se reducen los
espaciados interatómicos circundantes, o se agrandan, lo que provoca que los átomos
circundantes tengan espaciados interatómicos mayores. En cualquier caso, los defectos
sustitucionales alteran al cristal circundante.
El defecto sustitucional puede introducirse como una impureza o como una adición en una
aleación de manera deliberada y, una vez introducidos, el número de defectos es relativamente
independiente de la temperatura.

Los ejemplos de defectos sustitucionales incluyen la incorporación de dopantes como el fósforo o

el boro en el Si.
De manera similar, si se adiciona cobre al níquel, los átomos de cobre ocuparán los sitios
sustitucionales donde, por lo general, estarían los átomos de níquel.
Con frecuencia, los átomos sustitucionales incrementan la resistencia del material metálico. Los
defectos sustitucionales también aparecen en los materiales cerámicos.
Que los átomos o iones entren en los sitios intersticiales o sustitucionales depende del tamaño y
la valencia de estos átomos o iones huéspedes en comparación con el tamaño y la valencia de los
iones anfitriones.
Como se explicó, el tamaño de los sitios disponibles también desempeña una función en este
fenómeno.

2. DISLOCACIONES

Las dislocaciones son imperfecciones lineales en un cristal que de otra manera sería perfecto. Por
lo general se introducen en el cristal durante la solidificación del material o cuando éste se
deforma de manera permanente. Aunque las dislocaciones se encuentran en todos los materiales,
entre ellos las cerámicas y los polímeros, son particularmente útiles para explicar la deformación y
el endurecimiento de los materiales metálicos.
Se pueden identificar tres tipos de dislocaciones:
• la dislocación helicoidal o de tornillo
• a dislocación de línea o de cuña o de borde
• la dislocación mixta.
2.1 Dislocaciones helicoidales o de tornillo

La dislocación helicoidal (fi gura 5)

Figura 5. El cristal perfecto a) se corta y se hace una ranura en un espaciado

atómico, b) y c). La línea a lo largo de la cual ocurre el corte es la dislocación helicoidal.

Se requiere un vector de Burgers b para completar una vuelta de espaciados atómicos

iguales alrededor de la dislocación helicoidal, puede ilustrarse si se corta parcialmente un cristal
perfecto y después se lo tuerce en un espaciado atómico. Si se realiza en un plano cristalográfico
con una revolución alrededor del eje sobre el cual se torció el cristal, comenzando en el punto x y
luego se recorren espaciados atómicos iguales en cada dirección en sentido de las manecillas del
reloj, se termina en el punto y un espaciado atómico debajo del punto inicial. Si no estuviera
presente una dislocación helicoidal, la vuelta se cerraría. El vector que se requiere para completar
la vuelta es el vector de Burgers b. Si se continúa la rotación, se trazaría una trayectoria en espiral.
El eje, o línea alrededor de la cual se traza esta trayectoria, es la dislocación helicoidal. El vector de
Burgers es paralelo a la dislocación helicoidal.

2.2 Dislocaciones de arista

Una dislocación de arista o cuña (fi gura 6)
Figura 6. El cristal perfecto en a) se corta y se inserta un medio plano adicional
de átomos b). La arista inferior del medio plano adicional es una dislocación de
arista c). Se requiere un vector de Burgers b para completar una vuelta de espaciados
atómicos iguales alrededor de la dislocación de arista.

Puede ilustrarse si se corta de manera parcial un cristal perfecto, se separa el cristal y se llena de
manera parcial el corte con un medio plano adicional de átomos. La arista inferior de este plano
insertado representa la dislocación de arista. Si se describe una vuelta en sentido de las manecillas
del reloj alrededor de la dislocación de arista, comenzando en el punto x y se recorre un número
igual de espaciados atómicos en cada dirección, se termina en el punto y a un espaciado atómico
del punto inicial. Si no estuviera presente la dislocación de arista, la vuelta se cerraría. El vector
que se requiere para completar la vuelta es, de nuevo, el vector de Burgers, en este caso,
perpendicular a la dislocación. Cuando se produce la dislocación, los átomos sobre la línea de ésta
se comprimen de manera estrecha, mientras que los átomos debajo de la dislocación se estiran
demasiado. La región circundante del cristal es perturbada por la presencia de la dislocación. Con
frecuencia se utiliza el símbolo “ ⊥ ” para indicar una dislocación de arista. El eje largo de los
puntos “⊥” apunta hacia el medio plano adicional. A diferencia de una dislocación de arista, una
dislocación helicoidal no puede visualizarse como un medio plano adicional de átomos.

2.3 Dislocaciones mixtas

Como se muestra en la fi gura 7

Figura 7. Dislocación mixta. La dislocación helicoidal en la cara frontal del cristal cambia
de manera gradual a una dislocación de arista en el lado del cristal.

Las dislocaciones mixtas tienen componentes de arista y helicoidal, con una región de transición
entre ellas. Sin embargo, el vector de Burgers sigue siendo el mismo para todas las porciones de la
dislocación mixta.

Esfuerzos
Cuando se explica el movimiento de las dislocaciones, es necesario referirse al concepto de
esfuerzo, el cual se cubrirá con detalle en el capítulo 6. Por ahora, es sufi ciente decir que el
esfuerzo es la fuerza por unidad de área y que se mide en unidades de lb/pulg2 conocidas
como psi (libras por pulgada cuadrada) o N/m2 conocidas como pascal (Pa). Se origina un esfuerzo
normal cuando la fuerza aplicada actúa perpendicular al área de interés. Se origina un esfuerzo
cortante cuando la fuerza actúa en una dirección paralela al área de interés.

Movimiento de la dislocación Considere la dislocación de arista que se muestra

en la fi gura 6. Al plano que contiene la línea de dislocación y al vector de Burgers se le conoce
como plano del deslizamiento. Cuando se aplica un esfuerzo cortante lo sufi cientemente grande
que opera paralelo al vector de Burgers a un cristal que contiene una dislocación, esta puede
moverse a través de un proceso conocido como deslizamiento. Los enlaces que atraviesan el plano
del deslizamiento entre los átomos de la columna a la derecha de la dislocación aparecen como
rotos. Los átomos de la columna a la derecha de la dislocación debajo del plano del deslizamiento
se desplazan ligeramente y establecen enlaces con los átomos de la dislocación de arista. De esta
manera, la dislocación se ha desplazado a la derecha figura 6. Si el proceso continúa, la dislocación
se mueve a través del cristal, hasta que produce un escalón en el exterior del cristal en dirección
del deslizamiento (la cual es paralela al vector de Burgers). (Observe que la combinación de
un plano de deslizamiento y una dirección del deslizamiento comprende un sistema de
deslizamiento.)

Deslizamiento
La figura 8, es un diagrama esquemático de una dislocación de arista sujeta a un esfuerzo cortante
que actúa en forma paralela al vector de Burgers y de manera perpendicular a la línea de
dislocación. En este dibujo, la dislocación de arista se está propagando en la dirección opuesta a la
dirección de la propagación). Una componente del esfuerzo cortante debe actuar en forma
paralela al vector de Burgers para que se mueva la dislocación. La línea de dislocación se mueve en
una dirección paralela al vector de Burgers. La fi gura 8 muestra una dislocación helicoidal, en cuyo
caso una componente del esfuerzo cortante debe actuar en forma paralela al vector de Burgers y
por lo tanto a la línea de dislocación) para que se mueva la dislocación. La dislocación se mueve en
una dirección perpendicular al vector de Burgers y el escalón del deslizamiento que se produce es
paralelo a éste. Dado que el mencionado vector de una dislocación helicoidal es paralelo a la línea
de la dislocación, la especificación del vector de Burgers y la línea de la dislocación no definen el
plano del deslizamiento de una dislocación helicoidal.
Durante el deslizamiento, una dislocación se mueve de un conjunto de entornos a un conjunto
idéntico de entornos. Se requiere el esfuerzo de Peierls-Nabarro (ecuación mostrada) para mover
la dislocación de una localización de equilibrio a otra.

𝑘𝑑
𝜏 = C exp (− )
𝑏

Figura 8 Esquema de la línea de dislocación, del plano de deslizamiento y del vector de

deslizamiento (Burgers) de a) una dislocación de arista y b) una dislocación helicoidal.

Por lo tanto, los planos de deslizamiento por lo general son planos compactos o
lo más compactos posible. En la tabla 1 se resumen los sistemas comunes de deslizamiento de
varios materiales.
Tabla 1. Planos y direcciones de deslizamiento en estructuras metálicas

Importancia de las dislocaciones

Las dislocaciones son de mayor importancia en los metales y aleaciones, dado que proporcionan
un mecanismo para la deformación plástica. La deformación plástica implica la deformación o
cambio irreversible de la forma en que se lleva a cabo cuando se elimina la fuerza o el esfuerzo
que la provocó.
La fuerza que se aplica provoca el movimiento de las dislocaciones y el efecto acumulado de los
deslizamientos de diversas dislocaciones provoca una deformación plástica.
Debe distinguirse la deformación plástica de la deformación elástica, la cual es un cambio
temporal de la forma que ocurre cuando se sigue aplicando una fuerza o un esfuerzo a un
material.
Cuando la deformación es elástica, el cambio de forma es resultado del estiramiento de los
enlaces interatómicos y no se lleva a cabo ningún movimiento de las dislocaciones.
El deslizamiento puede ocurrir en algunas cerámicas y polímeros; sin embargo, otros factores (por
ejemplo, la porosidad de las cerámicas, el desenredado de las cadenas de los polímeros, etc.)
dominan el comportamiento mecánico casi a temperatura ambiente de los polímeros y cerámicas.
Los materiales amorfos, como los vidrios de silicato, no poseen un arreglo periódico de iones y
por ello no presentan dislocaciones.
Por lo tanto, el proceso del deslizamiento es particularmente importante para comprender el
comportamiento mecánico de los metales.
Primero, el deslizamiento explica por qué la resistencia de los metales es mucho menor que el
valor pronosticado a partir del enlace metálico.
Si ocurre el deslizamiento, sólo se necesita romper una pequeña fracción de todos los enlaces
metálicos que atraviesan la interfase en cualquier momento y la fuerza que se requiere para
deformar el metal es pequeña.
Puede demostrarse que la resistencia real de los metales es de 103 a 104 veces menor que la
esperada a partir de la fuerza de los enlaces metálicos.
Segundo, el deslizamiento proporciona ductilidad a los metales. Si no se presentaran
dislocaciones, una barra de hierro sería quebradiza y el metal no podría moldearse por medio de
procesos de metalistería, como la forja, en formas útiles.
Tercero, las propiedades mecánicas de un metal o una aleación se controlan interfiriendo
el movimiento de las dislocaciones. La introducción de un obstáculo en el cristal se opone que
una fuerza mayor sea necesaria y para dislocación se deslice a menos. En consecuencia, la
presencia de dislocaciones ayuda a endurecer los materiales metálicos.
En los materiales se encuentran cantidades enormes de dislocaciones.
Se utiliza la densidad de las dislocaciones, o longitud total de dislocaciones por unidad de
volumen, para representar la cantidad de dislocaciones presentes. Las dislocaciones también
influyen en las propiedades electrónicas y ópticas de los materiales.
Por ejemplo, la resistencia del cobre puro aumenta a la par del incremento de la densidad de las
dislocaciones.
Se mencionó que la resistividad del cobre puro también depende, en gran medida, de pequeños
niveles de impurezas.
De manera similar, se prefiere el uso de cristales de silicio que sean en esencia libres de
dislocaciones dado que la ausencia de éstas permite que los portadores de carga, como los
electrones, se muevan de manera más libre a lo largo del sólido.
Por lo general, la presencia de dislocaciones tiene un efecto perjudicial en el desempeño de los
foto detectores, diodos, emisores de luz, láseres y celdas solares. Con frecuencia, estos
dispositivos se fabrican a partir de semiconductores compuestos como el arseniuro de galio-
arseniuro de aluminio (GaAs-AlAs), cuyas dislocaciones pueden originarse como producto de las
desigualdades entre las concentraciones en el fundido a partir del cual crecen los cristales o a que
se inducen esfuerzos, debido a los gradientes térmicos a los que se exponen estos materiales
durante el enfriamiento de la temperatura de crecimiento.

3. DEFECTOS SUPERFICIALES
Los defectos superficiales o planares incluyen límites entre dos regiones con iguales
estructuras cristalinas y con diferentes orientaciones cristalográficas, tales como:
• límites de grano
• Planos de maclas y maclas
FORMACIÓN DE GRANOS DURANTE LA SOLIDIFICACIÓN DEL METAL LIQUIDO

3.1LÍMITES DE GRANO
Son imperfecciones bidimensionales que separan los cristales (granos) de un material poli
cristalino en regiones, que tienen la misma estructura cristalina, pero con diferente
orientación cristalina.
Estos defectos detienen el movimiento de las dislocaciones, aumentando la resistencia
del material, pero disminuyendo su ductilidad.
En los metales, los límites de grano se originan durante la solidificación, cuando los
cristales formados desde diferentes núcleos crecen simultáneamente juntándose unos con
otros.
Son zonas con alto nivel energético, pero con bajo empaquetamiento atómico (falta de
apilamiento)
3.2 MACLAS
Es un defecto que generado por un plano que separa dos partes de un mismo grano,
quedando cada parte con una pequeña diferencia de orientación, formando imágenes
especulares con respecto al plano de macla. Las maclas se pueden formar durante la
deformación plástica o durante el tratamiento térmico.
MACLAS EN EL INTERIOR DE LOS GRANOS DE LA MICROESTRUCTURA DE UN ACERO
INOXIDABLE AISI 316

4. DEFECTOS TRIDIMENSIONALES O DE VOLUMEN

Los defectos tridimensionales o volumétricos, se forman cuando un grupo de átomos o de
defectos puntuales se unen para formar un vacío tridimensional (grieta o porosidad).
O un grupo de átomos de alguna impureza puede unirse para formar un precipitado
tridimensional (inclusiones).
Se muestra una foto de una varilla de hierro de construcción, que fallo cuando erra
doblada. Visualmente se observan defectos tridimensionales como: grietas e inclusiones

DEFECTOS DE POROSIDAD EN FUNDICIÓN

Se muestra la porosidad interna de una pieza fundida de aluminio
DEFECTOS DE POROSIDAD EN SOLDADURA. Se muestra porosidad al interior del cordón de
soldadura

MACROGRAFÍA DE UN CORDON DE SOLDADURA