Defectos puntuales en

materiales
Luis David Suarez Ubarnes,
 Contenido
1) Introducción
2) Defectos puntuales intrínsecos:
-Vacancias Atómicas
-Átomos Auto-interticiales
-Defectos Schottky
-Defectos Frenkel
-Defectos Anti-sitios
-Defectos Stone-Wales
-Defectos Stone-Thrower-Wales
-Defectos Stone-Thrower-Wales Inverso.
3) Defectos puntuales extrínsecos:

-Sustituciones Atómicas

-Átomos de Impurezas Intersticiales

1) Introducción
 ¿Qué son los defectos puntuales? - Son discontinuidades de la red que
involucran uno o quizá varios átomos.
2) Defectos puntuales intrínsecos
 Estos defectos tienen lugar en materiales “puros”, esta predisposición natural
se debe a factores termodinámicos y cinéticos.
 La introducción de los defectos incrementa la entropía del sólido, que a su
vez aumenta con la temperatura. Entonces, a una determinada temperatura
cualquier sólido tendrá un estado con una configuración mínima de defectos
puntuales.
 A medida que aumenta la temperatura habrá todavía más defectos, habiendo
la máxima cantidad posible en las cercanías del punto de fusión.
2.1) Vacancias Atomicas
 Se produce cuando faltan un átomo o ion en su sitio normal de la estructura
cristalina. Todos los materiales cristalinos tienen defecto de vacancia. 
 2.2) Átomos Auto-interticiales
 Un defecto interticial se produce cuando se inserta un átomo en una estructura
cristalina en una posición normalmente desocupada.
 Se refiere a Auto-interticial cuando un átomo idéntico a los de la red ocupa una
posición intersticial.
 2.3) Defecto Schottky
 Se produce cuando dos iones de carga
opuesta faltan en un cristal iónico, se crea
una divacante aniónica-catiónica que se
conoce como defecto de Schottky.
 Es un defecto exclusivo de los materiales
iónicos y suele encontrarse en muchos
materiales cerámicos.
2.4) Defecto Frenkel
 El defecto se forma cuando un átomo o ión más pequeño (usualmente un
catión) deja su lugar en la red, creando una vacante y se convierte en
intersticial alojándose en un lugar cercano.
2.5) Defecto Anti-sitio
 Se producen ocurre cuando dos átomos cambian de sitio, encontrándose en
posiciones contrarias a la del retículo cristalino original. Esto ocasiona que los
elementos constituyentes pueden no estar en su proporción química exacta.
 A continuación una representación grafica de este defecto
2.6) Defecto Stone - Wales
 Es un defecto que implica el cambio de conectividad de dos átomos
de carbono con enlaces π (enlaces covalentes particulares) , lo que lleva a su
rotación de 90 ° con respecto al punto medio de su enlace.
2.7) Defectos Stone-Thrower-Wales

 También denominado defecto pentágono-heptágono-heptágono-pentágono (5-

7-7-5) se forma al girar un enlace C-C en π/2, lo que transforma 4 hexágonos
en 2 pentágonos y 2 heptágonos
 Estos defectos ayudan a generar un desplazamiento fuera del plano junto con
una redistribución de la tensión alrededor de los bordes de la grieta que
puede utilizarse para mejorar la resistencia a la fractura del grafeno frágil.
2.8) Defectos Stone-Thrower-Wales
Inverso
 El defecto implica la reestructuración de tres anillos hexagonales dispuestos
en una fila.
 Todos los átomos de carbono siguen enlazados covalentemente con los tres
vecinos más cercanos y por lo tanto tienen electrones πz no enlazados fuera
del plano que dan al grafeno gran parte de su interesante carácter de
transporte de carga.
3) Defectos puntuales extrínsecos:
 A diferencia de los defectos puntuales intrínsecos, los extrínsecos ocurren por
la incorporación de impurezas.
 Sin embargo, cobran una singular importancia e interés cuando las impurezas
se adicionan intencionalmente en cantidades predeterminadas; hablamos del
dopado de materiales.
3.1) Sustituciones Atómicas
 Se produce cuando se sustituye un átomo de la estructura cristalina por otro.
3.2) Átomos de Impurezas Intersticiales

 Aquí los átomos de las impurezas llenan los vacíos o intersticios dentro del

material original. En la mayoría de los materiales metálicos el
empaquetamiento atómico es alto y los intersticios son pequeños.