Practica No.

2 Curva característica del Diodo*

Josué Daniel, Calanche, 201700796,1, ** Herbert Leonel, Pop Mendez,

201243540,1, *** and Kevin Saul, Monroy Chajon, 2014-449611, ****
1
Facultad de Ingeniería, Departamento de Física, Universidad de San Carlos,
Edificio T1, Ciudad Universitaria, Zona 12, Guatemala.
La práctica dos, consistió en determinar el factor de idealidad n y la curva característica de dos
tipos de diodos, estos son de germanio (Ge) y de silicio (Si). Los diodos son semicounductores
formados por una unión de dos materiales, llamados tipo n y p, donde a cada uno de estos se les
’inyectan’ pequeñas cantidades de otros elementos y que por física de enlaces nucleares establecen
la conducción de corriente; los diodos funcionan como compuertas de un solo sentido. En la práctica
se registraron en un tabla, varios valores de voltaje y corriente a través de los diodos en estudio y
la aplicación del modelo Shockley aproximó el comportamiento de nuestros diodos.

I. OBJETIVOS

A. Generales

• Determinar el factor de idealidad: n, de un un diodo

de Silicio y Germanio
Figura 1: (a) materia tipo n, (b) material tipo p. Porta-
dores mayoritarios y minoritarios.

B. Específicos

Polarización directa
* Determinar la curva característica del diodo de
Germanio Para que un diodo esté polarizado directamente, se de-
be conectar el polo positivo de la batería al ánodo del
diodo y el polo negativo al cátodo. El polo negativo de
* Determinar la curva característica del diodo de Si- la batería repele los electrones libres del cristal n, con lo
licio. que estos electrones se dirigen hacia la unión pn. El polo
positivo de la batería atrae a los electrones de valencia
del cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a
* Aprender a utilizar el modelo de Shockley del dio- los huecos hacia la unión p-n. Cuando la diferencia de
do, para encontrar la idealidad de un diodo. potencial entre los bornes de la batería es mayor que la
diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los
electrones libres del cristal n, adquieren la energía sufi-
ciente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales
II. MARCO TEÓRICO previamente se han desplazado hacia la unión p-n.

Los diodos constan de dos partes, una llamada N y

la otra llamada P, separados por una juntura llamada
barrera o unión. Esta barrera o unión es de 0.3 voltios en
el diodo de germanio y de 0.6 voltios aproximadamente
en el diodo de silicio.

* Laboratorios de Física
** Figura 2: (a) distribución interna de la carga en condicio-
josuecalanche@gmail.com
*** leonepop@hotmail.com nes de polarización en directa; (b) polarización directa y
**** e-mail: saul.mocha@gmail.com dirección de la corriente resultante.
 2

Polarización inversa T es la temperatura absoluta de la unión.

En este caso, el polo negativo de la batería se conecta k es la constante de Boltzmann.

a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace
aumentar la zona de carga espacial, y latensión en dicha n es el factor de idealidad, que esta en función del
zona hasta que se alcanza el valor de la tensión de la proceso de fabricación del diodo.
batería.

El polo positivo de la batería atrae a los electrones

libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se
introducen en el conductor dentro del cual se desplazan
hasta llegar a la batería.

A medida que los electrones libres abandonan la

zona n, los átomos pentavalentes que antes eran neutros,
al verse desprendidos de su electrón en el orbital de
conducción, adquieren estabilidad y una carga eléctrica
neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos.

Figura 4: Características del diodo semiconductor de si-

licio.
Figura 3: Unión p-n polarizada en inversa: (a) distribu-
ción interna de la carga en condiciones de polarización
en inversa; (b) polaridad de polarización en inversa y di- III. DISEÑO EXPERIMENTAL
rección de la corriente de saturación en inversa.
A. Materiales

Modelo de Shockley del diodo Fuente DC.

El modelo matemático más empleado en el estudio del 1 Diodo de Silicio (1N4004).

diodo es el de Shockley (en honor a William Bradford
Shockley) que permite aproximar el comportamiento del 1 Diodo de Germanio.
diodo en la mayoría de las aplicaciones. La ecuación que
liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial Potenciómetro de 10 KΩ.
es:
Protoboard.
qVd
I = Is (e nkT − 1) (1) Cables para protoboard.
Donde: 2 Multimetros.
I es la intensidad de la corriente que atraviesa el
diodo.
B. Magnitudes físicas a medir
Vd la diferencia de tensión entre sus extremos.
Is es la corriente de saturación. (10 pA). Voltaje en el Diodo

q es la carga del electrón. Corriente en el Diodo

 3

C. Procedimiento IV. RESULTADOS

1. Verificar que se tengan los materiales solicitados

para la práctica.
No.1 Volaje [V] ∆V Corriente[mA] ∆mA
1 0.366 0.004 0 0
2 0.390 0.004 0.001 0.00005
3 0.427 0.004 0.002 0.00006
4 0.449 0.004 0.003 0.00008
2. Armar el Circuito como se muestra en la Figura 2.5 5 0.460 0.004 0.004 0.00009
6 0.473 0.004 0.005 0.0001
7 0.484 0.004 0.006 0.0001
8 0.491 0.004 0.007 0.0001
9 0.500 0.005 0.008 0.0002
3. Encienda la fuente. 10 0.501 0.005 0.009 0.0002
11 0.502 0.005 0.01 0.0002
12 0.526 0.005 0.015 0.0003
13 0.541 0.005 0.02 0.0003
14 0.552 0.005 0.025 0.0004
15 0.559 0.005 0.03 0.0005
4. Variando el potenciometro tome medidas de voltaje 16 0.600 0.005 0.075 0.001
y corriente antes del voltaje de operación del diodo 17 0.630 0.005 0.155 0.002
y después de este (0.7 Si y 0.3 Ge). 18 0.650 0.005 0.272 0.004
19 0.683 0.005 0.699 0.01
20 0.686 0.005 0.753 0.01
21 0.738 0.006 4.1 0.09

Cuadro I: Datos experimentales del diodo de Germanio .

5. Repita el procedimiento remplazando el diodo con
un diodo de Germanio.

D. Diagrama del diseño experimental

Figura 6: Gráfica de voltaje versus corriente del diodo de

Gemanio

Figura 5: Esquema del sistema

n = 0.98092 ± 0.00065 (2)
 4

n = 0.8625 ± 0.002 (3)

Figura 9: Gráfica incerteza de factor de idealidad del Silicio

V. DISCUSIÓN DE RESULTADOS

Cuando hablamos acerca de los diodos tienen cierta

Figura 7: Gráfica incerteza de factor de idealidad del caída de voltaje, sin embargo en el cuadro I se logra
germanio ver los voltajes medido en el diodo de germanio y en el
cuadro II se logra ver los voltajes medidos en el diodo del
silicio los cuales son muy parecidos, a pesar que para el
diodo de silicio la caída de tension es de 0.6 V y para el
No. Voltaje [V] ∆V Corriente [mA] ∆mA
diodo de germanio 0.3 V. Esto nos deja ver cierto error
1 2.83 0.003 0 0
2 0,289 0.003 0.001 0.00005
que pudo haber ocurrido en la fabricación del diodo de
3 0,330 0.004 0,002 0.00006 germanio.
4 0,354 0.004 0,003 0.00008
5 0,364 0.004 0,004 0.00009 Cuando se habla acerca del factor de idealidad se
6 0,370 0.004 0,005 0.0001 habla acerca del proceso de frabricación del los diodos
7 0,376 0.004 0,006 0.0001 para el diodo de germanio podemos ver el factor de
8 0,380 0.004 0,007 0.0001 idealidad de 0.98 y para el diodo de silicio podemos
9 0,383 0.004 0.008 0.0002 ver el factor de idealidad de 0.8625 los cuales varían
10 0,391 0.004 0,010 0.0002 por mucho, tomando en cuenta que para la determi-
11 0,416 0.004 0,020 0.0003 nación del factor se utilizan los valore de voltajes ya
12 0,432 0.004 0,030 0.0005 mencionados en los cuadros I y II, que son muy pare-
13 0,452 0.004 0,050 0.0008 cidos por lo cual se esperaba un valor similar para ambos.
14 0,500 0.005 0,060 0.0009
15 0,550 0.005 0,496 0.007 En la figura 6 tenemos la gráfica de voltaje vrs
16 0,579 0.005 0,926 0.01 corriente del germanio y el la figura 8 tenemos la gráfica
17 0,6 0.005 1.422 0.05
de voltaje de voltaje vrs corriente del diodo de germanio,
18 0,619 0.005 2.1 0.06
ambas gráficas demuestran el voltaje donde la corriente
19 0,651 0.005 4.2 0.09
se eleva abruptamente teniendo un voltaje si miliar en
Cuadro II: Tabla 2: Datos experimentales del diodo de ambas, sin embargo sigue manteniendo el esquema que
Silicio . se esperaría según la figura 4 que es la gráfica ideal de
un diodo

VI. CONCLUSIONES

1. Se determino el factor de idealidad del diodo del

germanio usando la ecuación de Shockley ecuación
1, el cual de de 0.98092

2. Se determino el factor de idealidad del diodo del

silicio usando la ecuación de Shockley ecuación 1,
el cual de de 0.8625

3. Se determino la cuerva característica del diodo de

germanio siendo esta la figura 6,

figura 8:Gráfica de voltaje versus corriente del diodo de 4. Se determino la cuerva característica del diodo de
Silicio silicio siendo esta la figura 8.

[1] Grossman, S. (Segunda edición). (1987). Álgebra lineal.
México: Grupo Editorial Iberoamericana.
[2] Reckdahl, K. (Versión [3.0.1]). (2006). Using Imported
Graphics in LATEX and pdfLATEX.
[3] Nahvi, M., & Edminister, J. (Cuarta edición). (2003).
Schaum’s outline of Theory and problems of electric cir-
cuits. United States of America: McGraw-Hill.
[4] Haley, S.(Feb. 1983).The Thévenin Circuit Theorem and
5
VII. ANEXOS
Figura 9: Circuito que representa el sistema experimental
Figura 10: Circuito que representa el sistema experimental
Its Generalization to Linear Algebraic Systems. Education,
IEEE Transactions on, vol.26, no.1, pp.34-36.
[5] Anónimo. I-V Characteristic Curves [En linea][25 de
octubre de 2012]. Disponible en:
http://www.electronics-tutorials.ws/blog/
i-v-characteristic-curves.html