|Práctica 1: Laboratorio de Electrónica Analógica

Tema: El Diodo Semiconductor, Principio de

Funcionamiento

Carlos Eduardo Rivas Vásquez

1
Universidad de Cuenca, Cuenca, Azuay 010203, ECU

eduardo.rivas@ucenca.edu.ec

Resumen. La base del estudio de la electrónica analógica es conocer el fun-

cionamiento de un componente esencial como es el diodo semiconductor y
así entender cómo funcionan componentes electrónicos más sofisticados. El
objetivo general de esta práctica es comprender el principio de funciona-
miento del diodo semiconductor, para esto realizamos distintas mediciones
de parámetros eléctricos del diodo y las comparamos con los valores escri-
tos en la hoja técnica descrita por el fabricante. Los valores obtenidos ex-
perimentalmente los comparamos con otros valores obtenidos mediante un
software de simulación, llegando a obtener una curva característica muy
semejante; tanto en polarización directa como en polarización indirecta.

Keywords: diodo semiconductor, portadores libres, huecos.

1 Introducción

El estudio de los materiales semiconductores ha sido de suma importancia en el desa-

rrollo de componentes electrónicos y por lo tanto de la tecnología. En este documento
se presenta el sustento teórico y práctico acerca del principio de funcionamiento del
diodo semiconductor. Después de obtener las respectivas mediciones en la práctica se
logró interpolar los puntos obtenidos y representar la curva característica del funcio-
namiento del diodo, mediante un software de simulación se corroboró los resultados
obtenidos experimentalmente.
2

2 Marco Teórico

2.1 Materiales Semiconductores: Ge, Si, GaAs

Los semiconductores son elementos cuya conductividad se encuentra entre las pro-
piedades de un buen conductor y las de un aislante. Se pueden tener semiconductores
de un solo cristal como el germanio (Ge) y de silicio (Si), así como, semiconductores
formados de una un compuesto de diferentes estructuras atómicas, tales como: el ar-
seniuro de galio (GaAs), sulfuro de cadmio (CdS), el nitruro de galio (GaN) y el fos-
furo de galio y arsénico (GaAsP). [1]
Cuando los átomos de silicio se combinan para formar un sólido, lo hacen median-
te un arreglo ordenado denominado cristales. Estas combinaciones provocan que los
átomos compartan electrones, en el caso del silicio comparte cuatro átomos vecinos,
de tal forma que tiene ocho electrones en su orbital de valencia.

2.2 Enlaces covalentes y saturación de valencia

El enlace de átomos, reforzado por compartir electrones, se llama enlace covalente,
por ejemplo, un cristal de silicio o germanio, los cuatro electrones de valencia forman
un arreglo de enlace con cuatro átomos adyacentes. [2]

Fig. 1. Enlace covalente de átomos de silicio

Se considera una estabilidad química en el cristal de silicio cuando en la capa de va-

lencia se obtienen ocho electrones lo que da como resultado un cuerpo compacto de
material de silicio ya que no puede entrar ningún electrón más en dicho orbital o capa,
por lo que se puede considerar al cristal de silicio como un aislante a temperatura
ambiente adecuada (25°𝐶).
 3

2.3 Huecos
Cuando cualquier tipo de energía externa es aplicada a los cristales de silicio o ger-
manio, provoca que los electrones se desliguen del orbital de valencia, cuando esto
ocurre el electrón liberado puede llegar a un orbital de mayor nivel energético. Cuan-
do esto ocurre el electrón deja un vacío en el orbital de valencia que se denomina
hueco. El hueco atraerá a cualquier electrón que se encuentre en la vecindad inmedia-
ta, ya que se comporta como un ion positivo. Por este fenómeno se caracterizan los
semiconductores en comparación con los conductores. [2]

2.4 Semiconductores Intrínsecos

Un semiconductor intrínseco está conformado por átomos de un solo elemento. Por
ejemplo, un cristal de silicio es un semiconductor intrínseco si contiene en su estruc-
tura solo átomos de silicio. A temperatura ambiente se puede considerar al cristal de
silicio como un aislante porque tiene pocos electrones libres y huecos producidos por
efecto de la energía externa, en este caso es energía térmica. [2]

2.5 Semiconductores Extrínsecos

Para aumentar la conductividad de un semiconductor se requiere de un método de
dopaje, que consiste en añadir átomos de impurezas a un cristal intrínseco con el fin
de alterar su conductividad eléctrica. Un semiconductor dopado recibe el nombre de
semiconductor extrínseco.

• Semiconductor tipo n: Un semiconductor tipo n hace referencia a negativo ya que

existe un gran número de electrones libres y es mayor al número de huecos. A es-
tos electrones libres también se conocen como portadores mayoritarios y a los hue-
cos como portadores minoritarios. [1]
• Semiconductor tipo p: Un semiconductor tipo p hace referencia a positivo ya que
existe un gran número de huecos y son mayores al numero de electrones libres. De
igual manera en este caso los portadores mayoritarios serían los huecos y los por-
tadores minoritarios sería los electrones libres. [1]

2.6 Diodo Semiconductor

Como revisamos anteriormente se puede conseguir semiconductores dopados tipo p y
de tipo n, ahora bien, un diodo semiconductor no es más que la unión de estos dos
tipos (p-n) para obtener un dispositivo electrónico de estado sólido. El echo de unir
ambos tipos de material provoca un elevando gradiente de concentración de portado-
res libres en las proximidades de la región de agotamiento.[3]
4

Fig. 2. Estructura interna del diodo semiconductor

2.7 Polarización inversa (𝑽𝑫 < 𝟎 𝑽)

Si se aplica un potencial externo 𝑉 volts en las terminales del diodo semiconductor
con la condición de que la terminal positiva en el material tipo 𝑛 y la negativa en el
material tipo 𝑝. Lo que ocurre es un ensanchamiento de la barrera de potencial o re-
gión de agotamiento ya que, los portadores mayoritarios serán atraídos por el poten-
cial del voltaje aplicado, cumpliendo con la ley de cargas, que en este caso cargas de
distinto signo se atraen. [3]

Fig. 3. Polarización inversa del diodo semiconductor

La corriente en condiciones de polarización inversa se llama corriente de satura-

ción en inversa y está representada por 𝐼𝑠 . La corriente de saturación inversa se pre-
senta en una escala de nano amperios para diodos de silicio y micro amperios para
diodos de germanio.[2]
 5

2.8 Polarización directa (𝑽𝑫 > 𝟎 𝑽)

En polarización directa se establece conectando el terminal positivo de la fuente con

el terminal del material tipo p, y el terminal negativo con el material tipo n. En este
caso el potencial aplicado al diodo hará que los portadores libres de ambos materiales
presionen la barrera de potencial disminuyendo su tamaño, de igual forma se cumple
con la ley de cargas, en este caso cargas iguales se repelen. Dependiendo del potencial
aplicado hará que los electrones (tipo n) salten a los huecos (tipo p) provocando un
flujo intenso de portadores libres. [3]

Fig. 4. Polarización directa del diodo semiconductor

Una vez que el diodo empieza a conducir llega a un estado de estabilización por
más que se aumente el potencial la tensión en el diodo se mantendrá constante, sin
embargo la corriente através del diodo segirá creciendo. [1]
6

Fig. 5. Curva característica del comportamiento del diodo tanto en polarización inversa como
en polarización directa.

Para definir las características generales de un diodo semiconductor se pueden

definir mediante la ecuacion de Shockley, para las regiones polarizadas directa e
inversamente. [1]
𝐼𝐷 = 𝐼𝑠 (𝑒 𝑘𝑉𝐷 ⁄𝑇𝐾 − 1)
donde:
11600
• 𝑘: es la constante de Boltzman, 𝑘 = 𝑛 , con 𝑛 = 1 si se desea calcular en lazona
de rápido crecimiento y 𝑛 = 2 entes de alcanzar el voltaje de umbral.
• 𝐼𝑠 : es la corriente de saturación en inversa.
• 𝑉𝐷 : es el voltaje de polarización directa aplicado al diodo.
• 𝑇𝐾 : temperatura en grados kelvin °𝐾.
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3 Desarrollo de la Práctica

3.1 Materiales

• Fuente variable de corriente continua (CC).

• Protoboard
• Voltímetro CC
• Miliamperímetro
• Diodo 1N4148
• Resistencia 220 Ω
• Cables de conexión

3.2 Procedimiento
a) Completar los valores de la tabla 1, de acuerdo con las especificaciones de las
hojas características o data sheets del diodo semiconductor 1N4148

Tabla 1. Parámetros característicos del diodo 1N4148

DIODO 1N4148
𝑉𝐹 0.62-0.72V
𝐼𝐹 200 mA
𝐼𝑠 25 nA
𝑉𝑍 75V
b) Armar el circuito de la figura

Fig. 6. Circuito de polarización directa de un diodo semiconductor

 8

c) Variar el voltaje de la fuente de acuerdo con los valores sugeridos en la tabla 2.

Emplee el voltímetro y amperímetro en la escala adecuada y complete dicha ta-
bla.

Tabla 2. Mediciones de voltaje e intensidad en el circuito de polarización di-

recta

𝑉𝑠 (𝑉) 0.107 0.205 0.3 0.411 0.501 0.605 0.701 0.804 1.06 2.02 3.05 4.02 5.05

𝑉𝐷 (𝑉) 0.107 0.206 0.300 0.409 0.480 0.533 0.565 0.582 0.613 0.661 0.687 0.705 0.716

𝐼𝐷 (𝑚𝐴) 0 0.0002 0.0015 0.0162 0.0814 0.279 0.66 1 2.02 6.13 10.7 15 19.7

d) Armar el circuito de la figura 7. Realizar las mediciones correspondientes y com-

pletar la tabla 3. Para los valores sugeridos de 𝑉𝑠.

Fig. 7. Polarización inversa de un diodo semiconductor

Tabla 3. Valores medidos circuito de polarización inversa

𝑉𝑠 (𝑉) 1.07 2.03 3 4.05 5.04

𝑉𝐷 (𝑉) 1.078 2.02 2.99 4.05 5.04

𝐼𝐷 (𝑢𝐴) 0 0.01 0.01 0.01 0.01

e) Graficar la curva característica del diodo de acuerdo con los valores obtenidos en
las mediciones en los putos c y d.
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Polarización Directa
20
18
16
14
12
Id (mA)

10
8
6
4
2
0
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8
Vd (V)

Fig. 8. Curva característica del diodo en polarización directa

Polarización Inversa
1
0,9
0,8
0,7
0,6
Id (mA)

0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0
-0,9 0,1 1,1 2,1 3,1 4,1 5,1
Vd (V)

Fig. 9. Curva característica del diodo en polarización inversa

 10

f) Investigar y seleccionar un software de simulación para circuitos electrónicos.

Programas de simulación de circuitos electrónicos online: [4]

• DcACLAd
• EasyEDA
• DoCircuits
• TinaCloud
• 123D Circuits
Programas de simulación de circuitos electrónicos con licencia: [5]
• Multisim
• LiveWire and PCB Wizard
• Proteus
• Crocodile Technology 3D
• Microcap
En nuestro caso hemos elegido el programa LiveWire and PCB Wizard.

g) Replicar los puntos b), c) d) y obtener la curva característica del diodo semicon-
ductor mediante la herramienta de simulación seleccionada y realizar un breve tu-
torial de los pasos desarrollados.

Datos obtenidos a partir de la herramienta de simulación:

Polarización directa:

Tabla 4. Datos obtenidos en el simulador LiveWire con el diodo 1N4148 en polarización direc-
ta

𝑉𝑠 (𝑉) 0.090 0.225 0.315 0.405 0.501 0.540 0.654 0.767 0.9 2 3.25 4 5

𝑉𝐷 (𝑉) 0.090 0.225 315 0.404 0.496 0.525 0.574 0.600 0.621 0.732 0.833 0.895 0.96

𝐼𝐷 (𝑚𝐴) 0 0 0 0 0.021 0.064 0.359 0.756 1.26 5.76 10.98 14.13 18.34
 11

Polarización Directa
20

18

16

14

12
Id (mA)

10

0
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1
Vd (V)

Fig. 10. Curva característica del diodo en polarización directa con datos en LiveWire

Polarización inversa:

Table 5. Datos obtenidos en el simulador LiveWire con el diodo 1N4148 en polarización inver-
sa

𝑉𝑠 (𝑉) 1.07 2.03 3 4.05 5.04

𝑉𝐷 (𝑉) 1.07 2.03 3 4.05 5.04

𝐼𝐷 (𝑢𝐴) 0 0 0 0 0
12

Polarización Inversa
1
0,9
0,8
0,7
0,6
Id (mA)

0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0
0 1 2 3 4 5
Vd (V)

Fig. 11. . Curva característica del diodo en polarización inversa con datos en LiveWire

Tutorial de como simular en LiveWire:

Paso 1: Una vez iniciado el programa, damos clic en la opción de crear circuito. Nos
debe aparecer la interfaz gráfica de LiveWire.

Fig. 12. Interfaz gráfica de LiveWire

 13

Paso 2: Ahora creamos el circuito respectivo buscando los componentes en la gale-

ría. En nuestro caso buscamos la fuente en “Power Supplies” al igual que la refe-
rencia o tierra, la resistencia en “Passive Components” y el diodo en “Discrete Se-
miconductors”. Basta con hacer clic en los terminales para unir cada componente.
Paso3: Para modificar los valores hacemos doble clic sobre el componente y selec-
cionamos el valor requerido. Para seleccionar el modelo del diodo hacemos clic de-
recho sobre el símbolo y nos dirigimos a “Models” y seleccionamos el diodo
1N4148.

Fig. 13. Modelo de diodo 1N4148

Paso 4: Para obtener los instrumentos de medición, vamos a la galería y buscamos

la opción “Measuring”. Obtenemos el amperímetro y el voltímetro, para calibrar la
escala hacemos doble clic sobre el ícono del componente y colocamos cada instru-
mento en la posición adecuada.
Paso 5: Obtenemos los datos de corriente a través del diodo y tensión en sus ter-
minales.
14

Fig. 14. Diagrama del diodo en polarización directa en LiveWire con los instrumentos de medi-
ción.

Paso 6: Con el mismo procedimiento obtenemos los datos de corriente y tensión en

el diodo en polarización inversa.

Fig. 15. Diagrama del diodo en polarización inversa en LiveWire

4 Conclusiones

Al concluir con esta práctica se cumplió con el objetivo general que es entender el
principio de funcionamiento del diodo semiconductor, ya que experimentalmente
recolectamos datos, tanto en la práctica como utilizado el software de simulación, que
luego nos ayudaron a graficar la curva característica del diodo 1N4148 en polariza-
ción directa teniendo una tendencia exponencial, lo cual era de esperarse ya que la
ecuación de Shockley contiene un exponencial. En cuanto a la polarización inversa
del diodo, el instrumento de medición no contaba con la escala apropiada (nA), por tal
motivo no se puede apreciar la curva característica del diodo en polarización inversa.
Sin embargo las mediciones realizadas concuerdan con la hoja de características del
diodo.

Referencias

1. BOYLESTAD R, NASHELSKY L (2009) Electrónica : teoría de circuitos y

dispositivos electrónicos.
2. Malvino AP (1999) Principios de electrónica
3. Sanchis Esteban EJB El Diodo. El Diodo2 1:1–21
4. 5 programas para la simulación de circuitos electrónicos online.
https://www.fullaprendizaje.com/2016/09/5-programas-para-la-simulacion-
de-circuitos-electronicos-online..html
5. Simuladores para circuitos eléctricos y electrónicos