Laboratorio Diodos UN

Universidad Distrital Francisco José de Caldas – Facultad Tecnológica
Polarización del diodo

David Alejandro Ocampo Abril – cód. 20182573009 Jefferson Stiven Saenz – cód. 20182573021
Caren Daniela Villalba Beltrán – cód. 20191573029 Jineth Natalia Moreno Huertas – cód. 20191573148
Resumen. calculated circuit in order to understand the handling of

diodes in practical circuit assembly.
En el siguiente laboratorio se pretende estudiar con
herramientas vistas en clase el comportamiento de los diodos Keywords: multisim, thinkercad, diode, diode bridge,
en distintas configuraciones de circuitos, también se rectifier.
estudiara el uso del diodo como componente útil para el
I. INTRODUCCIÓN
diseño de rectificadores de media onda, onda completa y en
modo puente de diodos, también el comportamiento del Los diodos son componente semiconductores, útiles
mismo en conexión directa y inversa, para esto se usara en el diseño de circuitos debido a sus características
thinkercad como herramienta practica para el montaje de como rectificador y debido a que, en condiciones
circuitos en reemplazo a un laboratorio físico y multisim normales, permite el flujo de corriente solo en una
como herramienta útil para la simulación teórica del dirección, esto permite proteger un circuito en caso de
circuito, también se desarrollaran los cálculos que permitan una mala conexión o transformar una señal AC en DC
comparar el grado de error entre un montaje real y un de forma sencilla, en este laboratorio, por medio del
circuito calculado matemáticamente con el fin de entender el uso de algunos circuitos, se pretende entender el
manejo de los diodos en el montaje de circuitos prácticos. funcionamiento del mismo en serie, paralelo, en
conexión directa e inversa y como puente rectificador
Palabras clave: multisim, thinkercad, diodo, puente de
en circuitos AC.
diodos, rectificador.
Abstract.
II. OBJETIVOS
In the following laboratory it is intended to study with tools
seen in class the behavior of diodes in different circuit Objetivo General
configurations, the use of the diode as a useful component

Situar en práctica los conocimientos sobre diodos y
for the design of half-wave, full-wave rectifiers and in diode
resolución de circuitos para afrontar correctamente el
bridge mode will also be studied. , also the behavior of the
laboratorio propuesto por el docente y así complementar lo
same in direct and inverse connection, for this thinkercad
teórico con la práctica.
will be used as a practical tool for the assembly of circuits in
replacement of a physical laboratory and multisim as a Objetivos Específicos
useful tool for the theoretical simulation of the circuit, the
 Identificar y analizar las diferentes características
calculations will also be developed to compare the degree of
propias del comportamiento de un diodo convencional
error between a real assembly and a mathematically
de silicio o germanio en polarización directa.
 Identificar y analizar las diferentes características propias Un material de silicio tipo n se compone de átomos
del comportamiento de un diodo convencional de silicio o de silicio y átomos de impureza pentavalentes tales
germanio en polarización inversa. como el antimonio. Un átomo de impureza libera un
 Determinar y comprender la curva característica del electrón cuando se enlaza a cuatro átomos de silicio.
comportamiento del diodo; la relación voltaje VS Como sigue habiendo un número igual de protones y
corriente y establecer un punto de trabajo. electrones (incluidos los electrones libres) por todo el
 Elaborar y analizar circuitos con diodos y elementos material, no existe carga neta en el material y por lo
lineales en serie, paralelo y/o mixto. tanto es neutro.
 Verificar y operar las propiedades de circuitos con diodos

en ciertas condiciones. Si un trozo de silicio intrínseco es dopado de tal forma
 Identificar y analizar las características propias del diodo que una parte es tipo n y la otra parte tipo p, se forma
en diferentes aplicaciones para ciertos tipos de señal de una unión pn en el límite entre las dos regiones y se
voltaje crea un diodo, como se indica en la figura 1. La región
 Verificar el funcionamiento del diodo como rectificador p tiene muchos huecos (portadores mayoritarios) por
de voltaje los átomos de impureza y sólo unos cuantos electrones
 Diseñar y comprobar el funcionamiento de un puente de libres térmicamente generados (portadores
diodos como dispositivo rectificador minoritarios). La región n tiene muchos electrones

libres (portadores mayoritarios) por los átomos de
 Comparar los resultados obtenidos tanto teóricos vs
impureza y sólo unos cuantos huecos térmicamente
simulados y lograr las discusiones y conclusiones
generados (portadores minoritarios). [1] Pág 15
necesarias.
 Conocer y hacer uso adecuado de los diferentes softwares
para hallar los valores correspondientes solicitados en la
práctica,
III. MARCO TEORICO
a. El diodo.
Fig. 2: Estructura de diodo básica
Un material tipo p consta de átomos de silicio y átomos
de impureza trivalentes tales como el boro. El átomo de Formación de la región de empobrecimiento. Los
boro agrega un hueco cuando se enlaza con los átomos de electrones libres en la región n se mueven
silicio. Sin embargo, como el número de protones y el aleatoriamente en todas direcciones. En el instante en
número de electrones son iguales en todo el material, no que se forma la unión pn, los electrones libres que se
existe carga neta en el material y por lo tanto es neutro. encuentran cerca de la unión en la región n comienzan
a difundirse a través de la unión hacia la región p,
donde se combinan con los huecos que se encuentran

cerca de la unión, como se muestra en la figura 2.
Cuando se forma la unión pn, la región n pierde electrones

libres a medida que se difunden a través de la unión. Esto
crea una capa de cargas positivas (iones pentavalentes)
cerca de la unión. A medida que los electrones se mueven
a través de ésta, la región p pierde huecos a medida que
los electrones y huecos se combinan. Esto crea una capa
Fig. 2: Región de empobrecimiento y potencial de barrera
de cargas negativas (iones trivalentes) cerca de la unión.
Estas dos capas de cargas positivas y negativas forman la Potencial de barrera. En cualquier momento que
región de empobrecimiento. El término empobrecimiento exista una carga positiva y una carga negativa, una
se refiere al hecho de que la región cercana a la unión pn cerca de la otra, existe una fuerza que actúa en la
se queda sin portadores de carga (electrones y huecos) carga como lo describe la ley de Coulomb. En la
debido a la difusión a través de la unión. región de empobrecimiento existen muchas cargas
positivas y muchas cargas negativas en los lados
Después del aumento súbito inicial de electrones libres a
opuestos de la unión pn. Las fuerzas entre las cargas
través de la unión pn, la región de empobrecimiento se
opuestas forman un campo eléctrico, como se indica
expande hasta un punto donde se establece el equilibrio y
en la figura 2 mediante flechas entre las cargas
no hay más difusión de electrones a través de la unión.
positivas y las cargas negativas. Este campo eléctrico
Esto ocurre de la siguiente manera: conforme los
es una barrera para los electrones libres en la región n
electrones continúan difundiéndose a través de la unión,
y se debe consumir energía para mover un electrón a
más y más cargas positivas y negativas se crean cerca de
través del campo eléctrico; es decir, se debe aplicar
la unión a medida que se forma la región de
energía externa para hacer que los electrones se
empobrecimiento. Se llega a un punto donde la carga
muevan a través de la barrera del campo eléctrico en
negativa total en la región de empobrecimiento repele
la región de empobrecimiento.
cualquier difusión adicional de electrones (partículas
cargadas negativamente) hacia la región p (las cargas La diferencia de potencial del campo eléctrico a través
iguales se repelen) y la difusión se detiene. En otras de la región de empobrecimiento es la cantidad de
palabras, la región de empobrecimiento actúa como voltaje requerido para mover electrones a través del
barrera ante el movimiento continuado de electrones a campo eléctrico. Esta diferencia de potencial se llama
través de la unión.[2] pg 15-16 potencial de barrera y se expresa en volts. Expresado
de otra manera, se debe aplicar una cierta cantidad de
voltaje igual al potencial de barrera y con la polaridad
apropiada a través de una unión pn para que los
electrones comiencen a fluir a través de la unión.
El potencial de barrera de una unión pn depende de

varios factores, incluido el tipo de material
semiconductor, la cantidad de dopado y la temperatura. El

potencial de barrera típico es aproximadamente de 0.7 V
para el silicio y de 0.3 V para el germanio a 25°C. [3] pg
16
b. Polarización del diodo.

Fig. 3: Diodo en polarización directa
En general el término polarización se refiere al uso de un

Como las cargas iguales se repelen, el lado negativo
voltaje de cc para establecer ciertas condiciones de
de la fuente de voltaje de polarización “empuja” a los
operación para un dispositivo electrónico. En relación con
electrones libres, los cuales son los portadores
un diodo existen dos condiciones: en directa y en inversa.
mayoritarios en la región n, hacia la unión pn. Este
Cualquiera de estas condiciones de polarización se
flujo de electrones libre se llama corriente de
establece conectando un voltaje de cc suficiente y con la
electrones. El lado negativo de la fuente también
polaridad apropiada a través de la unión pn. [4] pg 17
genera un flujo continuo de electrones a través de la
Polarización en directa. Para polarizar un diodo se aplica conexión externa (conductor) y hacia la región n como
un voltaje de cc a través de él. Polarización en directa es la muestra la figura 4.
condición que permite la circulación de corriente a través

La fuente de voltaje de polarización proporciona
de la unión pn. La figura 3 muestra una fuente de voltaje
suficiente energía a los electrones libres para que
de cc conectada por un material conductor (contactos y
venzan el potencial de barrera de la región de
alambres) a través de un diodo en la dirección que
empobrecimiento y continúen moviéndose hacia la
produce polarización en directa. Este voltaje de
región p. Una vez que llegan a la región p, estos
polarización externo
electrones de conducción han perdido suficiente
V POLARIZACIÓN . El resistor limita la energía para combinarse de inmediato con los huecos
se expresa como
presentes en la banda de valencia.
corriente en condición de polarización en directa a un
valor que no dañe al diodo. Observe que el lado negativo Entonces, los electrones quedan en la banda de
de V POLARIZACIÓN está conectado a la región n del diodo y valencia de la región p simplemente porque perdieron
el lado positivo está conectado a la región p: éste es un demasiada energía al vencer el potencial de barrera y
requisito para que se dé la polarización en directa. Un permanecer en la banda de conducción. Como las
segundo requerimiento es que el voltaje de polarización, cargas diferentes se atraen, el lado positivo de la
fuente de voltaje de polarización atrae los electrones
V POLARIZACIÓN , debe ser más grande que el potencial de
de valencia hacia el extremo izquierdo de la región p.
barrera.
Los huecos en la región p proporcionan el medio o
“ruta” para que estos electrones de valencia se
desplacen hacia la región p. Los electrones de
valencia se desplazan de un hueco al siguiente hacia la
izquierda. Los huecos, que son portadores mayoritarios en hace que la región de empobrecimiento se estrecha,
la región p, efectivamente (no en realidad) se desplazan a como muestra la figura 5. [6] pg 19
la derecha hacia la unión, como ilustra la figura 4. Este
flujo efectivo de huecos es la corriente de huecos.
También se ve que el flujo de electrones de valencia a
través de la región p crea la corriente de huecos y los
huecos son el único medio para que estos electrones
fluyan. (a) Diodo en equilibrio (sin polarización)
(b) Diodo en polarización directa

Fig. 4: Flujo de electrones en un diodo en polarización directa
Fig. 5: Flujo de electrones en un diodo en polarización

A medida que los electrones salen de la región p a través
directa
de la conexión externa (conductor) en dirección al lado
positivo de la fuente de voltaje de polarización, dejan Efecto del potencial de barrera durante la
huecos en la región p; al mismo tiempo, estos electrones polarización en directa. Cuando se aplica
se convierten en electrones de conducción en el conductor polarización en directa, los electrones libres reciben
metálico. La banda de conducción de un conductor se suficiente energía de la fuente de voltaje de
traslapa con la banda de valencia de modo que se requiere polarización para vencer el potencial de barrera y
mucho menos energía para que un electrón seda un “escalar la colina de energía”, atravesando así la
electrón libre en un conductor que en un semiconductor. región de empobrecimiento. La energía que requieren
Existe disponibilidad continua de huecos que los electrones para pasar a través de la región de
efectivamente se mueven hacia la unión pn para empobrecimiento es igual al potencial de barrera. En
combinarse con la corriente continua de electrones cuando otras palabras, los electrones ceden una cantidad de
atraviesan la unión pn hacia la unión p. [5] pg 18-19 energía equivalente al potencial de barrera cuando
atraviesan la región de empobrecimiento. Esta pérdida
Efecto de la polarización en directa en la región de
de energía produce una caída de voltaje a través de la
empobrecimiento. A medida que fluyen más electrones
unión pn igual al potencial de barrera (0.7 V). Ocurre
hacia la región de empobrecimiento, el número de iones se
una caída de voltaje adicional a través de las regiones
reduce. Conforme más huecos fluyen hacia la región de
p y n debido a la resistencia interna del material. En el
empobrecimiento del otro lado de la unión pn, el número
caso de un material semiconductor dopado, esta
de iones negativos se reduce. Esta reducción de iones
resistencia, llamada resistencia dinámica, es muy
positivos y negativos durante la polarización en directa
pequeña y casi siempre se puede despreciar. [7] pg 19
Polarización en inversa. La polarización en inversa es la En la región p, los electrones procedentes del lado
condición que en esencia evita la circulación de corriente negativo de la fuente de voltaje entran como
a través del diodo. La figura 6 muestra una fuente de electrones de valencia y se desplazan de hueco en
voltaje de cc conectada a través de un diodo en la hueco hacia la región de empobrecimiento, donde
dirección que produce polarización en inversa. Este crean iones negativos adicionales. Esto ensancha la
voltaje de polarización externo se designa como región de empobrecimiento y agota los portadores
V POLARIZACIÓN , como en el caso de polarización en mayoritarios. El flujo de electrones de valencia puede

ser considerado como huecos que están siendo
directa. El lado positivo de V POLARIZACIÓN está conectado
“jalados” hacia el lado positivo.
a la región n del diodo y el lado negativo está conectado a
la región p. Y la región de empobrecimiento se muestra El flujo inicial de portadores de carga es transitorio y
mucho más ancha que la condición de polarización en subsiste sólo durante un lapso muy poco después de
directa o equilibrio. que se aplica el voltaje de polarización en inversa.
Conforme la región de empobrecimiento se ensancha,
la disponibilidad de portadores mayoritarios se
reduce. A medida que más regiones n y p se quedan
sin portadores mayoritarios, la intensidad del campo
eléctrico entre los iones positivos y negativos se
incrementa hasta que el potencial a través de la región
de empobrecimiento es igual al voltaje de
Fig. 6: Diodo en polarización inversa polarización, V POLARIZACIÓN . En ese momento, la
corriente de transición en esencia cesa, excepto por
La figura 7 ilustra lo que sucede cuando un diodo se
una muy pequeña corriente en inversa que casi
polariza en inversa. Como las cargas diferentes se atraen,
siempre se puede despreciar. [8] pg 19-20
el lado positivo de la fuente de voltaje de polarización
“jala” los electrones libres, los cuales son los portadores Corriente en inversa. La corriente extremadamente
mayoritarios en la región n, lejos de la unión pn. A medida pequeña que existe en la condición de polarización en
que los electrones fluyen hacia el lado positivo de la inversa después de que la corriente de transición se
fuente de voltaje, se crean iones positivos adicionales. disipa es provocada por los portadores minoritarios en
Esto produce el ensanchamiento de la región de las regiones n y p producidos por pares de electrón-
empobrecimiento y el consecuente empobrecimiento de hueco generados térmicamente. El pequeño número
los portadores mayoritarios. de electrones minoritarios libres en la región p son
“empujados” hacia la unión pn por el voltaje de
polarización negativo. Cuando estos electrones llegan
a la región de empobrecimiento ancha, “descienden la
colina de energía”, se combinan con huecos
Fig. 7: Diodo en polarización inversa minoritarios presentes en la región n como electrones

de valencia, fluyen hacia el voltaje de polarización La multiplicación de los electrones de conducción

positivo y se crea una pequeña corriente de huecos. recién descrita se conoce como efecto avalancha y la
corriente en inversa puede incrementarse
La banda de conducción de la región p está a un nivel de
dramáticamente si no se toman las medidas
energía mucho más alto que la banda de conducción en la
pertinentes para limitar la corriente. Cuando no se
región n. Así pues, los portadores minoritarios pasan con
limita la corriente en inversa, el calentamiento
facilidad a través de la región de empobrecimiento porque
resultante daña permanentemente el diodo. La
no requieren energía adicional. La corriente en inversa se
mayoría de los diodos no son operados en condición
ilustra en la figura 8. [9] pg 20
de ruptura en inversa, pero si se limita la corriente
(por ejemplo, mediante la adición de un resistor
limitador en serie), el diodo no sufre daños
permanentes. [10] pg 20-21
c. Característica de voltaje-corriente de un diodo

Fig. 8: Corriente de un diodo en polarización inversa
La polarización en directa produce corriente a través
Ruptura en inversa Normalmente, la corriente en inversa de un diodo y la polarización en inversa evita una
es tan pequeña que se puede despreciar. No obstante, si el circulación de corriente, excepto por una corriente en
voltaje de polarización en inversa externo se incrementa a inversa despreciable. La polarización en inversa
un valor llamado voltaje de ruptura, la corriente en inversa impide, en esencia, la circulación de corriente en tanto
se incrementará drásticamente. el voltaje de polarización en inversa no sea igual o

exceda el voltaje de ruptura de la unión. [11] pg 21
Esto es lo que sucede. El alto voltaje de polarización en
inversa proporciona energía a los electrones minoritarios, Característica V-I en condición de polarización en
así que a medida que adquieren velocidad a través de la directa. Cuando se aplica un voltaje de polarización
región p chocan con átomos con suficiente energía para en directa a través de un diodo se produce corriente.
sacar a los electrones de valencia de su órbita para Esta corriente se conoce como corriente de
enviarlos hacia la banda de conducción. Los electrones de polarización en directa y se expresa como If . La
conducción recién creados también contienen mucha figura 9 ilustra lo que sucede a medida que el voltaje
energía y repiten el proceso. Si un electrón expulsa a sólo de polarización en directa se incrementa
otros dos electrones de su órbita de valencia durante su positivamente desde 0 V. Se utiliza el resistor para
recorrido a través de la región p, los números se limitar la corriente de polarización en directa a un
multiplican con rapidez. valor que no sobrecaliente el diodo y no provoque
daños.
A medida que estos electrones de alta energía pasan a
través de la región de empobrecimiento, su energía es
suficiente para atravesar la región n como electrones de
conducción en lugar de combinarse con huecos.
pequeño incremento en el voltaje del diodo por

encima del potencial de barrera se debe a la caída de
voltaje a través de la resistencia dinámica interna del
material semiconductor. [12] pg 22
Trazo de la curva V-I Si se grafican los resultados del

tipo de mediciones mostradas en la figura 9 en una
gráfica, se obtiene la curva de característica V-I para
(a) Vpolarización < 0.7V, corriente muy pequeña un diodo polarizado en directa, como se muestra en la
figura 10. El voltaje de polarización en directa del
diodo (VF) se incrementa hacia la derecha a lo largo
del eje horizontal y la corriente de polarización en
directa (IF) se incrementa hacia arriba a lo largo del
eje vertical.
Como se puede ver en la figura 10, la corriente de

polarización en directa se incrementa muy poco hasta
que el voltaje de polarización en directa a través de la
(b) Vpolarización > 0.7V, corriente proporcional al voltaje de
polarización unión pn alcanza aproximadamente 0.7 V en la
inflexión de la curva. Después de este punto, el voltaje
Fig. 9: Relación de V y I en polarización directa de polarización en directa permanece en
aproximadamente 0.7 V, pero IF se incrementa con
Con 0 V a través del diodo, no se produce corriente de rapidez. Como se mencionó, VF se incrementa un
polarización en directa. A medida que se incrementa poco por encima de 0.7 a medida que la corriente
gradualmente el voltaje de polarización en directa, la aumenta, debido principalmente a la caída de voltaje a
corriente de polarización y el voltaje a través del diodo se través de la resistencia dinámica. La escala IF por lo
incrementan gradualmente, como se muestra en la figura general está en mA, como se indica.
9(a). Una parte del voltaje de polarización en directa
decae a través del resistor limitador. Cuando el voltaje de En la figura 10 se muestran tres puntos A, B, y C
polarización en directa se incrementa a un valor en el que sobre la curva. El punto A corresponde a una
el voltaje a través del diodo alcanza aproximadamente 0.7 condición de polarización cero. El B corresponde a la
V (potencial de barrera), la corriente de polarización en figura 9 (a) donde el voltaje de polarización en directa
directa comienza a incrementarse con rapidez, como es menor que el potencial de barrera de 0.7 V. El C
muestra la figura 9(b). corresponde a la figura 9 (a) donde el voltaje de

polarización en directa es aproximadamente igual al
Conforme el voltaje de polarización en directa se potencial de barrera. A medida que el voltaje de
incrementa, la corriente continúa incrementándose muy polarización externa y la corriente de polarización en
rápidamente, aunque el voltaje a través del diodo se directa continúan incrementándose por encima de la
incrementa sólo gradualmente por encima de 0.7 V. Este inflexión de la curva, el voltaje de polarización en
directa se incrementará un poco por encima de 0.7 V. En corriente en inversa (IR) se incrementa hacia abajo a
realidad, el voltaje de polarización en directa puede ser lo largo del eje vertical.
aproximadamente como de 1 V, según la corriente de
Existe muy poca corriente en inversa (casi siempre
polarización en directa. [13] pg 22-23
mAo nA) hasta que el voltaje en inversa a través del
diodo alcanza aproximadamente el valor de ruptura
(VBR) en la inflexión de la curva. Después de este
punto, el voltaje en inversa permanece a
aproximadamente VBR, pero IR se incrementa muy
rápido y el resultado es un sobrecalentamiento y
posibles daños si la corriente no se limita a un nivel
seguro. El voltaje de ruptura para un diodo depende
Fig. 10: Relación de voltaje y corriente en un diodo
polarizado en directa. del nivel de dopado, establecido por el fabricante,
según el tipo de diodo. [15] pg 23
Característica V-I para polarización en inversa. Cuando
se aplica un voltaje de polarización en inversa a través de
un diodo, existe sólo una corriente en inversa
extremadamente pequeña (IR) a través de la unión pn.
Con 0 V a través del diodo, no existe corriente en inversa.
A medida que se incrementa gradualmente el voltaje de
polarización en inversa, existe una corriente en inversa
muy pequeña y el voltaje a través del diodo se incrementa.
Fig. 11: Relación de voltaje y corriente en un diodo
Cuando el voltaje de polarización aplicado se incrementa polarizado en inverso.
a un valor en el que el voltaje en inversa a través del diodo

La curva de característica V-I. Si combinara las
(VR) alcanza el valor de ruptura (VBR), la corriente en
curvas tanto de polarización en directa como de
inversa comienza a incrementarse con rapidez.
polarización en inversa, obtendría la curva de
A medida que continúa incrementándose el voltaje de característica V-I de un diodo, como la que muestra la
polarización, la corriente continúa incrementándose muy figura 12. [16] pg 24
rápido, pero el voltaje a través del diodo se incrementa
muy poco por encima de VBR. La ruptura, con
excepciones, no es un modo normal de operación de la
mayoría de los dispositivos con unión pn. [14] pg 23
Trazo de la curva V-I. Si se marcan los resultados de

mediciones de polarización en inversa en una gráfica, se
obtiene la curva de característica V-I de un diodo
polarizado en inversa. La figura 11 muestra una curva
típica. El voltaje en inversa en el diodo (VR) se
incrementa a la izquierda a lo largo del eje horizontal y la
Fig. 11: Relación de voltaje y corriente en un diodo DVD, computadoras, controladores industriales y la
mayoría de los sistemas y equipos de instrumentación
d. Simbolo del diodo de laboratorio. El nivel de voltaje de cd requerido
Existen varios tipos de diodos, pero el símbolo depende de la aplicación, aunque la mayoría de las
esquemático para un diodo rectificador o para propósitos aplicaciones requieren voltajes relativamente bajos.
generales se muestra en la figura 12. La región n se llama

cátodo y la región p ánodo. La “flecha” en el símbolo La figura 13 (a) muestra un diagrama de bloques
apunta en la dirección de la corriente convencional básico de la fuente de alimentación completa. En
(opuesta al flujode electrones). [17] pg 25 general, el voltaje de línea de entrada de ca se reduce

a un voltaje de ca más bajo con un transformador
(aunque puede ser elevado cuando se requieren
voltajes más altos o, en casos raros, puede no haber un
Fig. 12: Símbolo del diodo transformador en absoluto). Un transformador cambia
voltajes de ca con base en la relación de vueltas entre
el primario y el secundario. Si éste tiene más vueltas
e. Rectificadores que el primario, el voltaje de salida a través del
secundario será más alto y la corriente será más
Por su capacidad para conducir corriente en una dirección
pequeña. Si el secundario tiene menos vueltas que el
y bloquearla en la otra, se utilizan diodos en circuitos
primario, el voltaje de salida a través del secundario
llamados rectificadores que convierten voltaje de ca en
será más bajo y la corriente será más alta. El
voltaje de cd. Se encuentran rectificadores en todas las
rectificador puede ser de media onda o de onda
fuentes de alimentación de cd que operan con una fuente
completa. El rectificador convierte el voltaje de
de voltaje de ca. Una fuente de alimentación es parte
entrada de ca en un voltaje de cd pulsante, llamado
esencial de todo sistema electrónico, desde el más simple
voltaje rectificado de media onda, como muestra la
hasta el más complejo.
figura 13(b). El filtro elimina los rizos de voltaje en el
rectificador y produce un voltaje de cd relativamente
La fuente de alimentación de cd básica
uniforme. El regulador es un circuito que mantiene un
Todos los dispositivos electrónicos activos requieren una
voltaje de cd constante frente a las variaciones del
fuente de cd constante que provenga de una batería o una
voltaje de línea de entrada o de la carga. Los
fuente de alimentación de cd. La fuente de alimentación
reguladores varían desde un dispositivo de un solo
de cd convierte el voltaje de ca estándar de 120 V, 60 Hz
semiconductor hasta circuitos integrados más
disponible en las tomas de corriente de pared en un voltaje
complejos. La carga es un circuito o dispositivo
cd constante. La fuente de alimentación de cd es uno de
conectado a la salida de la fuente de alimentación y
los circuitos más comunes, por lo que es importante
opera con el voltaje y la corriente de la fuente de
entender cómo funciona. Se utiliza el voltaje producido
alimentación.
para alimentar todo tipo de circuito electrónico,
incluyendo aparatos electrónicos tales como televisiones,
reproductores de
corriente, por lo que el voltaje a través del resistor de

carga es de 0 V, como lo muestra la figura 14(b). El
resultado neto es que sólo los semiciclos positivos del
voltaje de entrada de ca aparecen a través de la carga.
Como la salida no cambia de polaridad, es un voltaje
de cd pulsante con una frecuencia de 60 Hz, como se
muestra en la parte (c).
(a) Fuente de alimentación completa con transformador, rectificador,

filtro y regulador.
(a) Durante la alternancia positiva del voltaje de entrada a 60

Hz, el voltaje de salida se ve como la mitad positiva del
voltaje de entrada. La trayectoria de la corriente es a
través de tierra de regreso a la fuente.
(b) Rectificador de media onda
Fig. 13: Diagrama de bloques de una fuente de alimentación

de cd con una carga y un rectificador.
(b) Durante la alternancia negativa del voltaje de entrada, la

corriente es 0, de modo que el voltaje de salida también es
0.
El rectificador de media onda

La figura 14 ilustra el proceso llamado rectificación de
media onda. Se conecta un diodo a una fuente de ca y a un
resistor de carga, RL, para forma un rectificador de media
onda. Tenga en cuenta que todos los símbolos de tierra
(c) Voltaje de salida a 60 Hz durante tres ciclos de entrada
representan el mismo punto en términos de electricidad.
Cuando el voltaje senoidal de entrada (V ent ) se hace Fig. 14: Operación de un rectificador de media
onda. El diodo se considera ideal.
positivo, el diodo está polarizado en directo y conduce
corriente a través del resistor de carga, como se muestra Valor promedio del voltaje de salida de media onda
en la parte (a). La corriente produce un voltaje de salida a
través de la carga RL, cuya forma es igual a la forma del El valor promedio del voltaje de salida rectificado de
semiciclo positivo del voltaje de entrada. media onda es el valor que se mediría con un
Cuando el voltaje de entrada se vuelve negativo durante el voltímetro de cd. Matemáticamente, se determina
segundo semiciclo, el diodo se polariza en inverso. No hay calculando el área bajo la curva correspondiente a un
ciclo completo, como ilustra la figura 15, y luego

dividiendo entre 2π, el número de radianes de un ciclo
completo. El resultado se expresa en la siguiente ecuación:
[18] Pág. (46-48)
V Vp
prom=
π
Donde:
Fig. 18: El PIV ocurre en el pico de cada semiciclo
V p=Voltaje Pico
del voltaje de entrada cuando el diodo está
polarizado en inversa. En este circuito, el PIV
ocurre en el pico de cada semiciclo negativo.
El rectificador de onda completa
Aunque los rectificadores de media onda tienen

algunas aplicaciones, los de onda completa son los más
utilizados en fuentes de alimentación de cd.
Fig. 15: Valor promedio de la señal rectificada de media onda.
Un rectificador de onda completa permite corriente

Voltaje de pico inverso (PIV) unidireccional (en un sentido) a través de la carga
durante los 360° del ciclo de entrada, mientras que un
El voltaje de pico inverso (PIV) es igual al valor pico del
rectificador de media onda permite corriente a través
voltaje de entrada y el diodo debe ser capaz de soportar
de la carga sólo durante la mitad del ciclo. El resultado
esta cantidad de voltaje en inversa repetitivo. Para el diodo
de la rectificación de onda completa es un voltaje de
de la figura 16, el valor máximo del voltaje en inversa,
salida con una frecuencia del doble de la frecuencia de
designado como PIV, ocurre al valor pico de cada
entrada y que pulsa cada semiciclo de la entrada, como
alternación negativa del voltaje de entrada, cuando el diodo
lo muestra la figura 18.
está polarizado en inversa. La capacidad de un diodo
deberá ser por lo menos 20% más alta que el PIV. [19] pág.
50.
PIV =V P (ent )
Fig. 19: Rectificación de onda completa.
El número de alternaciones positivas que conforman el

voltaje rectificado de onda completa es dos veces el del
voltaje de media onda durante el mismo intervalo. El valor
promedio (medido con un voltímetro de cd) de un voltaje
senoidal rectificado de onda completa es dos veces el de media

onda, como se muestra en la siguiente fórmula: [20] Pág. 52.
V 2V p
prom=
π
Rectificador de puente de onda completa
El rectificador de puente utiliza cuatro diodos conectados

como ilustra la figura 20. Cuando el ciclo de entrada es (b) Durante el semiciclo negativo de la entrada D3 y D4 están
polarizados en directa y conducen corriente, D1 y D2 están
positivo como en la parte (a), los diodos D1 y D2 están
polarizados en inverso.
polarizados en directa y conducen corriente en la dirección
mostrada. Se desarrolla un voltaje a través de RL parecido al Fig. 20: Operación de un rectificador de puente.
semiciclo positivo de entrada. Durante este tiempo, los diodos
D3 y D4 están polarizado en inverso. Voltaje de salida del puente
En la figura 21(a) se muestra un rectificador de puente con
Cuando el semiciclo de entrada es negativo como en la figura una entrada acoplada por transformador. Durante el
20(b), los diodos D3 y D4 están polarizados en directa y semiciclo positivo del voltaje total del secundario, los
conducen corriente en la misma dirección a través de RL que diodos D1 y D2 están polarizados en inversa. Si se omiten
durante el semiciclo positivo. Durante el semiciclo negativo, las caídas en los diodos, a través del resistor de carga
D1 y D2 están polarizados en inversa. A consecuencia de esta aparece el voltaje del secundario. Lo mismo es cierto
acción a través de RL aparece un voltaje de salida rectificado cuando D3 y D4 están polarizados en inversa durante el
de onda completa. semiciclo negativo.
V p ( sal )=V p ( sec }
Como se puede ver en la figura 21(b), dos diodos siempre

están en serie con el resistor de carga, tanto durante los
semiciclos positivos como durante los semiciclos
negativos. Si estas caídas de diodo se toman en cuenta, el
voltaje de salida es:
(a) Durante el semiciclo positivo de la entrada, D1 y D2 están
polarizados en directa y conducen corriente. D3 y D4 están
polarizados en inversa. V p ( sal )=V p ( sec }=−1.4 V
derivación central. Si se omite la caída de diodo, el

rectificador de puente requiere diodos con la mitad del
voltaje de pico inverso nominal de aquellos en un
rectificador con derivación central para el mismo
voltaje de salida. [21] Pág. (56-58)
(a) Diodos ideales
(b) Diodos prácticos (incluidas las caídas de los diodos)
Fig. 21: Operación de un puente durante el semiciclo

negativo del primario y voltajes secundarios. (a) Para el modelo ideal del diodo (los diodos D1 y D2
polarizados en directa se muestran en negro) PIV = Vp(sal).
Voltaje de pico inverso Suponga que D1 y D2 están
polarizados en directa y examine el voltaje en inversa a
través de D3 y D4. Si D1 y D2 se visualizan como cortos
(modelo ideal), como en la figura 22(a), se puede ver que
D3 y D4 tienen un voltaje de pico inverso igual al voltaje
del secundario pico. Como el voltaje de salida es
idealmente igual al voltaje secundario
PIV =V p (sal } (b) Para el modelo práctico de diodo (los diodos D1 y D2

polarizados en directa se muestran en negro), PIV = Vp(sal) +
0.7 V.
Si las caídas de los diodos polarizados en directa se

incluyen como muestra la figura 22(b), el voltaje de pico Fig. 22: Voltajes de pico inversos a través de los diodos D3 y
D4 en un rectificador de puente durante el semiciclo positivo
inverso a través de cada diodo polarizado en inversa en del voltaje secundario.
función de Vp (sal) es:
PIV =V p (sal } +0.7 V
f. Leyes Importantes
El voltaje de pico inverso nominal de los diodos de puente

Ley de Ohm: La ley de Ohm establece que la
es menor que el requerido para la configuración con
corriente es directamente proporcional al voltaje e
inversamente proporcional a la resistencia. Los circuitos Con la primera ecuación, se puede calcular el voltaje
mostrados en las figuras ilustran la ley de Ohm, dada por cuando se conocen los valores de corriente y
la fórmula siguiente: resistencia. Con la segunda ecuación, se puede
calcular la resistencia si se conocen los valores de
V
I= voltaje y corriente. [9] [18]
R
Dónde:
Ley de voltaje de Kirchhoff: En un circuito eléctrico,
I = corriente en amperes (A) los voltajes de un lado a otro de los resistores (caídas
V = voltaje en volts (V)
R = resistencia en ohms (Ω) de voltaje) siempre tienen polaridades opuestas a la
polaridad del voltaje de fuente. Por ejemplo, en la
figura, recorra el circuito en el sentido de las
manecillas del reloj. Observe que la polaridad de la
fuente es de menos a más, y que cada caída de voltaje
es de más a menos. Las caídas de voltaje de uno a otro
lado de los resistores están señaladas mediante V1,
Menos V, menos I. Más V, más I.
V2, y así sucesivamente. En la figura 6, la corriente
Fig. 23: Efecto en la corriente por el cambio de voltaje sale del lado positivo de la fuente y pasa a través de
con la resistencia a un valor constante. los resistores tal como indican las flechas. La
corriente se dirige hacia el lado positivo de cada
resistor y sale por el lado negativo. La caída en el
nivel de energía de uno a otro lado de un resistor crea
una diferencia de potencial, o una caída de voltaje,
con polaridad más a menos en dirección de la
Menos R, más I. Más R, menos I.
corriente.
Fig. 24: Efecto en la corriente por el cambio de

resistencia con el voltaje a un valor constante.
Con la ecuación 1, se puede calcular la corriente cuando

se conocen los valores de voltaje y resistencia.
Manipulando la ecuación 1, se puede obtener una
expresión para voltaje y resistencia.
Fig. 12: Ilustración de las polaridades del voltaje en un
circuito de espira cerrada.
V =I ∗R
En el circuito de la figura, el voltaje del punto A al
V punto B es el voltaje de la fuente, VS. Asimismo, el
R=
I voltaje de A a B es la suma de las caídas de voltaje de
los resistores en serie. Por consiguiente, el voltaje de
fuente es igual a la suma de las tres caídas de voltaje,

conforme lo establece la ley del voltaje de Kirchhoff.
En un circuito, la suma de todas las caídas de voltaje

IV. PROCEDIMIENTO
localizadas en una trayectoria cerrada única es igual al
voltaje de fuente total encontrado en dicha espira. a. Polarización en directo de un diodo con una
fuente de voltaje variable.
El concepto general de la ley del voltaje de Kirchhoff está
ilustrado en la figura 7 y se expresa mediante la ecuación Materiales utilizados:
1  Diodos de Silicio
 Fuente de voltaje variable DC
VS=V 1+V 2+V 3+…+V n  Resistencias
 Protoboard
[10][19]
 Multímetro
Ley de corriente de Kirchhoff: La ley de las corrientes de Diseño:

Kirchhoff, abreviada a menudo como KCL, por sus siglas
en inglés, puede ser enunciada como sigue:  Diodo polarizado en directo con una fuente de
0.2v
La suma de las corrientes que entran a un nodo Corriente en la resistencia y en el diodo:
(corriente total de entrada) es igual a la suma de las
De los datos iniciales se sabe que:
corrientes que salen de dicho nodo (corriente total de
Vf <VD
salida).
Dado que el voltaje de polarización es menor que

el potencial de barrera del diodo de silicio, no hay
flujo de electrones, es decir, la corriente de la
resistencia o del diodo es igual a cero.
i=0 A
Resistencia limitadora:
Fig. 13: Nodo de circuito generalizado que ilustra la ley de la La resistencia limitadora podrá ser de cualquier
corriente de Kirchhoff
valor, dado que la magnitud de la corriente no se
la ley de la corriente de Kirchhoff también puede ser
verá afectada por la resistencia.
enunciada de esta manera:
La suma algebraica de todas las corrientes que Voltaje en la resistencia:
entran y salen de un nodo es igual a cero. Aplicando la ley de Ohm para calcular el valor
del voltaje en la resistencia se obtiene que:
[11] [20] V R=i∗R=0 A∗x Ω=0 V
Voltaje en el diodo: La resistencia limitadora podrá ser de cualquier

Aplicando la ley de voltajes de Kirchhoff se sabe que: valor, dado que la magnitud de la corriente no se
V f =V D +V R verá afectada por la resistencia.
Remplazando los valores se obtiene: Voltaje en la resistencia:

Aplicando la ley de Ohm para calcular el valor
0.2 V =V D +0 V
del voltaje en la resistencia se obtiene que:
V D=0.2 V
V R=i∗R=0 A∗x Ω=0 V
Voltaje en el diodo:
Aplicando la ley de voltajes de Kirchhoff se sabe
que:
Potencia en la resistencia:
V f =V D +V R
Usando la fórmula de la potencia en relación con el
voltaje y la corriente se calcula que la potencia para la
resistencia es:
P R=V R∗i R=0 V ∗0 A=0W
Remplazando los valores se obtiene:
0.5 V =V D +0 V
El PIV para el diodo.
Como el diodo de silicio no está ni estará en inverso, V D=0.5 V
su PIV será cero.
PIV =0V Potencia en la resistencia:
Usando la fórmula de la potencia en relación con
 Diodo polarizado en directo con una fuente de 0.5v el voltaje y la corriente se calcula que la potencia
Corriente en la resistencia y en el diodo: para la resistencia es:
De los datos iniciales se sabe que: P R=V R∗i R=0 V ∗0 A=0W

Vf <VD
Dado que el voltaje de polarización es menor que el Como el diodo de silicio no está ni estará en
potencial de barrera del diodo de silicio, no hay flujo inverso, su PIV será cero.
de electrones, es decir, la corriente de la resistencia o PIV =0V

del diodo es igual a cero.
i=0 A  Diodo polarizado en directo con una fuente de
0.7v
Resistencia limitadora: Voltaje en el diodo:

Dado que es un diodo de silicio en un lazo
cerrado, se puede afirmar que:
V D=0.7 V V D=0.7 V
Voltaje en la resistencia: Voltaje en la resistencia:

Aplicando la ley de voltajes de Kirchhoff para Aplicando la ley de voltajes de Kirchhoff para
calcular el valor del voltaje en la resistencia se calcular el valor del voltaje en la resistencia se
obtiene que: obtiene que:
V f =V R +V D V f =V R +V D
0.7 V =0.7 V +V R 1.5 V =0.7 V +V R
V R=0 V V R=0.8 V
Corriente en la resistencia y en el diodo: Resistencia limitadora:

Calculando con la ley de ohm se tiene que: Según la ley de ohm se calcula que:
V R OV 0.8 V
iR = = =0 A R= =16 Ω
R R 50 mA
La corriente en el diodo es igual a la corriente en la Corriente en la resistencia y en el diodo:

resistencia Para hallar la resistencia limitadora se estableció
i D =i R que la corriente de trabajo para el circuito será de

50mA, la cual es la misma que circula por la
i D =0 A
resistencia y el diodo.
i R =50 mA
i D =50 mA
resistencia es: Potencia en la resistencia:
P R=P R∗i R=0 V ∗0 A=0W Usando la fórmula de la potencia en relación con

el voltaje y la corriente se calcula que la potencia
para la resistencia es:
Como el diodo de silicio no está ni estará en inverso,
P R=V R∗i R=0.8 V ∗50 mA=40 mW
su PIV será cero.
PIV =0V El PIV para el diodo.
Como el diodo de silicio no está ni estará en
inverso, su PIV será cero.
 Diodo polarizado en directo con una fuente de 1.5v
PIV =0V
Dado que es un diodo de silicio en un lazo cerrado, se
puede afirmar que:  Diodo polarizado en directo con una fuente de 3v
Voltaje en el diodo: Como el diodo de silicio no está ni estará en

Dado que es un diodo de silicio en un lazo cerrado, se inverso, su PIV será cero.
puede afirmar que: PIV =0V
V D=0.7 V
 Diodo polarizado en directo con una fuente de 5v
Voltaje en la resistencia: Voltaje en el diodo:
Aplicando la ley de voltajes de Kirchhoff para Dado que es un diodo de silicio en un lazo
calcular el valor del voltaje en la resistencia se cerrado, se puede afirmar que:
obtiene que: V D=0.7 V
V f =V R +V D
3 V =0.7 V +V R Voltaje en la resistencia:
Aplicando la ley de voltajes de Kirchhoff para
V R=2.3 V
calcular el valor del voltaje en la resistencia se
obtiene que:
V f =V R +V D
Según la ley de ohm se calcula que:
2.3 V 5 V =0.7 V +V R
R= =46 Ω
50 mA V R=4.3V
Corriente en la resistencia y en el diodo: Según la ley de ohm se calcula que:
Para hallar la resistencia limitadora se estableció que 4.3V
la corriente de trabajo para el circuito será de 50mA,
R= =86 Ω
50 mA
la cual es la misma que circula por la resistencia y el
diodo. Corriente en la resistencia y en el diodo:
i R =50 mA Para hallar la resistencia limitadora se estableció
i D =50 mA que la corriente de trabajo para el circuito será de
50mA, la cual es la misma que circula por la
resistencia y el diodo.
i R =50 mA
Potencia en la resistencia: i D =50 mA
resistencia es: Potencia en la resistencia:
P R=V R∗i R=2.3 V ∗50 mA=115 mW Usando la fórmula de la potencia en relación con
El PIV para el diodo. para la resistencia es:
P R=V R∗i R=4.3V ∗50 mA=215 mW

El PIV para el diodo. Usando la fórmula de la potencia en relación con
Como el diodo de silicio no está ni estará en inverso, el voltaje y la corriente se calcula que la potencia
su PIV será cero. para la resistencia es:
PIV =0V P R=V R∗i R=8.3 V ∗50 mA=415 mW

Como el diodo de silicio no está ni estará en
inverso, su PIV será cero.
Dado que es un diodo de silicio en un lazo cerrado, se
PIV =0V
puede afirmar que:
V D=0.7 V
Construcción:
Voltaje en la resistencia:
 Diodo polarizado en directo con una fuente de
0.2v
calcular el valor del voltaje en la resistencia se
obtiene que:
V f =V R +V D
9 V =0.7 V + V R
V R=8.3 V
Según la ley de ohm se calcula que:
8.3 V
R= =166 Ω
50 mA
Corriente en la resistencia y en el diodo:

Para hallar la resistencia limitadora se estableció que  Diodo polarizado en directo con una fuente de
la corriente de trabajo para el circuito será de 50mA, 0.5v
la cual es la misma que circula por la resistencia y el

diodo.
i R =50 mA
i D =50 mA
Tinkercad no permite valores en la fuente de 1.5 V,

por lo tanto, se utilizó 1.6 V
Tinkercad no permite valores en la fuente de 0.5V, por lo

tanto, se utilizó 0.6V
Tinkercad no permite valores en la fuente de 0.7V, por lo

tanto, se utilizó 0.8V
Simulación:  Diodo polarizado en directo con una fuente de

0.7v
 Diodo polarizado en directo con una fuente de

1.5v
VOLTAJE DE
LA FUENTE 0,2 0,5 0,7 1,5 3 5 9
DC(V)
VALORES PRACTICOS VALORES TEORICOS

IR(A) 0 0 0 50m 50m 50m 50m
ID(A) 0 0 0 50m 50m 50m 50m
VR(V) 0 0 0 0.8 2.3 4.3 8.3
VD(V) 0,2 0.5 0.7 0.7 0.7 0.7 0.7
PR(W) 0 0 0 40m 115m 215m 415m
PIV(V) 0 0 0 0 0 0 0
IR(A) 0 120µ 297µ 50m 51.4m 50.7m 50.4m
ID(A) 0 120µ 297µ 50m 51.4m 50.7m 50.4m
VR(V) 0 0.12 0.3 0.96 2.36 4.36 8.36
VD(V) 0,2 0.48 0.5 0.64 0.64 0.64 0.64
PR(W) 0 14.4µ 89.1µ 48m 121m 221m 421m
PIV(V) 0 0 0 0 0 0 0
IR 0% 0.012% 0.03% 0% 0.14% 0.07% 0.04%
ID 0% 0.012% 0.03% 0% 0.14% 0.07% 0.04%
% ERROR
VR 0% 12% 30% 16% 6% 6% 6%

VD 0% 48% 20% 6% 6% 6% 6%
PR 0% 0.014% 0.089% 0.8% 0.06% 0.6% 0.06%
PIV 0% 0% 0% 0% 0% 0% 0%

El valor de la resistencia es despreciable ya que

infinito más cualquier valor será igual a infinito.
1V
i= =0 A
∞
calcular el valor del voltaje en el diodo se obtiene
que:
V f =V R−V D
TABLA COMPARATIVA DIODO POLARIZADO EN
1 V =R∗i−V D
DIRECTO
V D=−1 V
b. Polarización en inverso de un diodo con una fuente
Con la ley de ohm se calcula que:
de voltaje variable.
V R=R∗i=0 V
Materiales utilizados:
 Diodos de Silicio Resistencia limitadora:

 Fuente de voltaje variable DC Como se mencionó anteriormente la resistencia es
 Resistencias
despreciable.
 Protoboard
 Multímetro
Diseño: Usando la fórmula de la potencia en relación con

 Diodo polarizado en inverso con una fuente de 1v para la resistencia es:
Corriente en la resistencia y en el diodo: P R=V R∗i R=0 V ∗0 A=0W
Como el diodo está en inverso, para efectos
matemáticos supondremos que el diodo en este caso
es un interruptor abierto. Un interruptor abierto se
puede tomar como una resistencia de valor infinito.
Como el diodo de silicio está en inverso, su PIV
Con la ley de Ohm obtenemos que:
es:
Vf
i= PIV =1 V
RD + R
1V  Diodo polarizado en inverso con una fuente de 5v
i=
∞+R
Como el diodo está en inverso, para efectos El PIV para el diodo.

matemáticos supondremos que el diodo en este caso Como el diodo de silicio está en inverso, su PIV
es un interruptor abierto. Un interruptor abierto se es:
puede tomar como una resistencia de valor infinito. PIV =5 V
Con la ley de Ohm obtenemos que:
Vf  Diodo polarizado en inverso con una fuente de
i=
RD + R 12v
5V Corriente en la resistencia y en el diodo:
i=
∞+R Como el diodo está en inverso, para efectos
El valor de la resistencia es despreciable ya que matemáticos supondremos que el diodo en este
infinito más cualquier valor será igual a infinito. caso es un interruptor abierto. Un interruptor
5V abierto se puede tomar como una resistencia de
i= =0 A
∞ valor infinito. Con la ley de Ohm obtenemos que:
Vf
i=
Voltaje en el diodo: RD + R
Aplicando la ley de voltajes de Kirchhoff para 12 V
i=
calcular el valor del voltaje en el diodo se obtiene ∞+ R
que: El valor de la resistencia es despreciable ya que
V f =V R−V D infinito más cualquier valor será igual a infinito.
5 V =R∗i−V D 12V
i= =0 A
∞
V D=−5 V
Con la ley de ohm se calcula que:
V R=R∗i=0 V
que:
V f =V R−V D
12 V =R∗i−V D
Como se mencionó anteriormente la resistencia es
despreciable. V D=−12 V
Potencia en la resistencia: Voltaje en la resistencia:

Usando la fórmula de la potencia en relación con el Con la ley de ohm se calcula que:
voltaje y la corriente se calcula que la potencia para la V R=R∗i=0 V
resistencia es:
P R=V R∗i R=0 V ∗0 A=0W Resistencia limitadora:
Como se mencionó anteriormente la resistencia es V D=−16 V

despreciable.
Potencia en la resistencia: Con la ley de ohm se calcula que:
V R=R∗i=0 V
resistencia es:
P R=V R∗i R=0 V ∗0 A=0W
Como se mencionó anteriormente la resistencia es
despreciable.
Como el diodo de silicio está en inverso, su PIV es: Potencia en la resistencia:
PIV =12 V Usando la fórmula de la potencia en relación con
 Diodo polarizado en inverso con una fuente mayor de para la resistencia es:
15v P R=V R∗i R=0 V ∗0 A=0W
Como el diodo está en inverso, para efectos
matemáticos supondremos que el diodo en este caso
Como el diodo de silicio está en inverso, su PIV
es un interruptor abierto. Un interruptor abierto se
es:
puede tomar como una resistencia de valor infinito.
Con la ley de Ohm obtenemos que: PIV =16 V
Vf
i= Construcción:
RD + R
16 V  Diodo polarizado en inverso con una fuente de 1v
i=
∞+R
El valor de la resistencia es despreciable ya que
infinito más cualquier valor será igual a infinito.
16 V
i= =0 A
∞
que:  Diodo polarizado en inverso con una fuente de 5v
V f =V R−V D
16 V =R∗i−V D
 Diodo polarizado en inverso con una fuente de 12v

 Diodo polarizado en inverso con una fuente mayor de

15v
 Diodo polarizado en inverso con una fuente de

12v
Simulación:

VOLTAJE DE
LA FUENTE 1 5 12 16
DC(V)
VALORES SIMULADOS
IR(A) 32n 32n 32n 32n
ID(A) 32n 32n 32n 32n
VR(V) 32µ 32µ 32µ 32µ
VD(V) -1 -5 -12 -16
PR(W) 1.024p 1.024p 1.024p 1.024p
PIV(V) 1 5 12 16
IR(A) 0 0 0 0
VALORES PRACTICOS
ID(A) 0 0 0 0  Diodo polarizado en inverso con una fuente
VR(V) 0 0 0 0 mayor de 15v
VD(V) -1 -5 -12 -16
PR(W) 0 0 0 0
PIV(V) 1 5 12 16
IR 3.2 x 10 3.2 x 10 3.2 x 10 3.2 x 10−6
−6 −6 −6

% ERROR (%)
ID 3.2 x 10−63.2 x 10−63.2 x 10−63.2 x 10−6

VR 3.2 x 10−33.2 x 10−33.2 x 10−33.2 x 10−3
VD 0% 0% 0% 0%
PR 0% 0% 0% 0%
PIV 0% 0% 0% 0%
TABLA COMPARATIVA DIODO POLARIZADO EN d. Punto 3

INVERSO.
 Diodos de Silicio
c. Curva característica del diodo  Resistencias
 Protoboard
Para datos teóricos  Multímetro
Corriente (A) vs Voltaje (V) en el diodo Diseño:

0.06
0.05
Corriente (A)
0.04
0.03
0.02
0.01
0
-18 -16 -14 -12 -10 -8 -6 -4 -2 0 2
Voltaje (V)
Para datos prácticos Voltajes y Corrientes de los elementos:

Para identificar que diodos están como interruptor
Corriente (A) vs Voltaje (V) en el diodo abierto o cerrado, primero se calculara una caída de
0.06 voltaje sobre R2 suponiendo que D1 y D2 están como
0.05
Corriente (A)
0.04 interruptor abierto.

0.03 V f ∗R 2
0.02 V R 2=i R 2∗R 2=
0.01
R 1+ R 2
0 9 V∗1 K
-18 -16 -14 -12 -10 -8 -6 -4 -2 0 2 V R 2= =4.5 V
Voltaje (V) 2K
Ahora se puede suponer que los diodos en

Para datos simulados
polarización directa están como interruptor cerrado. El
único diodo en polarización directa es D2, por lo
Corriente (A) vs Voltaje (V) en el diodo
tanto, D1 esta como interruptor abierto y D2 como
0.06
0.05 interruptor cerrado, por lo tanto,
Corriente (A)
0.04
0.03
V R 1=V f −VD 2
0.02 V R 1=9 V −0.7 V =8.3 V
0.01
0 8.3 V
-18 -16 -14 -12 -10 -8 -6 -4 -2 0 2 iR 1 = =8.3 mA
Voltaje (V)
1K
V R 2=VD 2=0.7 V
V R 2 0.7V
iR 2 = = =700 uA
R2 1K
i R 1 =i R 2 +i D 2=8.3 mA
i D 2=8.3 mA−700 uA=7.6 mA
PIV D 1=0.7 V
PIV D 2=0 V
Construcción:
Voltaje y corriente en D1=Si
Simulación:
Simulado en Multisim
Voltaje y corriente en D2=Si
Valores en Multisim
Voltaje y corriente en R1=1K
D1 -588m 0 588m V
D2 588m 7,81m 0
VALORES SIMULADOS
CORRIENTE(A
ELEMENTO VOLTAJE(V) ) PIV
R1 8,36 V 8.36mA NA
R2 641m 641µ NA
D1 -641m -32n 641m
D2 641m 7,72m 0
Voltaje y corriente en R2=1K

e. Punto 4
 Resistencias
 Protoboard
 Multímetro
TABLA DE RESULTADOS
VALORES TEORICOS
CORRIENTE(A Diseño:
ELEMENTO VOLTAJE(V) ) PIV
R1 8,3 V 8.3mA NA
R2 0.7 V 700µ NA
D1 -0.7V 0 0,7 V
D2 0.7 V 7,6m 0
VALORES PRACTICOS
ELEMENTO VOLTAJE(V) CORRIENTE(A) PIV
R1 8,4 V 8.4mA NA
R2 588 588µ NA
(a) Voltajes y corrientes de resistencias y diodos:
4.227 K I 1−2 K I 2−1.2 K I 3=16.2 V

−2 K I 1 +3 K I 2=0 V
−1.2 K I 1 +2.4 K I 3 =0 V
50 I 4=1.4 V
Solucionando nos da:

I 1=7.2 mA
Voltajes y corrientes de los diodos:
I 2=4.8 mA
I 3=3.6 mA Resolviendo el sistema:
I 4=28 mA 4.227 K I 1−2 K I 2−1.2 K I 3=18.2 V
Corrientes en los diodos: −2 K I 1 +3 K I 2=0 V

D1 , D2 =I 1=7.1 mA −1.2 K I 1 +2.4 K I 3 =0 V
D 3 , D 4=I 1−I 2=7.1 mA−4.8 mA=2.3 mA
D5=I 2=4.8 mA
D 6=I 3=3.6 mA
Tenemos:
D8 , D 9=I 1−I 4=7.1 mA−28 mA=−20.9 mA
La corriente va en sentido contrario, por ende, no se I 1=7.76 mA
polarizan.
I 2=5.17 mA
Potencia total del circuito I 3=3.88 mA
( 12 V + 9 V )∗( 7.2 mA )=151.2 mW Potencia del circuito
Circuito redibujado ( 12 V + 9 V )∗( 7.76 mA ) =162.96 mW
Diseño:
Componente Voltaje Corriente
D1 0.7V 7.76mA
D2 0.7V 7.76mA
D3 0.7V 2.59mA
D4 0.7V 2.59mA
D5 0.7V 5.17mA
D6 0.7V 3.88mA
D7 0.7V 3.88mA
D8 0V 0A VR 1=7.76 V
D9 0V 0A
VR 2=388 mV
R0 209mV 7.76mA
R1 4.9V 2.6mA VR 3=3.88 mV
R2 5.17V 5.17mA
VR eq =8.148 V
R3 4.6V 3.88mA
R4 4.6V 3.88mA
R5 7.76V 7.76mA V 0=V f −VR eq
R6 776mV 3.88mA
R7 776mV 3.88mA
3.852 V =12 V −8.148 V
(b) Voltaje en V 0 yV x En V x : Teniendo en cuanta los valores obtenidos

reducimos el circuito desde V 0 hasta el punto V x
En V O : Teniendo en cuanta los valores obtenidos
reducimos el circuito desde una de las fuentes hasta el
punto V O Diseño:
Diseño:
V O −V R −V D =V x
3.852 V −4.6 V −0.7 V =−1.44 V
Entonces:
V O =3.852V
V x = 1.448V
1
Req = +1 k=1.050 K
1 1
+
100 100
TABLA COMPARATIVA
%
ELEMENT V ERRO
O I CALC I SIMU CALC V SIMU R
7.76m 2.9%
0.7V
D1 A 7.81mA 0.642V
7.76m 2.9%
0.7V
D2 A 7.81mA 0.642V
2.59m 5.9%
0.7V
D3 A 2.42mA 0.581V
2.59m 5.9% Planteando:
0.7V
D4 A 2.42mA 0.581V
5.17m 3.1%
0.7V 5 K I 1−1.5 K I 2 −1 K I 3=−1.4 V
D5 A 539mA 623mV
3.88m 3.3%
0.7V
D6 A 3.91mA 606mV −1.5 K I 1 +1.6 K I 2=28.6 V
3.88m 3.3%
0.7V
D7 A 9.91mA 606mV −1 K I 1 +2 K I 3=−2.1 V
D8 0A 1,36µA 0V 195mV 9.75%
D9 0A 1,36µA 0V 195mV 9.75% 2.027 K=0V
7.76m 209m 1.9% Resolviendo:
R0 A 7.81mA V 211mV
R1 2.6mA 2.42mA 4.9V 4.85V 2.3% I 1=7.9 mA
5.17m 2.7%
R2 A 539mA
5.17V
5.39mV I 2=25.3 mA
3.88m 1.1% I 3=2.9 mA
4.6V
R3 A 3.91mA 4.69v
3.88m 1.1% I 4=0 A
4.6V
R4 A 3.91mA 4.69v
7.76m 1.7%
7.76V
R5 A 7.81mA 7.81V
3.88m 776m 3.6% Componente Voltaje Corriente
R6 A 390mA V 390mV
3.88m 776m 3.6%
D1 0.7V 7.9mA
R7 A 390mA V 390mV D2 0.7V 25.3mA
D3 0.7V 25.3mA
D4 0.7V 25.3mA
(c) Circuito rediseñado
D5 0V 0A
Diseño: D6 0.7V 17.4mA
D7 0.7V 7.9mA
D8 0.7V 7.9mA
D9 0.7V 25.3mA
R1 7.9V 7.9mA O CALC ERROR

R2 5V 5mA D1 7.9mA 7.98mA 0.7V 643mV 2.4%
R3 2.9V 2.9mA 25.3m 2.1%
0.7V
D2 A 25.4mA 594mV
R4 0V 0A 25.3m 2.1%
0.7V
R5 0V 0A D3 A 25.4mA 594Mv
R6 11.85V 7.9mA 25.3m 2.1%
0.7V
D4 A 25.4mA 594mV
R7 2.53V 25.3mA
0A 0V 0%
D5 0A 0V
R8 26.1V 17.4mA 17.4m 0.8%
0.7V
D6 A 17.4mA 684mV
D7 7.9mA 7.98mA 0.7V 684mV 1.3%
Teniendo en cuenta el valor de voltajes calculado en el punto D8 7.9mA 7.98mA 0.7V 643mV 1.3%
25.3m 0.8%
anterior, definimos el voltaje en Vx de la siguiente forma: 0.7V
D9 A 25.4mA 684mV
R0 7.9mA 7.98mA 7.9V 7.98V 2.2%
R1 5mA 4.88mA 5V 4.88V 1.1%
V x =V f −V D 9 −V R 7
R2 2.9mA 3.1mA 2.9V 3.10V 3.1%
Vx=5−0.7−2.53=1.77 V 0A 0V 0%
R3 0A 0V
R4 0A 0A 0V 0V 0%
11.85 3.5%
7.9mA
R5 7.81mA V 11.83V
25.3m 1.4%
2.53V
El voltaje en V 0 será entonces: R6 A 25.4mA 2.59V
17.4m 0%
26.1V
R7 A 17.4mA 26.1V
V 0=V x −V D 7−V D 8 −R6
V 0=1.77−0.7−0.7−11.85=¿11.48V
Construcción Simulación
Circuito original
Valores de las corrientes
1ra parte
TABLA COMPARATIVA
ELEMENT I CALC I SIMU V V SIMU %

2da parte
2da parte
Valores de los voltajes
1ra parte
Circuito redibujado
Valores de las corrientes

1ra parte
2da parte
Valores de los voltajes
1ra parte
2da parte
Valor de V x
Valor de V 0
Circuito rediseñado
Valores de corrientes Parte 1
1ra parte
2da parte
Parte 2
Valor de los voltajes

Voltaje de V x y V 0 (a) Voltaje de salida promedio
V p−V D 1−V D 2 =V RL
5 V −0.7 V −0.7 V =3.6 V p
V prom=3.6 V (0.318)=1.145 V prom RL
Corriente de carga promedio
1.145V
=1.145 mA prom
1K
Voltaje RMS en la carga
3.6 V p ( 0.707 )=2.5453 V

2.5453V
=1.27 V
2
Corriente RMS en la carga
1.27V
=1.27 mA
1K
Voltaje pico
5 V −0.7 V −0.7 V =3.6 V p

f. Punto 5
Materiales utilizados: (b) Voltaje pico y pico inverso
 Diodos de Silicio V pD 1=0.7 V

 Fuente de voltaje variable DC V piD 1=5 V
 Resistencias
 Protoboard Frecuencia de salida
 Multímetro
Diseño:
F out =F ¿
50 Hz=50 Hz
(c) D1
g. Puente Rectificador monofásico

 Resistencias
 Protoboard
 Multímetro
D2
Diseño:
Voltaje de salida del transformador:

Construcción:
Vout N 2
=
Vin N 1
N2 ( 8 )∗(10 Vp)
Vout= Vin= =40Vp
N1 2
Simulación: Voltaje pico de RL. D2=D4=ON
VpRL=Vf −VD 2−VD 4
VpRL=40 V −0.7 V −0.7 V
VpRL=38.6 V
Voltaje pico de RL. D1=D3=ON
VpRL=−Vf +VD 1+VD 3
VpRL=40 V −0.7 V −0.7 V

VpRL=38.6 V Fout =1k Hz∗2=2 k Hz
Rectificación
Voltaje rms y corriente rms de RL
38.6V
VRLrms= =27.29V
√2
ipRL∗RL=38.6V
38.6 V
ipRL= =2.57 mA
15 K
Forma de Onda del diodo D1
2.57 mA
iRLrms= =1.81mA
√2
Voltaje promedio y corriente promedio de RL.
VRLprom=24.55 V
iRLprom=1.64 mA
Forma de Onda del diodo D2
Voltaje rizo o de rizado en RL

Vrizo=VppRL=38.6 V
Potencia de salida
PRL=VRLrms∗iRLrms
PRL=27.29V ∗1.81 mA=49.39 mW
Voltaje pico y voltaje pico inverso del diodo
VpD 2=VpD 4=0.7 V

Voltaje de entrada y voltaje de salida con respecto al
PIVD 2=PIVD 4=−40 V tiempo
VpD 1=VpD 3=−0.7 V
PIVD 1=PIVD 2=40 V
Frecuencia de salida.
Fout =Fin∗2
Construcción:
Tinkercad no proporciona suficientes herramientas para
comprobar los valores resultantes, por lo tanto, solo se
puede analizar las formas de onda de los voltajes tanto
del diodo como de la resistencia RL.
Simulación: h. Punto 7.
Diseño del circuito en multisim.
 Resistencias
 Protoboard
 Multímetro
Diseño:
Valores resultantes en multisim.
Análisis por Mallas cuando D2=ON (ciclo (+))

9.3=(15220)la−(15000)lb
0.7=−15000 la+15330 lb
la=18.4 mA
lb=18.04 mA 220 uA
iRLrms= =155.56uA
√2
Análisis por Mallas cuando D1=ON (ciclo (-))
9.3=(15330) la−(15000)lb Voltaje rms y corriente rms de RL
0.7=−15000 la+15220 lb 3.82V +2.33 V

VRLrms=
la=18.27 mA 2
lb=18.05 mA VRLrms=3.1 V
254.56 uA +155.56 uA
iRLrms=
Voltaje pico de RL. D2=ON 2
iRLrms=205.06 uA
VRL=RL∗( la−lb )
VRL=15 K∗360 uA=5.4 V
Voltaje promedio y corriente promedio de RL.

Voltaje pico de RL. D1 =ON
( 5.4 V∗0.636 )+ ( 3.3V ∗0.636 )
VRL=RL∗( la−lb ) VRLprom=
2
VRL=15 K∗220 uA=3.3 V VRLprom=2.76 V
( 360 uA∗0.636 )+ (220 uA∗0.636 )
iRLprom=
2
Voltaje rms y corriente rms de RL, D2=ON
¿ 184.44 uA
5.4 V
VRLrms= =3.82V
√2
Voltaje rizo o de rizado en RL, D2=ON
ipRL∗RL=5.4 V
Vrizo=VppRL=5.4 V
5.4 V
ipRL= =360 uA
15 K Voltaje rizo o de rizado en RL, D1=ON
360 uA Vrizo=VppRL=3.3 V
iRLrms= =254.56 uA
√2
Potencia de salida
Voltaje rms y corriente rms de RL, D1=ON ( 3.82 V∗254.56 uA ) +(2.33 V ∗155.56uA )
PRL=
2
3.3V
VRLrms= =2.33 V PRL=667.44 uW
√2
ipRL∗RL=3.3V
Voltaje pico y voltaje pico inverso del diodo
3.3 V
ipRL= =220 uA VpD 2=0.7 V
15 K
PIVD 2=−10 V
VpD 1=−0.7 V
PIVD 1=−10 V
Frecuencia de salida.
Fout =Fin∗2
Fout =1k Hz∗2=2 k Hz
Rectificación
Construcción:
Tinkercad no proporciona suficientes herramientas
para comprobar los valores resultantes, por lo tanto,
solo se puede analizar las formas de onda de los
voltajes tanto del diodo como de la resistencia RL.
Forma de onda del diodo D1
Simulación:
Voltaje de carga
Forma de onda del diodo D2

Corriente de carga
i. Polarización en directo de un diodo con una

j. Polarización en inverso de un diodo con una

V. CONCLUSIONES
Potencia de carga
Tinkercad no es un programa que nos proporcione las
herramientas necesarias para realizar completamente
de las mediciones.
Cuando la diferencia de potencial eléctrico entre un o

varios diodos es negativa hace que los diodos nunca
disparen y actúen como un interruptor abierto como se
pudo analizar en el punto 4 del laboratorio.
Se logro poner en práctica lo aprendido teóricamente y

comprobó que existe un mínimo porcentaje de error
entre lo teórico y lo práctico.
Voltaje de diodos
[9] T. Floyd, R. Navarro, L. Ortega González y G. Pérez

López, Principios de Circuitos Eléctricos, 8th ed. México,
Pearson Educación, 2007. Págs. 72-74
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Formulas Código Colores", [En línea], (2020).
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Universidad Distrital Francisco José de Caldas – Facultad Tecnológica

Polarización del diodo

Resumen. calculated circuit in order to understand the handling of

configurations, the use of the diode as a useful component

 Verificar y operar las propiedades de circuitos con diodos

voltaje crea un diodo, como se indica en la figura 1. La región

de voltaje los átomos de impureza y sólo unos cuantos electrones

 Diseñar y comprobar el funcionamiento de un puente de libres térmicamente generados (portadores

diodos como dispositivo rectificador minoritarios). La región n tiene muchos electrones

III. MARCO TEORICO

donde se combinan con los huecos que se encuentran

Cuando se forma la unión pn, la región n pierde electrones

El potencial de barrera de una unión pn depende de

semiconductor, la cantidad de dopado y la temperatura. El

b. Polarización del diodo.

En general el término polarización se refiere al uso de un

un voltaje de cc a través de él. Polarización en directa es la muestra la figura 4.

condición que permite la circulación de corriente a través

(b) Diodo en polarización directa

Fig. 5: Flujo de electrones en un diodo en polarización

V POLARIZACIÓN , como en el caso de polarización en mayoritarios. El flujo de electrones de valencia puede

Fig. 7: Diodo en polarización inversa minoritarios presentes en la región n como electrones

de valencia, fluyen hacia el voltaje de polarización La multiplicación de los electrones de conducción

c. Característica de voltaje-corriente de un diodo

voltaje de polarización en inversa externo se incrementa a inversa despreciable. La polarización en inversa

se incrementará drásticamente. el voltaje de polarización en inversa no sea igual o

pequeño incremento en el voltaje del diodo por

Trazo de la curva V-I Si se grafican los resultados del

Como se puede ver en la figura 10, la corriente de

muestra la figura 9(b). corresponde a la figura 9 (a) donde el voltaje de

a un valor en el que el voltaje en inversa a través del diodo

Trazo de la curva V-I. Si se marcan los resultados de

generales se muestra en la figura 12. La región n se llama

apunta en la dirección de la corriente convencional básico de la fuente de alimentación completa. En

(opuesta al flujode electrones). [17] pg 25 general, el voltaje de línea de entrada de ca se reduce

corriente, por lo que el voltaje a través del resistor de

(a) Fuente de alimentación completa con transformador, rectificador,

(a) Durante la alternancia positiva del voltaje de entrada a 60

(b) Rectificador de media onda

Fig. 13: Diagrama de bloques de una fuente de alimentación

(b) Durante la alternancia negativa del voltaje de entrada, la

El rectificador de media onda

ciclo completo, como ilustra la figura 15, y luego

El rectificador de onda completa

Aunque los rectificadores de media onda tienen

Un rectificador de onda completa permite corriente

Fig. 19: Rectificación de onda completa.

El número de alternaciones positivas que conforman el

senoidal rectificado de onda completa es dos veces el de media

Rectificador de puente de onda completa

El rectificador de puente utiliza cuatro diodos conectados

V p ( sal )=V p ( sec }

Como se puede ver en la figura 21(b), dos diodos siempre

derivación central. Si se omite la caída de diodo, el

(a) Diodos ideales

(b) Diodos prácticos (incluidas las caídas de los diodos)

Fig. 21: Operación de un puente durante el semiciclo

PIV =V p (sal } (b) Para el modelo práctico de diodo (los diodos D1 y D2

Si las caídas de los diodos polarizados en directa se

PIV =V p (sal } +0.7 V

El voltaje de pico inverso nominal de los diodos de puente

Fig. 24: Efecto en la corriente por el cambio de