UNIVERSIDAD NACIONAL SAN ANTONIO ABAD DEL CUSCO

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA ELECTRONICA

LABORATORIO DE FUNDAMENTOS DE ELECTRONICA

EXPERIENCIA 2: EL DISPOSITIVO DIODO

1. OBJETIVOS
➢ Determinar experimentalmente, a través de mediciones de resistencia con un ohmímetro, los terminales de
un diodo semiconductor.
➢ Obtener experimentalmente la curva característica “I-V” del diodo semiconductor.

2. INTRODUCCION

El diodo semiconductor es un dispositivo de dos terminales, uno de ellos denominado ánodo (A) y el otro
denominado cátodo (K). Este dispositivo sólo permite la conducción de la corriente en una dirección lo cual
coincide con la dirección de la flecha de su símbolo.

Está conformado por dos estructuras semiconductoras de material germanio (Ge), silicio (Si) o en el caso del
diodo led de fosfuro arseniuro de galio (GaAsP) o fosfuro de galio (GaP). Una de las estructuras es de tipo P
(ánodo) y la otra tipo N (cátodo).

En el caso del diodo común el material más usado es el silicio o germanio. Para el primero el voltaje que se
necesita para que el dispositivo esté en conducción, que es denominado tensión umbral (VT) está entre 0.6 y 0.7 V,
mientras que para el segundo material está entre 0.2 y 0.3 V.

La ecuación que describe la característica I-V es:

V

I = I 0 (e nVT
− 1)
donde:
I0 : es la corriente inversa de saturación.
VT: es la tensión equivalente de la temperatura.
: es un factor siendo 1 para Ge y 2 para Si.

Cuando el diodo se polariza directamente la resistencia entre ánodo y cátodo es pequeña; mientras que cuando
está polarizado inversamente presenta una resistencia muy grande

3. INFORME PREVIO

1. Mediante un dibujo mostrar las estructuras semiconductoras que le corresponden al ánodo y al cátodo y a su
lado mostrar su símbolo.
2. Escribir la ecuación que describe la relación I-V de un diodo, comentando el significado de I0,  y VT e indicar
como se calculan dichos parámetros.
3. Demostrar matemáticamente la ecuación I-V del diodo.
4. Graficar la curva característica I-V típica de un diodo y destacar en ella las regiones de polarización directa e
inversa.
5. Indicar los valores típicos de tensión umbral de los diodos de germanio y silicio. ¿Cuáles son los valores
típicos de tensión umbral del diodo 1N4001?

4. EQUIPOS Y MATERIALES

EQUIPOS
1 Panel de montaje de circuitos.
1 Fuente de alimentación 0 – 30 V.
1 Miliamperímetro.
1 Multímetro.
 Cables conectores de equipos

MATERIALES
1 Diodo de Silicio código 1N4001 o reemplazo.
1 Resistor de 1K / 0.5W .
Cables conectores de Protoboard

5. PROCEDIMIENTO
DETERMINACION DE LOS TERMINALES DEL DIODO:
1. Fijar el selector de escalas y rangos del multímetro para que funcione como ohmmímetro en cualquier escala,
por ejemplo “R x 100”.
2. Armar en el panel de montaje el circuito de la Fig. Nº 1, teniendo en cuenta que:
En los multímetros analógicos (de aguja) se cumple:
a. Para mediciones de voltajes y corrientes continuos la punta roja es la positiva (por donde entra la corriente
al mecanismo de medida), mientras que la punta negra es la negativa.
b. Para mediciones de resistencia la punta negra es la positiva (se obtiene el “+” de la batería interna) mientras
que la punta roja es la negativa.
En los multímetros digitales se cumple:
a. Para mediciones de voltajes, corrientes y resistencia la punta roja siempre es la positiva mientras que la
punta negra es la negativa.
3. Designar arbitrariamente a uno de los terminales del diodo como 1 y al otro como 2.
4. Dibujar en la tabla Nº 1, la forma física del encapsulado del diodo en la cual figure la designación anterior.
5. Sabiendo que RAB se obtiene conectando la punta positiva del ohmmímetro en el terminal “A” y la punta
negativa en “B”; entonces medir R12 y R21. Luego llenar la tabla Nº 2.
6. Determinar el ánodo y el cátodo, sabiendo que en la menor de las lecturas de resistencia, el anodo es aquel
terminal que está conectado a la punta positiva del ohmímetro y por supuesto el cátodo es el otro terminal.

1
+

- 2

Fig. Nº 1. Determinación de los terminales del diodo

OBTENCION DE LA CURVA CARACTERISTICA EN LA REGION DE POLARIZACION DIRECTA:

1. Armar en el panel de montaje el circuito de la Fig. Nº 2, estando la fuente de alimentación en 0 V y el
multímetro funcionando como voltímetro.
2. Variar el voltaje de la fuente de alimentación, de tal manera que se pueda obtener en los extremos del diodo,
los voltajes de la tabla N° 3. Anotar en dicha tabla la corriente del diodo.

Fig Nº 2. Región de Polarización directa

 OBTENCION DE CURVA CARACTERISTICA EN LA REGION DE POLARIZACION INVERSA:
1. Armar en el panel de montaje el circuito de la Fig. Nº 3, estando la fuente de alimentación en 0 V y el
multímetro funcionando como voltímetro.
2. Variar el voltaje de la fuente de alimentación, de tal manera que se pueda obtener en los extremos del diodo,
los voltajes de la tabla N° 4. Anotar en dicha tabla la corriente del diodo.

Fig Nº 3. Región de Polarización Inversa

6. INFORME FINAL

1. Adjuntar la HOJA DE DATOS EXPERIMENTALES visada por el docente.

2. En base a las tablas N° 1 y 2, dibujar el encapsulado del diodo e indicar su ánodo y cátodo.
3. Tabular y graficar en un sólo papel milimetrado las 2 regiones de polarización del diodo para obtener su curva
característica I-V. Usar 2 tipos de escalas de corriente, una en mA para la región directa y en A para la región
inversa. Usar los datos de las tablas N° 3 y 4.
4. Para la curva característica obtenida anteriormente, indicar para el valor de V = 0.72 V el valor de la resistencia
estática y dinámica.
5. Teniendo en cuenta que la resistencia promedio (rAV) de un diodo es definido entre dos puntos de trabajo y
asumiendo que dichos puntos son: V1 = 0.62 V y V2 = 0.72 V; entonces usando la curva característica obtenida
experimentalmente, modelar el diodo para el caso que tenga una fuente VT, una resistencia rAV y un diodo ideal.
Nota: asumir VT como la prolongación de la recta de conducción que corta al eje de las abcisas.
6. ¿Aumenta o disminuye la resistencia dinámica de un diodo al disminuir la intensidad de corriente del punto de
trabajo del diodo? Conteste esta pregunta analizando la pendiente de la curva experimental obtenida en
diferentes puntos de trabajo.
7. Indicar un valor aproximado de resistencia que presenta el diodo polarizado inversamente.
8. Explicar el por qué aparece la corriente inversa de saturación del diodo.
9. Indicar algunas observaciones y/o sugerencias.
10. Indicar algunas conclusiones.
 HOJA DE DATOS EXPERIMENTALES:

Tabla N° 1. Forma física del diodo.

R12
R21
Tabla N° 2. Medida de resistencia del diodo

V Zona de no conducción Zona umbral Zona de conducción

0.20 0.30 0.40 0.50 0.55 0.60 0.65 0.70 0.75
I

Tabla N° 3. Polarización directa.

V 0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30
I

Tabla N° 4. Polarización inversa.