Laboratorio 5: Variación de la curva característica del diodo al cambio de

temperatura*
Cristian Andres Gonzalez Garcia, 201700933,1, ** Sergio Augusto León
Urrutia, 201700722,*** and Jose Guillermo Perez Arana, 201700388****
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Facultad de Ingenieria, Departamento de Fisica, Universidad De San Carlos,
Edificio T1, Ciudad Universitaria, Zona 12, Guatemala.
Se realizó un modelo compuesto por un circuito simple para la medición de voltaje y corriente
que pasaban por un diodo a diferentes temperaturas. Se realizaron cuadros con los datos obtenidos
al variar un potenciómetro. En donde se determinó la gráfica característica de cada diodo con la
función Fit Wizard en Qtiplot. Con las gráficas características del diodo se encontró el valor de la
temperatura experimental a la cual está el diodo. Al final no fue posible determinar la temperatura
con exactitud.

I. OBJETIVOS

A. Generales

• Determinar la temperatura ambiente

B. Especificos

• Registrar la relación voltaje-corriente característica

de un Diodo

Figura 1: Esquema del sistema

• Comparar la temperatura teorica con la experimen- En la región de polarización en directa las caracterís-
tal. ticas de un diodo de silicio de se desplazan a la izquierda
a razón de 2.5 mV por grado centígrado de incremento
de temperatura. Es importante señalar, de acuerdo a la
figura 5.1 que: El voltaje de saturación en inversa de un
diodo semiconductor se incrementará o reducirá con la
temperatura según el potencial Zener.
II. MARCO TEORICO

A. Modelo de Shockley del diodo

La temperatura puede tener un marcado efecto en las
características de un diodo semiconductor como lo de-
muestran las características de un diodo de silicio mos-
tradas en la figura:
El modelo matemático más empleado en el estudio del
diodo es el de Shockley (en honor a William Bradford
Shockley) que permite aproximar el comportamiento del
diodo en la mayoría de las aplicaciones. La ecuación que
liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial
es:

I = Is (eqVd /nkT − 1) (1)

* Laboratorios de Fisica Donde:
** e-mail: andremanzo997@gmail.com
*** e-mail:sergioleon49@gmail.com • I es la intensidad de la corriente que atraviesa el
**** e-mail: jgperezarana1997@gmail.com diodo.
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• Vd la diferencia de tensión entre sus extremos. IV. RESULTADOS

• Is es la corriente de saturación. (10 pA).

A temperatura ambiente, se fue variando el potenció-
• q es la carga del electrón. metro y se tomaron medidas de corriente y voltaje, las
cuales se encuentran en el cuadro I
• T es la temperatura absoluta de la unión.
• k es la constante de Boltzmann. Cuadro I: Temperatura ambiente
• n es el factor de idealidad, que esta en función del Voltaje [V] Corriente [µA]
proceso de fabricación del diodo. 0.100±0.003 0.2±0.2
0.203±0.003 0.5±0.2
0.316±0.003 3.6±0.2
III. DISEÑO EXPERIMENTAL 0.425±0.004 46.4±0.4
0.550±0.005 710±5
A. Materiales 0.634±0.006 5500±200

* Fuente DC. La temperatura indicada en el termómetro fue de 27C

En base a los datos anteriores se realizó la siguiente
* 1 Diodo de Silicio (1N4004). gráfica
* 1 Resistencia de 1 K
* Potenciómetro de 10 K.
* Protoboard.
* Cables para protoboard.
* 2 Multimetros.
* 2 soportes universales
* 1 estufa eléctrica de 220V
* 1 termómetro industrial

B. Magnitudes fisicas a medir

* Voltaje en el Diodo
* Corriente en el Diodo Figura 2: Curva del diodo a temperatura ambiente

Después se realizó un fit a la gráfica de la figura 5,

C. Procedimiento
utilizando la ecuación 1 para encontrar el valor de T, el
cual es de:
* Se verificó que se tuvieran los materiales solicitados
para la práctica. T = 92.2 ± 0.5C
* Se armó el Circuito como se muestra en la figura 5 Luego de calentar la estufa y el diodo se realizaron
nuevamente las mediciones de corriente y voltaje al ir
* Se enciende la fuente.
variando el potenciómetro. Los datos se encuentran en el
* Se varió el potenciometro donde se tomó medidas cuadro II.
de voltaje y corriente antes del voltaje de operación
del diodo y después de este (0.7 Si). Cuadro II: Temperatura mediana
* Con los valores de los multímetros calcular el Vol- Voltaje [V] Corriente [µA]
taje en el diodo y Corriente en el diodo. 0.100±0.003 0.5±0.2
0.215±0.003 1.5±0.2
* Registrar la relación voltaje-corriente característica 0.333±0.003 1.7±0.2
del diodo de Silicio y estimar la Temperatura de la 0.450±0.004 195±5
Unión usando la ecuación [1] 0.534±0.005 950±7
* . Apague la fuente. µ 0.620±0.006 5560±200
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La temperatura indicada en el termómetro fue de 52C

Con estos datos se armó la segunda gráfica

Figura 4: Curva del diodo a temperatura alta

Después se realizó un fit a la gráfica de la figura 7,

utilizando la ecuación 1 para encontrar el último valor
de T, el cual es de:
Figura 3: Curva del diodo a temperatura mediana
T = 57 ± 2C

Después se realizó un fit a la gráfica de la figura 6, V. DISCUSIÓN DE RESULTADOS

utilizando la ecuación 1 para encontrar un segundo valor
de T, el cual es de: Si comparamos los valores de la temperatura indicada
en el termómetro y los valores obtenidos en qtiplot se
puede notar que estos no concuerdan. A medida que se
aumenta la temperatura del diodo, el resultado de qti-
plot va disminuyendo lo cual no es correcto. A pesar de
T = 83.9 ± 0.9C que las gráficas si cumplen con la curva característica
del diodo, no se sabe con exactitud cual es el factor de
idealidad del diodo, lo cual pudo afectar a los resultados.
Otra razón por la cual los resultados no fueron correc-
tos, pudo ser el termómetro. El termómetro era un poco
Luego de calentar la estufa al máximo y colocar el dio- impreciso y tomaba la temperatura justo arriba de la es-
do, se realizaron nuevamente las mediciones de corriente tufa, no la del diodo directamente. Además el diodo no
y voltaje al ir variando el potenciómetro. Los datos se estaba sobre la estufa sino que estaba sujetado un poco
encuentran en el cuadro III. arriba de su superficie. Por último, otra de las razones
por la cual los resultados no fueron correctos, pudieron
ser los multímetros, estos eran de diferentes marcas y
Cuadro III: Temperatura alta tienen diferentes cifras significativas para la misma me-
dición. Además cuando se cambia de escala, la medición
Voltaje [V] Corriente [µA] cambia totalmente y esto pudo generar confusión.
0.112±0.003 2.3±0.2
0.217±0.003 19.3±0.2
0.325±0.003 153±5 VI. CONCLUSIONES
0.430±0.004 690±5
0.500±0.005 2320±200
0.575±0.006 5620±200
1. Se lograron determinar la temperaturas experimen-
tales las cuales son T = 92.2 ± 0.5C, T = 83.9 ±
0.9C, T = 57 ± 2C.
2. Los resultados no fueron como se esperaba.
La temperatura indicada en el termómetro fue de 110C
3. Se determinó que a mayor temperatura, el diodo
Con estos datos se armó la siguiente gráfica empieza a conducir mas rápido y viceversa.
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VII. ANEXOS

Figura 6: Ajuste de la figura 2

Figura 7: Ajuste de la figura 3

Figura 8: Ajuste de la figura 4

Figura 5: Esquema del sistema

[1] Ing. Walter Giovanni Alvarez Marroquin. Coordinador de [2] Reckdahl, K. (Versión [3.0.1]). (2006). Using Imported
Laboratorios de Física, 201 S-11. Manual de Laboratoriao Graphics in LATEX and pdfLATEX.
de Fisica Tres. Guatemala: Facultad de Ingeniería, USAC.
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Figura 9: Hoja de datos

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Figura 10: Hoja de datos