LABORATORIO 2 – CURVA CARACTERISTICA DEL

DIODO

1
Licenciatura en Ingeniería de Sistemas y Computación – Centro Regional de Chiriquí – Universidad Tecnológica de Panamá

1
Electronica Básica – Centro Regional de Chiriquí – Universidad Tecnológica de Panamá

Resumen- Una de las formas que existen para evaluar el comportamiento de un diodo de germanio y de silicio con
voltajes y corrientes variables es la obtención experimental o curva característica de un diodo de unión P-N. Para ello
tendremos que estudiar la respuesta de dicho diodo en polarización directa y en polarización inversa. Representando
la curva obtenida y ajustándola a un comportamiento exponencial. Para las gráficas de este laboratorio se utilizarán
escalas pequeñas para mejorar la comprensión del comportamiento: en términos de mA para la corriente y Voltios
para el voltaje medido en los diodos en polarización directa y polarización inversa de ambos diodos, silicio y
germanio.

Palabras claves- curva característica de un diodo, polarización directa, polarización inversa.

1. Introducción
El presente laboratorio contiene la justificación
práctica producto de la medición de diodos de silicio
y germanio en posición de polarización directa e Objetivos Generales
inversa la cual dará lugar a las gráficas de curva
característica del diodo en la que se coteja la  Establecer un ambiente de prueba apropiado para evaluar
corriente vs el voltaje de estos dodos en las el comportamiento del diodo en distintos estados de
posiciones ya mencionadas. polarización.
 Obtener la curva característica de un diodo, de forma
experimental.
Objetivos Específicos

 Determinar la respuesta del diodo con polarización en

directa.
 Determinar la respuesta del diodo con polarización
 inversa.
 Determinar la resistencia estática del diodo de silicio.
 Determinar la resistencia estática del diodo de germanio.
  Mida la corriente en la resistencia y el voltaje
2. Descripción de la Experiencia en el diodo de Silicio para cada valor distinto
Propuesta. de la fuente. Complete la tabla del punto
anterior.
 Grafique Id vs. Vd.
Para la siguiente experiencia se procederá a graficar el  Repita los pasos para el diodo de Germanio.
comportamiento de la corriente en función de voltaje, en
otras palabras, la curva característica de dos diodos de 2.2.2 Polarización en inversa.
unión típico p-n del tipo Silicio y Germanio.
 Repetir los pasos polarizando el diodo de
2.1 Materiales Silicio y de Germanio en Inversa.

 Fuente de poder. 2.3. Resistencia estática

 My DyDAQ (función Multímetro digital).
 Protoboard  Calcule la resistencia estática a 15 mA del
 R1 = 100Ω. diodo de Silicio y de Germanio.

3. Resultados
3.1 Validación de los resultados

Como primer punto para convención de la figura 1 del

circuito en la sección de prueba, se midió la corriente en la
resistencia y el voltaje del diodo de silicio y se determinó el
orden de los valores a determinar más adelante en la gráfica
IR = 256.1 µA

VT = 471.8mV

Se empleó el uso de una tabla para la recopilación de los

datos provenientes de la medición variable de 20
mediciones para la polarización directa del diodo de silicio
en escala de 5 en cinco iniciando en 0,5V

Figura 1. Materiales para las pruebas

3.2 Discusión.

2.2 Procedimientos
Los materiales como el germanio y el silicio tienen
2.2.1 Polarización en directa características diferentes al expresar sus valores
matemáticos dado a que cada uno difiere de la forma
 Conecte el circuito de la figura 1. en la que los electrones se comportan al semiconducir
corriente a través de ellos.

4. Conclusiones
 El uso de un diagrama o grafica demuestra los valores de
incremento o decremento al aplicar distintos voltajes al
circuito principal ayudándonos a visualizar cómo se
comporta el voltaje en el diodo con respecto a su
proporcionalidad en la corriente.
Figura 1. Circuito para medir corriente y voltaje de un diodo.
 A pesar de que el diodo de germanio es más eficiente no
 Mida la corriente en la resistencia y el voltaje en el diodo se puede ignorar que el diodo de silicio tiene una amplia
de silicio gama aplicaciones debido a que su fabricación es
económica y fue la precursora de este sistema de
 Realice una tabla para cambiar el voltaje de la semiconduccion.
fuente desde un valor de 0.05 V un
incremento de 0.05 V hasta completar 20
mediciones.
REFERENCIAS
[1] El diodo, curva característica del diodo :
https://es.slideshare.net/juliannegrace/el-diodo-curva-
caracteristica-del-diodo-13831464

Consultado: 17 de septiembre de 2017.

[2] La curva característica del diodo:

https://es.slideshare.net/antoniovasquezsilva/la-curva-
caracterstica-del-diodo

Consultado: 17 de septiembre de 2017.

[3] Cambiar la escala del eje vertical (valores) en un

gráfico: https://support.office.com/es-es/article/Cambiar-la-
escala-del-eje-vertical-valores-en-un-gr%C3%A1fico-
05973661-e56a-4486-a9f3-f9ce41df0021