EL DIODO DE POTENCIA

Ideas generales sobre diodos de unión PN

V
VT
• Ecuación característica del diodo: i = IS·(e -1)
donde: VT = k·T/q IS = A·q·ni2·(Dp/(ND·Lp)+Dn/(NA·Ln))

• Operación con polarización directa con VO > V >> VT, siendo VO la

tensión interna de equilibrio de la unión:
V
(dependencia exponencial)
i  IS·e VT
DIODOS DE POTENCIA

• Operación con polarización directa con V > VO >> VT:

donde V es la tensión de codo del diodo y rd su

i  (V-V)/rd
resistencia dinámica

• Polarización inversa con V << -VT

i  -IS (corriente inversa de saturación que es muy pequeña

y casi independiente de la tensión)
 Ideas generales sobre diodos de unión PN
• Curva característica
(recta)

i [mA] pendiente = 1/rd

i 1
(exponencial)
+ P
V N

-
0
-1 1 V [V]
V
DIODOS DE POTENCIA

i [A]

0
-1 V [V]

-0,8
(constante)
 Ideas generales sobre diodos de unión PN

• Avalancha primaria

- +
- +
P + + +
+- - -
-- + N
- +
i + V -
DIODOS DE POTENCIA

i [A]
-40 V [Volt.]
La corriente aumenta fuertemente si
0
se producen pares electrón-hueco
adicionales por choque con la red
cristalina de electrones y huecos
suficientemente acelerados por el
-2
campo eléctrico de la zona de
transición
 Concepto de diodo ideal

En polarización directa, la caída

de tensión es nula, sea cual sea
el valor de la corriente directa
i
conducida
i
Ánodo
+
V curva característica
DIODOS DE POTENCIA

Cátodo
- V

En polarización inversa, la corriente

conducida es nula, sea cual sea el valor
de la tensión inversa aplicada
 El diodo semiconductor encapsulado

Ánodo Terminal
Ánodo Encapsulado
(cristal o resina
sintética) Contacto metal-
semiconductor

P Oblea de
DIODOS DE POTENCIA

semiconductor
N
Contacto metal-
semiconductor
Marca
Cátodo señalando el
cátodo
Cátodo Terminal
 Encapsulados de diodos

• Axiales
DIODOS DE POTENCIA

DO 35 DO 41 DO 15 DO 201
 Encapsulados de diodos

• Para usar radiadores

DIODOS DE POTENCIA
 Encapsulados de diodos

• Para grandes potencias

DO 5
DIODOS DE POTENCIA

B 44
 Encapsulados de diodos

• Agrupaciones de 2 diodos
DIODOS DE POTENCIA

2 diodos en cátodo común 2 diodos en serie

 Encapsulados de diodos

• Agrupaciones de 2 diodos (con varias conexiones)

DIODOS DE POTENCIA
 Encapsulados de diodos

• Agrupaciones de 2 diodos (sin conectar)

DIODOS DE POTENCIA

Nombre del dispositivo

 Encapsulados de diodos

• Agrupaciones de 2 diodos. Diversos encapsulados

para el mismo dispositivo

Nombre del Encapsulados

dispositivo
DIODOS DE POTENCIA
 Encapsulados de diodos

• Agrupaciones de 4 diodos (puentes de diodos)

DIODOS DE POTENCIA

Dual in line
 Encapsulados de diodos

• Agrupaciones de 4 diodos (puentes de diodos)

DIODOS DE POTENCIA

+   -
 Encapsulados de diodos

• Puentes de diodos. Toda la gama de Fagor

DIODOS DE POTENCIA
 Encapsulados mixtos de diodos y otros dispositivos
• Dan origen a módulos de potencia

- Adecuados para alta potencia y relativa alta frecuencia

- Minimizan las inductancias parásitas del conexionado
- Se usan en aplicaciones industriales, espaciales, militares, etc
- Se pueden pedir a medida
DIODOS DE POTENCIA

Electrónica militar
Control de Motores
 Circuito equivalente estático

Curva característica
i real

Curva
característica ideal Curva característica
asintótica.
Pendiente = 1/rd

V
DIODOS DE POTENCIA

0
V
ideal
• Circuito equivalente asintótico
rd
Modelo asintótico V
 Características fundamentales de cualquier diodo

1ª -Máxima tensión inversa soportada

2ª -Máxima corriente directa conducida
3ª -Caída de tensión en conducción
4ª -Corriente de inversa en bloqueo
5ª -Velocidad de conmutación

1ª Máxima tensión inversa soportada

• Corresponde a la tensión de ruptura de la unión inversamente polarizada
DIODOS DE POTENCIA

Baja tensión Media tensión Alta tensión

15 V 100 V 500 V
30 V 150 V 600 V
Ejemplo de
45 V 200 V 800 V
clasificación
55 V 400 V 1000 V
60 V 1200 V
80 V
 1ª Máxima tensión inversa soportada

• El fabricante suministra (a veces) dos valores:

- Tensión inversa máxima de pico repetitivo VRRM

- Tensión inversa máxima de pico no repetitivo VRSM

DIODOS DE POTENCIA

La tensión máxima es crítica. Superarla suele ser

determinante del deterioro irreversible del componente
 2ª Máxima corriente directa conducida

• El fabricante suministra dos (y a veces tres) valores:

- Corriente eficaz máxima IF(RMS)

- Corriente directa máxima de pico repetitivo IFRM

- Corriente directa máxima de pico no repetitivo I FSM

DIODOS DE POTENCIA

Depende de la cápsula
 3ª Caída de tensión en conducción

• La caída de tensión en conducción (obviamente) crece con la

corriente directa conducida. A corrientes altas crece linealmente

ideal

rd
V

i
DIODOS DE POTENCIA

ID

5A

V
VD
 3ª Caída de tensión en conducción

• La caída de tensión en conducción crece con la máxima tensión

soportable por el diodo
DIODOS DE POTENCIA
 3ª Caída de tensión en conducción

• Se obtiene directamente de las curvas tensión corriente

IF(AV) = 4A,
VRRM = 200V

1,25V @ 25A
DIODOS DE POTENCIA

IF(AV) = 5A,
VRRM = 1200V

• En escala lineal no son muy útiles

• Frecuentemente se representan en
escala logarítmica
2,2V @ 25A
 3ª Caída de tensión en conducción

• Curva característica en escala logarítmica

IF(AV) = 25A, IF(AV) = 22A,

VRRM = 200V VRRM = 600V
DIODOS DE POTENCIA

0,84V @ 20A
1,6V @ 20A
 3ª Caída de tensión en conducción

• Los Schottky tienen mejor

comportamiento en conducción
para VRRM < 200 (en silicio)
DIODOS DE POTENCIA

0,5V @ 10A
 3ª Caída de tensión en conducción

• Schottky de VRRM relativamente alta

DIODOS DE POTENCIA

0,69V @ 10A

La caída de tensión en conducción no sólo va creciendo al

aumentar VRRM, sino que se aproxima a la de un diodo PN
 3ª Caída de tensión en conducción

Schottky

Schottky
DIODOS DE POTENCIA

Similares valores
de VRRM y similares
caídas de tensión
en conducción
PN
 4ª Corriente de inversa en bloqueo

• Depende de los valores de IF(AV) y VRRM, de la tensión inversa (poco) y

de la temperatura (mucho)
Crece con IF(AV)
• Algunos ejemplos de diodos PN
Crece con Tj
IF(AV) = 8A, VRRM = 200V
DIODOS DE POTENCIA

IF(AV) = 4A, VRRM = 200V

IF(AV) = 5A, VRRM = 1200V

 4ª Corriente de inversa en bloqueo • Crece con IF(AV)
• Crece con Tj
• Dos ejemplos de diodos Schottky
• Decrece con VRRM
IF(AV) = 10A, VRRM = 40V

IF(AV) = 10A, VRRM = 170V

DIODOS DE POTENCIA
 5ª Velocidad de conmutación

• Comportamiento ideal de un diodo en conmutación

R
i
a b
Transición de “a” a “b”,
+ es decir, de conducción
V2 V a bloqueo (apagado)
V1
-
i
DIODOS DE POTENCIA

V1/R
t

V t

-V2
 5ª Velocidad de conmutación

• Comportamiento real de un diodo en conmutación

Transición de “a” a “b”, es decir, de conducción a bloqueo (apagado)

R
i i
a b V1/R
+
V2 trr t
V1 V
- ts
DIODOS DE POTENCIA

-V2/R tf (i= -0,1·V2/R)

ts = tiempo de almacenamiento
(storage time )
V
tf = tiempo de caída (fall time ) t
trr = tiempo de recuperación
inversa (reverse recovery time ) -V2
 5ª Velocidad de conmutación
• Comportamiento real de un diodo en conmutación
Transición de “b” a “a”, es decir, de bloqueo conducción (encendido)

R i
i 0,9·V1/R
a b +
V2 V
0,1·V1/R
V1 td
- tr
DIODOS DE POTENCIA

tfr
td = tiempo de retraso (delay time )
tr = tiempo de subida (rise time )
tfr = td + tr = tiempo de recuperación directa (forward recovery time )

El tiempo de recuperación directa genera menos

problemas reales que el de recuperación inversa
 5ª Velocidad de conmutación

• Información suministrada
por los fabricantes
• Corresponde a
conmutaciones con cargas
con comportamiento inductivo
DIODOS DE POTENCIA

IF(AV) = 8A, VRRM = 200V

 5ª Velocidad de conmutación • Más información suministrada por
los fabricantes
STTA506D
DIODOS DE POTENCIA
 5ª Velocidad de conmutación

• La velocidad de conmutación (valorada con la trr) ayuda a

clasificar los diodos
VRRM IF trr

• Standard 100 V - 600 V 1 A – 50 A > 1 s

• Fast 100 V - 1000 V 1 A – 50 A 100 ns – 500 ns
• Ultra Fast 200 V - 800 V 1 A – 50 A 20 ns – 100 ns
• Schottky 15 V - 150 V 1 A – 150 A < 2 ns
DIODOS DE POTENCIA

Las características de todos los semiconductores (por supuesto,

también de los diodos) se pueden encontrar en Internet (pdf)

www.irf.com
www.onsemi.com
Direcciones web
www.st.com
www.infineon.com
 Pérdidas en diodos
• Son de dos tipos:
- Estáticas en conducción (en bloqueo son despreciables)
- Dinámicas
Pérdidas estáticas en un diodo
Forma de onda frecuente
iD
iD

ideal
DIODOS DE POTENCIA

rd Potencia instantánea perdida en conducción:

V pDcond (t) = vD (t)·iD (t) = (V + rd · iD(t)) · iD(t)

Potencia media en un periodo:

T
1
PDcond 
T 
p Dcond (t )·dt
0
 PDcond = V·IM + rd · Ief2
IM : Valor medio de iD(t)
Ief : Valor eficaz de iD(t)
 Pérdidas dinámicas (pérdidas de conmutación) en un diodo

• Las conmutaciones no son perfectas

• Hay instantes en los que conviven tensión y corriente
• La mayor parte de las pérdidas se producen en la salida de conducción

10 A iD
trr

t
DIODOS DE POTENCIA

3A
Potencia instantánea perdida
0,8 V VD en la salida de conducción:
t pDsc (t) = vD (t)·iD (t) =

Potencia media en un periodo:

trr
1

-200 V
PD 
T 
p Dsc (t )·dt
0
 Información de los fabricantes sobre pérdidas

• Estáticas
DIODOS DE POTENCIA

(de las hojas de características (Datasheet) del diodo STTA506)

 Información de los fabricantes sobre pérdidas

• Dinámicas
DIODOS DE POTENCIA

(de las hojas de características

(Datasheet) del diodo STTA506)
 Información de los fabricantes sobre pérdidas

• Dinámicas
DIODOS DE POTENCIA

(de las hojas de características

(Datasheet) del diodo STTA506)
 Características Térmicas
• Las pérdidas generan calor y éste debe ser evacuado
• El silicio pierde sus propiedades semiconductoras a partir de 175-150ºC

• Magnitudes térmicas:
- Resistencias térmicas, RTH en ºC/W
- Increm. de temperaturas, ΔT en ºC
- Potencia perdida, P en W
Si • Ley “de Ohm” térmica: ΔT=P·RTH
RTHjc RTHca
DIODOS DE POTENCIA

P • Magnitudes eléctricas:
(W) a
j Ambiente - Resistencias eléctricas, R en Ω
Unión - Difer. de tensiones, V en voltios
(oblea)
- Corriente, I en A
c RTH  R
Encapsulado Equivalente
ΔT  V
eléctrico
PI
 Características Térmicas
RTH  R
Equivalente
ΔT  V
eléctrico
PI

TJ RTHjc TC RTHca a
Si j
Ta
P
RTHjc RTHca c
(W) a P

j
Ambiente
DIODOS DE POTENCIA

Unión
0K

c
Encapsulado

Por tanto: ΔT = P·ΣRTH Tj-Ta = P·(RTHjc + RTHca)

Y también: Tj-TC = P·RTHjc y Tc-Ta = P·RTHca
 Características Térmicas

• La resistencia térmica unión-cápsula es baja ( 0,5-5 ºC/W)

• La resistencia térmica cápsula-ambiente es alta ( 30-100 ºC/W)

IF(AV) = 5A, VRRM = 1200V

Cápsula TO 3 TO 5 TO 66 TO 220 TOP 3

DIODOS DE POTENCIA

RTHca [ºC/W] 30 105 45 60 40

• Para reducir la temperatura de la unión hay que disminuir la

resistencia térmica entre la cápsula y el ambiente.
• Para ello se coloca un radiador en la cápsula.
 Características Térmicas
RTHrad

j RTHjc c a
TJ TC RTHca Ta
P
RTHrad
Si R
THjc RTHca
P 0º K
(W) a
j Ambiente
DIODOS DE POTENCIA

Unión

c
Encapsulado

Por tanto: Tj-Ta = P·[RTHjc + (RTHcaRTHrad)/(RTHca+RTHrad)]

Y también: Tj-TC = P·RTHjc y Tc-Ta = P·(RTHcaRTHrad)/(RTHca+RTHrad)]