ELECTRONICA ANALÓGICA

ING. JUAN MIGUEL MAIRENA

DOCENTE DEPARTAMENTO
ELECTRÓNICA
UNI-FEC
 EL DIODO
• Por sí mismo, un fragmento de semiconductor de tipo n es casi tan útil como una resistencia
de carbón; lo que también se puede decir de un semiconductor de tipo p. Sin embargo,
cuando un fabricante dopa un cristal de modo que una mitad sea tipo p y la otra mitad
tipo n, aparecen nuevas funcionalidades.
• Es un dispositivo de 2 terminales que conduce en una sola dirección la terminal positiva se
le llama Ánodo y la Negativa Cátodo.
Cátodo

Ánodo
 SIN POLARIZACIÓN APLICADA (V = 0 V)

Esta región de iones positivos y negativos revelados se Sin ninguna polarización aplicada a través de
llama región de empobrecimiento”, debido a la un diodo semiconductor, el flujo neto de carga
disminución de portadores libres en la región. en una dirección es cero.
CONDICIÓN DE POLARIZACIÓN EN INVERSA (VD < 0V)

La corriente en condiciones de
polarización en inversa se llama
corriente de saturación en inversa y
está representada por Is.
CONDICIÓN DE POLARIZACIÓN EN DIRECTA (VD>0 V)

Corriente Convencional
 El potencial de polarización en inversa que produce este
cambio dramático de las características se llama potencial Zener
Región Zener y su símbolo es VZ.

El máximo potencial de polarización en inversa que se puede

aplicar antes de entrar a la región Zener se llama voltaje
inverso pico (conocido como valor PIV) o voltaje de reversa
pico (denotado como valor PRV)

A una temperatura fija, la corriente de saturación en inversa de

un diodo se incrementa con un incremento de la polarización en
inversa aplicada.
 EFECTOS DE LA TEMPERATURA
En la región de polarización en directa las características de un diodo de
silicio se desplazan a la izquierda a razón de 2.5 mV por grado
centígrado de incremento de temperatura.

En la región de polarización en directa las características de un diodo de silicio se

desplazan a la izquierda a razón de 2.5 mV por grado centígrado de incremento de
temperatura

En la región de polarización en inversa la corriente de saturación en inversa de un

diodo de silicio se duplica por cada 10°C de aumento de la temperatura.
 RESISTENCIA DE CD O ESTÁTICA

La aplicación de un voltaje de cd a un circuito que contiene un diodo

semiconductor produce un punto de operación en la curva de características que
no cambia con el tiempo.
RESISTENCIA DE CA O DINÁMICA
 Otra Forma de Calcular rd no gráficamente
La derivada de una función en un punto es igual a la pendiente de la línea tangente
trazada en dicho punto.

Invertimos la Ecuación
Resistencia de ca Promedio
 OTRAS RESISTENCIAS INFLUYEN.

Resistencia del cuerpo: La resistencia del material semiconductor

propiamente dicho

Resistencia de contacto: La resistencia introducida por la conexión

entre el material semiconductor y el conductor metálico externo.

Debido a su baja influencia no se tomaran en cuenta.

Resumen
Circuitos Equivalentes del Diodo
 C APACITANCIAS DE DIFUSIÓN Y TRANSICIÓN

En la región de polarización en inversa tenemos la capacitancia de transición o de

región de empobrecimiento (CT ) en tanto que en la región de polarización en
directa tenemos la capacitancia de almacenamiento o difusión (CD ).
TIEMPO DE RECUPERACIÓN EN INVERSA
HOJAS DE ESPECIFICACIONES DE DIODOS
HOJAS DE ESPECIFICACIONES DE DIODOS
ANÁLISIS POR MEDIO DE LA RECTA DE CARGA