Cap 2

Capítulo 2
Transporte de corriente y
Relaciones de Continuidad
Los Dispositivos Semiconductores Franco Renato Campana Valderrama
2.- Conducción de corriente en los SC
Dos tipos:
1.- El Arrastre o Deriva:
Debido al campo eléctrico E
2.- La Difusión:
Debido al gradiente de concentración de

partículas.
1
3
2.1.- Movimiento de portadores en un SC

Sin campo eléctrico aplicado:
colisión
*
mn(p)ν 2thn(p) 3kBT
=
2 2
- El movimiento es dado por la m : Masa efectivadel

*
electrón(hueco)
n(p)
energía térmica.
- Es un movimiento aleatorio. v : velocidadtérmica
del electrón(hueco)
thn(p)
Corriente neta=0
Dirección del movimiento de los portadores ante un

campo aplicado:
Electrón
Hueco
2
5
Movimiento de portadores en un SC
Aplicando un campo eléctrico externo:
Electrón
- Tendencia de moverse hacia un lado.

Corriente neta ≠ 0: existe corriente de arrastre!
- Su velocidad (Varrn) es menor a la velocidad térmica.
Varrn(p): Velocidad de arrastre de los electrones (huecos).
2.2.- Corriente de arrastre de portadores

E A: área de sección
transversal
µn(p): movilidad de
electrones (huecos)
qt qt
µn = µp =
+V- mn* mp*
Inarr t:̅ tiempo entre
Electrones: Jnarr = = qnµnE
A colisiones.
I
Huecos: Jparr = parr = qpµpE
A
3
7
2.3.- La Dispersión (scattering)

Afecta la movilidad. Impide sea constante.
Algunos fenómenos de dispersión en los portadores
TIPO DE DISPERSIÓN CAUSA QUE LO PROVOCA
Impurezas ionizadas Debido a los dopantes en los
semiconductores
Fonones Debido a las vibraciones de red
Impurezas químicas Debido a las impurezas no intencionales al
momento de construir el dispositivo
Portador-portador Colisiones entre los mismos portadores
Piezoeléctrica Debido al desplazamiento de átomos desde
sus respectivos lugares en la red
Estudiaremos dos tipos principales de dispersión:
Impurezas ionizadas y por Fonones
1.- Impurezas Ionizadas
- Depende del grado de dopaje del SC.

- Tipo de colisión: portador-ión.
Representación de la atracción coulómbica ión fijo-electrón
Desviación de los portadores debido a los iones fijos
4
9
Variación de la movilidad de los portadores debido al dopaje
Valores típicos de la movilidad a T=300 K

MATERIAL µn (cm2 /V-s) µp (cm2 /V-s)
SEMICONDUCTOR
Silicio 1350 480
Arsenuro de Galio 8500 400
Germanio 3900 1900
10
2.- Fonónica
- Depende de la temperatura: los átomos vibran.
Desplazamiento atómico alrededor de
su posición de equilibrio !
- Interacción de portadores con dichas vibraciones
≈ dispersión portador-”partícula”
”partícula”: Fonón
Regla de Matthiessen µn(p) Movilidad de

para el cálculo de la 1 1 1 electrones (huecos).
= +
movilidad debido a los µn(p) µn(p)ii µn(p)f ii: Impurezas ionizadas
f: Fonónica.
efectos de dispersión:
5
11
Dependencia de la movilidad con respecto a

la temperatura y al grado de dopaje
Aumento de temperatura: incremento de la energía térmica y vth.
Los portadores permanecen por un corto tiempo cerca de la
impureza ionizada.
Mayor temperatura:
comienza la disper-
sión por fonones
12
Efectos de un campo eléctrico de gran
magnitud
- Velocidad de arrastre comparable a la v. térmica.
qt qt
v arrn = − E = −µnE v arrp = E = µpE
mn* mp*
- Decrece el tiempo entre colisiones.
6
13
2.4.- Corriente de Difusión

Difusión:
- Migración de partículas desde regiones de alta
concentración hacia regiones de baja concentración.
Corriente de h+
Flujo de e- y h+
Gradiente de
Corriente de e- concentración
x
Indif  dn  Ipdif  dp 
Jndif = = qD n   Jpdif = = −qDp  
A  dx  A  dx 
Dn(p): Coeficiente de difusión de electrones (huecos) (cm2/s)

14
2.5.- Corriente Total

Corriente de arrastre + Corriente de difusión
 dp 
JTp = Jparr + Jpdif = qµppE − qDp  
 dx 
 dn 
JTn = Jnarr + Jndif = qµnnE + qDn  
 dx 
2.6.- Relaciones de Einstein

Relacion entre el coef. de difusion D y la movilidad µ.
D n k BT Dp k BT
= =
µn q µp q
7
15
2.7.- Resistividad
1
ρ=
q(µ n n + µ p p)
Y la resistencia:
L 1L
R = ρ  =  
 A σ  A
Aproximaciones
Semiconductor tipo N Semiconductor tipo P
1 1 1 1
ρ= ≈ ρ= ≈
qµnnn qµn ND qµ p p p qµ p N A
16
Y cuál sería
una posible
aplicación ? Longitud
Área de
sección
Semiconductor
transversal
í =
8
17
La resistividad
varía fuertemente
con la temperatura
18
La resistencia
varía fuertemente
con la temperatura
9
19
La resistencia aumenta de
acuerdo a la longitud del
semiconductor
20
La resistencia disminuye de
acuerdo al área trasversal
del semiconductor
10
21
Acerca de las energías cinética y potencial
E
E.Cinética
+ Energía del electrón
EC EC
Energía
EV E. Potencial
E.Cinética
del hueco
E Eref
E. Potencial = -qV = EC - EREF dV 1 dEC 1 dE V 1 dEFi
E =- E = = =
dx q dx q dx q dx
“EC (ó EV) se
1 voltea “Es el gradiente
V = - (E C − E REF )
q hacia abajo“ de EC, EV ó EFi“
22
2.8.- Doblamiento de bandas debido a una

tensión aplicada
Tensión positiva aumenta E.P.
de la carga positiva y reduce
la E.P. de la carga negativa.
Diagrama de bandas
Diagrama del potencial
Analogía con
una balanza
11
23
Movimiento de los portadores en las

bandas de energía
Electrón moviéndose en la B.C.
Se mantiene
constante
ET : Energía total=
energía potencial E.P.+ energía cinética E.C.
24
2.9.- Nivel de Fermi constante
EF
Material 1 Material 2 Material N
SÓLO EN ESTADO DE EQUILIBRIO (NO LVIDAR)!!
Analogía (NO LVIDAR)!!
12
25
Doblamiento de las Bandas de Energía
por efectos del dopaje
- Hasta ahora, los SC dopados que hemos analizado
han sido SC unformemente dopados en estado de equilibrio.
Dopaje Dopaje
n0≈ND p0≈NA
Tipo N Tipo P
po n0
x x
0 0 d
d
EC EC
EF
EFi EFi
EF
EV EV
x
0 d x
0 d
26
Si asumimos condiciones de equilibrio y el dopaje

varía con la posición ?
ND
No olvidar que si se dopa
mucho, tendremos SC
degenerados !
x
d
3kBT
Semiconductor
EC EC
EF degenerado
EF
Semiconductor no
EFi EF
degenerado
EV Semiconductor
EF degenerado
EV 3kBT
0 d x
13
27
Ejemplo: Se tiene el siguiente diagrama de bandas
EC
EFi
EF
EV
x
0 L 2L 3L
1.- Prevalecen las condiciones de equilibrio ?
2.- Es un SC degenerado ?
3.- Graficar V y el campo eléctrico.
28
1.- Si. El nivel de Fermi es constante.

2.- Alrededor de 3L.
1 y no se está tomando ningún EREF,
3.- Como V = - (EC − E REF )
q entonces: (“EC se voltea
Potencial V hacia abajo“)
x
0 L 2L 3L
El campo es el
Como E = 1 dEC = 1 dE V = 1 dEFi gradiente de EC,
q dx q dx q dx
EV ó EFi
Campo E
x
0 L 2L 3L
14
29
2.10.- Generación y Recombinación (G-R)

- Generación: Proceso donde el par electrón-hueco (e-h)
es creado.
- Recombinación: Proceso donde el electrón y el hueco
se juntan, aniquilando el par e-h.
Semiconductor en equilibrio térmico:
Cada proceso está balanceado por el proceso inverso.
Semiconductor perturbado:
Un exceso o déficit de portadores es creado a partir
del estado de equilibrio.
La G-R intenta restablecer el orden.
30
Tipos de G-R
Algunos procesos de
generación y recom-
binación
15
31
2.11.-Relaciones de Continuidad
Suma de procesos individuales:
Arrastre + Difusión + G-R dentro de un semiconductor
∂n ∂n ∂n ∂n
= + +
∂t ∂t arrastre ∂t difusión ∂t Procesos
de G - R
∂p ∂p ∂p ∂p
= + +
∂t ∂t arrastre ∂t difusión ∂t Procesos
de G - R
A partir de estas, se derivan las relaciones de

continuidad para los portadores minoritarios
32
Relaciones de Difusión de los Portadores

Minoritarios
Electrones minoritarios: Huecos minoritarios:
∂∆n p 2
∂ ∆n p ∆n p ∂∆p n ∂ 2∆p n ∆p n
= Dn − + G op = Dp − + G op
∂t ∂x 2 τn ∂t ∂x 2 τp
Δnp=np-np0: Desviación de los electrones minoritarios

a partir de su estado de equilibrio.
Δpn=pn-pn0: Desviación de los huecos minoritarios
a partir de su estado de equilibrio.
τ n(p): Tiempo de vida e los electrones (huecos).
Gop: Generación de portadores por medios ópticos.
Gop=0, Cuando la luz es absorbida sólo en la superficie.
Gop≈cte, cuando la luz es absorbida dentro del dispositivo.
16
33
SC tipo N
en equilibrio
X
0
LUZ SC tipo N
perturbado
X
0
34
Diagrama de Bandas de un SC tipo N

En equilibrio Ante una perturbación
Portadores
nn0 nn0 en exceso
Δn
EC EC
LUZ Generación por pares,

entonces Δp = Δn
EV EV
pn0 pn0 Δp
• nn0 >> Δn, Δp. Portadores
• Los minoritarios sufren la mayor en exceso
variación frente a la perturbación .
17
35
Diagrama de bandas vs concentración

En equilibrio
Concentración
nn0
nn0
EC
EV
pn0
pn0
X
36
Ante una perturbación

Concentración
nn0 Δn(x=0)
Δn
nn0
EC Δp= Δn
Portadores en
LUZ Δp= Δn LUZ exceso generados
por pares en la
EV superficie
pn0 iluminada
Δp(x=0)
Δp
pn0
X
0
18
37
Estudiemos los minoritarios en lo profundo de la muestra

Concentración
minoritaria
Aumenta por G?
Constante?
LUZ Δp(0)
Que tendencia siguen Decae por R?
los minoritarios en
función de la distancia?
pn0
X
0
38
Si la muestra es muy grande (x>>LP)
Concentración
minoritaria
pn(x)
Δp(0)
Δpn= pn(x)- pn0
pn0
X
0
19
39
Concentración
minoritaria
LP: Long. de
difusión de huecos
Δp(0)
pn0
X
0 LP
40
Y cuando x≈LP
Concentración
minoritaria
Δp(0)
Δpn= pn(x)- pn0
pn0
X
0
20
41
Y la variación de mayoritarios
tambien sigue la misma tendencia
Concentración
Si se cumple que:
Δnn= nn(x)- nn0 nn0 >>Δnn
Δn(x=0)
nn0 Entonces:
nn(x)= Δnn+nn0≈nn0
LUZ Y como Δnn=Δpn
Podemos decir que
nn0 >> Δpn+pn0
Δpn= pn(x)- pn0 Condición de
Δp(x=0) baja inyección (B.I.)
pn0
X
0
42
Un ejemplo:
Concentración
nn(0)=nn0 +Δnn(0)=1.01x1017 cm-3 En equilibrio
Δnn(x) nn0≈ND=1017 cm-3 (mayo.)
Δn(x=0) pn0=2.25x103 cm-3 (mino.)
nn0
Ante una
LUZ
perturbación
pn(0)=pn0 +Δpn(0)≈1015 cm-3 Δp=Δn=1015 cm-3 en x=0
nn(x)≈nn0
Δpn(x) Y además nn0>> pn(0)
Δp(x=0)
pn0 Se cumple la condición
X de baja inyección !
0
21
43
Variación
porcentual
Para los Para los

mayoritarios minoritarios
!
!
x100 % x100 %
! !
$% $% & $' (.()# *

. #
x100%=1% x100%=44.4x1012 %
$% (.()# *
Nuevamente, ante una perturbación y en condiciones

de B.I., la mayor variación la tienen los minoritarios !
22

Cap 2

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2.- Conducción de corriente en los SC

1.- El Arrastre o Deriva:

Debido al campo eléctrico E

Debido al gradiente de concentración de

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2.1.- Movimiento de portadores en un SC

- El movimiento es dado por la m : Masa efectivadel

Dirección del movimiento de los portadores ante un

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Aplicando un campo eléctrico externo:

- Tendencia de moverse hacia un lado.

2.2.- Corriente de arrastre de portadores

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2.3.- La Dispersión (scattering)

1.- Impurezas Ionizadas

- Depende del grado de dopaje del SC.

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Dependencia de la movilidad con respecto a

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2.8.- Doblamiento de bandas debido a una

Diagrama del potencial

Movimiento de los portadores en las

2.9.- Nivel de Fermi constante

SÓLO EN ESTADO DE EQUILIBRIO (NO LVIDAR)!!

Analogía (NO LVIDAR)!!

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Si asumimos condiciones de equilibrio y el dopaje

Ejemplo: Se tiene el siguiente diagrama de bandas

1.- Si. El nivel de Fermi es constante.

2.10.- Generación y Recombinación (G-R)

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A partir de estas, se derivan las relaciones de

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Relaciones de Difusión de los Portadores

Δnp=np-np0: Desviación de los electrones minoritarios

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Diagrama de Bandas de un SC tipo N

LUZ Generación por pares,

Diagrama de bandas vs concentración

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Ante una perturbación

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Si la muestra es muy grande (x>>LP)

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