Clase 2 - Dinamica de Portadores

UNIVERSIDAD
TECNOLGICA NACIONAL
FACULTAD REGIONAL
AVELLANEDA Dispositivos Electrónicos – 2021 Clase 2-1
Clase 2 - Física de semiconductores

DINAMICA DE PORTADORES
Contenido:
1. Movimiento térmico de portadores

2. Arrastre de portadores
3. Difusión de portadores
4. Inyección de portadores minoritarios. Recombinación
5. Ecuación de continuidad
Lectura recomendada:
Tremosa, Cap. 2, §§ 2.9, 2.10 – Cap. 5
Selva, Cap. 2 – Cap. 3
Julian, Cap. 2, §§ 2.4
Dispositivos Electrónicos – 2021 Clase 2-2
Preguntas clave
• ¿Qué fenómenos físicos generan el flujo de corriente en los semiconductores?

• ¿Qué ocurre con las lagunas y electrones en presencia de un campo eléctrico?
• ¿Cómo se comportan los electrones y lagunas en un semiconductor si su
concentración no es espacialmente uniforme?
• ¿Cómo se comportan los portadores en exceso agregados a un semiconductor
en equilibrio?
• ¿Cómo se comporta un semiconductor al someterse a todas las perturbaciones
de movimiento de portadores simultáneamente?
Dinámica de portadores UTN-FRA

1. Movimiento térmico de portadores
En equilibrio térmico los portadores no están fijos en el espacio:
• Sufren colisiones (scattering) con los átomos de Si de la red que están vibrando.
• Interactúan electrostáticamente con los átomos dopantes cargados y entre si.
La constante de tiempo característica del movimiento térmico es el tiempo libre

medio entre colisiones:
𝜏𝑐 ≡ 𝑡𝑖𝑒𝑚𝑝𝑜 𝑙𝑖𝑏𝑟𝑒 𝑚𝑒𝑑𝑖𝑜 [𝑠]
Entre colisiones los portadores tienen una gran velocidad:
𝑣𝑡ℎ ≡ 𝑣𝑒𝑙𝑜𝑐𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑡𝑒𝑟𝑚𝑖𝑐𝑎 [𝑐𝑚⁄𝑠]
Sin embargo, la velocidad térmica promedio es cero → el movimiento térmico no genera

una corriente eléctrica estable.
Pero, genera “ruido térmico” o “ruido de Johnson”

La longitud característica del movimiento térmico:
𝜆 ≡ 𝑐𝑎𝑚𝑖𝑛𝑜 𝑙𝑖𝑏𝑟𝑒 𝑚𝑒𝑑𝑖𝑜 [𝑐𝑚]
𝜆 = 𝑣𝑡ℎ 𝜏𝑐
Experimentalmente se observa que para Si a 300 K:
𝜏𝑐 ≅ 10−14~10−13 𝑠
𝑣𝑡ℎ ≅ 107 𝑐𝑚/𝑠
→ 𝜆 ≅ 1~10 𝑛𝑚

2. Arrastre de portadores (“drift”)
Arrastre → movimiento de portadores causado por un campo eléctrico
Si se aplica un campo eléctrico (𝐸̅ ) sobre el semiconductor =≫ Se genera una fuerza

neta sobre los portadores:
𝐹̅ = ±𝑞𝐸̅ (Coulomb)
La velocidad promedio de los portadores deja de ser cero cuando se aplica un campo
eléctrico → velocidad de arrastre
La velocidad de arrastre se superpone al movimiento térmico
Pero → Todos los efectos de la red periódica están incluidos en el parámetro masa
eficaz =≫ solo las divergencias respecto a la periodicidad provocaran una desviación
de los portadores:
- Dispersión térmica: Deformaciones del cristal por vibración térmica

- Dispersión por impurezas: Presencia de impurezas ionizadas generan
atracción electrostática.
- Dispersión por impurezas sin ionizar: deformación local de la red

El incremento de la velocidad de los portadores (debido a la presencia del campo)

hace que las desviaciones se produzcan más a menudo.
Por lo tanto, cuanto más rápido se mueva el portador → más choques realizara por
unidad de tiempo.
En promedio para un grupo de portadores, la fuerza de oposición resultante crece

con la velocidad → mismo tipo que la resistencia viscosa (movimiento de
partículas en un fluido, ej. caída libre en la atmosfera) → se alcanza una velocidad
de régimen.
Este es el origen de la velocidad de arrastre de los portadores.
No es la perdida de energía en cada choque la que limita la corriente, sino los cambios aleatorios
de dirección de los miembros del grupo de portadores provocados por los procesos de dispersión.

MOVILIDAD
Dado un grupo de electrones con energía térmica similar 𝛿𝑛, con velocidad media
incremental 𝑣𝑖 (además de la térmica) → si se aplica un campo eléctrico aparecerá
una fuerza 𝐹 neta sobre el grupo.
La velocidad incremental de los portadores da lugar a una fuerza resistente sobre el

grupo proporcional a 𝑣𝑖 .
La ecuación dinámica de movimiento del grupo será:
𝑑𝑣𝑖
𝐹. 𝛿𝑛 = 𝑚𝑛∗ . 𝛿𝑛. + 𝛼. 𝑣𝑖 . 𝛿𝑛
𝑑𝑡
Donde:
𝛼. 𝑣𝑖 . 𝛿𝑛 ≡ fuerza del rozamiento viscoso, efecto de los factores de dispersión
𝐹. 𝛿𝑛 = −𝑞. 𝐸. 𝛿𝑛 ≡ fuerza eléctrica que actúa sobre el grupo generada por un

campo eléctrico
Dividiendo por 𝑚𝑛∗ . 𝛿𝑛:
𝐹 𝑑𝑣𝑖 𝑣𝑖 𝐹 𝑑𝑣𝑖 𝑣𝑖
= + 𝑜 = +
𝑚𝑛∗ 𝑑𝑡 𝑚𝑛∗ /𝛼 𝑚𝑛∗ 𝑑𝑡 𝜏𝑐
𝜏𝑐 ≡ 𝑡𝑖𝑒𝑚𝑝𝑜 𝑑𝑒 𝑟𝑒𝑙𝑎𝑗𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛

Cuando no hay fuerza aplicada → 𝐹 = 0, si en el instante 𝑡 = 0 había una

perturbación inicial 𝑣𝑖 (0) del grupo respecto de su estado de equilibrio aleatorio →
𝑣𝑖 = 𝑣𝑖 (0)𝑒 −𝑡/𝜏𝑐
Lo cual indica que la velocidad del grupo de portadores disminuye (o se relaja) hacia
su estado de equilibrio térmico (𝑣𝑖 = 0) con una constante de tiempo 𝜏𝑐 .
Al aplicar un campo eléctrico 𝐸:
Al trascurrir el tiempo se alcanza el estado estacionario cuando 𝑑𝑣𝑖 /𝑑𝑡 = 0 y la

velocidad será constante
𝐹 𝑣𝑖 𝑞𝐸 𝑣𝑖 𝑞𝜏𝑐
= ∴ − = → 𝑣𝑖 = − 𝐸 = −𝑣𝑑
𝑚𝑛∗ 𝜏𝑐 𝑚 ∗ 𝜏𝑐 𝑚𝑛∗
Que será la velocidad de arrastre (𝑣𝑑 ) estacionaria del grupo de portadores
Y si definimos
𝑞𝜏𝑐
𝜇𝑛 =
𝑚𝑛∗
𝜇𝑛 ≡ movilidad de los electrones de conducción
→ 𝑣𝑑 = −𝜇𝑛 𝐸
Para las lagunas: 𝑣𝑑 = 𝜇𝑝 𝐸

𝜏𝑐 → coincide con el tiempo libre medio al pensar en los choques de los portadores
como sucesos discretos separados por “tiempos libres” entre choques.
Esta relación lineal entre 𝑣𝑑 y 𝐸 es válida dentro de un rango amplio pero acotado:
la velocidad de saturación depende de la temperatura:

La movilidad es una medida de la facilidad para arrastrar portadores:
- Si 𝜏𝑐 ↑, mayor tiempo entre colisiones → 𝜇 ↑

- Si 𝑚∗ ↓, partícula más “liviana” → 𝜇 ↑
- 𝜏𝑐 depende de la temperatura y del nivel de dopaje.
- 𝜇 depende del tipo de portador
La movilidad depende del dopaje. Para Si a 300K:
• Para un bajo nivel de dopaje, es limitada por colisiones con la red.

• Para medio o alto nivel de dopaje, es limitada por colisiones con los dopantes.
• Los huecos tienen masa efectiva mayor que los electrones:
→ para el mismo nivel de dopaje, 𝜇𝑛 > 𝜇𝑝

La movilidad depende de la temperatura:
- La movilidad disminuye al aumentar la temperatura: mayor frecuencia de choques de

los electrones con los átomos por aumento de su amplitud de vibración.
- Presenta un máximo a temperaturas medias: debido a la dispersión por impurezas. La
eficacia desviadora del ion cargado es mayor cuanto menor sea la velocidad del
portador → A temperaturas bajas será más eficaz la dispersión.
Valores típicos @300K:

CORRIENTE DE ARRASTRE
Partículas cargadas que tienen velocidad neta debido a la presencia de un campo:

=≫ corriente eléctrica
Intensidad de corriente ( 𝐼): es la carga transportada por unidad de tiempo a través de

una superficie normal al desplazamiento.

Siendo 𝑛 la concentracion de electrones por unidad de volumen → la aplicación de

un campo 𝐸 generara una velocidad de arrastre comun a todos los electrones
→ la cantidad de electrones que atraviesan el plano 𝐴 en un tiempo 𝑑𝑡 sera:
𝑛𝑣𝑑 𝑑𝑡𝐴
→ la cantidad de carga 𝑑𝑞 que atraviesa el plano 𝐴 será:
𝑑𝑞 = −𝑞𝑛𝑣𝑑 𝑑𝑡𝐴
𝑑𝑞
→ 𝐼= = −𝑞𝑛𝑣𝑑 𝐴 Intensidad de corriente de arrastre
𝑑𝑡
La corriente por unidad de área se llama densidad de corriente ( 𝐽 )
Densidad corriente arrastre:

~ velocidad arrastre de portadores
~ concentración de portadores
~ carga de los portadores
Para electrones: 𝐽𝑛𝑎𝑟𝑟 = −𝑞𝑛𝑣𝑑𝑛 = 𝑞𝑛𝜇𝑛 𝐸

Para lagunas: 𝐽𝑝𝑎𝑟𝑟 = 𝑞𝑛𝑣𝑑𝑝 = 𝑞𝑝𝜇𝑝 𝐸
Corriente total de arrastre:
𝐽𝑎𝑟𝑟 = 𝐽𝑛𝑎𝑟𝑟 + 𝐽𝑝𝑎𝑟𝑟 = 𝑞(𝑛𝜇𝑛 + 𝑝𝜇𝑝 )𝐸
Puede escribirse como:
𝐽𝑎𝑟𝑟 = 𝜎𝐸 = 𝐸/𝜌 Ley de Ohm
Donde:
𝜎 ≡ 𝑐𝑜𝑛𝑑𝑢𝑐𝑡𝑖𝑣𝑖𝑑𝑎𝑑 [Ω−1𝑐𝑚−1]
𝜌 ≡ 𝑟𝑒𝑠𝑖𝑠𝑡𝑖𝑣𝑖𝑑𝑎𝑑 [Ω𝑐𝑚]
Entonces:
𝜎 = 𝑞(𝑛𝜇𝑛 + 𝑝𝜇𝑝 ) = 𝜎𝑛 + 𝜎𝑝
1 1
𝜌= =
𝜎 𝑞(𝑛𝜇𝑛 + 𝑝𝜇𝑝 )
𝐽𝑎𝑟𝑟 = (𝜎𝑛 + 𝜎𝑝 )𝐸 = 𝜎𝐸

Si tenemos una barra de semiconductor, con una tensión aplicada entre sus
extremos, se generara una corriente I:
𝐼 𝑉
𝐽= y sabemos que: 𝐸=
𝐴 𝐿
entonces, podemos reescribir la Ley de Ohm:
𝐼 𝑉 𝐿 𝐿
=𝜎 o, 𝑉=( ) 𝐼 = (𝜌 ) 𝐼 = 𝐼𝑅
𝐴 𝐿 𝜎𝐴 𝐴
𝐿 𝐿
𝑅= =𝜌 Resistencia
𝜎𝐴 𝐴

La resistencia de la barra depende de la resistividad (o conductividad) y de la geometría

de la barra.
La resistividad se utiliza comúnmente para especificar el nivel de dopaje.
• En un semiconductor tipo n:
1
𝜌𝑛 ≅
𝑞𝑁𝑑 𝜇𝑛
• En un semiconductor tipo p:
1
𝜌𝑝 ≅
𝑞𝑁𝑎 𝜇𝑝
Para Si a 300K:


3. Difusión de portadores
Difusión: partículas que se mueven en respuesta a un gradiente de concentración.
Alta concentración Baja concentración

de partículas de partículas
Dirección de difusión
Elementos de la Difusión:
• un medio material (Cristal de Si)

• un gradiente de partículas (huecos y electrones) dentro del medio
• las colisiones entre las partículas y el medio dispersan a las partículas en
direcciones aleatorias (movimiento Browniano):
→ sin embargo, el movimiento neto de las partículas es en dirección contraria
al gradiente
Relación fundamental de la Difusión (Primera ley de Fick):
Flujo de difusión ≈ − gradiente de concentración
Flujo ≡ número de partículas cruzando un área por unidad de tiempo [𝑐𝑚−2 𝑠 −1]
Para electrones:
𝑑𝑛
𝐹𝑛 = −𝐷𝑛
𝑑𝑥

Para lagunas:
𝑑𝑝
𝐹𝑝 = −𝐷𝑝
𝑑𝑥
𝐷𝑛 ≡ Coeficiente de difusión de los electrones [𝑐𝑚2/𝑠]

𝐷𝑝 ≡ Coeficiente de difusión de las lagunas [𝑐𝑚2 /𝑠]
𝐷 mide la facilidad con la que se difunden los portadores en respuesta a un gradiente

de concentración.
𝐷 está limitada por las vibraciones de los átomos de Si de la red y de los dopantes
ionizados.
Densidad de corriente de difusión ≡ carga x número de partículas cruzando un área por unidad
de tiempo
𝐷𝑖𝑓 𝑑𝑛
𝐽𝑛 = 𝑞𝐷𝑛
𝑑𝑥
𝑑𝑝
𝐽𝑝𝐷𝑖𝑓 = −𝑞𝐷𝑝
𝑑𝑥

Los electrones se difunden en la dirección opuesta al gradiente de concentración,

como tienen carga negativa → la densidad de corriente de difusión apunta en la
dirección del gradiente.
Las lagunas se difunden en la dirección opuesta al gradiente de concentración, como

tienen carga positiva → la densidad de corriente de difusión apunta en la
dirección opuesta al gradiente gradiente.

VALOR DE LA CONSTANTE DE DIFUSION
Para el bloque de silicio de área 𝐴 mostrado en la figura, cuya densidad de huecos

depende de la posición, se asumirá que:
• 𝐼 es la cantidad de lagunas en la región a la izquierda de 𝑎

• 𝐷 es la cantidad de lagunas en la región a la derecha de 𝑎
• 𝜆𝑐 es el camino libre medio
• 𝜏𝑐 es el tiempo libre medio
𝜆𝑐
• 𝑣𝑡ℎ = 𝜏𝑐
𝜏𝑐
Después de un tiempo 2
debido a su movimiento aleatorio, se tiene que:
• la mitad de las lagunas de la región izquierda habrán atravesado el plano de
referencia en 𝑎
• la mitad de las lagunas de la región derecha habrán atravesado el plano de
referencia en 𝑎
𝐼 1 ∆𝑝𝐴𝜆𝑐
= [𝑝(𝑎)𝐴𝜆𝑐 + ]
2 2 2

Donde,
∆𝑝 = 𝑝(𝑎 − 𝜆𝑐 ) − 𝑝(𝑎) y haciendo una expansión en serie de Taylor para 𝑝(𝑥)

alrededor de 𝑥 = 𝑎 tenemos que:
𝑑𝑝 𝑑𝑝
𝑝(𝑎 − 𝜆𝑐 ) = 𝑝(𝑎) + (−𝜆𝑐 ) =≫ ∆𝑝 = −𝜆𝑐
𝑑𝑥 𝑑𝑥
𝐼 1 𝜆2𝑐 𝑑𝑝
→ = [𝑝(𝑎)𝐴𝜆𝑐 − 𝐴]
2 2 2 𝑑𝑥
𝜏
Entonces, como el tiempo involucrado es 2𝑐, el flujo de lagunas por unidad de
tiempo y unidad de área será que atraviesa el plano en 𝑎 de izquierda a derecha será:
1 𝜆2𝑐 𝑑𝑝
𝐹𝐼 = [𝑝(𝑎)𝜆𝑐 − ]
𝜏𝑐 2 𝑑𝑥
De igual forma se obtiene que:
1 𝜆2𝑐 𝑑𝑝
𝐹𝐷 = [𝑝(𝑎)𝜆𝑐 + ]
𝜏𝑐 2 𝑑𝑥
El flujo neto de lagunas que atraviesan el plano en 𝑥 = 𝑎 será:
𝜆2𝑐 𝑑𝑝
𝐹𝐼 − 𝐹𝐷 = −
𝜏𝑐 𝑑𝑥
𝜆2𝑐
=≫ 𝐷𝑝 =
𝜏𝑐
De igual manera se puede proceder para hallar 𝐷𝑛 .

RELACION DE EINSTEIN
La física fundamental de la difusión y el arrastre es la misma: colisiones entre

partículas y los átomos del medio
=≫ Debe existir una relación entre 𝐷 y µ.
Tenemos que:
2
𝜆2𝑐 𝑣𝑡ℎ
𝐷𝑛,𝑝 = =
𝜏𝑐 𝜏𝑐
y
𝑞𝜏𝑐
𝜇𝑛,𝑝 = ∗
𝑚𝑛,𝑝
Los electrones libres y huecos, cuando el semiconductor no está degenerado,

cumplen con la estadística de Boltzmann (Clase 4). La energía térmica es 𝑘𝑇/2 Joules
por cada grado de libertad, para el caso unidimensional planteado:
1 ∗ 2 1
𝑚𝑛,𝑝 𝑣𝑡ℎ = 𝑘𝑇
2 2
𝜆𝑐
Donde, 𝑣𝑡ℎ = es la velocidad de agitación térmica
𝜏𝑐
𝐷𝑛,𝑝 1 ∗ 2 𝑘𝑇
= 𝑚𝑛,𝑝 𝑣𝑡ℎ =
𝜇𝑛,𝑝 𝑞 𝑞
𝑘𝑇
𝐷𝑛,𝑝 = ( ) 𝜇𝑛,𝑝 𝑅𝑒𝑙𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛 𝑑𝑒 𝐸𝑖𝑛𝑠𝑡𝑒𝑖𝑛
𝑞

𝑘𝑇
≡ tiene unidades de tensión y se llama “Voltaje Térmico”, 𝑉𝑡ℎ :
𝑞
𝑘𝑇
𝑉𝑡ℎ = ≅ 25 𝑚𝑉 𝑎 300𝐾
𝑞
DENSIDAD DE CORRIENTE TOTAL
En general, la corriente puede fluir independientemente por arrastre o difusión.

Corriente total:
𝑑𝑛
𝐽𝑛 = 𝐽𝑛𝑎𝑟𝑟 + 𝐽𝑛𝑑𝑖𝑓 = 𝑞𝑛𝜇𝑛 𝐸 + 𝑞𝐷𝑛
𝑑𝑥
𝑑𝑝
𝐽𝑝 = 𝐽𝑝𝑎𝑟𝑟 + 𝐽𝑝𝑑𝑖𝑓 = 𝑞𝑝𝜇𝑝 𝐸 − 𝑞𝐷𝑝
𝑑𝑥
Entonces,
𝐽𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙 = 𝐽𝑛 + 𝐽𝑝

4. Inyección de portadores minoritarios. Recombinación.
En equilibrio térmico se cumple que 𝑛𝑜 𝑝𝑜 = 𝑛𝑖2 y 𝐺𝑡ℎ = 𝑅𝑡ℎ
Si se agregan portadores en exceso → 𝑛𝑝 > 𝑛𝑖2 (no-equilibrio)
Al proceso de introducir portadores en exceso se lo llama “ inyección de

portadores”:
• Excitación óptica
• Polarización en directa de una juntura p-n
La mayoría de los dispositivos electrónicos operan mediante la inyección de portadores.
Cuando se rompe la condición de equilibrio térmico → la recombinación es el

proceso que vuelve el sistema al equilibrio

Un haz de luz (fotones) puede romper enlaces covalentes si su frecuencia es

suficiente (𝐸 = ℎ𝑓)
Se crean nuevos pares (en exceso) electrón-laguna que se suman a los de equilibrio
térmico =≫
Si 𝑛 y 𝑝 → nuevas concentraciones totales
Entonces, las concentraciones en exceso serán:
𝑛′ = 𝑛 − 𝑛𝑜
𝑝′ = 𝑝 − 𝑝𝑜
Además,
𝑛′ = 𝑝 ′
Si el material es tipo n, 𝑛𝑜 ≫ 𝑝𝑜 y 𝑝𝑜 ≪ 𝑛𝑖 =≫ el incremento de lagunas

(minoritarios) originados por la luz puede representar un porcentaje muy elevado
mientras que el incremento porcentual de electrones es pequeño, a pesar de la
igualdad numérica.
A este proceso de creación de pares se lo llama inyección de portadores minoritarios.
“La mayoría de los casos de inyección de portadores minoritarios son procesos de inyección de pares”

RECOMBINACION DE LOS EXCESOS
Cuando las concentraciones totales 𝑛 y 𝑝 no son demasiado grandes (bajo nivel de

inyección) → 𝑅 (𝑛, 𝑝, 𝑇) = 𝑟(𝑇)𝑛𝑝
Donde,
𝑛 = 𝑛𝑜 + 𝑛′
𝑝 = 𝑝𝑜 + 𝑝′
Entonces,
𝑅(𝑛, 𝑝, 𝑇) = 𝑟(𝑇)(𝑛𝑜 + 𝑛′ )(𝑝𝑜 + 𝑝′ )
𝑅(𝑛, 𝑝, 𝑇) = 𝑟(𝑇)𝑛𝑜 𝑝𝑜 + 𝑟(𝑇)𝑛𝑜 𝑝′ + 𝑟(𝑇)𝑝𝑜 𝑛′ + 𝑟(𝑇)𝑛′ 𝑝′
Pero,
𝑅(𝑛, 𝑝, 𝑇) ≡ velocidad de recombinación total
𝑟(𝑇)𝑛𝑜 𝑝𝑜 ≡ generación térmica total de equilibrio
Entonces, la velocidad de recombinación de los pares en exceso será:
𝑅 (𝑛, 𝑝, 𝑇) − 𝐺𝑡ℎ = 𝑟(𝑇)𝑛𝑜 𝑝′ + 𝑟(𝑇)𝑝𝑜 𝑛′ + 𝑟(𝑇)𝑛′ 𝑝′
Cuando el material es predominantemente tipo p (𝑝𝑜 ≫ 𝑛𝑜 ) o tipo n (𝑛𝑜 ≫ 𝑝𝑜 ) y las

concentraciones de los excesos son mucho menores a los mayoritarios =≫

𝑅(𝑛, 𝑝, 𝑇) − 𝐺𝑡ℎ = 𝑟(𝑇)𝑛𝑜 𝑝′ tipo n
𝑅(𝑛, 𝑝, 𝑇) − 𝐺𝑡ℎ = 𝑟(𝑇)𝑝𝑜 𝑛′ tipo p
Esto nos indica que el mayor número de recombinaciones se da entre los excesos de portadores
inyectados del tipo minoritario con los mayoritarios del estado de equilibrio.
Se suele escribir estas últimas relaciones como:
𝑑𝑝 𝑝′ 𝑝 − 𝑝𝑜 1
− = = 𝜏𝑝 =
𝑑𝑡 𝜏𝑝 𝜏𝑝 𝑟(𝑇)𝑛𝑜
𝑑𝑛 𝑛′ 𝑛 − 𝑛𝑜 1
− = = 𝜏𝑛 =
𝑑𝑡 𝜏𝑛 𝜏𝑛 𝑟(𝑇)𝑝𝑜
𝜏𝑛,𝑝 ≡ tiempo de vida media de los portadores minoritarios
𝜏𝑛,𝑝 ≅ 0,1~1000𝜇𝑠

5. Ecuación de continuidad
La dinámica de electrones y lagunas en un semiconductor puede darse por:
• Arrastre: respuesta a un campo eléctrico

• Difusión: ante un gradiente de concentración
• Recombinación: restablecer el equilibrio de las concentraciones
Estos procesos son la respuesta del semiconductor ante una perturbación de su

estado de equilibrio.
Ahora consideraremos el efecto de todos los procesos actuando juntos dentro del
material semiconductor → la ecuación que lo representa se llama ecuación de
continuidad. Expresa la conservación de la carga eléctrica.
Supongamos una barra de semiconductor con un potencial aplicado, contaminado

en forma no uniforme y con alguna fuente externa de energía aplicada que genera
excesos (ej. Luz).
Veamos que sucede en un elemento diferencial ∆𝑥

Analizaremos el caso para el cual:
• El semiconductor es extrínseco, 𝑛𝑜 ≫ 𝑝𝑜 o 𝑝𝑜 ≫ 𝑛𝑜
• Inyección débil: Los excesos inyectados son muy inferiores a los mayoritarios
Analizamos para lagunas:
Se realiza un balance de portadores en un volumen infinitesimal 𝐴. ∆𝑥
El número de lagunas en el volumen 𝐴. ∆𝑥 puede variar en el tiempo por varios

mecanismos:
• El número de lagunas puede aumentar debido a la corriente entrante 𝐽𝑝 (𝑥)

y a la generación neta en el volumen 𝐺
• El número de portadores puede disminuir debido a la corriente saliente
𝐽𝑝 (𝑥 + ∆𝑥) y a la recombinación neta en el volumen 𝑅(𝑛, 𝑝)
Entonces,
𝜕𝑝 𝐽𝑝 (𝑥)𝐴 𝐽𝑝 (𝑥 + ∆𝑥 )𝐴
𝐴∆𝑥 = − + 𝐺. 𝐴∆𝑥 − 𝑅(𝑛, 𝑝). 𝐴∆𝑥
𝜕𝑡 𝑞 𝑞
𝜕𝑝 1 𝐽𝑝 (𝑥 ) − 𝐽𝑝 (𝑥 + ∆𝑥 )
= [ ] + 𝐺 − 𝑅(𝑛, 𝑝)
𝜕𝑡 𝑞 ∆𝑥

Tomando el limite cuando ∆𝑥 → 0 =≫
𝜕𝑝 1 𝜕𝐽𝑝
=− + 𝐺 − 𝑅(𝑛, 𝑝) Ec. de continuidad para lagunas
𝜕𝑡 𝑞 𝜕𝑥
Haciendo el mismo análisis para electrones:
𝜕𝑛 1 𝜕𝐽𝑛 Ec. de continuidad para electrones

= + 𝐺 − 𝑅(𝑛, 𝑝)
𝜕𝑡 𝑞 𝜕𝑥
además,
𝐺 = 𝐺𝑡ℎ + 𝑔 (generación térmica + medios externos)
Para el caso de inyección débil y semiconductor extrínseco, la recombinación neta

depende de los minoritarios:
𝑝 − 𝑝𝑜 𝑝′
𝑅(𝑛, 𝑝) − 𝐺𝑡ℎ = = 𝑡𝑖𝑝𝑜 𝑛
𝜏𝑝 𝜏𝑝
𝑛 − 𝑛𝑜 𝑛′
𝑅(𝑛, 𝑝) − 𝐺𝑡ℎ = = 𝑡𝑖𝑝𝑜 𝑝
𝜏𝑛 𝜏𝑛
entonces,
𝜕𝑝 1 𝜕𝐽𝑝 𝑝 − 𝑝𝑜
=− +𝑔− 𝑡𝑖𝑝𝑜 𝑛
𝜕𝑡 𝑞 𝜕𝑥 𝜏𝑝
𝜕𝑛 1 𝜕𝐽𝑛 𝑛−𝑛
= +𝑔− 𝑡𝑖𝑝𝑜 𝑝
𝜕𝑡 𝑞 𝜕𝑥 𝜏𝑛
Finalmente, reemplazando las expresiones de las corrientes totales 𝐽𝑝 𝑦 𝐽𝑛 (arrastre

y difusión):

𝑑𝑝
𝐽𝑝 = 𝑞𝑝𝜇𝑝 𝐸 − 𝑞𝐷𝑝
𝑑𝑥
𝑑𝑛
𝐽𝑛 = 𝑞𝑛𝜇𝑛 𝐸 + 𝑞𝐷𝑛
𝑑𝑥
nos queda,
𝜕𝑝 𝜕𝐸 𝜕𝑝 𝜕2𝑝 𝑝 − 𝑝𝑜
= −𝜇𝑝 𝑝 − 𝜇𝑝 𝐸 + 𝐷𝑝 2 + 𝑔 − 𝑡𝑖𝑝𝑜 𝑛
𝜕𝑡 𝜕𝑥 𝜕𝑥 𝜕𝑥 𝜏𝑝
𝜕𝑛 𝜕𝐸 𝜕𝑛 𝜕2𝑛 𝑛 − 𝑛𝑜
= 𝜇𝑛 𝑛 + 𝜇𝑛 𝐸 + 𝐷𝑛 2 + 𝑔 − 𝑡𝑖𝑝𝑜 𝑝
𝜕𝑡 𝜕𝑥 𝜕𝑥 𝜕𝑥 𝜏𝑛

APLICACIONES DE LA ECUACION DE CONTINUIDAD
A. Barra con dopado uniforme e iluminación uniforme
𝑔(𝐿) ≡ generación lumínica de excesos constante y uniforme
Para este caso tenemos,
▪ 𝐸 = 0 por estar a circuito abierto

𝑑𝑝
▪ = 0 ya que el dopado es uniforme
𝑑𝑥
Entonces, la ecuación de continuidad será:
𝜕𝑝 𝑝 − 𝑝𝑜
= 𝑔(𝐿) −
𝜕𝑡 𝜏𝑝
Como 𝑝 = 𝑝𝑜 + 𝑝′ y 𝑑𝑝 = 𝑑𝑝′ =≫
𝜕𝑝′ 𝑝′
= 𝑔(𝐿) −
𝜕𝑡 𝜏𝑝

Cuando 𝑡 = 𝑡𝑜 ¡se enciende la luz! 𝑝′ = 0 y empiezan a generarse los excesos =>

𝜕𝑝′
> 𝜕𝑡 = 𝑔(𝐿) la derivada es máxima ya que deberá ser igual a la generación (la
recombinación es nula).
Luego, al aumentar 𝑝′ aumenta la recombinación.
𝜕𝑝′ 𝑝′
Para 𝑡 = ∞ → = 0 =≫ 𝑔(𝐿) =
𝜕𝑡 𝜏𝑝
(condición de equilibrio 𝐺 = 𝑅)
Para ver el transitorio, resolvemos la ecuación diferencial:
𝑡
−
′ 𝜏𝑝
𝑝 (𝑡) = 𝑔(𝐿)𝜏𝑝 (1 − 𝑒 )
Cuando se apaga la luz =≫ 𝑔(𝐿) = 0 los excesos empiezan a disminuir →

(recombinación sin generación)
𝜕𝑝′ 𝑝′
=−
𝜕𝑡 𝜏𝑝
Su solución es:

𝑡
−𝜏
′ ′
𝑝 (𝑡) = 𝑝 (0)𝑒 𝑝
Pulso de luz:

B. Inyección estacionaria en una cara
Para este caso tenemos:

▪ 𝐸 = 0 por estar a circuito abierto
▪ 𝑔 = 0 para 𝑥 > 0
▪ hay un gradiente de concentración en la cara iluminada
Los excesos se difunden hacia la derecha creando una corriente de difusión. Se crean
en la superficie, penetran por difusión en el material y finalmente se destruyen por
recombinación.
𝜕𝑝
En el estado estacionario, la distribución de portadores NO varia con el tiempo 𝜕𝑡 =
0 en todos los puntos de la barra =≫ la ecuación de continuidad queda:
𝜕 2 𝑝′ 𝑝′ 𝜕 2𝑝′ 𝑝′
0 = 𝐷𝑝 − =≫ − =0
𝜕𝑥 2 𝜏𝑝 𝜕𝑥 2 𝐷𝑝 𝜏𝑝
La solución de la ecuación diferencial de segundo orden es:
𝑥 𝑥
−𝐿
′( 𝐿𝑝
𝑝 𝑥 ) = 𝐶1𝑒 𝑝 + 𝐶2 𝑒
en donde, 𝐶1 y 𝐶2 son constantes de integración y 𝐿𝑝 = √𝐷𝑝 𝜏𝑝

Las condiciones de frontera son 𝑝′ (𝑥 = 0) = 𝑝′ (0) = 𝑐𝑡𝑒 y 𝑝′ (𝑥 → ∞) = 0 ∴

𝐶1 = 𝑝′ (0) y 𝐶2 = 0
entonces, la distribución de portadores es:
𝑥
−𝐿
′ ′
𝑝 (𝑥) = 𝑝 (0)𝑒 𝑝
𝐿𝑝 = √𝐷𝑝 𝜏𝑝 → longitud de difusión
𝐿𝑝 ≡ representa la distancia a la cual los excesos se reducen a 𝑒 −1 (36%) de su

valor en el plano de inyección. Es la distancia promedio que recorre el exceso antes
de recombinarse
Si la barra no fuera lo suficientemente larga (largo 𝑊 < 𝐿𝑝 ) y si todos los excesos

se extrajeran en 𝑥 = 𝑊 =≫ la segunda condición de frontera ahora seria 𝑝′ (𝑊 ) =
0 y la solución sería:
𝑊−𝑥
sinh ( )
𝐿 𝑝
𝑝′ (𝑥) = 𝑝′ (0) [ ]
𝑊
sinh (𝐿 )
𝑝

C. Experimento de Haynes-Shockley
Se constata de manera experimental el arrastre y difusión de portadores minoritarios.
Permite medir la movilidad y el coeficiente de difusión de los portadores

minoritarios.
CIRCUITO DE MEDICION
Generador
de pulsos Batería de colector
hf
Sync
“emisor” “colector”
+ + +
tipo n
+ + + Osciloscopio
x=0 l x=d
V
Batería de barrido
• El foco luminoso da un destello generando excesos en 𝑥 = 0.

𝜕𝐸
• La barra tiene un 𝐸⃗ uniforme ∴ =0
𝜕𝑥
• 𝑔 = 0 para 𝑥 > 0
La ecuación de continuidad es:

𝜕𝑝′ 𝜕 2 𝑝′ 𝜕𝑝′ 𝑝′
= 𝐷𝑝 − 𝜇𝑝 𝐸 −
𝜕𝑡 𝜕𝑥 2 𝜕𝑥 𝜏𝑝
Si no se aplicara ningún campo 𝐸 = 0 =≫ la solución es:

𝑥2 𝑡
𝑁 (−
4𝐷𝑝 𝑡 −𝜏𝑝
)
𝑝′ (𝑥, 𝑡) = 𝑒
√4𝜋𝐷𝑝 𝑡
𝑁 ≡ numero de portadores generados
Si se aplicara un campo 𝐸 =≫ la solución es:
(𝑥−𝜇𝑝 𝐸𝑡)2 𝑡
𝑁 (− 4𝐷𝑝 𝑡 −𝜏𝑝 )
𝑝′ (𝑥, 𝑡) = 𝑒
√4𝜋𝐷𝑝 𝑡
Es una onda progresiva que se atenúa con el tiempo

En el osciloscopio se puede medir el ∆𝑡 entre la aplicación del pulso y el paso de la

nube de portadores por el colector situado a una distancia 𝑙
𝑙 𝑣𝑚 𝑉
𝑣𝑚 = ; 𝜇𝑝 = 𝑦 𝐸= =≫
∆𝑡 𝐸 𝐿
𝑣𝑚 𝑙. 𝐿
𝜇𝑝 = =
𝐸 ∆𝑡. 𝑉
∆𝑡 = 𝑡𝑖𝑒𝑚𝑝𝑜 𝑑𝑒 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑖𝑡𝑜

Resumen
• Los electrones y los huecos en un semiconductor son cargas móviles. Si hay

movimiento de cargas hay corriente eléctrica.
• Corriente de arrastre: producida por un campo eléctrico.
𝐽𝑎𝑟𝑟 ∝ 𝐸
• Corriente de difusión: producida por un gradiente de concentración.
𝑑𝑛 𝑑𝑝
𝐽𝑑𝑖𝑓 ∝ ,
𝑑𝑥 𝑑𝑥
• Los portadores se mueven rápido en respuesta a campos eléctricos y a
gradientes.
• Los dispositivos semiconductores modernos tienen la capacidad de controlar
las corrientes de arrastre y/o difusión.
• La recombinación neta de los portadores minoritarios en exceso inyectados
es:
𝑝′ 𝑛′
𝑅(𝑛, 𝑝, 𝑇) − 𝐺𝑡ℎ = 𝑜 𝑅(𝑛, 𝑝, 𝑇) − 𝐺𝑡ℎ =
𝜏𝑝 𝜏𝑛
• La ecuación de continuidad representa la respuesta de un semiconductor ante
la perturbación e su estado de equilibrio:
𝜕𝑝 1 𝜕𝐽𝑝 𝑝′
=− +𝑔− 𝑡𝑖𝑝𝑜 𝑛
𝜕𝑡 𝑞 𝜕𝑥 𝜏𝑝
𝜕𝑛 1 𝜕𝐽𝑛 𝑛′
= +𝑔− 𝑡𝑖𝑝𝑜 𝑝
𝜕𝑡 𝑞 𝜕𝑥 𝜏𝑛

Clase 2 - Dinamica de Portadores

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UNIVERSIDAD

Clase 2 - Física de semiconductores

1. Movimiento térmico de portadores

• ¿Qué fenómenos físicos generan el flujo de corriente en los semiconductores?

Dinámica de portadores UTN-FRA

1. Movimiento térmico de portadores

En equilibrio térmico los portadores no están fijos en el espacio:

La constante de tiempo característica del movimiento térmico es el tiempo libre

𝜏𝑐 ≡ 𝑡𝑖𝑒𝑚𝑝𝑜 𝑙𝑖𝑏𝑟𝑒 𝑚𝑒𝑑𝑖𝑜 [𝑠]

Entre colisiones los portadores tienen una gran velocidad:

𝑣𝑡ℎ ≡ 𝑣𝑒𝑙𝑜𝑐𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑡𝑒𝑟𝑚𝑖𝑐𝑎 [𝑐𝑚⁄𝑠]

Sin embargo, la velocidad térmica promedio es cero → el movimiento térmico no genera

Pero, genera “ruido térmico” o “ruido de Johnson”

Dinámica de portadores UTN-FRA

La longitud característica del movimiento térmico:

𝜆 ≡ 𝑐𝑎𝑚𝑖𝑛𝑜 𝑙𝑖𝑏𝑟𝑒 𝑚𝑒𝑑𝑖𝑜 [𝑐𝑚]

Experimentalmente se observa que para Si a 300 K:

𝑣𝑡ℎ ≅ 107 𝑐𝑚/𝑠

Dinámica de portadores UTN-FRA

2. Arrastre de portadores (“drift”)

Arrastre → movimiento de portadores causado por un campo eléctrico

Si se aplica un campo eléctrico (𝐸̅ ) sobre el semiconductor =≫ Se genera una fuerza

La velocidad de arrastre se superpone al movimiento térmico

- Dispersión térmica: Deformaciones del cristal por vibración térmica

Dinámica de portadores UTN-FRA

El incremento de la velocidad de los portadores (debido a la presencia del campo)

En promedio para un grupo de portadores, la fuerza de oposición resultante crece

Dinámica de portadores UTN-FRA

La velocidad incremental de los portadores da lugar a una fuerza resistente sobre el

La ecuación dinámica de movimiento del grupo será:

𝛼. 𝑣𝑖 . 𝛿𝑛 ≡ fuerza del rozamiento viscoso, efecto de los factores de dispersión

𝐹. 𝛿𝑛 = −𝑞. 𝐸. 𝛿𝑛 ≡ fuerza eléctrica que actúa sobre el grupo generada por un

Dividiendo por 𝑚𝑛∗ . 𝛿𝑛:

Dinámica de portadores UTN-FRA

Cuando no hay fuerza aplicada → 𝐹 = 0, si en el instante 𝑡 = 0 había una

Al aplicar un campo eléctrico 𝐸:

Al trascurrir el tiempo se alcanza el estado estacionario cuando 𝑑𝑣𝑖 /𝑑𝑡 = 0 y la

Que será la velocidad de arrastre (𝑣𝑑 ) estacionaria del grupo de portadores

𝜇𝑛 ≡ movilidad de los electrones de conducción

Para las lagunas: 𝑣𝑑 = 𝜇𝑝 𝐸

Dinámica de portadores UTN-FRA

la velocidad de saturación depende de la temperatura:

Dinámica de portadores UTN-FRA

La movilidad es una medida de la facilidad para arrastrar portadores:

- Si 𝜏𝑐 ↑, mayor tiempo entre colisiones → 𝜇 ↑

La movilidad depende del dopaje. Para Si a 300K:

• Para un bajo nivel de dopaje, es limitada por colisiones con la red.

Dinámica de portadores UTN-FRA

La movilidad depende de la temperatura:

- La movilidad disminuye al aumentar la temperatura: mayor frecuencia de choques de

Valores típicos @300K:

Dinámica de portadores UTN-FRA

Partículas cargadas que tienen velocidad neta debido a la presencia de un campo:

Intensidad de corriente ( 𝐼): es la carga transportada por unidad de tiempo a través de

Dinámica de portadores UTN-FRA

Siendo 𝑛 la concentracion de electrones por unidad de volumen → la aplicación de

→ la cantidad de electrones que atraviesan el plano 𝐴 en un tiempo 𝑑𝑡 sera:

→ la cantidad de carga 𝑑𝑞 que atraviesa el plano 𝐴 será:

La corriente por unidad de área se llama densidad de corriente ( 𝐽 )

Densidad corriente arrastre:

Para electrones: 𝐽𝑛𝑎𝑟𝑟 = −𝑞𝑛𝑣𝑑𝑛 = 𝑞𝑛𝜇𝑛 𝐸

Dinámica de portadores UTN-FRA

Para lagunas: 𝐽𝑝𝑎𝑟𝑟 = 𝑞𝑛𝑣𝑑𝑝 = 𝑞𝑝𝜇𝑝 𝐸

Corriente total de arrastre: