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VICERRECTORADO ACADEMICO.
DECANATO DE DOCENCIA
DEPARTAMENTO DE MATEMATICA Y FISICA – NUCLEO DE FISICA.
CORRIENTE Y RESISTENCIA
CAPITULOS ANTERIORES:
CARGAS EN REPOSO CORRIENTE ELÉCTRICA
(ELECTROSTÁTICA) PROMEDIO
∆𝑸
𝑰=
∆𝑻
CONSIDERAMOS AHORA:
CARGAS EN MOVIMIENTO
CANTIDAD DE CARGA ∆𝑸
A) CARGAS EN EL VACÍO
B) CARGAS LIBRES EN
QUE PASA A TRAVES DE LA
CONDUCTORES, SUPERFICIE TRANSVERSAL EN
SEMICONDUCTORES, ALEACIONES UN INTERVALO DE TIEMPO ∆𝑻
METALICAS.
MOVIMIENTO AGITACION
TÉRMICA
Cuando aplicamos un campo
No produce un movimiento eléctrico: Aceleración inicial en
neto de cargas en ninguna sentido opuesto al campo,
dirección específica del espacio choques con los iones fijos de la
red metálica
UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL DEL TÁCHIRA.
VICERRECTORADO ACADEMICO.
DECANATO DE DOCENCIA.
DEPARTAMENTO DE MATEMATICA Y FISICA – NUCLEO DE FISICA
∆𝑸
𝑰=
∆𝒕
RELACIONADA A
CONCENTRACION DE CARGAS EN SU VEZ CON LA
EL CONDUCTOR 𝒏. 𝒒 CONDUCTIVIDADEL
∆𝑸 MATERIAL DEL
𝒏. 𝒒 = ∆𝑸 = 𝒏. 𝒒. 𝐕
𝐕 CONDUCTOR
𝑱 = 𝝈𝑬
VOLUMEN 𝐕 = 𝐀. 𝒍
𝑰 = 𝒏. 𝒒. 𝐀. 𝑽𝒅 𝒏. 𝒒. 𝑽𝒅 = 𝝈𝑬
∆𝑸 = 𝒏. 𝒒. 𝐀. 𝒍
𝒏: Concentración.
𝒒: Valor de la carga elemental.
∆𝑸 𝒏. 𝒒. 𝐀. 𝒍
𝐀: Área sección transversal del conductor. 𝑰= = = 𝒏. 𝒒. 𝐀. 𝑽𝒅
𝑽𝒅 : Velocidad de arrastre portadores. ∆𝒕 ∆𝒕
CONDUCTIVIDAD Y RESISTIVIDAD
CONSIDERAMOS AHORA:
Reóstato
Miliamperímetro Resistencia
Voltímetro
RESISTENCIA ELECTRICA R SE LLAMA RESISTENCIA ELÉCTRICA DE UN CONDUCTOR A LA
OPOSICIÓN QUE OFRECE UN MATERIAL CONDUCTOR A LA
CIRCULACIÓN DE UNA CORRIENTE ELÉCTRICA A TRAVÉS DE ÉL. SE
CONSIDERAMOS AHORA:
DENOTA CON LA LETRA R Y SE SIMBOLIZA CON LÍNEAS EN SIG SAG.
UN TROZO DE MATERIAL CONDUCTOR, SUMINISTRANDO
UNA DIFERENCIA DE POTENCIAL
∆𝑽 = 𝑽𝒃 − 𝑽𝒂
∆𝑽 = 𝑬. 𝒍
𝑱 = 𝝈𝑬
𝟏 𝟏
𝝆= 𝝈=
𝝈 𝝆
RESISTENCIA
CONSIDERAMOS AHORA:
∆𝑽 = 𝑽𝒃 − 𝑽𝒂 𝑱 = 𝝈𝑬
∆𝑽 SUSTITUYENDO LA CONDUCTIVIDAD 𝝈 Y EL CAMPO ELECTRICO 𝑬
∆𝑽 = 𝑬. 𝒍 𝑬= SE OBTIENE:
𝒍
LA DENSIDAD DE CORRIENTE EN UN CONDUCTOR 𝟏 ∆𝑽
𝑱= .
(MATERIAL OHMICO) ES PROPORCIONAL AL CAMPO 𝝆 𝒍
ELECTRICO
𝑱 = 𝝈𝑬 REEMPLAZANDO LA DENSIDAD DE CORRIENTE 𝑱 Y DESPEJANDO LA
𝝈 ES LA CONDUCTIVIDAD DEL MATERIAL (CONSTANTE DE DIFERENCIA DE POTENCIAL ∆𝑽
PROPORCIONALIDAD 𝑰
𝑱=
𝑨
EL INVERSO DE 𝝈 ES LA RESISTIVIDAD 𝝆 DEL
MATERIAL (CONSTANTE DE PROPORCIONALIDAD 𝑰 𝟏 ∆𝑽
= .
𝑨 𝝆 𝒍
𝟏 𝟏
𝝆= 𝝈=
𝝈 𝝆 𝑰. 𝒍. 𝝆
= ∆𝑽
𝑨
RESISTENCIA
UNIVERSIDAD
DE NACIONAL EXPERIMENTAL
LA LEY O REGLA 𝑰. 𝑹 TÁCHIRA.
DE OHM: DEL = ∆𝑽
VICERRECTORADO ACADEMICO.
DECANATO DE DOCENCIA.
DEPARTAMENTO DE MATEMATICA Y FISICA – NUCLEO DE𝑰.𝒍.𝝆
= ∆𝑽 CON LA REGLA DE
FISICA.
COMPARANDO LA ECUACION ANTERIOR
𝑨
OHM SE OBTIENE EL VALOR DE LA RESISTENCIA R:
𝑰. 𝒍. 𝝆
= ∆𝑽
𝑨
𝑰. 𝑹 = ∆𝑽
ENTONCES:
𝝆. 𝒍
LA RESISTENCIA DEPENDE DE PARAMETROS 𝑹=
GEOMETRICOS: 𝑨
𝑹𝒇 = 𝑹𝒊 𝟏 + 𝜶. ∆𝑻 𝑹𝒇 = 𝑹𝒊 𝟏 + 𝜶. (𝑻𝒇 − 𝑻𝒊 )
𝑹𝒇 : Resistencia final
𝑹𝒊: Resistencia inicial
𝜶: coeficiente térmico o de temperatura º𝑪−𝟏
𝑻𝒊 : Temperatura inicial 𝑻𝒇 : Temperatura final.
POTENCIA ELECTRICA Al energizar un circuito eléctrico compuesto por una batería o
fuente FEM, resistencia R sucede que:
LA POTENCIA ELECTRICA ES LA RAPIDEZ DE
TRANSFORMACION DE LA ENERGIA (DE UN TIPO A OTRO) • La batería o fuente FEM produce un campo eléctrico E en el
conductor.
LA ENERGIA SE TRANSFIERE DE UNA FUENTE COMO UNA • Los portadores de carga Q aumentan su energía cinética K y
BATERIA A ALGUN DISPOSITIVO debido a los choques con los iones del conductor estos
disminuyen su energía cinética, produciéndose un aumento
𝒅𝑾 𝑾 de la temperatura en el conductor.
𝑷= 𝑽= 𝑾 = 𝑽. 𝒒 = 𝑽. 𝑰. 𝒕
𝒅𝒕 𝒒 • Transforma la energía potencial química de la batería en
𝒅𝑾 𝒅(𝑽. 𝑰. 𝒕) 𝒅(𝒕)
energía térmica disipada por el conductor.
𝑷= = = 𝑽. 𝑰. = 𝑽. 𝑰
𝒅𝒕 𝒅𝒕 𝒅𝒕
En la Resistencia: se
𝑷 = 𝑽. 𝑰 𝑽 = 𝑰. 𝑹 transforma la energía eléctrica
en energía calórica
𝑽𝟐
𝑷 = 𝑽. 𝑰 = 𝑰𝟐 . 𝑹 =
𝑹
En el acumulador: energía
En los circuitos, un agente externo es el que lleva la
química transformada en
carga desde la fuente FEM hasta los diferentes
energía eléctrica.
dispositivos del circuito
ASOCIACIÓN DE RESISTENCIAS EN SERIE
𝑰𝑻 = 𝑰𝟏 = 𝑰𝟐 = 𝑰𝟑
Como
𝑽
𝑹= → 𝑽 = 𝑹. 𝑰
𝑰
Por lo tanto:
∆𝑽 = 𝑽𝟏 + 𝑽𝟐 + 𝑽𝟑 → 𝑹𝑻 𝑰𝑻 = 𝑹𝟏 𝑰𝟏 + 𝑹𝟐 𝑰𝟐 + 𝑹𝟑 𝑰𝟑
𝑰𝑻 = 𝑰𝟏 + 𝑰𝟐 + 𝑰𝟑
∆𝑽𝑻 = 𝑽𝟏 = 𝑽𝟐 = 𝑽𝟑
Como
𝑽 𝑽
𝑹= → 𝑰=
𝑰 𝑹
Por lo tanto:
𝑰𝑻 = 𝑰𝟏 + 𝑰𝟐 + 𝑰𝟑
𝑽𝑻 𝑽𝟏 𝑽𝟐 𝑽𝟑
= + +
𝑹𝑻 𝑹𝟏 𝑹𝟐 𝑹𝟑