TRABAJO PREPARATORIO: ANÁLISIS DC DEL

TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR

Francisco José Cachumba Simba
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica, Escuela Politécnica Nacional
Laboratorio Dispositivos Electrónicos, GR8-1, miércoles 25 de enero de 2022, 14H00
francisco.cachumba@epn.edu.ec

Resumen – En este preparatorio que corresponde al número

nueve se procedió a conocer sobre la información y el uso del III. CUESTIONARIO
transistor BJT en sus diferentes polarizaciones y tipo, en conjunto 3.1. Consulte el datasheet de los transistores 2N3904 y
con el análisis de transistores y sus respectivas Datasheet, además
2N3906. Realizar un resumen con las características más
que se resuelven ciertas configuraciones planteados para la
práctica.
importantes.

Palabras clave – TBJ, Datasheet, polarización, transistores. Transistor 2N3904

Características principales
I. OBJETIVOS Voltaje colector emisor en corte 40 V (Vceo)
1.1. Analizar del comportamiento de los BJT. Corriente de colector constante 200m A (Ic)
1.2. Identificar los parámetros de operación de circuitos con Potencia total disipada 625mW (Pd)
transistores TBJ en base a los resultados obtenidos en la Ganancia o hfe entre 30 -300 (hfe)
medición de voltajes y corrientes. Frecuencia de trabajo 300 Mhz (Ft)
1.3 Comparar los tipos de polarización para transistores TBJ. Encapsulado TO-92
Estructura NPN
Su complementario PNP es el Transistor 2N3906
II. INTRODUCCIÓN
Un transistor de unión bipolar BJT es un dispositivo Transistor 2N3906
semiconductor de estado sólido que controla el flujo de
corriente o reduce el voltaje entre sus terminales. Características principales
Hay dos tipos de transistores: NPN y PNP, y la dirección del Voltaje colector emisor en corte 40 V (Vceo)
flujo de corriente en cada caso está indicada por las flechas en Corriente de colector constante 200m A (Ic)
el diagrama de cada transistor. Un transistor es un dispositivo Potencia total disipada 625mW (Pd)
de 3 pines con las siguientes designaciones: Base (B), Ganancia o hfe entre 30 -300 (hfe)
Colector (C) y Emisor (E), siempre coincidentes con el Frecuencia de trabajo 300 Mhz (Ft)
emisor, y los pines tienen flechas en el gráfico del transistor. Encapsulado TO-92
La región E (emisor) es la más dopada y es la región que Estructura PNP
"emite" o inyecta portadores mayoritarios en la base. Su complementario NPN es el Transistor 2N3904
El nivel de dopaje de la B (base) es significativamente menor
que el de la región emisora. Esta es un área que tiene un 3.2. Presente un resumen de los diferentes circuitos de
grosor mucho menor que la capa exterior. Su función es dejar polarización para un BJT.
pasar a través del colector el mayor número posible de
portadores inyectados por el emisor.
Región C (colector), encargada de recoger o "recoger" los
portadores inyectados, que han podido pasar por la base a Polarización fija Polarización de emisor
través del emisor. es la región con el nivel de dopaje más bajo
de los tres.
Los transistores BJT tienen muchas aplicaciones en
electrónica, pero a menudo se usan como interruptores
electrónicos, amplificadores de señal o interruptores de baja
potencia. Por ejemplo, se utilizan para controlar motores,
activar desarrolladores y emitir sonidos en altavoces. Estos
transistores son muy comunes y omnipresentes y se pueden
encontrar en cualquier dispositivo cotidiano, como radios,
sirenas, automóviles, computadoras, etc.

1
 Polarización por medio de Realimentación de colector
divisor de voltaje

Emisor seguidor Base común

Se calcula lo siguiente:
V BE=0.73 [ V ] β=72
68 K ( I B ) +V BE+ 1 K ( I E ) =12
I E =( β +1)I B
I B=79.93 [ µ A ]
I C =β I B =72⋅ 79.93 X 10−6=5.75 [ mA ]
I E =( β+ 1 ) I B =5.83 [ mA ]
V B=V BE+ (1 K ) I E=6.56[V ]
3.3 Calcular los voltajes y corrientes de polarización de
los circuitos mostrados en las figuras 3.1, 3.2, 3.3, 3.4 y 3.5
V BE=V B −V E
V E=5.83 [ V ]
V C =12−1 K ( I C )=6.25 [ V ]
V CE =V C −V E =0.42 [ V ]
V CB =−0.31[V ]

Se calcula lo siguiente:
V BE=0.73 [ V ] β=72
V BE=V B −V E , siV E =0 [ V ]
V B=0.73 [ V ]
12−0.73 Se calcula lo siguiente:
I B= =0.166 [ mA ] V BE=0.73 [ V ] β=72
6.8 K
I C =β I B =0.166 X 10 ⋅ 72=11.9 [ mA ]
−3 V B=0.73 [ V ]
I E =( β+ 1 ) I B =12.12 [ mA ] I B=2.01 [ mA ]
V C =12−( 1 K ) I C =100[mV ] I C =β I B =0.145 [ A ]
V CB =V C −V B=−0.63 [ V ] I E =( β+ 1 ) I B =0.147 [ A ]
  V CE =−379.5 [ V ]
V CB =−390.23 [ V ]

2
 [1] TOCCI. (2010). Sistemas Digitales: Principios y Aplicaciones (10th.
edition). Mexico: Pearson Education.
[2] FLOYD, T. L. (2010). Fundamentos de Sistemas Digitales (9a edition).
Madrid. PEARSON EDUCACION DE MEXICO
[3] TARQUINO A. (2013). Electrónica: Dispositivos y Aplicaciones (2da
edición). Edición Español.
[4] “Transistor 2N3906 - EcuRed,” www.ecured.cu.
https://www.ecured.cu/Transistor_2N3906 (accessed Jan. 25, 2022).
[5] “Transistor 2N3904 - EcuRed,” www.ecured.cu.
https://www.ecured.cu/Transistor_2N3904 (accessed Jan. 25, 2022).

Se calcula lo siguiente:
V BE=0.73 [ V ] β=72
I B=143.38 [ µ A ]
I E =10.46 [ mA ]
I C =10.32 [ mA ]
V CE =−26.32 [ V ]
V CB =−27.05 [ V ]

Se calcula lo siguiente:

REFERENCIAS