Física Electrónica

TRANSISTOR BJT

Jhon Estip Taborda Medrano

Grupo 100414_212

Tutor

Carlos Mauricio Salas

Universidad Nacional Abierta y a distancia UNAD

Física Electrónica

Bogotá 2021
 Ejercicio 3- TRANSISTOR BJT

En esta sección se observará el comportamiento de los transistores BJT y algunas de sus

aplicaciones más importantes, en cada caso el estudiante debe encontrar los valores
solicitados.
NOTA: Para resolver estos ejercicios el estudiante debe revisar el contenido bibliográfico
relacionado con transistores de unión bipolar, compartido en el entorno de aprendizaje.

Solucion:
Identifique la configuración de la gráfica y mediante análisis obtener los datos solicitados.
La configuración de la gráfica es de realimentación del colector.
VCE, VE, VC y IC

1. Primero obtenemos Resistencia de la Base.

Rb = R1 + R2
Rb = 470k + 220k
Rb = 690k

2. Obtenemos Ib asumiendo el valor de beta = 100.

 V CC−V B E
I B=
Rb + β ( RC + R E )

3. Remplazando temenos:

30−0.7
I B=
690+100 ( 6.2+1.5 )

30−0.7
I B=
690+100 ( 6.2+1.5 )

2 9.3
I B=
1460

2 9.3
I B=
1460

I B=20 µA

4. Ya con Ib nos disponemos a encontrar Ic.

I c =β I b

I c =100(20)

I c =2 mA

5. Ahora nos disponemos a encontrar Vc.

V C =V CC−I c R c

V C =30−2(6.2)
V C =30−2(6.2)

V C =30−12.4
 V C =17.6 V

6. Buscamos ahora el valor de Vce.

V C E=¿V CC −I C (RC +R E )¿

V CE=¿30−12.4+3 ¿

V CE=¿14.6 V ¿
7. Buscamos ahora el valor de Ve.

V E=V B−V BE
Teniendo que Vb = Vbe entonces.
V E=0