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1.

Un
a)
b)
c)
d)

transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) consta de:
Un DIAC y un TRIAC.
Un diodo y un GTO.
Un BJT y un MOSFET.
Un SCR y un TRIAC.

Respuesta: c)

Un BJT y un MOSFET.

Justificación: Este dispositivo posee la características de las señales de puerta de los
transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del
transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un
transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es
como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT.
2. Un IGBT se divide en:
a) 2 materiales tipo n y 3 materiales tipo p.
b) 1 material tipo n y 2 materiales tipo p.
c) 3 materiales tipo n y 3 materiales tipo p.
d) 2 materiales tipo n y 1 material tipo p.
Respuesta: c)

3 materiales tipo n y 3 materiales tipo p.

Justificación: Debido a que es la combinación de un transistor BJT (1 material tipo p y 2
materiales tipo n) y un MOSFET (1 material tipo n y 2 materiales tipo p).
3. Un GTO es:
a) Es un dispositivo encendido por un solo pulso al igual que el tiristor normal; pero
es apagado al aplicar un pulso de corriente negativa en el terminal.
b) Es un dispositivo encendido y apagado por un pulso negativo de corriente en la
compuerta.
c) Es un dispositivo que purifica la señal para un circuito de disparo.
d) Es un dispositivo que se activa con un pulso positivo en el terminal,, pero se
desactiva cuando deja de recibir energía.
Respuesta: a) Es un dispositivo encendido por un solo pulso al igual que el tiristor normal;
pero es apagado al aplicar un pulso de corriente negativa en el terminal.
Justificación: Es un dispositivo de electrónica de potencia que puede ser encendido por un solo
pulso de corriente positiva en la terminal puerta o gate (G), al igual que el tiristor normal; pero
en cambio puede ser apagado al aplicar un pulso de corriente negativa en el mismo terminal.
Ambos estados, tanto el estado de encendido como el estado de apagado, son controlados por
la corriente en la puerta (G).
4. ¿Qué capa tiene
a) Capa tipo p.
b) Capa tipo n+
c) Capa tipo pd) Capa tipo n-

adicional

el

tiristor

GTO

a

diferencia

del

SCR?:

en paralelo con la compuerta de encendido. 5.Respuesta: b) Capa tipo n+ Justificación: A diferencia del SCR. Respuesta: b) Potencia alta y frecuencia de conmutación lenta. d) Potencia alta y frecuencia de conmutación media. .5 kV) y corrientes grandes (hasta unos cuantos kiloamperios). que forma un circuito de apagado entre la compuerta y el cátodo. Justificación: Debido a su capacidad de manejar voltajes grandes (hasta 4. el GTO se usa cuando se necesita un interruptor para altos voltajes y altas corrientes en un rango de frecuencia de conmutación de unos cuantos cientos de hertzios a 10 kHz. el GTO tiene una capa adicional “n+” cerca del ánodo. ¿Qué capacidad de potencia y frecuencia de conmutación alcanza el GTO? a) Potencia media y frecuencia de conmutación media. c) Potencia baja y frecuencia de conmutación rápida. b) Potencia alta y frecuencia de conmutación lenta.