El Ir2110 Descripcion PDF

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona
AUTOR: Oscar Fernndez - Pacheco Gmez .

DIRECTOR: Roberto Giral Castilln .
FECHA: Agosto 2002.
ndice
NDICE
1. MEMORIA DESCRIPTIVA..............................................................1
2. MEMORIA DE CLCULO.............................................................26
3. MEDIDAS EN EL LABORATORIO...............................................67
4. PLANOS.........................................................................................103
5. PRESUPUESTO.............................................................................114
6. PLIEGO DE CONDICIONES........................................................125
7. ANEXOS........................................................................................137
1. MEMORIA DESCRIPTIVA
Memoria Descriptiva
NDICE MEMORIA DESCRIPTIVA
1.
MEMORIA DESCRIPTIVA........................................................................3
1.1.
INTRODUCCIN ......................................................................................... 3
1.2.
OBJETIVO DEL PROYECTO ...................................................................... 7
1.3.
ANTECEDENTES......................................................................................... 8
1.4
DESCRIPCIN Y FUNCIONAMIENTO DEL CIRCUITO ........................ 9
1.4.1.
Planta .................................................................................................... 9
1.4.2.
Circuito de retardo generador de dead time ..................................... 10
1.4.3.
Regulador de tensin .......................................................................... 12
1.4.4.
Sensado de corriente ........................................................................... 14
1.4.5.
Regulador de tensin usando el CI723 ............................................... 16
1.4.6.
Driver IR2110 ..................................................................................... 17
1.4.7.
Regulador PWM ................................................................................. 18
1.4.8.
Control ................................................................................................ 19
1.5.
ESPECIFICACIONES ................................................................................. 20
1.6.
CONCLUSIONES ....................................................................................... 21
1.7.
COMPARATIVA CON CONVERTIDORES ACTUALES ....................... 23
1.8.
PRESUPUESTO TOTAL DEL PROYECTO.............................................. 24
1.9.
BIBLIOGRAFA.......................................................................................... 25
Memoria Descriptiva
1 Memoria Descriptiva
1.1.
INTRODUCCIN
El campo de la electrnica de potencia tiene que ver con el procesado de

potencia elctrica usando dispositivos elctricos. El elemento clave es el convertidor
conmutado, ilustrado en la figura 1.1.1. En general, un convertidor conmutado
contiene puertos de entrada de potencia y de control, y un puerto de salida de
potencia. La potencia bruta de entrada es procesada y especificada por la entrada de
control, produciendo una potencia acotada en la salida.
En un convertidor DC/DC, la tensin de entrada DC es convertida a tensin
de salida con una mayor o menor magnitud, posiblemente con polaridad opuesta, o
bien aislando las referencias de entrada y masa de salida. Usualmente, el control es
requerido, y casi siempre es diseado para producir una tensin de salida bien
regulada, con la presencia de variaciones en la tensin de entrada y en la corriente en
la carga.
El bloque de control es una parte integral de cualquier sistema de procesado
de potencia. Una eficiencia alta es esencial en cualquier aplicacin cuya razn
principal es la de conservacin de la energa. La eficiencia de un convertidor,
teniendo potencia de salida Pout y potencia de entrada Pin , es:
Pout
Pin
(1.1.1)
Por consiguiente, la prdida de potencia en el convertidor es:
1
Ploss = Pout 1

(1.1.2)
y se debe a elementos resistivos, elementos capacitivos, dispositivos magnticos

incluyendo inductores y transformadores, dispositivos semiconductores operando en
modo lineal (amplificadores) y dispositivos semiconductores operando en modo
conmutado (MOSFET, diodos, etc.).
iOUT
iIN
entrada de
potencia
+
vIN
-
Memoria Descriptiva
convertidor
conmutado
+
vOUT
-
salida de
potencia
entrada de
control
Figura 1.1.1. Esquema general de un convertidor conmutado
Los convertidores DC/DC son fuentes conmutadas aisladas o no, que respecto a
las fuentes de alimentacin lineales, tienen las siguientes ventajas:
a)
rendimientos entre el 60% y 90%; frente a las lineales que tienen un

rendimiento alrededor del 40%.
b) Pequeas dimensiones; tanto menor cuanto mayor sea la frecuencia de
conmutacin, en la actualidad 100 kHz - 1 MHz
Podemos no obstante, apuntar los siguientes inconvenientes:
a)
generacin de EMI (emisin electromagntica) tanto conducida como

radiada.
b) Aumento de las prdidas de conmutacin y prdidas en los ncleos cuando la
frecuencia crece.
En la mayora de los casos el convertidor trabaja a frecuencia constante y la
regulacin se hace mediante PWM (modulacin de anchura de pulsos) de la manera
que se indica en la figura 1.1.2.
Memoria Descriptiva
Donde:
-Vc es la tensin de error
-VR es la tensin de referencia
-Vr es la funcin rampa
Convertidor
DC/DC
Vs
Vo
Vg
Vr
Comparador
Vc
Ve
VR
PWM
Figura 1.1.2. Diagrama general del convertidor y generacin PWM
El convertidor a estudiar en este proyecto es un convertidor reductor Buck

(figura 1.1.3), es decir, la tensin de salida es menor que la tensin de entrada.
Figura 1.1.3. Configuracin Buck tpica
Memoria Descriptiva
De lo que trata este proyecto es de estudiar la posibilidad de introducir un

interruptor manteniendo o no el diodo original en esta estructura reductora, tal y como
se indica en la figura 1.1.4, adems de disear sus circuitos de sincronizacin y otros
para evitar su conduccin simultnea, evitar cortocircuitos y la posible destruccin de
los MOSFETs.
Figura 1.1.4. Configuracin Buck con rectificacin sncrona

Tradicionalmente estos convertidores, se utilizan con baja tensin de salida.
En este caso la Vo deseada corresponde a 1/3 de la tensin de entrada Vin,
por lo que el ciclo de trabajo del MOSFET superior es igual a un 33 % y el diodo o
MOSFET inferior conducen un 66 % del periodo. Parece lgico mejorar las prdidas
de conduccin en el elemento del interruptor que est ms tiempo conduciendo.
La ventaja de este cambio es que se reduce la cada de tensin del diodo,
tpica entre 0,5 y 1 V a unos 0,3 V o menor (corriente que circula por el MOSFET
multiplicado por su baja resistencia de conduccin), incrementando la eficiencia del
sistema.
1.2.
Memoria Descriptiva
OBJETIVO DEL PROYECTO
El objetivo principal de este proyecto es el de disear y construir fsicamente

un convertidor tipo Buck con Rectificacin Sncrona con la finalidad de asegurar que
proporciona mayor rendimiento que un convertidor Buck tpico. Para ello se ha
previsto que pueda funcionar de tres modos diferentes: configuracin tpica de un
Buck (fig.1.2.1a), modo sncrono mediante dos MOSFETs sincronizados (fig.1.2.1b),
y como el anterior con la adicin del diodo en antiparalelo con el MOSFET de lado
bajo (fig.1.2.1c).
Aunque no se indique en las grficas, por construccin, el MOSFET lleva un
diodo interno en antiparalelo. Las caractersticas de este diodo no son buenas ya que
es un diodo de conmutacin lenta, por lo que no interesa que entre en conduccin. Es
necesario ajustar la temporizacin de b) o aadir un diodo rpido c)
a)
b)
c)
Figura 1.2.1. Tres tipos de configuraciones Buck.
El estudio del prototipo proporcionar una serie de resultados de

rendimientos, rizados, arranque y dems conclusiones que pueden ser de gran ayuda
para el diseo y construccin de futuros prototipos.
Otro objetivo es el de mejorar un prototipo ya existente en cuanto a
innovaciones electrnicas con nuevos componentes y de esta manera aumentar el
rendimiento.
Como innovacin, tambin, se ha introducido una circuitera generadora de
dead-time, un tiempo muerto en el que ninguno de los MOSFETs conmuta. Se ha
diseado como elemento de seguridad a la hora de la conmutacin, con el objetivo de
asegurar un tiempo en el que ninguno de los MOSFETs est en conduccin.
Como objetivo secundario, el sistema ha de soportar variaciones de tensin
en la entrada desde 33 hasta 58 voltios sin variar su tensin de salida de 14 V. Para
ello se ha diseado un control de doble lazo: de tensin y de corriente.
1.3.
Memoria Descriptiva
ANTECEDENTES
Hasta el presente, los convertidores de este tipo, se han dedicado hacia el

campo de alimentacin de microprocesadores cada vez ms rpidos, con ms ancho
de banda y con ms necesidades debido al explosivo crecimiento de Internet. La
nueva clase de procesadores GHz, requieren corrientes ms altas y tensiones ms
bajas que la generacin anterior.
Por ejemplo las agendas-computadora de hoy en da consumen 20 A,
consiguindose mediante MOSFET en paralelo. Los servidores y ordenadores de
escritorio del presente oscilan entre 60 y 90 A. Y las CPU de prxima generacin
consumen unos 120 A, aproximadamente un 10% superior a las CPU de hace tan solo
dos aos.
En las industrias de telecomunicaciones que usan convertidores aislados, la
tensin de salida de stos no debe superar los 1,5 V. Bajo estas condiciones, la
rectificacin sncrona es necesaria para reducir disipacin de potencia y mantener los
niveles de eficiencia requeridos.
Existe en el Laboratorio de la Universidad el denominado Tri-Buck, que es
un conjunto de tres convertidores sincronizados de caractersticas parecidas al
prototipo del presente proyecto. Uno de los objetivos de este proyecto, como se ha
comentado anteriormente, ha sido el de estudiar ese Tri-Buck y adaptar a un solo
convertidor esas caractersticas, as como el de mejorar el valor del rendimiento
gracias a las innovaciones tecnolgicas que separan temporalmente el diseo de los
dos prototipos.
1.4
Memoria Descriptiva
DESCRIPCIN Y FUNCIONAMIENTO DEL CIRCUITO
Este apartado pretende dar una explicacin general de una manera intuitiva
de qu partes se compone el prototipo. Una explicacin ms detallada con el diseo y
la eleccin de los componentes se encuentra ms adelante en la Memoria de Clculo.
1.4.1.
Planta
La planta del prototipo no es mas que una configuracin de convertidor

Buck de potencia con la adicin de un transistor MOSFET en paralelo con el diodo
Schottky tpico en un convertidor de estas caractersticas.
Consta de un filtro en la entrada y otro en la salida comentados en la
Memoria de Clculo del presente proyecto. Adems se ha introducido un diodo en la
salida para alimentar el resto del circuito en cuanto a su salida se disponga de una
tensin superior a la del regulador de tensin principal comentado en el apartado
1.4.3. del presente documento. De esta manera se evita que funcione y consuma dicho
regulador, incrementando el rendimiento del sistema.
Q5
MOSFET N
42V_Side
L1 40u
14V_Side
J5
C5
C4
C3
C7
C6
C17
C1
1200uF
1200uF
1200uF
1200uF
1200uF
1200uF
1
2
Q4
MOSFET
D2 N CON2
C2
22uF
22uF
C18 C20 C21 C22 C23 C24

+
2200uF 3300uF
PBYR20100
Figura 1.4.1. Planta del prototipo.
3.3uF
3.3uF
3.3uF
3.3uF
D15
3.3uF
1N4148
VCC
1.4.2.
Memoria Descriptiva
Circuito de retardo generador de dead time
En muchos convertidores de altas prestaciones, es necesaria la sincronizacin

entre mltiples interruptores. Con esto bastara si fuesen elementos de conmutacin
ideales, pero a menudo se necesita un dead time (tiempo muerto) para asegurar
absolutamente que no exista la posibilidad de que los dispositivos interruptores no
conduzcan simultneamente durante las transiciones de la conmutacin.
Tanto en inversores como convertidores dc-dc rectificadores sncronos, el
tiempo muerto es generado con dos seales de control complementarias, una para
cada interruptor. Muy recientemente, algunos fabricantes de integrados han empezado
a producir controladores PWM rectificadores sncronos con seales complementarias
y tiempo muerto. Pero la mayora de diseadores que trabajan en inversores, usan sus
propias estrategias para la generacin del tiempo muerto [3].
La generacin de tiempo muerto en este proyecto ha sido diseada con el
objetivo de ser ajustable y se ha hecho mediante 4 puertas CMOS de tipo NOR
integradas en un mismo chip mas dos etapas de retardo RC, como se observa en la fig.
1.4.2.
La puerta NOR es un grupo completo, es decir, se pueden sumar, multiplicar
e invertir diferentes seales nicamente utilizando NORs.
a
0
0
1
1
b
0
1
0
1
NOR
1
0
0
0
Tabla 1.4.1. Funcin NOR para dos entradas
NOT
AND
OR
x = x+x
x1 x 2 = x1 + x2
x1 + x 2 = x1 + x 2
10
Memoria Descriptiva
Funcionamiento del circuito:

La entrada es una onda de pulsos generada por el regulador PWM. La
funcin de la NOR U10A es invertir la seal PWM y a sta se le hace pasar por la
NOR U13A con la seal original pero retardada consiguiendo a su salida una seal
PWM similar a la original pero con un retardo, que puede ser ajustable.
La funcin de U12A es invertir la seal retardada para poder ser comparada
con la original en U11A, pero esta vez en el estado de nivel bajo. La salida del U11A
es la seal PWM invertida (complementaria a la salida de U13A) con un retardo
tambin ajustable.
R15
1
PWM
3
R16
U10A
10K
U11A
3
2
4001
3
R17
4001
C32
0.1nF
U12A
R14
4001
100
10K
C33
0.1nF
100
LIN
1
U13A
3
HIN
4001
Figura 1.4.2. Circuito generador de dead time

Las puertas NOR se han elegido de tipo CMOS por su buena compatibilidad
de niveles lgicos con el regulador PWM y el driver IR2110 para el disparo de los
MOSFET. Exactamente se ha elegido un 4001B, que es un integrado que contiene 4
puertas NOR.
Los valores de las etapas de retardo, se han elegido pensando en que el
retardo no sobrepase los 500 ns. Para ello los potencimetros sern de 10 k, y se
ajustarn a unos 5 k. Y los condensadores debern ser de 0,1 nF. Las resistencias de
100 aseguran un retardo mnimo de 10 ns entre el PWM original y la seal
generada evitando un solapamiento excesivo entre stas, evitando, por consiguiente,
la conmutacin simultnea de los dos MOSFETs.
11
Memoria Descriptiva
Como resultado de simular el circuito generador de dead-time se ha obtenido

la grfica de la fig.1.4.3, donde se aprecia el retardo generado entre la seal PWM
original y las seales de activacin de los MOSFETs Q1 y Q2.
Canal 3
Canal 2
Canal 1
Figura 1.4.3. Canal 1 PWM original

Canal 2: Seal de activacin de Q1
Canal 3: Seal de activacin de Q2
1.4.3.
Regulador de tensin
El siguiente regulador de tensin ha sido diseado para poder alimentar

inicialmente al regulador de precisin formado por el integrado CI723, para
posteriormente poder alimentar a la circuitera interna del convertidor.
Lo que hace que este regulador sea imprescindible en este prototipo es la
robustez en cuanto a tensin de entrada ya que permite su arranque hasta 58 V. Otra
caracterstica importante es su facilidad de montaje y economa. Su nico
inconveniente es que para grandes cambios en su tensin de entrada (caso de 33 hasta
58 voltios) presenta variaciones considerables de tensin a su salida, por eso se ha
tenido que disear un regulador de precisin en serie a ste para poder alimentar
fiablemente el resto de circuitera a tensin constante.
12
Memoria Descriptiva
El diseo es bastante simple. La resistencia R28 hace posible la polarizacin

del Zener, el cual va a mantener una tensin de 15 voltios. La resistencia R31 y el
condensador C41 forman un filtro para eliminar el ruido aportado por el Zener. A su
vez, R31 limita la corriente de base para el Darlington (ver Anexos). Idealmente, en
Vcc se consigue 15 voltios menos la cada de tensin provocada por el Darlington y
por el diodo 1N4148 (ver Anexos), unos 11,2 voltios.
El regulador se ha hecho mediante elementos discretos tal y como se muestra
en la figura 1.4.4.
42V_Side
U9
BDX33C
D14
VCC
1N4148
1800 1W
R28
R31
D12 3k3
Dz
C41
10uF
C12
1uF
Figura 1.4.4. Regulador de tensin

La resistencia de polarizacin (R28) se ha diseado tal que para Vin mnima
(33 V) circule una corriente capaz de polarizar el diodo Zener (10 mA):
Rpol =
Vinmin Vz 33V 15V

= 1800
=
Ipol
10mA
(1.4.1.)
Hay que comprobar que para los diferentes valores de Vin se mantiene un
margen aceptable de valores de Ipol.
Veamos para Vin = 42 V:
Ipol =
42V 15V
= 15 mA
1800
13
Memoria Descriptiva
y para Vin = 58 V:
Ipol =
58V 15V
= 23,89 mA
1800
margen aceptable y soportable por un diodo Zener de Vz = 15 V.
1.4.4.
Sensado de corriente
Para realizar un control de tipo corriente media [4] en un convertidor es

necesario un sensado de corriente cerca del transistor. Existen varios mtodos que se
utilizan para ste propsito as como el de sensar esa corriente mediante un resistor de
muy baja impedancia. Pero en muchas aplicaciones esto no resulta muy prctico ya
que se incrementa la disipacin de potencia provocando que disminuya el rendimiento
del convertidor.
Para este proyecto, por sus especificaciones rigurosas de rendimiento, se ha
optado por hacer uso de un sensado mediante transformador de corriente. Esta tcnica
elimina la necesidad de usar un valor extremadamente bajo de resistor. Muchos
diseadores prefieren usar un transformador de corriente para minimizar la prdida de
potencia y permitir el uso de un valor mucho ms elevado del resistor, todo esto a
bajo coste.
El diseo del sensado se observa en la fig. 1.4.5. Como resistor para el filtro
se ha elegido un potencimetro de 1 k para su posterior ajuste, y como condensador,
uno de polister de 10 nF. La relacin de transformacin es de 1:50 ya que en el
primario tendr 2 espiras y en el secundario, 100. Esto es para reducir la corriente en
50 veces e incrementar la tensin tambin en 50, adaptando de esta manera los niveles
para el posterior control.
Como impedancia de sensado se han elegido dos resistores de 10 de W
para conseguir 5 , esta impedancia se ve reflejada en el primario como:
Impedancia efectiva en el primario =
Rsensado
n2
Impedancia efectiva en el primario =
5
= 2 m
50 2
14
(1.4.2)
Memoria Descriptiva
Estos 2 m equivalen a un 10 % de la impedancia generada por el MOSFET

en conduccin, por tanto este valor es ms que aceptable ya que se introducen muy
pocas prdidas en el sistema debido al sensado de corriente.
En condiciones de 100 % de carga y a tensiones nominales de entrada y de
salida, 42 y 14 V respectivamente, Iin ser igual a unos 6 A. Por tanto en el
secundario tendremos 120 mA, que multiplicados por los 5 , tendremos que la
amplitud de tensin en Isense (ver fig. 1.4.5), ser de unos 0,6 V. Valor aceptable para
un posterior control.
Los tipos de cables usados para bobinar el ncleo toroidal han sido, para el
primario, cable para bobinar PIRESOLD de 0,8 mm de dimetro y para el secundario,
cable para bobinar soldable PIRESOLD de 0,28 mm de dimetro.
1k
D13
1
R29
MBR360
R8
10
Isense
C8
10nF
R9
10
NTH 12
T3
TRANSFORMER
Figura 1.4.5. Sensado de corriente

Lo que hace el circuito de sensado es, tal y como se muestra en la
fig.1.4.5.bis, es rectificar y filtrar la onda de corriente que circula por la bobina,
manteniendo la onda en su pendiente positiva.
Figura 1.4.5.bis Rectificacin y filtro de la onda de corriente
15
1.4.5.
Memoria Descriptiva
Regulador de tensin usando el CI723
Se ha diseado un regulador de tensin usando un CI723 en su configuracin

compensado por temperatura (ver Anexos) con el objetivo de mantener a tensin
constante la alimentacin para la circuitera interna, debido a las variaciones antes
comentadas del regulador de tensin principal presentes en Vcc. La alimentacin de
la circuitera restante es Vcc1, y ha sido diseada para obtener 11 voltios.
Adems, en la patilla n 6 del integrado se obtienen 7,1 V constantes que se
puede aprovechar para utilizarla como tensin de referencia para el control.
VCC
U6
BDX53
0.5 1W
U5
C36
1uF
1
2
3
4
5
6
7
R23
nc1
nc3
ILIM
FREQ
ISENSE +Vs
INV
Vc
NINV
Vo
Vref
Vz
-Vs
nc2
R20
14
13
12
11
10
9
8
VCC1
C38
100pF
R21
8k2
R22
12k
LM723
10k
Vref(7.1V)
Figura 1.4.6. Regulador de tensin de precisin.
16
C37
1uF
1.4.6.
Memoria Descriptiva
Driver IR2110
El driver IR2110 es un integrado bastante usado comercialmente para

conmutacin de MOSFETs gracias a sus buenos resultados. Es robusto y en la
siguiente configuracin es capaz de sincronizar la conmutacin de dos interruptores
en un sistema sncrono. Necesita de una pequea circuitera bootstrap exterior para
abastecer de suficiente corriente la puerta del MOSFET para su conmutacin. En la
Memoria de Clculo est presente el clculo para el diseo del valor del condensador
bootstrap C11.
circuitera bootstrap
VCC1
D8
C9
C10
1uF
1uF
C11
1N4148
200nF
U18 IR 2110
12
14
nc2 VB
Vdd HO
HIN VS
SD nc1
Vcc
LIN
LO
nc3 COM
6
7
5
4
3
1
2
Ho
LOAD
Lo
13
Lin
8
9
10
11
Vss
Hin
D10
MBR360
diodo de proteccin
del driver
DRIVER
Figura 1.4.7. Driver de sincronizacin y conmutacin de los MOSFETs.
17
1.4.7.
Memoria Descriptiva
Regulador PWM
El regulador de PWM es el integrado que va a permitir configurar la

frecuencia y el ciclo de trabajo del tren de pulsos, as como el arranque del sistema y
su posible control. Uno de los integrados que renen stas caractersticas es el
UC3524 y su familia. Este integrado es muy utilizado para convertidores, los cuales
necesitan un tren de pulsos para su funcionamiento. Concretamente se ha usado el
UC3526, familia del UC3524. Es muy similar al este ltimo, pero el usado aade la
posibilidad de sincronizarse con otros dispositivos iguales a l.
Se ha previsto en su diseo, que pueda funcionar en lazo abierto y en lazo
cerrado. Es decir, en lazo abierto para acabar de mejorar el sistema, hacer un estudio
de rendimiento, etc., variando manualmente la tensin de comparacin con la rampa
generada por el integrado con el objetivo de poder variar el ciclo de trabajo de la seal
que hace posible la conmutacin. Y en lazo cerrado para un control de doble lazo,
corriente y tensin.
Lazo abierto
R54
1k
R55
1k
3
5k
C28
454pF
+e
R51
47k
2
R18
1K
15
PWM
14
12
C29
113pF
R58
4k7
R56
R57
1
VCC
VCC1
VCC1
1k
1K
VCC1
U19
1
2
3
7
6
+E
Vin
-E
COMP Css
+CS
RST
-CS OUTB
OUTA
GND
SD
RT
VC
CT
RD
Sync Vref
17
4
5
16
13
8
9
10
11
18
UC3526
C34
1uF
C26 10nF
1
R50
47k
R53
C25
2nF
C27
100nF
Isense
CONTROL DE CORRIENTE
Lazo abierto
Figura 1.4.8. Regulador de PWM (Modulador de Anchura de pulsos).
18
1.4.8.
Memoria Descriptiva
Control
Cerrar el lazo de control del convertidor fue objetivo secundario desde el

principio de la realizacin de este proyecto. De hecho, el sistema est previsto de los
elementos necesarios para un control multivariable, exactamente de un control de
doble lazo: de corriente y de tensin. El sensado de corriente mediante el
transformador, el control de corriente (visto en la fig.1.4.8.), y el de tensin (ver
fig.1.4.9.)estn completamente diseados (ver Memoria de Clculo) y previstos en la
placa para ser montados.
14V_Side
R52
1
R11
90.9k
1000k
VCC1 220nF
C32
R12
2
C30
1nF
VDD+
2OUT
2IN2IN+
8
7
6
5
C31
22nF
TLC2272
+e
Vref(7.1V)
1k
1OUT
1IN1IN+
GND
C33
220nF
Figura 1.4.9. Control de tensin.
19
U20
1
2
3
4
1.5.
Memoria Descriptiva
ESPECIFICACIONES
Siguiendo los criterios y los objetivos del proyecto se han redactado las
siguientes especificaciones que deber cumplir el convertidor.
El sistema debe ser capaz de funcionar a una tensin de entrada variable
desde 33 hasta 58 V. Su tensin de salida debe ser ajustable a 14 V. El 100 % del
valor de carga ser de 1,1 y ser resistiva, lo que provocar a su salida una potencia
cercana a 200 W.
La frecuencia de conmutacin ser de 50 kHz, y el rizado de tensin en la
salida no debe superar los 140 mV (un 1 % de la tensin de salida).
20
1.6.
Memoria Descriptiva
CONCLUSIONES
Despus de haber estudiado y realizado ensayos sobre el comportamiento del

convertidor en cada una de sus tres configuraciones durante el tiempo invertido en el
Laboratorio, se ha llegado a una serie de resultados y conclusiones, las cuales se van a
resumir en el presente apartado. Las tablas comentadas a continuacin son extractos
del documento 3. Medidas en el Laboratorio.
En cuanto al rizado de tensin en la salida, coinciden las configuraciones
sncrona y tpica al 50 % de la carga, aunque la configuracin sncrona supera en
prestaciones a la tpica al 100 %. En el modo sncrono con la adicin del Shottky el
rizado es bastante mayor que en los otros dos modos (ver tabla 1.6.1).
Vin (V)
33
43
58
RIZADOS EN Vo PICO A PICO (V)

MOSFET-MOSFET
MOSFETMOSFET-MOSFETSCHOTTKY
SCHOTTKY
50 %
100 %
50 %
100 %
50 %
100 %
0,6
1,2
0,6
2,2
1,2
2,9
0,8
1,2
0,8
1,8
1,8
4,0
0,8
1,4
0,8
3,6
3,6
6,8
Tabla 1.6.1. Extracto de la tabla 3.6 de rizados en la salida al 50 y 100 % de

carga.
En cuanto al arranque del sistema, segn las grficas de las figs. 3.5.3,
3.5.5, y 3.5.7, se puede afirmar que el modo tpico es ms rpido en alcanzar el valor
de la tensin de salida a 14 V, unos 130 ms, mientras que las dos configuraciones
sncronas son ms lentas, unos 250 ms. El pico de corriente en la entrada, la primera,
llega a unos 12 A, mientras que las configuraciones sncrona y sncrona mas diodo
reducen ese pico a 11 y 8 A respectivamente. Por tanto, el arranque en modo sncrono
con la adicin del diodo en antiparalelo es ms suave.
21
Memoria Descriptiva
El rendimiento es otro de los aspectos que se mejoran con la rectificacin

sncrona del convertidor. En esta configuracin mejoramos el rendimiento hasta un 2
% comparndolo con el mismo convertidor en su configuracin tradicional, es decir,
con un MOSFET y el diodo. Pero cuando el rendimiento realmente mejora es cuando
se aade a la rectificacin sncrona el diodo en antiparalelo con el MOSFET de lado
bajo, consiguindose un valor de rendimiento ligeramente superior al 90 %.
CARGA
MAX
RENDIMIENTOS MXIMOS CONSEGUIDOS (%)

MOSFET-MOSFET
SCHOTTKY
50 %
100 %
50 %
100 %
50 %
100 %
89,67
85,72
88,52
84,72
90,59
86,57
Tabla 1.6.2. Rendimientos mximos (extracto de las tablas 3.3, 3.4, 3.5)
La sincronizacin de un convertidor reductor tpico requiere bajo coste. Se
necesita aadir otro interruptor, un driver que permita la conmutacin en este modo y
la integracin de una circuitera digital generadora de un tiempo muerto entre la
activacin de cada MOSFET.
Se puede afirmar que el hecho de usar una configuracin sncrona en un
convertidor tipo Buck es ventajosa en todos los aspectos.
22
1.7.
Memoria Descriptiva
COMPARATIVA CON CONVERTIDORES ACTUALES
En la actualidad, como se ha comentado en el apartado Antecedentes del

presente documento, existen convertidores buck sncronos pero que no se ajustan a los
valores elctricos de el prototipo de este proyecto, sino que son menores en cuanto a
corriente y tensin, como se observa a continuacin.
Este es el caso del FAN5234 de Fairchild Semiconductor. Sus caractersticas
principales son:
Tensin de entrada: de 2 a 24 voltios.
Tensin ajustable a la salida de 0,9 a 5,5 voltios de alta eficiencia.
Corriente de salida de 0 a 5 amperios.
Sensado de corriente mediante resistencia
Y sus aplicaciones son destinadas a reguladores para PCs porttiles, PDAs y
aplicaciones de Internet. La rectificacin es sncrona y adems incluye un modo de
operacin mediante histresis para la carga de luz, que permite prolongar el tiempo de
funcionamiento de la batera.
El modo de operacin sncrono incluye adems de los dos MOSFETs, un
diodo Schottky en paralelo con el MOSFET de lado bajo, mejorando de esta manera
la eficiencia total del sistema.
Haciendo un recordatorio del prototipo del presente proyecto:

Tensin de entrada: de 33 a 58 voltios.
Tensin a la salida de 14 voltios (puede ajustarse a valores
inferiores)
Corriente de entrada de 1 a 8 amperios.
Corriente de salida de 0 a 15 amperios.
Sensado de corriente mediante transformador
Su aplicacin puede ser destinada como fuente de alimentacin para
vehculos los cuales vayan alimentados con bateras de 42 voltios.
23
1.8.
Memoria Descriptiva
PRESUPUESTO TOTAL DEL PROYECTO
El presupuesto total de este proyecto asciende a CIENTO OCHENTA Y

SIETE EUROS CON CUARENTA Y CUATRO CNTIMOS.
TARRAGONA, 25 de AGOSTO DE 2002
EL INGENIERO TCNICO INDUSTRIAL
Firmado, Oscar Fernndez-Pacheco Gmez
24
1.9.
Memoria Descriptiva
BIBLIOGRAFA
[1]
Libro: Robert W. Erickson, Fundamentals of power electronics, Kluwer
Academic Publishers, 2001.
[2]
Apuntes: Javier Maix, Electrnica de Potencia, ETSE, URV.
[3]
Artculo de revista: Phil Krein, Using Logic for Dead Time and
Synchronous-Rectifier Control, IEEE Power Electronics Society NEWSLETTER,
July 2000, 7.
[4]
Nota de aplicacin: Lloyd Dixon, Average Current Mode Control of
Switching Power Supplies, UNITRODE CORPORATION U-140.
[5]
Artculo de revista: R.D. Middlebrook, Modeling Current-Programmed Buck
and Boost Regulators, IEEE Transactions on Power Electronics, January 1989, vol. 4.
[6]
Nota de aplicacin: George E. Danz, HIP4081A, 80V High Frequency HBridge Driver, INTERSIL AN9405.3
[7]
Informacin fabricante de circuitos integrados: HEXFET Chip-Set for DCDC converters, IRF7805, INTERNATIONAL RECTIFIER, PD91746C
25
2 MEMORIA DE CLCULO
26
Memoria de Clculo
NDICE MEMORIA DE CLCULO
2.
MEMORIA DE CLCULO...................................................28
2.1.
ESTUDIO DEL CONVERTIDOR BUCK CON RECTIFICACIN
SNCRONA................................................................................................................ 28
2.1.1.
ANLISIS DEL CIRCUITO MEDIANTE LA TCNICA DE LA
PROMEDIACIN EN EL ESPACIO DE ESTADO ............................................ 28
2.1.2.
INFLUENCIA DE LAS PRDIDAS. RENDIMIENTO.................... 35
2.1.2.1. Descripcin de las prdidas en cada elemento ..................................... 35
2.1.2.1.1.
Prdidas en los inductores .................................................... 35
2.1.2.1.2.
Prdidas en los condensadores.............................................. 36
2.1.2.1.3.
Prdidas en los diodos .......................................................... 36
2.1.2.1.4.
Prdidas en los transistores MOSFET .................................. 37
2.1.2.1.5.
Prdidas durante la conmutacin .......................................... 37
2.2.
DISEO DEL PROTOTIPO EXPERIMENTAL ........................................ 38
2.2.1.
PWM................................................................................................... 38
2.2.2.
Diseo del filtro de salida ................................................................... 38
2.2.3.
Diseo y fabricacin del inductor ....................................................... 43
2.2.4.
Eleccin de los MOSFET. .................................................................. 48
2.2.5.
Eleccin del diodo de potencia. .......................................................... 48
2.2.6.
Eleccin de los disipadores................................................................. 49
2.2.6.1.
Clculo del disipador del BDX33C........................................... 49
2.2.6.2.
Clculo del disipador de los MOSFET...................................... 50
2.2.6.3.
Clculo del disipador del diodo PBYR20100............................ 54
2.2.6.4.
Resumen .................................................................................... 55
2.2.7.
Eleccin de condensadores. ................................................................ 56
2.2.7.1.
Condensador de entrada ............................................................ 56
2.2.7.2.
Condensador de salida............................................................... 56
2.2.7.3.
Condensador bootstrap .............................................................. 58
2.2.7.4.
Condensador softstart ................................................................ 59
2.2.8.
Control ................................................................................................ 60
2.2.8.1.
Lazo de Corriente ...................................................................... 60
2.2.8.2.
Lazo de Tensin ........................................................................ 62
27
Memoria de Clculo
2 Memoria de Clculo
2.1. ESTUDIO DEL CONVERTIDOR BUCK CON

RECTIFICACIN SNCRONA
2.1.1.
ANLISIS DEL CIRCUITO MEDIANTE LA TCNICA DE LA

PROMEDIACIN EN EL ESPACIO DE ESTADO
En este apartado se har un estudio del sistema en pequea seal mediante la

tcnica de la promediacin en el espacio de estado. En el anlisis se ha eliminado la
componente RC del condensador ya que es despreciable para este clculo.
La frmula general del sistema con los parmetros de corriente y tensin de salida en
cada caso, topologa ON y OFF.
x& = x& ON d + x& OFF d '
(2.1.1)
d = D + d
(2.1.2)
y el ciclo de trabajo es:
que a su vez puede ser escrito como:
1 d (t ) = (1 D ) d
(2.1.3)
D' = 1 D
(2.1.4)
La tensin de entrada es igual a la componente contnua mas una componente en

pequea seal:
Vg (t ) = Vg + v g
(2.1.5)
dx(t ) dXss dx&

=
+
dt
dt
dt
(2.1.6)
0, ya que es derivada de constante
28
Memoria de Clculo
Topologa ON
A continuacin se plantean las ecuaciones de la topologa ON:
Vg Vo di
=
L
dt
dv
=
dt
i=
Vo
R
C
(2.1.7)
Vg Vo
d
L
(2.1.8)
(2.1.9)
En el dominio transformado, la Transformada de Laplace es:
sI (s ) i (0 ) =
Vg (s ) Vo(s )
(D + d (s ))
L
Topologa OFF
29
(2.1.10)
Memoria de Clculo
Y ahora las de la topologa OFF:
Vo di
=
L
dt
dv
=
dt
i=
(2.1.11)
Vo
R
C
(2.1.12)
Vo
d'
L
sI (s ) i (0) =
(2.1.13)
Vo(s )
(D'+ d ' (s ))
L
(2.1.14)
En los dos casos, tenemos que:
sV (s ) v(0) =
I (s ) Vo(s )
C
RC
(2.1.15)
Planteando las ecuaciones matriciales para tON:
di
dt 0
x& = =
dv 1
dt C
1
1
L i L + L Vg
1 vo
0
RC
A1
B1
di
dt 0
x& = =
dv 1
dt C
1
L i L + 0Vg
1 vo 0
RC
(2.1.16)
y para tOFF:
A2
(2.1.17)
B2
La ecuacin a resolver es:
x& = A x(t ) + BVg (t )
30
(2.1.18)
Memoria de Clculo
Sustituyendo las constantes por las matrices:
x& = ( A1x + B1Vg )d (t ) + ( A2x + B 2Vg )(1 d (t ))
(2.1.19)
x& = (A1( X + x ) + B1(Vg + v g )) D + d + (A2( X + x ) + B 2(Vg + v g )) D'+ d
(2.1.20)
x& = (A1 X + A1x + B1Vg + B1v g ) D + d + (A2 X + A2x + B 2Vg + B 2v g ) D'+ d

(2.1.21)
resolviendo:
x& = ( A1 X + B1Vg )D + ( A2 X + B 2Vg )D'+( A1 X + B1Vg A2 X B 2Vg )d +

+ ( A1 A2)xd + ( A1D + A2D')x + (B1 B 2)v g d + (B1D + B 2D')v g
(2.1.22)
x& = ( A1D + A2D')x + ( A1 X + B1Vg A2 X B 2Vg )d + trminos despreciables

(2.1.23)
x& ( A1D + A2D')x = ( A1 X + B1Vg A2 X B 2Vg )d
(2.1.24)
Haciendo la Transformada de Laplace:
sX (s ) ( A1D + A2D')X (s ) = ( A1 X + B1Vg A2 X B 2Vg )d (s )

(2.1.25)
[s ( A1D + A2D')]X (s ) = ( A1 X + B1Vg A2 X B 2Vg )d (s )

(2.1.26)
X (s ) = [s ( A1D + A2D')] ( A1 X + B1Vg A2 X B 2Vg )d (s )

1
(2.1.27)
31
Memoria de Clculo
Entonces como:
0
A1 = A2 =
1
s 0
s=
;
0 s
0
A1D =
D
1
L ;
1
RC
1
B1 = L ;
0

0
B2 = ;
0
D
L ;
D
RC
D'
0 L
;
A2D' =
D'
D'
RC
C
(2.1.28)
(2.1.29)
D + D'
0
L ;
A1D + A2D' =
D + D' D + D'
C
RC
(2.1.30)
D + D'
s
L ;
s ( A1D + A2D )' =
D + D' s + D + D'
C
RC
Hay
que
hacer
la
matriz
inversa
( A1 X + B1Vg A2 X B 2Vg )d (s ) :
para
poderla
(2.1.31)
multiplicar
con
Para ello hay que hacer primero el determinante para saber si esa matriz tiene inversa:
D + D'
2
D + D ' ( D + D ')
1 1
L
= s 2 + s
+
= s 2 + s
0
+
D + D'
D + D'
RC
LC
RC
LC
s+
RC
C
s
D+D=1
32
Memoria de Clculo
Como el resultado del determinante es distinto de 0, es posible hacer la matriz

inversa.
A continuacin se calculan los menores adjuntos:
A11 = s +
1
1
; A12 = ;
RC
C
A21 =
1
; A22 = s
L
La matriz inversa es por tanto:
1
s+
1
A 1 =
RC
1 1 1
s 2 + s
+
RC LC C
1

L ;
s
(2.1.32)
Se calcular ahora el trmino ( A1 X + B1Vg A2 X B 2Vg )d (s ) :
I (s )
X =
; B 2Vg = 0 ;
V (s )
0
A1 X = A2 X =
1

V (s )
1
1
0I (s ) + L V (s )
(
)
I
s
L

L
=
=
1
V (s )
1 V (s ) 1
1
(
)
I
s
(
)
V
s
I (s ) +
C
C
R
RC
RC
(2.1.33)
Los trminos A1X y A2X se cancelan ya que son iguales, por tanto slo queda
B1Vg, que es igual a:
Vg
B1Vg = L ;
0

33
(2.1.34)
Memoria de Clculo
Finalmente la funcin de transferencia del convertidor queda como sigue:
1
s+
1
X (s ) =
RC
1
1
1
s 2 + s
+
RC LC C
34
1
Vg
L d (s ) ;
L

s 0
(2.1.35)
2.1.2.
Memoria de Clculo
INFLUENCIA DE LAS PRDIDAS. RENDIMIENTO
Hasta ahora se ha considerado el convertidor con todos sus elementos

ideales, sin ningn tipo de prdidas o no linealidades. A continuacin se ha hecho un
anlisis del convertidor incluyendo las prdidas de cada elemento para poder
determinar la influencia que stas ejercen en la respuesta del convertidor, en el
rendimiento, etc. Tambin se puede determinar un margen de trabajo donde los
efectos de las prdidas tienen una influencia despreciable. Cabe destacar que las
prdidas tienen una influencia directa en el rendimiento y la dinmica del convertidor.
2.1.2.1. Descripcin de las prdidas en cada elemento
La planta del convertidor est formada tanto por elementos pasivos

(inductores, condensadores), como por elementos activos (diodos y transistores
MOSFET). En los siguientes apartados se expone el modelo utilizado para cada uno
de estos elementos. Cabe remarcar que para hacer el estudio del convertidor con
prdidas slo se han considerado los elementos implicados directamente en la planta.
Tambin existen las prdidas debidas a las transiciones durante la conmutacin, que
aumentan con la frecuencia.
2.1.2.1.1.
Prdidas en los inductores
El modelo de un inductor con prdidas puede ser representado mediante un

elemento resistivo RL en serie con el elemento inductor, este circuito equivalente
queda representado en la figura 2.1.1. Bsicamente las prdidas producidas en un
elemento magntico dependen de la frecuencia. En el caso de trabajar a altas
frecuencias se debera de tener en cuenta tambin efectos capacitivos, en este caso no
hace falta.
RL
Figura 2.1.1. Circuito equivalente de un inductor con prdidas.
35
2.1.2.1.2.
Memoria de Clculo
Prdidas en los condensadores
El modelo de un condensador con prdidas puede ser representado mediante

un elemento resistivo RC en serie con la capacidad. El circuito equivalente de un
condensador depende de factores como la frecuencia de trabajo, tipo de condensador,
etc.
Si se tienen en cuenta las prdidas, el circuito equivalente podra ser el
representado en la figura 2.1.2, donde la resistencia en serie limita su utilizacin por
encima de unas determinadas frecuencias (corrientes de fuga importantes).
RC
Figura 2.1.2. Circuito equivalente de un condensador con prdidas.
2.1.2.1.3.
Prdidas en los diodos
El diodo es un interruptor de conmutacin natural que presenta dos estados

en rgimen estacionario: estado de conduccin y estado de corte. En el estado de
conduccin el diodo se puede modelar como una cada de tensin VD y una resistencia
en serie RD. En el estado de corte se considerar que no hay corrientes de fuga. (ver
figura 2.1.3).
ON
OFF
Figura 2.1.3. Modelos de las prdidas en los diodos.
36
2.1.2.1.4.
Memoria de Clculo
Prdidas en los transistores MOSFET
El transistor MOSFET se utiliza como un elemento de conmutacin

controlada. En funcin de una seal que se introduce en la puerta del transistor habr
dos estados: uno de saturacin o conduccin y otro de corte. Se considerarn prdidas
de tipo resistivas en el estado de conduccin mediante una resistencia RON , ver figura
2.1.4. Tambin se considera al igual que al diodo, que en corte no hay corrientes de
fuga.
Drain
ON
OFF
RON
Gate
Source
Figura 2.1.4. Prdidas en un transistor MOSFET.
2.1.2.1.5.
Prdidas durante la conmutacin
Adems de las prdidas comentadas en los apartados anteriores, se han de

aadir las prdidas que se producen durante la conmutacin. Es decir, las prdidas que
vienen determinadas por el cambio de estado de conduccin a corte y viceversa, tanto
en los diodos como en los transistores. Cabe decir que estas prdidas, como es lgico,
aumentan con la frecuencia y por tanto hacen disminuir el rendimiento a medida que
se aumenta la frecuencia de conmutacin del convertidor.
Numerosos autores [7] eligen la siguiente frmula para calcular las prdidas
en el momento de la conmutacin de un MOSFET:
Qgd
P = I
Vin
ig

Qgs 2
f + I
Vin

ig

(2.1.36)
donde I es la corriente que circula a travs del MOSFET, ig es la corriente de puerta,

Vin es la tensin de entrada, f es la frecuencia de conmutacin, Qgd es la carga
puerta-drenador del MOSFET y Qgs2 es la carga puerta-surtidor (ver fig.2.2.9).
En el apartado 2.2.6.2. Clculo del disipador de los MOSFET, se explica con
ms detalle las prdidas totales en la conmutacin.
37
2.2.
DISEO DEL PROTOTIPO EXPERIMENTAL
2.2.1.
PWM
Memoria de Clculo
La generacin del tren de pulsos necesarios para la conmutacin de los

MOSFETs, se ha hecho mediante el integrado UC3526, como se ha comentado en la
Memoria Descriptiva. Este dispositivo genera internamente una seal triangular a la
frecuencia configurada por una pequea circuitera externa (ver Anexos).
Esta rampa generada es comparada con una tensin en continua para formar
el tren de pulsos con el ciclo programable segn el nivel de esa tensin.
Segn las hojas de caractersticas del integrado, se ha elegido un valor de
condensador de 2n2 F (C25) y mediante un potencimetro (R53) de 47 k se ha
ajustado hasta conseguir un tren de pulsos a 50 kHz.
El ciclo de trabajo de los pulsos, en lazo abierto, se ha diseado mediante un
divisor ajustable de la tensin de la alimentacin interna Vcc1. El ajuste se hace
mediante el potencimetro R57. En lazo cerrado, el control se encargar de
incrementar o disminuir el nivel de esa tensin de comparacin.
El dispositivo viene previsto de una patilla en la que es posible, segn el
valor de un condensador conectado a sta, de programar un tiempo para un arranque
suave. Se ha hecho una pequea simulacin para el diseo de este condensador en el
apartado 2.2.6.4. de este documento.
2.2.2.
Diseo del filtro de salida
El filtro de salida en un buck consiste en un paso-bajo con dos polos, esto es

debido a la presencia del inductor y el condensador.
Es imposible construir un filtro paso-bajo perfecto que permita pasar la
componente DC y que elimine completamente los componentes del rizado causado
por los interruptores y sus armnicos. En la prctica, la tensin de salida v(t) aparece
ilustrada en la figura 2.1.1, y puede ser expresada como:
v(t) = V + vrizado(t)
38
(2.2.1)
Memoria de Clculo
Por tanto la tensin de salida v(t) consiste en la componente deseada dc V,

mas una pequea componente indeseada ac vrizado(t) procedente de la incompleta
atenuacin de los armnicos de los interruptores por el filtro paso-bajo. La magnitud
de vrizado(t) ha sido exagerada en la figura 2.1.1.
Figura 2.2.1. Forma de onda de tensin de salida de un convertidor.

Para hacer un buen diseo el rizado ha de ser igual o menor que un 1 % de la
componente dc, V. Entonces es siempre buena la aproximacin de asumir que la
magnitud del rizado es bastante ms pequea que la componente dc:
|| vrizado || << V
(2.2.2)
Por eso, la tensin de salida v(t) se aproxima por su componente dc V, con el pequeo
trmino de rizado vrizado(t) despreciado:
v(t) V
(2.2.3)
Esta aproximacin, conocida como la aproximacin small-ripple (pequeo-rizado)

o linear-ripple (rizado-lineal), simplifica en gran parte el anlisis de las formas de
ondas de los convertidores.
Figura 2.2.2. Convertidor Buck con tensin en el inductor vL(t) y corriente de

condensador iC(t)
39
Memoria de Clculo
A continuacin se va a analizar la forma de onda de la corriente del inductor.

Se puede encontrar la corriente del inductor integrando la forma de onda de la tensin
del mismo. Con el interruptor en posicin 1, a la izquierda del inductor est conectada
la tensin de entrada Vg, y el circuito se reduce a la figura 2.1.3(a). La tensin de
inductor vL(t) es ahora:
vL = Vg v(t)
(2.2.4)
Como se describi anteriormente, la tensin de salida v(t) consiste de la

componente V mas un pequeo rizado ac vrizado(t). Ahora se puede hacer esa
aproximacin cambiando v(t) por su componente dc V:
vL Vg V
(2.2.5)
Cuando el interruptor se encuentra en posicin 1, la tensin de inductor es

esencialmente constante e igual a Vg V, como muestra la figura 2.1.4. Por la
definicin de inductor tenemos que:
v L (t ) = L
diL (t )
dt
(2.2.6)
Figura 2.2.3 Convertidor Buck: (a) cuando el interruptor est en posicin 1, (b)
cuando est en posicin 2
Figura 2.2.4. Estado estacionario de la tensin del inductor en un convertidor Buck.
40
Memoria de Clculo
De este modo, durante el primer intervalo, cuando vL(t) es aproximadamente

(Vg V), la pendiente de la corriente en el inductor es:
di L (t ) v L (t ) Vg V
=
dt
L
L
(2.2.7)
Como la tensin en el inductor vL(t) es esencialmente constante, mientras el

interruptor est en posicin 1, la pendiente de la corriente en el mismo incrementa
linealmente.
Argumentos similares se aplican durante el segundo intervalo, cuando el
interruptor est en posicin 2. A la izquierda del interruptor est conectado a masa,
quedando el circuito de la figura 2.2.3(b). Es importante considerar las polaridades de
la tensin y corriente del inductor, como se ha hecho en los circuitos anteriores.
Entonces la tensin en el inductor en el segundo intervalo es:
v L (t ) = v(t )
(2.2.8)
Usando la aproximacin del pequeo rizado, queda:
v L (t ) V
(2.2.9)
Por tanto la tensin en el inductor tambin es esencialmente constante

mientras el interruptor est en posicin 2, como puede verse en la figura 2.2.4.
Substituyendo Ec. (2.2.9) en Ec.(2.2.6) tenemos que:
di L (t )
V
dt
L
(2.2.10)
Por lo tanto, durante el segundo intervalo la corriente de inductor cambia a

pendiente negativa esencialmente constante. Se puede observar en la figura 2.2.5 la
forma de onda de la corriente en el inductor.
41
Memoria de Clculo
Figura 2.2.5 Estado estacionario de la corriente en el inductor en un convertidor

Buck.
La corriente en el inductor empieza en algn valor inicial iL(0). Durante el
primer subintervalo, con el interruptor en posicin 1, la corriente de inductor
incrementa con la pendiente dada en ec. (2.2.7). Cuando t = DTs , el interruptor
cambia a posicin 2. La corriente empieza a decrementar siguiendo la Ec. (2.2.10). Al
llegar a t = Ts , el interruptor vuelve de nuevo a la posicin 1, y el proceso se repite.
Conociendo el rizado de corriente, se puede calcular el valor del inductor
inmediatamente:
(cambio en iL) = (pendiente)(longitud del subintervalo)
(2iL ) = Vg V (DTs )
Despejando L:
L=
Vg V
DTs
2i L
(2.2.11)
(2.2.12)
Esta es la ecuacin ms empleada para escoger el valor de la inductancia en

un convertidor tipo Buck.
Para el caso de este proyecto, en el diseo del inductor se ha credo oportuno
acotar el valor del rizado pico-a-pico a un valor del 30 % de la corriente que va a
circular por l en condiciones nominales, 15 A. Este valor del 30 % corresponde a 5 A
pico-a-pico. Segn la fig.2.2.5, el valor que corresponde a iL es igual a 2,5 A.
Por tanto, haciendo uso de la Ec. (2.2.12), se tiene para este caso que:
42
L=
Memoria de Clculo
42 14
0,3332010 6 = 37,3 H, que se aproximar a 40 H
22,5
El clculo del valor del condensador de salida est resuelto en el apartado 2.2.7.2
Condensador de salida.
2.2.3.
Diseo y fabricacin del inductor
Para el diseo del inductor se ha de tener en cuenta la corriente mxima que

circular a travs de l y la inductancia que ha de tener. Se ha elegido un ncleo de
tipo toroidal ya que presentan un bajo flujo de dispersin magntica y para evitar la
saturacin, se utilizar uno de polvo de hierro: Kool M Powder Cores de
Magnetics exactamente el MM2A 77076A7.
Se pretende asegurar que el ncleo no se sature para la mxima corriente que
circular (que son unos 17,5 A, con un valor medio de 15 A). El clculo del ncleo,
nmero de espiras y nmero de cables por espira est basado en el manual del propio
fabricante:
Paso 1.-Clculo del ncleo
LI2
Linductancia en mH para la grfica : 40 mH

I intensidad de pico en la bobina : 17,5 A
4010-3 (17,5)2 = 12,25
Con este valor, en la grfica de la figura 2.2.1, corresponde a la zona de 60 de

permeabilidad, exactamente al nmero 77324 de la izquierda.
Se observa que para el valor de 77324 se puede garantizar, apurando en la
grfica, un valor de LI2 mximo de 20 mH-amperios2, que corresponde a un valor de
corriente mxima de 22,36 A, permitidos perfectamente por este tipo de ncleo.
43
Memoria de Clculo
Figura 2.2.6. Tabla del fabricante del ncleo: diferentes ncleos para distinta
permeabilidad magntica.
Hasta ahora se sabe el tipo de ncleo (77324) y la permeabilidad (60). A
continuacin se debe ir a la pgina del ncleo 77324 del manual del fabricante y
fijarse en la tabla de caractersticas que est a continuacin donde aparece el tipo de
permeabilidad. Para este caso en ncleo buscado es el 77076-A7, que es exactamente
el ncleo que se ha comentado al principio de este apartado.
44
Memoria de Clculo
Figura 2.2.7. Tablas del fabricante con informacin del ncleo elegido
Paso 2.-Clculo del nmero de espiras
El rea efectiva del ncleo, dado por el fabricante es:
AL =
L
= 56
N2
(2.2.13)
106 L(mH )
AL
(2.2.14)
Entonces:
N=
Sustituyendo valores:
N=
10 6 0,04
27 vueltas
56
En este clculo del nmero de vueltas no est contemplado el punto de

trabajo en DC debido al efecto de la fuerza de magnetizacin que producir la
corriente al circular por los cables bobinados por la longitud efectiva del ncleo.
45
Memoria de Clculo
Por tanto se debe hacer una correccin teniendo en cuenta este aspecto.
Segn las hojas de caractersticas del fabricante, a continuacin se calcular el valor
en DC de la fuerza de magnetizacin (ec.2.2.15) el cual permite calcular el coeficiente
de permeabilidad siguiendo la grfica de la fig. 2.2.8:
le = longitud efectiva del ncleo (path length)
IDC = corriente media
H=
H=
0,4 N I DC
le
(2.2.15)
0,4 2715
57 oersteds
8,98
Con este valor, se debe mirar en la grfica de la figura 2.2.8. Para nuestro caso
corresponde un coeficiente de permeabilidad de 0,7 a la izquierda, que es el valor que
se tiene que multiplicar el valor original de AL:
AL= AL0,7 = 56 0,7 40;
(2.2.16)
Volviendo a calcular con la ec 2.2.14 obtenemos el nuevo nmero de vueltas:
N'=
10 6 0,04
32 vueltas
40
Nota: La unidad oersted de la intensidad de campo magntico no pertenece

al Sistema Internacional de medida, pero se ha utilizado ya que el fabricante expresa
sus grficas en esta unidad para el procedimiento de diseo del inductor. La unidad
del S.I. es el A/m, y la relacin entre el oersted es la siguiente:
1 Oersted = 1000/4 A/m
46
Memoria de Clculo
Figura 2.2.8. Curvas del ncleo: permeabilidad versus fuerza de magnetizacin.

Paso 3.-Clculo del nmero de cables por espira
En primer lugar se debe conocer la Irms:
Irms =
(I DC )2 + (I pk )2
(2.2.17)
Sustituyendo:
Irms =
(15)2 + (2,5)2
= 15,2 A
Para asegurar, se coge un valor de 16 A.

Se ha elegido por razones conservadoras una densidad de corriente (D) de 450 A/cm2
y un cable de dimetro igual a 0,28 mm, que corresponde a una seccin neta de
0,0616 mm2.
La seccin de cable (S) es igual:
S=
Irms 16
=
= 0,035cm 2 = 3,5mm 2
D
450
Entonces, para calcular el nmero de cables por espira:

3,5 mm2 / 0,0616 mm2 57 cables / espira
47
(2.2.18)
Memoria de Clculo
Por consiguiente, para la fabricacin del bobinado del inductor, se han

cortado y trenzado 57 cables de 2 metros de longitud. Esta trenza se ha enrollado 32
veces alrededor del ncleo, quedando una bobina como se muestra en la fotografa del
convertidor en el captulo 4 de este proyecto.
2.2.4.
Eleccin de los MOSFET.
A la hora de elegir los MOSFET se ha tenido en cuenta la tensin mxima

prevista entre drenador-surtidor y la corriente mxima que circular. Un aspecto
importante de la eleccin del MOSFET es la resistencia en conduccin, cuanto ms
baja sea menos prdidas se introducirn al sistema y ms elevado ser el rendimiento
del convertidor.
Se ha elegido el transistor STP75NE75 que tiene una VDsmax de 75 V. En el
peor de los casos tendremos una tensin en el drenador del MOSFET de 58 V, o
incluso puede subir ms durante los transitorios de carga. Por tanto se ha optado por
elegir este transistor, ya que hay un margen de 17 V hasta los 75 V capaces de
soportar. Segn las hojas del fabricante, puede conducir hasta 75 A, valor tambin
bastante superior a los 17,5 A que se espera en el peor de los casos. El principal
motivo de la eleccin de este MOSFET es su precio econmico y su reducida
resistencia en conduccin que presenta, unos 13 m como mximo. Este hecho hace
que el transistor introduzca muy pocas prdidas en el sistema.
2.2.5.
Eleccin del diodo de potencia.
El diodo que se utilizar ser de tipo Schottky ya que tienen una cada de
tensin ms baja que los bipolares. Este hecho hace que el rendimiento aumente y
adems la conmutacin es ms suave con lo que se reduce el contenido de armnicos
a la salida del convertidor.
Para escoger los diodos se ha de partir de la tensin mxima a la que estarn
sometidos, de 33 a 58 V. Finalmente se ha elegido el diodo PBYR20100 que tienen
una cada de tensin en conduccin VF=0,85 V a 20 A y soportan una tensin mxima
de 100 V y una corriente mxima de 20 A.
48
2.2.6.
Memoria de Clculo
Eleccin de los disipadores.
2.2.6.1. Clculo del disipador del BDX33C
El BDX33C es el componente activo del regulador de tensin utilizado. Es

una configuracin Darlington integrada en un nico TO-220.
Para disear su disipador, hay que hacer una previsin del consumo de todos
los elementos que van a ser alimentados por l.
stos son el DRIVER de los MOSFETS IR2110, el regulador del PWM
UC3526, el regulador de tensin LM723, la lgica para el retardo CMOS 4001B, y
los amplificadores operacionales para la realizacin del control.
Datos BDX33C:
Tj max = 150 C
Pmax = 70 W
Rthj-c = 1,78 K/W
Potencia estimada de los integrados:
PUC3526 = 3 W
PIR2110 = 1,6 W
PLM723 = 1 W
PC4001B = 0,7 W
Pamplif. control = 1 W
PMXIMA ESTIMADA 10 W
RthTOTAL = Rthj-c + Rthaislante + Rthradiador
(2.2.19)
PTOT RthTOT = TTOT
(2.2.20)
Para aislar los encapsulados TO-220 de los MOSFETs, del diodo y del
BDX33 con el disipador comn, se usaran unos Pads aislantes de resistencia
trmica 0,4 K/W.
A continuacin se harn los clculos correspondientes para el diseo de dos
disipadores de calor para dos ambientes de trabajo: uno en condiciones de
temperatura ptimas (caso de trabajo en un laboratorio) y otro en condiciones
49
Memoria de Clculo
agresivas (caso de trabajar en un coche, cerca del motor, que corresponde a unos 80
C):
CASO 1 (Temperatura ambiente mxima = 50C) :
T = 150 C 50 C = 100 K
Rth TOT =
100 K
= 10 K/W
10W
RthRAD = 10 K/W (1,78 + 0,4) = 7,82 K/W

T = 150 C 80 C = 70 K
Rth TOT =
70 K
= 7 K/W
10W
RthRAD = 7 K/W (1,78 + 0,4) = 4,82 K/W

La interpretacin es que para cada disipador de calor, por cada vatio de
potencia disipada se permite un aumento mximo de 8,22 y 5,22 grados
respectivamente.
Esto significa que depende de donde trabaje el convertidor se usar un disipador u
otro.
En cualquier caso ser vlido utilizar un disipador con una resistencia
trmica correspondiente a los valores calculados o inferior a stos, para las dos
situaciones.
2.2.6.2. Clculo del disipador de los MOSFET
A continuacin se muestra la grfica donde se observa las diferentes curvas

que intervienen durante el periodo de conmutacin de un transistor MOSFET [7].
Esto es, desde que empiezan a cargase las capacidades de puerta al activar la tensin
de sta, hasta que el transistor comienza a conducir entre drenador y surtidor.
50
Memoria de Clculo
Figura 2.2.9. Curvas tpicas en la conmutacin de un MOSFET
) Clculo de potencia disipada en el MOSFET Q1:

Las prdidas de potencia en el control de Q1 vienen dadas por:
P loss = P conduction + P switching + P drive + P output
(2.2.21)
A su vez, esta frmula puede ser aproximada por:
Ploss = I rms Rds ( on )

Q
+ I gd Vin
ig
+ (Qg Vg f )
Q
f + I gs 2 Vin

ig

+ oss Vin f
2
(2.2.22)
51
Memoria de Clculo
Identificando y dando valores:

Segn ec.2.2.17. tenemos que:
I rms = 15 2 + 2,5 2 =15,2 A;

2
I rms = 231,25 A2;

Vg = 14 V de tensin de puerta;
F = 50000 Hz
Vin = 58 V en el peor de los casos;
ig = 1,4 A ,corriente de puerta (de pico);
I = 17,5 A;
Y segn el fabricante del MOSFET:
Rds(on) = 0,013 ;
Coss = Cdg+Cds;
Qoss = Coss+Vin en el peor caso Qoss= 85010-12 58 = 49,310-9 C;
Qgd = 6210-9 C;
Qg = 20010-9 C;
Qgs2 = 3010-9 C;
Qrr = 0,610-6 C;
Sustituyendo en ec. 2.2.22:
Resulta que PlossQ1=5,86 W
La resistencia trmica del transistor STP75NE75 es de 0,94 K/W
multiplicado por el tanto por uno de ciclo de trabajo. Trabajando bajo las
especificaciones del proyecto (a una frecuencia de 50 kHz y a un ciclo de trabajo del
33 %) el primer transistor tendr una resistencia trmica final de:
RthQ1 = 0,33 0,94 = 0,31 K/W
T = 150 C 50 C = 100 K
RthTOT =
100 K
= 17,06 K/W
5,86W
RthRAD = 17,06 K/W (0,31 + 0,4) = 16,35 K/W
52
(2.2.23)
Memoria de Clculo

T = 150 C 80 C = 70 K
RthTOT =
70 K
= 11,94 K/W
5,86W
RthRAD = 11,94 K/W (0,31 + 0,4) = 11,23 K/W
) Clculo de potencia disipada en el MOSFET Q2:

La ecuacin de prdidas de potencia para Q2 es aproximada por:
P loss = P conduction + P drive + P* output
(2.2.24)
A su vez, esta frmula puede ser aproximada por:
Ploss = I rms Rds ( on )
+ (Qg Vg f )
Q
+ oss Vin
2
f + (Qrr Vin f )
(2.2.25)
*disipado principalmente en Q1.

Dando valores y sustituyendo en ec. 2.2.25:
Resulta que PlossQ2=4,26 W
El ciclo de trabajo del segundo transistor ser del 66 %, por tanto tendr una
resistencia trmica final de:
RthQ2 = 0,667 0,94 = 0,63 K/W
T = 150 C 50 C = 100 K
53
(2.2.26)
RthTOT =
Memoria de Clculo
100 K
= 23,47 K/W
4,26W
RthRAD = 23,47 K/W (0,63 + 0,4) = 22,44 K/W

T = 150 C 80 C = 70 K
RthTOT =
70 K
= 16,43 K/W
4,26W
RthRAD = 16,43 K/W (0,63 + 0,4) = 15,40 K/W
2.2.6.3. Clculo del disipador del diodo PBYR20100
Para el clculo del disipador del diodo se a seguido el mismo criterio que
para el clculo de los anteriores componentes, calculando en primer lugar la potencia
disipada estimada.
)Clculo de potencia disipada en el diodo Schottky:
Para el clculo de la potencia disipada en el diodo necesitamos conocer la
cada de tensin mxima que tendremos entre nodo y ctodo, la corriente que pasar
por l y su ciclo de trabajo:
PDIODO(on) = I VF (1-D) = 17,5 0,7 (1-0,33) = 8,17 W
Segn el fabricante, la potencia disipada en el diodo durante su conmutacin es:
PDIODO(sw) = 0,11 PDIODO(on) = 0,11 8,17 = 0,89 W
Entonces la potencia total disipada en el diodo:
PDIODO = 9,06 W
54
Memoria de Clculo
Segn el fabricante, la resistencia trmica de este diodo es de 2 K/W multiplicado por

el ciclo de trabajo correspondiente, que es el 66 %, por tanto finalmente:
RthD = 0,667 2 = 1,33 K/W
(2.2.27)

T = 150 C 50 C = 100 K
RthTOT =
100 K
= 11,04 K/W
9,06W
RthRAD = 11,04 K/W (1,33 + 0,4) = 9,31 K/W

T = 150 C 80 C = 70 K
RthTOT =
70 K
= 7,73 K/W
9,06W
RthRAD = 7,73 K/W (0,63 + 0,4) = 6 K/W

Como aclaracin, en el modo de funcionamiento sncrono con la adicin del
diodo Schottky en antiparalelo, el MOSFET de lado bajo se encarga de disipar las
prdidas de conduccin mientras que el diodo disipa las prdidas producidas por la
conmutacin, ya que ste es ms rpido que el primero, pero acto seguido la corriente
tiende a circular por el camino donde ofrece menos resistencia, que es a travs del
MOSFET.
2.2.6.4. Resumen
Finalmente, se ha credo oportuno agrupar estos cuatro elementos en un

disipador comn que pueda disipar la suma de las potencias de cada uno de estos
componentes. Sumando la potencia disipada por los tres componentes se obtiene la
potencia total que es la que tiene que disipar el refrigerador:
PTOTAL = 5,86 W + 4,26 W + 9,06 W = 19,19 W
55
Memoria de Clculo
El disipador elegido es un disipador de alta potencia con aletas, con acabados

en negro incluyendo los extremos comercializado por RS de 1,2 K/W de resistencia
trmica, ideal para cualquiera de los dos casos calculados, condiciones normales o
agresivas.
Para el transistor BDX33 del regulador 723, un disipador de 5 K/W de
resistencia trmica ser suficiente.
2.2.7.
Eleccin de condensadores.
2.2.7.1. Condensador de entrada
Se ha construido un filtro de entrada capacitivo compuesto por 6

condensadores electrolticos PANASONIC de 1200 F 63 V, elegidos por su alta
capacidad y porque soportan 2,95 A de rizado con una temperatura de trabajo de hasta
105 C. Se colocarn en paralelo, mas dos condensadores EVOX MMK de 22 F 63
V de polister metalizado por su buen comportamiento en altas frecuencias. La suma
de ellos hace un total de 7244 F.
El diseo podra haber sido ms sencillo y elegir un condensador de un valor
elevado capaz de absorber aproximadamente 18 A de pico, pero lo que interesa es
repartir ese pico entre varios condensadores, para evitar que uno solo se encargue de
absorber todo el rizado de corriente, evitar que se caliente y se destruya con facilidad.
En el apartado 3.6.4. de Medidas en el Laboratorio se muestran las grficas
de la corriente absorbida por cada tipo de condensador de los filtros de entrada y de
salida.
2.2.7.2. Condensador de salida
Para el clculo del condensador de salida se necesita estimar el rizado de

corriente terico pico a pico (unos 5 A) y, segn las especificaciones de este proyecto,
no permitiendo un rizado de tensin superior al 1% de la tensin de salida (14 V),
resulta que el rizado de tensin debe ser 140 mV.
56
Memoria de Clculo
Se ha usado la frmula siguiente para el clculo del condensador :
C>
iL Ts 2,52010 6
=
;
8v
814010 3
(2.2.28)
C > 44,64 F
Adems se ha tenido en cuenta el criterio de que el condensador debe ser
capaz de soportar y absorber los 5 A pico a pico de rizado tericos antes comentados,
por eso se ha elegido dos electrolticos JAMICON, uno de 2200 F y el otro de 3300
F, ambos de 25 V. El primero soporta un rizado de 2,5 A y el segundo 3 A, de esta
manera evitamos que toda la corriente circule por un solo condensador.
Para mejorar el rizado a la salida y el ruido a alta frecuencia se ha adoptado
la idea de usar cinco condensadores SIEMENS cermicos multicapa de 3,3 F 50 V,
haciendo un total de 5516,5 F.
Lo mismo ocurre con el filtro de salida, interesa repartir el rizado de
corriente entre varios condensadores por el motivo comentado en el apartado anterior.
Figura 2.2.10 Forma de onda de la corriente que circula por el condensador.

Para realizar la comprobacin de que no se supera el lmite impuesto
anteriormente del rizado < 1 % , se ha hecho uso de la frmula siguiente, segn
Figura 2.2.10:
v =
v =
1
reatringulo
C
1 bh
1
1010 6 s2,5 A
=
= 2,26 mV
C 2
5516,110 6 F
2
57
(2.2.29)
Memoria de Clculo
mucho menor a los 140 mV del 1%, estos 2,26 mV corresponden a un 0,016% de
rizado respecto a los 14 V de salida. Este valor resulta ms que aceptable.
2.2.7.3. Condensador bootstrap
La tcnica bootstrap [6] suministra la corriente instantnea necesaria para

hacer conmutar los dispositivos de potencia, como transistores MOSFET. Para esta
tcnica son necesarios un diodo y un condensador como circuitera externa del driver
de conmutacin utilizado.
El diodo elegido ha sido, por su rapidez y bajo coste, un 1N4148 fast
switcing diode.
Para la eleccin del condensador se ha seguido el siguiente criterio:
Datos:
QG = 200 nC, carga de puerta transferida durante la activacin (STP75NE75).
VBS1 = 12 V, tensin del condensador bootstrap justo despus del refresco.
VBS2 = 11 V, tensin del condensador bootstrap inmediatamente despus de la subida
de la activacin.
Esta diferencia de tensin viene dada por la cada del diodo en conduccin (1 V).
QRR trr
I FSM
1A
= 4ns = 2nC
2
2
(2.2.30)
Entonces:
CBS =
QG + QRR
VBS1 VBS 2
Sustituyendo valores resulta que:

CBS = 202 nF
58
(2.2.31)
Memoria de Clculo
2.2.7.4. Condensador softstart
La circuitera softstart es usada para prevenir el exceso de tensin en la

salida durante el arranque. Esto permite subir la tensin de salida del amplificador
lentamente y tambin que el duty cycle del PWM se vaya incrementando
paulatinamente.
Para el diseo del condensador, se ha simulado un simple circuito de
arranque (ver figura 2.2.11) probando diferentes valores de capacidad. Ha parecido
oportuno elegir un condensador de 10 nF ya que hay un intervalo de tiempo de unos
60 s hasta que se alcanza el rgimen permanente, basndose en la grfica obtenida
(ver figura 2.2.12).
Figura 2.2.11. Circuito de simulacin para el diseo del condensador soft-start
Figura 2.2.12. Grfica resultado de la simulacin del circuito de la figura 2.2.11.
59
2.2.8.
Memoria de Clculo
Control
2.2.8.1. Lazo de Corriente
Para realizar el control del prototipo se elegido realizar un control de

corriente media [4]. Este tipo de control consiste en un doble lazo, realimentacin de
corriente y de tensin. Esto simplifica el diseo del mejorando las caractersticas de
funcionamiento del convertidor, adems de incluir mejoras en la dinmica del
sistema. El objetivo es controlar la corriente media que circula por el inductor,
sensando mediante transformador de corriente justo antes del MOSFET.
El diseo del control de corriente se ha hecho siguiendo la idea del circuito
mostrado en la fig. 2.2.13. Como diferencia significativa, el sensado de corriente se ha
hecho entre Vin y el primer MOSFET, ya que la tensin en ese lugar es ms estable
que a la derecha del MOSFET debido a la presencia de los condensadores conectados
en Vin..
Figura 2.2.13. Circuito de control de doble lazo.(1)

En primer lugar se calcular la ganancia necesaria de corriente del
amplificador de error (CA):
GCA =
vCA VS f S L
=
v RS
VoRS
(2.2.32)
para nuestro caso, la mxima ganancia CA a la frecuencia de conmutacin es de:
60
GCA
Memoria de Clculo
vCA 5500004010 6
=
=
= 35 (31dB)
vRS
140,02
entonces el valor de la ganancia corresponde a la relacin entre los dos resistores:

RF /RI = 35
Tambin se puede afirmar que:
v RS RS VIN
=
vCA VS RS
(2.2.33)
y que:
RS VIN VS f S L
=1
VS 2 f C L VoRS
(2.2.34)
Veamos cual es la frecuencia de corte:
fC =
f S VIN
f
= S
2 Vo 2 D
(2.2.35)
Habiendo limitado la ganancia en ec.2.2.46, la frecuencia de corte nunca ser

menor que una sexta parte de la frecuencia de conmutacin.
Si el amplificador de error tuviera una caracterstica de ganancia plana, el
margen de fase en el corte sera de 90-mucho ms de lo necesario. Pero un cero RF
CFZ situado en 10 kHz, por debajo de la frecuencia de corte, reduce el margen de fase
a 63. Esto provoca una mayor velocidad y mayor finura en el control.
Se escoge RF = 35 k implicando que RI sea igual a 1 k. Y eligiendo la frecuencia
del cero a 10 kHz, el margen de fase se reduce a 63
1
= 100002
RF C FZ
(2.2.36)
CFZ = 454,7 pF
Se coloca un polo RFCFPCFZ / (CFP+CFZ) en la frecuencia de conmutacin fS
(50 kHz). Este polo tiene el propsito de eliminar los picos de ruido presentes en la
forma de onda actual.
61
C FP + C FZ
= 2 50000
RF C FP C FZ
Memoria de Clculo
(2.2.37)
CFP = 113,7 pF
Este par polo-cero (en 50 kHz y 10 kHz) reduce el margen de fase en la
frecuencia de cruce aproximndose aceptablemente a 45.
Para las resistencias se han elegido un potencimetro de 47 k para RF , y
otro de 5 k para RI . Los condensadores en valores comerciales son 470 pF y 100
pF. Entonces queda fijar el valor de los potencimetros a su nuevo valor para
mantener los parmetros del polo-cero:
2.2.8.2. Lazo de Tensin
En este apartado [5] se explica el procedimiento seguido para el diseo del

valor del resistor y del condensador para la realimentacin del lazo de tensin.
El diseo del control del lazo de tensin corresponde al circuito del interior
de la elipse.
Figura 2.2.14. Circuito de control de doble lazo.(2)
62
Memoria de Clculo
En primer lugar se calcula la frecuencia del polo en sus parmetros y

generalizados para un sistema buck en pequea seal:
wc =
ws
nD'
(2.2.38)
donde ws =(2)50000 rad/s

n es el factor que estabiliza la rampa de corriente en el inductor y es igual a:
n=
D max
1 D max
(2.2.39)
donde se permite un ciclo de trabajo mximo de
D max =
14
Vo
=
= 0,424
Vinmin 33
(2.2.40)
sustituyendo en (2.2.39) resulta que
n = 0,736
finalmente la frecuencia del polo es igual a:
wc =(2)32,40 kHz
La siguiente ecuacin pertenece a la funcin de transferencia control-salida:
Ac =
v
vc
(2.2.41)
que a su vez puede ser escrita como:
Ac = Acm
1 + s 1 + s
w w
p
c
63
(2.2.42)
Memoria de Clculo
donde:
wL
c || RL
1 D
nD'
Acm =
Rf
(2.2.43)
sustituyendo valores:
Acm = 40,08 = 32,06 dB

y
wp =
wL
c
|| RL C
1 D
nD'
(2.2.44)
w p = (2) 36 Hz
A continuacin se calcular la ganancia de lazo T, Margen de Fase M , y factor de
realimentacin 1 + T
La ganancia de lazo T es simplemente el producto de la ganancia del
amplificador de error A1 y la funcin de transferencia control-salida Ac de la planta de
potencia:
T = A1 Ac
(2.2.45)
Si A1 es una constante A1m , la ganancia de lazo es simplemente una escala

de la funcin Ac con sus variaciones frecuenciales. Es lo mismo que decir que el valor
de A1m determina no slo la ganancia de lazo Tm a la mitad del ancho de banda como:
Tm = A1m Acm
sino que tambin la frecuencia de corte de la ganancia de lazo
(2.2.46)
f vc = vvc / 2 , la
frecuencia donde la magnitud de T corta los 0 dB .
wvc = Tm w p
64
(2.2.47)
Memoria de Clculo
El valor de A1m debe ser elegido tal que el cruce ocurra antes que el polo wc ,
porque de la otra manera el margen de fase sera demasiado pequeo. Obviamente,
uno desea situar la frecuencia de cruce tan alta como sea posible para conseguir el
mayor ancho de banda.
El valor de fvc se elige sobre un tercio de la frecuencia del polo fc =32400 Hz,
es decir fvc =10800 Hz. El margen de fase resultante de la ganancia de lazo de tensin
es 180 menos la suma de las contribuciones de retraso debido a los polos en fp y fc:
10800
10800
+ tan 1
M = 180 tan 1
36
32400
(2.2.48)
M = 71.75
Es un margen de fase aceptable, por tanto se puede aceptar la frecuencia de
corte fvc = 10800 Hz y usar ec.2.2.47 para encontrar la ganancia de lazo en la mitad
del ancho de banda Tm = fvc / fp = 10800 / 36 = 300 49,54 dB. De ec.2.2.46 el valor
requerido de la ganancia del amplificador de error es A1m = Tm / Acm = 300 / 40,08 =
7,48 17,48 dB.
El amplificador de error es actualmente un amplificador operacional con
realimentacin local para situar su ganancia A1 y por lo tanto la frecuencia de corte
del lazo de tensin. Como necesitamos tan slo 17,48 dB, la mayora de
amplificadores servirn para este propsito. Sin embargo, la prdida de ganancia
puede ser recuperada, para frecuencias suficientemente debajo de la frecuencia de
corte del lazo del regulador, poniendo un cero w1 en la funcin de la ganancia del
amplificador de error:
w
A1 = A1m 1 + 1 .
s
(2.2.49)
Segn el circuito escogido para el control se puede afirmar que:
A1m = Ra / Rb
w1 =
1
C a Ra
(2.2.50)
(2.2.51)
El cero se puede elegir, en este caso se ha elegido w1 / 2 = f1 = 11 Hz, ya que con

este valor, el cero introduce un atraso de fase despreciable.
65
Memoria de Clculo
Segn la relacin de ganancia del amplificador de error:

7,48=Ra/Rb;
Si Rb = 95,3 k, sustituyendo en ec.2.2.50 se obtiene un valor de:
Ra = A1m Rb = 7,48 95,3 k = 712,844 k

y para el condensador sustituyendo en ec.2.2.51:
Ca =
1
1
=
20 nF
w1 Ra 2 11712.844k
Para los valores de las resistencias se han elegido dos potencimetros para su
posterior ajuste de 100 k y 1000 k respectivamente. Para el condensador, el valor
comercial es de 22 nF.

66
3 MEDIDAS EN EL LABORATORIO
67
Medidas en el Laboratorio
NDICE MEDIDAS EN EL LABORATORIO
3.
MEDIDAS EN EL LABORATORIO.........................................69
3.1.
VISTA GENERAL............................................................................................. 69
3.2.
TABLAS RENDIMIENTOS (1) ....................................................................... 71
3.2.1.
Funcionamiento MOSFET-MOSFET....................................................... 71
3.2.2.
Funcionamiento MOSFET-SCHOTTKY ................................................. 72
3.3.
TABLAS RENDIMIENTOS (2) ....................................................................... 73
3.3.1.
Funcionamiento MOSFET-MOSFET....................................................... 73
3.3.2.
Funcionamiento MOSFET-SCHOTTKY ................................................. 74
3.3.3.
Funcionamiento MOSFET-MOSFET-SCHOTTKY ................................ 75
3.4.
RIZADOS........................................................................................................... 77
3.4.1.
Rizados en Vo........................................................................................... 77
3.4.2.
Rizado en la corriente de entrada.............................................................. 78
3.4.3.
Rizado en la corriente de la bobina........................................................... 80
3.4.4.
Rizados en la alimentacin de los integrados ........................................... 81
3.5.
ESTUDIO DEL ARRANQUE DEL CONVERTIDOR..................................... 83
3.5.1.
Vista general ............................................................................................. 83
3.5.2.
Modo MOSFET-SCHOTTKY.................................................................. 85
3.5.3.
Modo MOSFET-MOSFET ....................................................................... 87
3.5.4.
Modo MOSFET-MOSFET-SCHOTTKY................................................. 89
3.6.
OTRAS SEALES DE INTERS..................................................................... 91
3.6.1.
Seal de salida del regulador PWM.......................................................... 91
3.6.2.
Conmutacin............................................................................................. 93
3.6.3.
Onda de corriente en el MOSFET............................................................. 96
3.6.4.
Corriente absorbida por los condensadores de entrada y de salida ........... 98
3.6.4.1. Corriente absorbida por los condensadores electrolticos de entrada ...... 98
3.6.4.2. Corriente absorbida por los condensadores de polister metalizado de
entrada..................................................................................................................... 99
3.6.4.3. Corriente absorbida por los condensadores electrolticos de salida ...... 100
3.6.4.4. Corriente absorbida por los condensadores cermicos de salida........... 101
68
3.
3.1.
VISTA GENERAL
Para el estudio del funcionamiento del convertidor se ha pensado hacer una

valoracin de rendimientos, rizados y arranques con las dos posibilidades de
conmutacin, MOSFET-MOSFET Vs MOSFET-SCHOTTKY con el objetivo de evaluar
en cul de las dos combinaciones se obtienen mejores resultados.
Adems, se evaluar el comportamiento del convertidor en un tercer caso, que es
el funcionamiento mediante los tres dispositivos, es decir, MOSFET-MOSFETSCHOTTKY. Tericamente este caso es el mejor en cuanto a rendimiento, ya que el
diodo SCHOTTKY es ms rpido en conmutacin que el MOSFET, por tanto el
MOSFET de lado bajo es el que se encarga de disipar las prdidas de conduccin
mientras que el diodo disipa las prdidas producidas por la conmutacin, ya que ste es
ms rpido que el primero, pero acto seguido la corriente tiende a circular por el camino
donde ofrece menos resistencia, que es a travs del MOSFET.
La explicacin a estos comentarios es la siguiente, pongamos que tenemos una
RDS en conduccin del MOSFET mxima de unos 20 m y una corriente de 15 A. La
potencia disipada en el MOSFET sera de:
P = RI 2
P = 0,0215 2 = 4,5 W
(3.1.1)
En las mismas condiciones, pero esta vez con el diodo SCHOTTKY, teniendo
ste una cada de tensin en conduccin de 0,7 V:
P = V I
P = 0,715 = 10,5 W
(3.1.2)
La diferencia pues, es notable.

Para poder realizar estos cambios de funcionamiento del convertidor se ha
previsto de pistas las cuales inicialmente estn separadas, pero basta haciendo una
pequea soldadura aadiendo estao para hacer funcionar el MOSFET de baja y/o el
SCHOTTKY.
Las medidas se han hecho en lazo abierto utilizando el diseo para este caso que
se puede observar en plano del esquemtico n6, Regulador PWM. Para ello, el ajuste del
ciclo de trabajo se har manualmente mediante el potencimetro R57, que acta variando
69
la tensin que se compara con la rampa generada por el regulador PWM (UC3526), con el
fin de ajustar la tensin de salida del convertidor a 14 V (tensin nominal de salida).
Se ha credo oportuno hacer los ensayos del convertidor mediante cargas
resistivas al 50 y 100 % de la carga total, esto es, utilizando dos resistencias de alta
potencia de 2,2 (200 W). Para el caso de 50 %, se ha utilizado tan slo una de ellas, y
para el caso de 100 % de la carga, las dos resistencias en paralelo, consiguiendo 1,1 .
Para hacer el estudio y los ensayos del prototipo en al laboratorio, se ha hecho
uso de una fuente de alimentacin de continua capaz de suministrar 35 A, un osciloscopio
digital de 4 canales con capturador de imgenes.
El sensado de corriente se ha llevado a cabo mediante una sonda de corriente
situada alrededor del cable de la tensin de entrada del convertidor, conectada
directamente al osciloscopio.
Los ensayos se han hecho variando la tensin de la fuente de entrada al
convertidor de 33 a 58 V en intervalos de 2 voltios, y mediante el potencimetro
anteriormente comentado, se ha ajustado la salida a tensin nominal (14 V).
Multiplicando la tensin indicada por el display de la fuente, por la corriente de
entrada indicada en el osciloscopio (sonda de corriente), se obtiene el valor de la potencia
en la entrada del convertidor bastante preciso.
La potencia a la salida del convertidor tendr dos valores diferentes, uno
trabajando al 50 % de la carga, y otro al 100 % de la carga, como se ha comentado
anteriormente.
Estos valores son:
Pout ( 50%) =
V 2 14 2
=
= 89,09 W
R 2,2
(3.1.3)
V 2 14 2
=
= 178,18 W
R
1,1
(3.1.4)
Pout (100%) =
As que se deber hacer uso de cada uno de estos dos valores para el clculo del
rendimiento dependiendo de la carga que se est usando. La frmula para calcular el
rendimiento es la comentada en la Memoria Descriptiva del presente proyecto:
Pout
Pin
70
(1.1.1)
3.2.
TABLAS RENDIMIENTOS (1)
3.2.1.
Funcionamiento MOSFET-MOSFET
Haciendo funcionar el convertidor en modo sncrono, es decir, mediante los dos

MOSFETs, no conectando el diodo Schottky, se ha hecho un estudio de rendimientos en
todo su margen de tensin de entrada, consiguiendo a la salida 14 V.
Figura 3.2.1: Configuracin sncrona.

Se ha obtenido la siguiente tabla de rendimientos:
Vin (V)
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
58
50 % de la carga (2,2 ; 89,09 W) 100 % de la carga (1,1 ; 178,18 W)

Iin (A)
Pin (W)
Iin (A)
Pin (W)
(%)
(%)
3,03
2,88
2,75
2,68
2,50
2,41
2,32
2,22
2,14
2,07
2,00
1,96
1,86
99,99
100,80
101,75
104,52
102,50
103,63
104,40
104,34
104,86
105,57
106,00
107,80
107,88
89,10
88,38
87,56
85,24
86,92
85,97
85,34
85,38
84,96
84,39
84,05
82,64
82,58
6,16
5,80
5,52
5,35
4,98
4,75
4,55
4,37
4,24
4,04
3,88
3,78
3,62
202,29
203,00
204,24
208,65
204,18
204,25
204,75
205,39
207,76
206,04
205,64
207,90
209,96
88,08
87,77
87,17
85,40
87,27
87,24
87,02
86,75
85,76
86,48
86,65
85,70
84,86
Tabla 3.1. Rendimientos obtenidos MOSFET-MOSFET al 50 y 100 % de carga
71
3.2.2.
Funcionamiento MOSFET-SCHOTTKY
En este caso se ha hecho funcionar el convertidor en modo tradicional, es decir,

mediante el transistor (MOSFET en este caso) en el lado alto, y el diodo (Schottky) en el
lado bajo. Se ha hecho el mismo estudio de rendimientos que el caso anterior, en todo su
margen de tensin de entrada, consiguiendo a la salida 14 V.
Figura 3.2.2: Configuracin tradicional.

Se ha obtenido la siguiente tabla de rendimientos:
Vin (V)
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
58

Iin (A)
Pin (W)
Iin (A)
Pin (W)
(%)
(%)
3,25
3,09
2,94
2,79
2,67
2,59
2,45
2,39
2,32
2,23
2,15
2,07
2,00
107,25
108,15
108,78
108,81
109,47
111,37
110,25
112,33
113,68
113,73
113,95
113,85
116,00
83,06
82,45
81,89
81,87
81,38
79,99
80,81
79,31
78,37
78,33
78,18
78,25
76,80
6,67
6,37
6,03
5,72
5,47
5,24
5,07
4,87
4,72
4,55
4,39
4,23
4,02
220,11
222,95
223,11
223,08
224,27
225,32
228,15
228,89
231,28
232,05
232,67
232,65
233,16
80,95
79,92
79,86
79,87
79,45
79,08
78,10
77,85
77,04
76,79
76,58
76,59
76,42
Tabla 3.2. Rendimientos obtenidos MOSFET-SCHOTTKY al 50 y 100 % de carga

Se observa que hay un 6 % de diferencia de rendimiento respecto a la
configuracin sncrona de la tabla 3.1. al 50 % de la carga y hasta un 8 % en el caso de
trabajar al 100 % de la carga, debido a las prdidas en el diodo.
72
3.3.
TABLAS RENDIMIENTOS (2)
Durante el trabajo en el laboratorio y, mediante ensayos realizados, se ha

mejorado notablemente el funcionamiento del convertidor en cuanto al arranque, la
dinmica y los rizados.
Los cambios que se han hecho para conseguir esto han sido:
" la adicin de condensadores de 1 F de polister en las alimentaciones de los
integrados utilizados (UC3526, CI723, CMOS4001B y IR2110).
" disminucin del valor de las resistencias de puerta de los MOSFETs a 8 .
Estas mejoras han influido tambin en el rendimiento del sistema tal y como se
observa a continuacin. Las siguientes tablas han sido construidas exactamente de la
misma forma que las dos anteriores, obteniendo los siguientes cambios:
3.3.1.
Funcionamiento MOSFET-MOSFET
Volviendo a hacer las medidas con los cambios y ajustes comentados se ha

obtenido la siguiente tabla de rendimientos funcionando en configuracin MOSFETMOSFET:
Vin (V)
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
58

Iin (A)
Pin (W)
Iin (A)
Pin (W)
(%)
(%)
3,01
2,85
2,70
2,56
2,43
2,33
2,24
2,16
2,09
2,00
1,93
1,88
1,79
99,33
99,75
99,90
99,84
99,63
100,19
100,80
101,52
102,41
102,00
102,29
103,40
103,82
89,69
89,31
89,18
89,23
89,42
88,92
88,38
87,76
86,99
87,34
87,10
86,16
85,81
6,32
5,96
5,63
5,36
5,07
4,89
4,68
4,48
4,32
4,16
4,02
3,87
3,70
208,56
208,60
208,31
209,04
207,87
210,27
210,60
210,56
211,68
212,16
213,06
212,85
214,60
85,43
85,42
85,54
85,24
85,72
84,74
84,61
84,62
84,18
83,98
83,63
83,71
83,03
Tabla 3.3. Rendimientos obtenidos MOSFET-MOSFET al 50 y 100 % de carga
73
3.3.2.
Funcionamiento MOSFET-SCHOTTKY
Seguidamente, se han hecho las medidas para la configuracin MOSFETSCHOTTKY, obtenindose los siguientes resultados:
Vin (V)
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
58

Iin (A)
Pin (W)
Iin (A)
Pin (W)
(%)
(%)
3,05
100,65
6,39
210,87
88,52
84,50
2,88
100,80
6,06
212,10
88,38
84,01
2,72
100,64
5,70
211,64
88,52
84,19
2,59
101,01
5,41
210,99
88,20
84,45
2,46
100,86
5,13
210,33
88,33
84,72
2,37
101,91
4,97
213,71
87,42
83,38
2,29
103,05
4,72
212,40
86,45
83,89
2,18
102,46
4,56
214,32
86,95
83,14
2,10
102,90
4,39
215,11
86,58
82,83
2,02
103,02
4,25
216,75
86,48
82,21
1,94
102,82
4,07
215,71
86,65
82,60
1,89
103,95
3,92
215,60
85,71
82,64
1,81
104,98
3,74
216,92
84,86
82,14
Tabla 3.4. Rendimientos obtenidos MOSFET-SCHOTTKY al 50 y 100 % de carga

Despus de haber introducido estas mejoras la diferencia de estos resultados con
los de la tabla 3.3. ha disminuido hasta un 2 % de diferencia en rendimientos.
74
3.3.3.
Funcionamiento MOSFET-MOSFET-SCHOTTKY
Como ltimo caso para el estudio del convertidor se ha configurado

sncronamente con la adicin del diodo Schottky en paralelo con el MOSFET bajo, tal y
como se muestra en la fig.3.3.1.
Esta configuracin est siendo utilizada en la actualidad por fabricantes de PCs
porttiles, PDAs, telfonos mviles y aplicaciones de Internet. Son convertidores
sncronos de baja tensin capaces de suministrar hasta 200 W de potencia a unos 5 V en
la salida.
Este caso presenta mejoras respecto a las dos configuraciones anteriores en
cuanto a rendimiento. Esto es debido a que el Schottky es ms rpido que el MOSFET en
la conmutacin y por lo tanto acta antes, pero a continuacin ste ltimo entra en
conduccin reduciendo considerablemente la cada de tensin originada por el diodo. De
esta manera, se reducen las prdidas de conduccin, se incrementa la velocidad de
conmutacin y por consiguiente, el rendimiento del sistema, como se observa en la tabla
3.5.
Figura 3.3.1: Configuracin sncrona con diodo en paralelo.
75
Vin (V)
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
58

Iin (A)
Pin (W)
Iin (A)
Pin (W)
(%)
(%)
2,98
98,34
6,28
207,24
90,59
85,98
2,84
99,40
5,90
206,50
89,63
86,29
2,68
99,16
5,61
207,57
89,85
85,84
2,54
99,06
5,32
207,48
89,94
85,88
2,42
99,22
5,02
205,82
89,79
86,57
2,34
100,62
4,84
208,12
88,54
85,61
2,23
100,35
4,63
208,35
88,78
85,52
2,15
101,05
4,44
208,68
88,17
85,39
2,07
101,43
4,25
208,25
87,83
85,56
1,98
100,98
4,12
210,12
88,23
84,80
1,92
101,76
3,99
211,47
87,55
84,26
1,87
102,85
3,85
211,75
86,62
84,15
1,78
103,24
3,66
212,28
86,29
83,94
Tabla 3.5. Rendimientos obtenidos MOSFET-MOSFET-SCHOTTKY al 50 y 100 % de

carga
Como puede observarse, en este caso se llega hasta un valor mayor de 90 % en
rendimiento para 33 V en la entrada al 50 % de carga, y a un 86,57 % para 41 V en la
entrada, al 100 % de carga.
76
3.4. RIZADOS
A continuacin, y mediante la ayuda de un osciloscopio digital capaz de capturar
las imgenes de las seales mostradas, se ha hecho un estudio de los rizados en las
distintas seales de inters. stas son la tensin de salida, corriente de entrada, y la
tensin de alimentacin de los integrados que son necesarios para el funcionamiento del
convertidor, que proviene de la salida del regulador de tensin CI723. El rizado de la
tensin de entrada no se ha considerado como objetivo de estudio ya que ste depende de
la corriente de entrada, de los cables y del filtro de entrada.
3.4.1.
Rizados en Vo
Para hacer el estudio de los rizados en la tensin de salida se ha hecho una tabla
comparativa de los tres modos de funcionamiento en todo el margen de tensin de entrada
al 50 y al 100 % de la carga.
Con la opcin measure del osciloscopio se ha mostrado por pantalla el valor
entero de la tensin de salida pico-pico.
Los resultados han sido los siguientes:
Vin (V)
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
58
RIZADOS EN Vo PICO A PICO (V)

MOSFET-MOSFET
SCHOTTKY
50 %
100 %
50 %
100 %
50 %
100 %
0,6
1,2
0,6
2,2
1,2
2,9
0,6
1,0
0,6
2,0
1,3
2,6
0,6
1,6
0,6
2,0
1,2
3,0
0,8
1,2
0,6
1,8
1,2
3,0
0,8
1,2
0,6
1,4
1,8
3,6
0,8
1,2
0,8
1,8
1,8
4,0
0,6
1,4
0,8
2,0
2,2
4,2
0,8
1,4
0,8
2,6
2,3
4,2
0,8
1,4
0,8
2,6
2,4
4,6
0,8
1,4
0,8
2,8
2,6
6,1
0,8
1,4
0,8
2,8
3,2
6,0
0,8
1,4
0,8
3,2
3,4
5,8
0,8
1,4
0,8
3,6
3,6
6,8
Tabla 3.6. Valores obtenidos del rizado en la tensin de salida del convertidor en los tres
modos de funcionamiento al 50 y 100 % de la carga con Vo = 14 V.
77
Se observa que el modo de funcionamiento ms aceptable en cuanto a rizados en

la salida, es el modo sncrono, es decir funcionando con los dos MOSFETs.
Trabajando al 50 % de la carga los valores de los rizados son muy similares en
los modos sncrono y tradicional, pero en cuanto se hace funcionar al 100 % de la carga,
en el modo tradicional se observa un incremento notable en el rizado de tensin.
Cabe destacar que haciendo trabajar al convertidor en modo sncrono con la
adicin del diodo en antiparalelo, aunque tenga un mayor rendimiento (comentado
anteriormente), introduce ms ruido en la conmutacin y esto conlleva a un mayor rizado
en la salida. Como se observa en la tabla, al trabajar al 100 % de la carga se alcanzan unos
valores bastante altos de rizado en esta configuracin.
Si el prototipo final de este proyecto llegase a funcionar solamente en esta
tercera configuracin deberan hacerse ensayos aadiendo condensadores cermicos
multicapa a la salida para reducir ese rizado a alta frecuencia, o bien ajustando el deadtime.
Como nota aclaratoria, los valores presentes en la tabla 3.6 son valores de
tensin de salida pico-a-pico, esos picos de tensin son los restos del ruido producido por
la propia conmutacin filtrados por el filtro de salida. Tericamente no se haban previsto
y por tanto superan los 140 mV exigido por las especificaciones de este proyecto. Este
efecto puede ser debido a :
- no se han reajustado los tiempos muertos del solapamiento entre MOSFETs
para cada una de las tres configuracin y para cada punto de trabajo en concreto (ya que
el tiempo muerto se ha ajustado siguiendo el compromiso entre mayor rendimiento y
fiabilidad del sistema),
- o bien, debido al reajuste de las resistencias de puerta de los MOSFETs.
3.4.2.
Rizado en la corriente de entrada
Debido a la propia conmutacin, el convertidor origina ruido en todo su entorno,

tanto en la tensin, corriente de entrada, tensin de salida e internamente. En el presente
prototipo se ha sobredimensionado el filtro en la entrada con el objetivo de atenuar estos
rizados. ste se ha hecho mediante condensadores electrolticos y cermicos como se ha
descrito en la Memoria de Clculo del presente proyecto. Difcilmente es conseguir
eliminar de manera total el ruido en la entrada.
A continuacin, mediante la utilizacin de una sonda de corriente, se muestra en
la fig. 3.4.1 el rizado ocasionado en la corriente de entrada cuando Vin es igual a 42
voltios al 50 % de la carga.
78
Descartando la configuracin tradicional, que como ya se ha visto en el apartado

anterior aportaba mucho ruido en la salida (tambin lo haca en la entrada), las grficas
mostradas a continuacin pertenecen a la configuracin sncrona, es decir, trabajando con
los dos MOSFETs.
Figura 3.4.1: Vin = 42 V;Vo = 14 V al 50 % de la carga

Canal 4: Onda de corriente de entrada
Se observa en la grfica que se genera una componente alterna sinusoidal de 90
mV pico-a-pico y a 50 kHz, que es la frecuencia de conmutacin. Los condensadores del
filtro de entrada se han encargado de absorber prcticamente todo el ruido ocasionado en
la corriente de entrada, dejando esta pequea componente en alterna. En el apartado 3.6.4.
del presente documento se muestran las figuras correspondientes a las ondas de la
corriente absorbida por cada tipo de condensador.
79
3.4.3.
Rizado en la corriente de la bobina
Para poder hacer una extrapolacin con la teora de funcionamiento de un

convertidor, ha sido conveniente hacer una captura de imagen de la corriente que circula
por la bobina (ver fig.3.4.2). Se ha configurado el convertidor para su funcionamiento en
modo tpico, es decir, MOSFET-Schottky.

Canal 4: Onda de corriente en la bobina
Haciendo trabajar al convertidor en estas condiciones, comprobamos que el valor
medio de la corriente de salida es de 6,1 A con un valor de componente alterna triangular
de 3,72 A pico-a-pico.
Se observa que, salvo un pequeo rizado debido a la conmutacin en la parte
baja de la componente alterna, esta onda coincide de manera exacta con la teora de los
convertidores.
La parte ascendente de la onda corresponde a la corriente que circula por el
MOSFET de lado alto, y la parte descendente es la que circula por el Schottky, en este
caso.
80
3.4.4.
Rizados en la alimentacin de los integrados
Se ha credo oportuno introducir y comentar en esta memoria de modo

anecdtico las grficas correspondientes a la tensin de salida del regulador de tensin
CI723 (alimentacin interna del convertidor para los circuitos integrados).
Alimentacin interna del sistema a Vin igual a 42 V al 50 % de carga:

Canal 1: Alimentacin interna (salida del CI723)
Canal 2: Iin medida en sonda de corriente calibrada en voltios (la lectura sera 2,659 A)
81
Alimentacin interna del sistema a Vin igual a 42 V al 100 % de carga:

Canal 1: Alimentacin interna (salida del CI723)
Canal 2: Iin medida en sonda de corriente calibrada en voltios (la lectura sera 5,266 A)
Se observa una pequea diferencia de unos 0,4 V de tensin entre los casos
dependiendo de la carga, ya que la corriente de entrada aumenta en un 50 %. Este
incremento de corriente influye en ambos reguladores, causa de ese ligero aumento de
tensin.
Tambin se puede destacar que a la frecuencia de conmutacin existe un leve
pico de tensin que aumenta en cuanto se trabaja al 100 % de la carga.
82
3.5. ESTUDIO DEL ARRANQUE DEL CONVERTIDOR
3.5.1.
Vista general
Otro aspecto importante a tener en cuenta es el arranque del sistema. El objetivo

es suavizarlo para conseguir una estabilidad en todo su margen dinmico.
En las primeras fases del estudio del convertidor se capturaron grficas en las
que se observaban que el convertidor no arrancaba de una manera suave, con picos de
corriente y discontinuidad en la conmutacin de los MOSFETs.
Este es el caso para el funcionamiento en modo MOSFET-SCHOTTKY, y se ha
configurado el ciclo de trabajo tal que a la salida del convertidor se obtengan 14 V.
Figura 3.5.1: Arranque a Vin = 42 V al 50 % de carga, modo tradicional (5 ms/div)

Canal 1: VGS del MOSFET
Canal 2: Tensin de salida Vo
Canal 4: Corriente de entrada
83
Esta captura con gran escala de tiempo muestra que el sistema tarda unos 9 ms
desde el arranque hasta que llega a estabilizarse.
La siguiente grfica es igual a la anterior modificando la escala de tiempos para
poder observar los primeros momentos detallados del funcionamiento del convertidor.
Figura 3.5.2: Arranque a Vin = 42 V al 50 % de carga, modo tradicional (200 s/div)

Se observa un pico importante de corriente en la entrada de unos 40 A (canal 4),
lo que provoca que la conmutacin se interrumpa durante el periodo de unos 200 s.
84
3.5.2.
Modo MOSFET-SCHOTTKY
Despus de hacer las pequeas modificaciones en la planta durante el transcurso

de las medidas en el laboratorio comentadas en el apartado 3 del presente documento, se
han vuelto a medir el arranque. Este ha resultado notablemente ms suave y estable, as
como ms lento en alcanzar la tensin nominal a su salida.
Figura 3.5.3: Arranque a Vin = 42 V al 50 % de carga, modo tradicional (10 ms/div)

Se observa que el pico de corriente se ha conseguido disminuir a un 30 % de su
valor inicial, tan solo aadiendo los condensadores de 1 F anteriormente comentados. La
explicacin consiste en que el driver IR2110 dispona de insuficiente corriente para poder
disparar el MOSFET adecuadamente, provocando esa discontinuidad en la conmutacin
vista en la fig. 3.5.2.
Cabe decir que el sistema es mas lento (unos 130 ms hasta alcanzar los 14 V a la
salida) en comparacin con el arranque inicial comentado en la Vista General de este
apartado, ya que al disponer de condensadores de valor bastante ms elevado de los
originales, la constante de tiempo del sistema tambin aumenta.
85
En la siguiente figura se observa el arranque en sus primeros instantes, notando

que la conmutacin es contnua y constante en todo momento, adems de haber mejorado
el pico de corriente en la entrada.
Figura 3.5.4: Arranque a Vin = 42 V al 50 % de carga, modo tradicional (200 s/div)

86
3.5.3.
Modo MOSFET-MOSFET
Cambiando el modo de funcionamiento a modo sncrono, se han hecho las

pertinentes capturas de imgenes para poder contrastarlas con los dems modos.
Figura 3.5.5: Arranque a Vin = 42 V al 50 % de carga, modo sncrono (50 ms/div)

El sistema tarda unos 250 ms en estabilizar su tensin de salida a 14 V. Es mas
lento, existiendo una diferencia de 100 ms entre el modo anterior. Tambin se reduce el
sobre-pico de corriente a unos 11 A.
87
En la siguiente grfica se observa como en los primeros instantes del arranque,

ste es suave en corriente y tensin, y la conmutacin es continua.
Figura 3.5.6: Arranque a Vin = 42 V al 50 % de carga, modo sncrono (250 s/div)

88
3.5.4.
Modo MOSFET-MOSFET-SCHOTTKY
Como ltimo caso de estudio de arranque, se ha configurado el prototipo en

modo sncrono con la adicin del diodo SCHOTTKY en paralelo con en MOSFET de
lado bajo.
Figura 3.5.7: Arranque a Vin = 42 V al 50 % de carga, modo sncrono (50 ms/div)

Principalmente, lo que llama ms la atencin en este modo es el aumento del

rizado en el sistema, comprobado en las tres seales mostradas en la captura. El canal 2
sigue correspondiendo a la tensin Vo del convertidor, el canal 4 es la corriente de
entrada, y el canal 3 es la tensin de puerta del MOSFET (VG)de lado alto.
En cuanto a rapidez, puede verse que es tan lento como el modo sncrono sin
diodo en antiparalelo. Y el sobre-pico de corriente se ha disminuido a 8 A, es decir, el
89
sistema configurado en este modo no necesita tanta corriente en su entrada para empezar
a funcionar.
Haciendo una captura a 5 ms/div se observan, a mayor escala, los primeros
momentos del arranque del sistema.
Figura 3.5.8: Arranque a Vin = 42 V al 50 % de carga, modo sncrono con diodo

Schottky en paralelo (5 ms/div)
90
3.6. OTRAS SEALES DE INTERS

Para estudiar el funcionamiento del convertidor, se ha credo importante
mencionar tambin otras seales, tales como la salida del regulador PWM y las seales de
conmutacin.
3.6.1.
Seal de salida del regulador PWM
Inicialmente, antes de las mejoras del circuito, se obtuvieron grficas que se

muestran para poder compararlas con las actuales. Este es el caso de la seal de tensin de
salida del regulador PWM, la cual va conectada directamente al circuito generador de
tiempo-muerto.
Figura 3.6.1: Canal 3: Seal de tensin de salida del regulador PWM.

Canal 2: Corriente de entrada calibrado en tensin (lectura: 2,29 A)
El ruido introducido en la seal, se compone de dos picos de tensin tanto en la
parte alta como en la baja, de unos 8 y 3 V respectivamente. Este ruido est generado por
la propia conmutacin y se observa que no esta presente en los flancos de subida ni de
bajada, sino que desplazados por un pequeo tiempo, resultado del tiempo-muerto que
91
existe entre la seal original del regulador PWM y la seal de disparo de los MOSFETs
generada por el driver IR2110.
Mejorando en la medida de lo posible el ruido mediante la adicin de
condensadores de valores superiores, en la configuracin actual se ha obtenido los
siguientes resultados:
Figura 3.6.2: Canal 1:Seal de tensin de salida del regulador PWM.

Canal 2: No es de inters en este apartado
Observndose una mejora notable en los picos en la parte alta y baja de la seal,
obteniendo los valores de 3 y 2 V pico-pico respectivamente.
92
3.6.2.
Conmutacin
A continuacin se muestra el detalle de las seales que intervienen en la

conmutacin de los MOSFETs.
LO
HO
Figura 3.6.3: Detalle conmutacin de los MOSFETs.(1)

Canal1: Seal de disparo del MOFET de lado bajo (LO del IR2110).
Canal2: Seal de disparo del MOFET de lado alto (HO del IR2110).
Los MOSFETs se activan cuando estas seales estn a nivel alto. Se observa que
existe un conflicto entre las dos seales, ya que cuando LO (canal 1) se est desactivando,
y HO (canal 2) se activa, mientras se est cargando el condensador de puerta del
MOSFET de lado alto (primera pendiente del canal 2), LO vuelve a subir incluso a ms
nivel que su propio valor de nivel alto. Lo que suele provocar este efecto es cortocircuitar
los dos MOSFETs siendo peligroso para su de vida, aunque se haya configurado en
tiempomuerto a 700 ns, tal y como se puede observar en la grfica (tiempo entre los dos
niveles en alto).
93
Veamos ahora la otra parte de la conmutacin:
LO
HO

La conmutacin es aqu menos conflictiva. No hay peligro de cortocircuito entre
los dos MOSFETs, aunque se observa que la seal LO desciende a tensiones negativas (-5
V), al mismo tiempo que desciende la seal HO pudiendo provocar el deterioro del
MOSFET.
94
Seguidamente se muestra la grfica correspondiente al detalle de la conmutacin

despus de haber realizado los comentados cambios al prototipo:
HO
LO

Donde se observa que la conmutacin ha mejorado en gran medida. Tanto el
pico negativo de tensin como el aumento de LO en cuanto se activa HO se han reducido
ms de un 50 % dando un margen ms amplio de seguridad en la conmutacin, menos
ruido en el sistema y, por consiguiente, una mayor proteccin para los MOSFETs.
95
3.6.3.
Onda de corriente en el MOSFET
A modo de comprobacin, se ha medido la corriente que circula por el MOSFET

en la fig. 3.6.6 mediante una sonda de corriente. Se observa que coincide con la parte
ascendente (primer periodo) del valor de la corriente en la bobina en la fig. 3.4.2.
Figura 3.6.6: Corriente que circula a travs del MOSFET de alta.

Se ha hecho tambin la captura de imagen correspondiente al sensado de
corriente en el MOSFET mediante el circuito diseado, ver fig. 3.6.7.
96
Figura 3.6.7: Canal 2: Sensado de corriente en el MOSFET mediante transformador.

Canal 4: Valor medio de la corriente de entrada.
Cabe decir que la medida del sensado, se ha hecho despus del filtro, por eso los
cantos de la onda estn ms atenuados que los de la onda original de la fig.3.6.6.
97
3.6.4.
Corriente absorbida por los condensadores de entrada y de salida
Como estudio del prototipo se ha considerado de inters el hecho de capturar las

grficas correspondientes a la corriente absorbida por cada tipo de condensador de los
filtros de entrada y de salida. Las capturas de imgenes de las corrientes se han hecho
mediante una sonda de corriente conectada a un osciloscopio digital.
Las medidas en este apartado se han hecho en configuracin MOSFET-DIODO
en condiciones nominales, 42 V en la entrada y 14 V a la salida.
3.6.4.1.
Corriente absorbida por los condensadores electrolticos de entrada
En la fig. 3.6.8. se muestra la onda de corriente absorbida por uno de los

condensadores electrolticos PANASONIC de 1200 F del filtro de entrada del
convertidor.
Figura 3.6.8: Corriente absorbida por un condensador electroltico de 1200 F del filtro
de entrada.
98
Se observa que este tipo de condensador absorbe una componente alterna

aproximada a una triangular a la frecuencia de conmutacin de unos 800 mA pico-a-pico.
3.6.4.2.
Corriente absorbida por los condensadores de polister metalizado de entrada
A continuacin se muestra la onda de corriente absorbida por uno de los

condensadores de polister metalizado EVOX MMK de 22 F del filtro de entrada del
convertidor.
Figura 3.6.9: Corriente absorbida por un condensador de polister metalizado de 22 F

del filtro de entrada.
Se puede afirmar que los condensadores de polister metalizado absorben
corriente que contiene ms armnicos que la absorbida por los electrolticos. Adems se
comprueba que la corriente se reparte entre todos los condensadores, tal y como se haba
previsto en el apartado 2.2.7.1 de la Memoria de Clculo.
Si por fabricacin los condensadores son exactamente iguales, se puede afirmar
que cada tipo de condensador absorbe el mismo valor de corriente.
99
3.6.4.3. Corriente absorbida por los condensadores electrolticos de salida
Seguidamente, en la fig.3.6.10 se muestra la captura de imagen de la onda de

corriente absorbida por el condensadores electroltico JAMICON de 3300 F del filtro de
salida del convertidor.
Figura 3.6.10: Corriente absorbida por el condensador electroltico de 3300 F del filtro
de salida.
Se observa que uno de los condensadores electrolticos del filtro de salida
absorbe una forma de onda de corriente aproximada a una senoide de 1 A pico-a-pico.
100
3.6.4.4. Corriente absorbida por los condensadores cermicos de salida
Finalmente, en la fig. 3.6.11 se muestra la onda de corriente absorbida por uno

de los condensadores cermicos multicapa SIEMENS de 3,3 F del filtro de salida del
convertidor.
Figura 3.6.11: Corriente absorbida por un condensador cermico multicapa de 3,3 F del
filtro de salida.
Se puede afirmar segn la grfica, que el rizado de corriente absorbida por cada
uno de los 5 condensadores cermicos multicapa son pulsos a la frecuencia de
conmutacin (50 kHz) que a su vez contienen rizados a frecuencias superiores, unos 300
kHz.
101

102
4 PLANOS
103
1k
D13
Isense
1
MBR360
NTH 12
R29
R8
10
Q5
MOSFET N
42V_Side
C4
+
1200uF
C3
+
1200uF
C7
+
1200uF
C6
+
1200uF
C17
+
1200uF
C1
C8
10nF
R9
10
T3
C5
L1
1
2
Q4
D2 N CON2
MOSFET
+
1200uF
22uF
14V_Side
J5
TRANSFORMER
C2
40u
22uF
C18
+
2200uF
C20
+
C21
3.3uF
C22
3.3uF
C23
3.3uF
C24
3.3uF
VCC
D15
3.3uF
3300uF
1N4148
PBYR20100
Ho
LOAD
BUCK
R5
8
100k
R16
Dz
D9
R17
5.6
J4
1
2
Lo
CON2
R6
8
100k
R7
Dz
D11
A
Title
Size
A4
Date:
PLANTA
Document Number
Rev
001
AGOSTO 2002
0
Sheet
of
PWM
VCC1
R26
R24
10k
100
C39
0.1nF
R27
1
100
R25
10k
3
U14
1
2
3
4
5
6
7
IN1A1
Vcc
IN2A1 IN1A3
OUTA1 IN2A3
OUTA2OUTA3
IN1A2 OUTA4
IN2A2 IN1A4
Vss
IN2A4
14
13
12
11
10
9
8
C43
1uF
+
Hin
4001B
C40
0.1nF
B
Lin
Generador de dead-time
A
Title
Size
A4
Date:
GENERADOR DE DEAD-TIME
Document Number
Rev
002
AGOSTO 2002
0
Sheet
of
C
U9
BDX33C
42V_Side
D14
1N4148
1800 1W
R28
R31
D12 3k3
Dz
VCC
C41
10uF
C12
1uF
Regulador de tensin
A
Title
Size
A4
Date:
REGULADOR DE TENSIN
Document Number
Rev
0
003
AGOSTO 2002
Sheet
of
U6
BDX53
VCC
1
1
2
3
4
5
6
7
R23
nc1
nc3
ILIM
FREQ
ISENSE +Vs
INV
Vc
NINV
Vo
Vref
Vz
-Vs
nc2
VCC1
C
C37
2
0.5 1W
U5
C36
1uF
R20
14
13
12
11
10
9
8
C38
100pF
R21
1uF
8k2
R22
12k
LM723
10k
Vref(7.1V)
Regulador de tensin de precisin
A
Title
Size
A4
Date:
REGULADOR DE PRECISIN
Document Number
Rev
0
004
AGOSTO 2002
Sheet
of
VCC1
D8
C9
1uF
C10
C11
1N4148
1uF
200nF
U18 IR 2110
Lin
8
9
10
11
VB
HO
VS
nc1
Vcc
LIN
LO
nc3 COM
6
7
5
4
3
1
2
Ho
LOAD
Lo
13
12
14
nc2
Vdd
HIN
SD
Vss
Hin
D10
MBR360
DRIVER
A
Title
Size
A4
Date:
DRIVER
Document Number
Rev
0
005
AGOSTO 2002
Sheet
of
Lazo abierto
R54
1k
Isense
1
R50
5k
C28
454pF
1
2
3
7
6
C29
113pF
47k
R18
1K
15
PWM
14
12
3
VCC1
R58
4k7
R56
1
R57
VCC1
VCC1
+E
Vin
-E
COMP Css
+CS
RST
-CS OUTB
OUTA
GND
SD
RT
VC
CT
RD
Vref
Sync
17
C34
1uF
C26 10nF
4
5
16
13
8
9
10
11
18
47k
R53
C25
2nF
UC3526
C27
100nF
1k
1K
VCC1
U19
+e
R51
R55
1k
CONTROL DE CORRIENTE
REGULADOR
PWM
Lazo abierto
A
Title
Size
A4
Date:
REGULADOR PWM
Document Number
Rev
0
006
AGOSTO 2002
Sheet
of
14V_Side
1000k
VCC1 220nF
C32
90.9k
2
C30
1nF
1OUT
1IN1IN+
GND
VDD+
2OUT
2IN2IN+
8
7
6
5
C31
22nF
TLC2272
+e
Vref(7.1V)
1k
1
2
3
4
U20
R12
R52
1
R11
C33
220nF
CONTROL DE TENSIN
A
Title
Size
A4
Date:
CONTROL DE TENSIN
Document Number
Rev
0
007
AGOSTO 2002
Sheet
of
Convertidor Reductor con Rectificacin
Planos
111
Planos
112
Planos
113
5 PRESUPUESTO
114
Presupuesto
NDICE PRESUPUESTO
5.
PRESUPUESTO.......................................................................................116
5.1.
AMIDAMIENTOS..................................................................................... 116
5.2.
PRECIOS UNITARIOS ............................................................................. 118
5.3.
APLICACIN DE PRECIOS .................................................................... 120
5.4.
RESUMEN DEL PRESUPUESTO............................................................ 122
5.4.1.
PRESUPUESTO DE EJECUCIN MATERIAL ........................... 122
5.4.2.
PRESUPUESTO DE EJECUCIN POR CONTRATA.................. 123
5.4.3.
PRESUPUESTO GLOBAL............................................................. 124
115
Presupuesto
5 Presupuesto
5.1.
AMIDAMIENTOS
NMERO
DESCRIPCIN
DENOMINACIN CANTIDAD
001
Aislante trmico disipador-TO220
002
Amplificador Operacional TLC2272
003
Cable cobre dimetro 0,8 mm PIRESOLD

Cable cobre soldable dimetro 0,28 mm
PIRESOLD
004
4u
U20
1u
4 cm
90 m
005
Condensador 22 Nf
C31
1u
006
Condensador 1 nF
C30
1u
007
Condensador 200 nF(bootstrap)
C11
1u
008
Condensador cermico 0,1 nF 100 V

Condensador cermico multicapa SIEMENS
3,3 uF 50 V
C39,C40
C20,C21,C22,C23,
C24
2u
C41
1u
C19
1u
014
Condensador polister 1 uF 63 V
C18
C17,C3,C4,C5,C6,
C7
C36,C37,C34,C43,
C12,C9,C10
1u
013
Condensador electroltico 10 uF 63 V
Condensador electroltico JAMICON 2200 uF
25 V
Condensador electroltico JAMICON 3300 uF
25 V
Condensador electroltico PANASONIC 1200
uF 63 V
015
Condensador polister 10 nF 100 V
C8,C26
2u
016
C27
1u
017
Condensador polister 100 pF 63 V
C38,C29
2u
018
Condensador polister 220 nF
C32,C33
2u
009
010
011
012
5u
6u
7u
019
Condensador polister 2n2 100 V
C25
1u
020
C28
1u
021
Condensador polister 470 pF

Condensador polister metalizado EVOX MMK
22 uF 63 V
022
Conector tipo banana hembra
023
Darlington BDX33C
024
Diodo bipolar 1N4148
025
Diodo Schottky MBR360
026
Diodo Schottky PBYR20100
027
Diodo Zener 15V
028
Disipador de calor 1,2 C/W
C1,C2
2u
J1+,J1-,J2+,J2-
4u
U9,U6
2u
D8,D15,D14
3u
D13,D10
2u
D2
1u
D9,D11,D12
3u
1u
116
Presupuesto
029
Driver IR 2110
030
Fabricacin del circuito impreso
U18
1u
031
NOR CMOS 4001B
032
Ncleo MM2A 77076A7 Kool M

Cores MAGNETICS
033
Ncleo NTH12 ARISTON
034
Patas PCB
035
Potencimetro multivuelta 1 k
R12,R29,R57
3u
036
R24,R25
2u
037
R11
1u
038
R52
1u
039
R51,R53
2u
040
R50
1u
041
Regulador PWM UC3526
U19
1u
042
Regulador tensin LM723
U5
1u
043
Resistencia 1800 , 2 W
R28
1u
044
Resistencia 5,6 , 1 W
R17
1u
1u
U14
1u
L1
1u
TRANSFORMER
1u
Powder
4u
045
Resistencia 8 , 1 W
046
Resistencia cable bobinado 0,5 , 1 W
R5,R6
2u
R20
1u
047
Resistencia de carbn 1 k 1/4 W
R18,R56,R54,R55
4u
048
Resistencia de carbn 10 1/4 W
R8,R9
2u
049
R23
1u
050
R26,R27
2u
051
R7,R16
2u
052
R22
1u
053
Resistencia de carbn 3k3 1/4 W
R31
1u
054
R58
1u
055
R21
1u
056
Tornillos
057
Transistor MOSFET STP75NE75
9u
Q4,Q5
2u
058
Tuercas
5u
059
Zcalo torneado D.I.L. 14 pines
3u
060
1u
061
1u
117
5.2.
Presupuesto
PRECIOS UNITARIOS
NMERO
DESCRIPCIN
P.U. ()
001
002
0,24
1,95
003
0,01
004
Cable cobre soldable dimetro 0,28 mm PIRESOLD
0,54
005
Condensador 22 nF
0,18
006
Condensador 1 nF
0,17
007
0,18
008
0,15
009

Condensador cermico multicapa SIEMENS 3,3 uF 50
V
010
0,24
011
Condensador electroltico JAMICON 2200 uF 25 V
1,21
012
Condensador electroltico JAMICON 3300 uF 25 V
1,50
013
Condensador electroltico PANASONIC 1200 uF 63 V
1,88
014
1,08
015
0,19
016
0,12
1,05
017
0,12
018
0,24
019
0,18
020
0,15
021

Condensador polister metalizado EVOX MMK 22 uF
63 V
022
4,46
023
Darlington BDX33C
0,84
024
0,03
025
0,39
026
2,06
027
Diodo Zener 15V
0,05
028
9,05
029
Driver IR 2110
3,58
030
031
NOR CMOS 4001B
032

MAGNETICS
033
Ncleo NTH12 ARISTON
3,65
9
0,28
Powder Cores
2,40
0,90
118
Presupuesto
034
Patas PCB
0,07
035
1,60
036
1,60
037
1,60
038
1,80
039
1,60
040
1,60
041
10,13
042
1,05
043
0,13
044
0,08
045
Resistencia 8 , 1 W
0,08
046
0,49
047
0,04
048
0,04
049
0,04
050
0,04
051
0,04
052
0,04
053
0,04
054
0,04
055
0,04
056
Tornillos
0,03
057
2,55
058
Tuercas
0,02
059
1,36
060
1,73
061
0,81
119
5.3.
Presupuesto
APLICACIN DE PRECIOS
NMERO
DESCRIPCIN
CANTIDAD
P.U. ()
TOTAL
001
4u
0,24
0,96
002
1u
1,95
1,95
003
4 cm
0,01
0,01
004

Cable cobre soldable dimetro 0,28 mm
PIRESOLD
90 m
0,54
0,54
005
Condensador 22 nF
1u
0,18
0,18
006
Condensador 1 nF
1u
0,17
0,17
007
1u
0,18
0,18
008

Condensador cermico multicapa
SIEMENS 3,3 uF 50 V
2u
0,15
0,30
5u
1,05
5,26
1u
0,24
0,24
1u
1,21
1,21
1u
1,50
1,50
013
Condensador electroltico JAMICON 2200
uF 25 V
Condensador electroltico JAMICON 3300
uF 25 V
Condensador electroltico PANASONIC
1200 uF 63 V
6u
1,88
11,25
014
7u
1,08
7,57
015
2u
0,19
0,38
016
1u
0,12
0,12
017
2u
0,12
0,24
018
2u
0,24
0,48
019
1u
0,18
0,18
020
1u
0,15
0,15
021

Condensador polister metalizado EVOX
MMK 22 uF 63 V
2u
3,65
7,31
022
4u
4,46
17,84
023
Darlington BDX33C
2u
0,84
1,68
024
3u
0,03
0,09
009
010
011
012
025
2u
0,39
0,78
026
1u
2,06
2,06
027
Diodo Zener 15V
3u
0,05
0,16
028
1u
9,05
9,05
029
Driver IR 2110
1u
3,58
3,58
030
1u
031
NOR CMOS 4001B
1u
0,28
0,28
032

Powder Cores MAGNETICS
1u
2,40
2,40
120
Presupuesto
033
Ncleo NTH12 ARISTON
1u
0,90
0,90
034
Patas PCB
4u
0,07
0,29
035
3u
1,60
4,80
036
2u
1,60
3,21
037
1u
1,60
1,60
038
1u
1,80
1,80
039
2u
1,60
3,21
040
1u
1,60
1,60
041
1u
10,13
10,13
042
1u
1,05
1,05
043
1u
0,13
0,13
044
1u
0,08
0,08
045
Resistencia 8 , 1 W
2u
0,08
0,17
046
1u
0,49
0,49
047
4u
0,04
0,17
048
2u
0,04
0,08
049
1u
0,04
0,04
050
2u
0,04
0,08
051
2u
0,04
0,08
052
1u
0,04
0,04
053
1u
0,04
0,04
054
1u
0,04
0,04
055
1u
0,04
0,04
056
Tornillos
9u
0,03
0,27
057
2u
2,55
5,10
058
Tuercas
5u
0,02
0,09
059
3u
1,36
4,07
060
1u
1,73
1,73
061
1u
0,81
0,81
121
Presupuesto
5.4.
RESUMEN DEL PRESUPUESTO
5.4.1.
PRESUPUESTO DE EJECUCIN MATERIAL
DENOMINACIN
CANTIDAD
CONVERTIDOR
REDUCTOR CON
RECTIFICACIN
SNCRONA
TOTAL
PRECIO
UNITARIO ()
129,27
TOTAL ()
129,27
129,27
El presupuesto de ejecucin material asciende a CIENTO VEINTI

NUEVE EUROS CON VEINTI SIETE CNTIMOS.
122
5.4.2.
Presupuesto
PRESUPUESTO DE EJECUCIN POR CONTRATA
PRESUPUESTO DE EJECUCIN
MATERIAL
10 % BENEFICIO INDUSTRIAL
15 % GASTOS GENERALES
TOTAL
129,27
12,93
19,39
161,59
El presupuesto de ejecucin por contrata asciende a CIENTO SESENTA Y

UN EUROS CON CINCUENTA Y NUEVE CNTIMOS.
123
5.4.3.
Presupuesto
PRESUPUESTO GLOBAL
PRESUPUESTO DE EJECUCIN POR CONTRATA

16 % I.V.A.
TOTAL
161,59
25,85
187,44
El presupuesto global asciende a CIENTO OCHENTA Y SIETE EUROS

CON CUARENTA Y CUATRO CNTIMOS.
124
6 PLIEGO DE CONDICIONES
125
Pliego de Condiciones
NDICE PLIEGO DE CONDICIONES
6.
PLIEGO DE CONDICIONES.............................................127
6.1.
DISPOSICIONES Y ABARQUE DEL PLIEGO DE CONDICIONES .... 127
6.1.1.
Objetivo del pliego............................................................................ 127
6.1.2.
Descripcin General del Montaje ..................................................... 128
6.2.
CONDICIONES DE LOS MATERIALES. ............................................... 129
6.2.1.
Especificaciones Elctricas............................................................... 129
6.2.1.1.
Especificaciones del sistema. .................................................. 129
6.2.1.2.
Conductores Elctricos............................................................ 129
6.2.1.3.
Componentes Pasivos.............................................................. 130
6.2.1.4.
Componentes Activos.............................................................. 130
6.2.1.5.
Zcalos Torneados Tipo D.I.L. ............................................... 130
6.2.1.6.
Reglamento Electrotcnico de Baja Tensin........................... 131
6.2.2.
Especificaciones Mecnicas.............................................................. 131
6.2.2.1.
Placas de circuito impreso. ...................................................... 131
6.3.
CONDICIONES DE LA EJECUCIN...................................................... 132
6.3.1.
Encargo y Compra del Material. ....................................................... 132
6.3.2.
Construccin del Inductor................................................................. 132
6.3.3.
Fabricacin del transformador. ......................................................... 132
6.3.4.
Fabricacin del Circuito Impreso...................................................... 133
6.3.5.
Soldadura de los Componentes. ........................................................ 134
6.4.
CONDICIONES FACULTATIVAS.......................................................... 135
6.5.
CONCLUSIONES...................................................................................... 136
126
6 Pliego de Condiciones
6.1. DISPOSICIONES Y ABARQUE DEL PLIEGO DE
CONDICIONES
6.1.1.
Objetivo del pliego
El objetivo de este proyecto es el estudio de un convertidor reductor con

rectificacin sncrona aplicado a altas tensiones. Este proyecto es un proyecto
profundamente de investigacin, esto implica que el prototipo se ha diseado teniendo
en cuenta la accesibilidad y la facilidad de estudio omitiendo su desarrollo industrial.
En caso de una futura aplicabilidad industrial se deberan tener en cuenta aspectos
como por ejemplo protecciones contra sobretensiones, contra cortocircuitos, etc.
Como gua para una futura aplicabilidad industrial se ha redactado este
pliego de condiciones.
El presente pliego de condiciones define, entre otros, los aspectos siguientes:
-Obras que componen el proyecto.
-Caractersticas exigibles a los materiales y componentes.
-Detalles de la ejecucin.
-Programa de obras.
Dado el amplio abanico de detalles tratados, si se presentasen dudas a la hora de
poner el proyecto en marcha lo ms recomendable es consultar al proyectista.
127
6.1.2.
Descripcin General del Montaje
A continuacin se enumeran las diferentes partes que componen la obra,

poniendo especial nfasis en el orden establecido, no efectuando una actividad
concreta sin haber realizado previamente la anterior.
-Encargo y compra de los materiales y componentes necesarios.
-Construccin del inductor.
-Fabricacin de la placa de circuito impreso.
-Montaje de los componentes a la placa fabricada previamente.
-Montaje en caja (si es necesario) a cargo del director.
-Ajuste y comprobacin de los parmetros para el buen funcionamiento.
-Puesta en marcha del equipo.
-Controles de calidad. Fiabilidad.
-Mantenimiento del equipo. Informando debidamente a las personas que en un futuro
estarn a cargo del equipo.
Todas estas partes que en su conjunto forman la obra, tendrn que ser
ejecutadas por montadores que se sometern a las normas y reglas que la comunidad
autnoma, pas o bien comunidades internacionales tengan previstas para este tipo de
montajes, no hacindose responsable el proyectista de los desperfectos ocasionados
por su incumplimiento.
128
6.2.
CONDICIONES DE LOS MATERIALES.
En este apartado se explican las caractersticas tcnicas exigibles a los

componentes presentes en la ejecucin de la obra.
6.2.1.
Especificaciones Elctricas.
6.2.1.1. Especificaciones del sistema.
El sistema deber cumplir las especificaciones resumidas en la Tabla 6.1

Tensin de entrada
Tensin de salida
Carga
Frecuencia de conmutacin
Rizado de tensin mximo en la salida
33 a 58 V
14 V
1,1 (resistiva)
50 kHz
140 mV
Tabla 6.1. Especificaciones del sistema.
6.2.1.2. Conductores Elctricos.
Los conductores utilizados sern internos a excepcin de los de alimentacin

y carga que reunirn condiciones especiales requeridas para los conductores
expuestos permanentemente al exterior. Cabe comentar que la utilizacin de la obra
tendr lugar en el interior de un laboratorio o una industria. El conductor de conexin
a la fuente de alimentacin primaria estar construido por una manguera de dos hilos
con una seccin de 4 mm2.
129
6.2.1.3. Componentes Pasivos.
Los componentes pasivos utilizados en el proyecto son los disponibles

tecnolgicamente en el momento de la redaccin de este proyecto. Las caractersticas
tcnicas se han incluido en el Anexo.
6.2.1.4. Componentes Activos.
Los componentes activos utilizados en el proyecto son los disponibles

tecnolgicamente en el momento de la redaccin de este proyecto. Las caractersticas
tcnicas se han incluido en el Anexo.
6.2.1.5. Zcalos Torneados Tipo D.I.L.
Todos los circuitos integrados que aparecen dispondrn de un zcalo para su

unin con la placa de circuito impreso. stos zcalos son de tipo D.I.L. (Dual in
Line) de contacto mecanizado de gran cantidad y perfil bajo; formados por contactos
internos de tipo cuatro dedos (3-5 m) de estao sobre una base de cobre-berilio
niquelado y con un recubrimiento de carbn estaado. Tambin estn amoldados
mediante un polister negro con fibra de vidrio ignfuga. Sus caractersticas se
encuentran en la Tabla 6.2.
Margen de temperaturas
Resistencia de contacto
Resistencia de aislamiento
Fuerza de insercin por contacto
Fuerza de extraccin por contacto
Fuerza de retencin por contacto
-55C a 125C
10 m (mximo)
1010
120 gr
80 gr
400 gr (mnimo)
Tabla 6.2. Caractersticas tcnicas de zcalos tipo D.I.L.
130
6.2.1.6. Reglamento Electrotcnico de Baja Tensin.
Todos los aspectos tcnicos de la instalacin que, directa o indirectamente,

estn incluidos en el Reglamento Electrotcnico de Baja Tensin, tendrn que cumplir
lo que se disponga en las respectivas normas.
Las instrucciones ms importantes relacionadas con la realizacin del
Proyecto son las siguientes:
M.I.B.T. 017
Instalaciones interiores o receptores.

Prescripciones de carcter general.
M.I.B.T. 029
Instalaciones a pequeas tensiones.
M.I.B.T. 030
Instalaciones a tensiones especiales.
M.I.B.T. 031
Receptores. Transformadores y autotransformadores.

Reactancias y rectificadores. Condensadores.
M.I.B.T. 044
6.2.2.
Normas U.N.E. de obligado cumplimiento.
Especificaciones Mecnicas.
6.2.2.1. Placas de circuito impreso.
El circuito de la obra se realizar sobre una placa de vidrio de doble cara con
presensibilizacin positiva.
131
6.3.
CONDICIONES DE LA EJECUCIN
6.3.1.
Encargo y Compra del Material.
La compra de los materiales, componentes y aparatos necesarios tendr que

realizarse con el tiempo necesario, de manera que estn disponibles en el momento
que comience el ensamblaje de los componentes.
6.3.2.
Construccin del Inductor.
A tal efecto se dispondr de cable de bobinar de dimetro 0,28 mm soldable.

En primer lugar se cortarn 57 hilos de unos 2 m. Despus se situarn juntos y se
enrollarn de manera que queden trenzados. Ms tarde se irn haciendo las 32 espiras,
consiguiendo que queden apretadas mximo al cuerpo del ncleo toroidal.
6.3.3.
Fabricacin del transformador.
Para la fabricacin del transformador se utilizar el mismo cable 0,28 mm

soldable mas un cable de 0,8 mm . Se cortar del primero un trozo de unos 2 m y un
trozo de unos 4 cm del segundo. Con el cable de 0,28 mm se irn haciendo las 100
espiras de manera que estn cada una al lado de la otra y bien apretadas al ncleo
toroidal. A continuacin, con el segundo cable se le dar 2 vueltas al ncleo de
manera que queden las 4 puntas de cable (2 por cada uno) ms o menos alineadas en
un punto del ncleo (para una fcil soldadura en la placa).
132
6.3.4.
Fabricacin del Circuito Impreso.
A continuacin se detallan los pasos para la fabricacin del circuito impreso:

1.- Los materiales y aparatos para realizar la placa de circuito impreso son: insoladora
(o lmpara de luz actnica), revelador (o en su defecto disolucin de sosa custica y
agua, atacador rpido que se puede sustituir por una disolucin con la siguiente
composicin: 33% de HCL, 33% de agua oxigenada de 110 volmenes y 33% de
agua destilada), y por ltimo se necesitan las placas de circuito impreso de material
fotosensible positivo de doble cara y fibra de vidrio.
2.- La forma de operar ser la siguiente: en primer lugar se efectuar una copia de dos
planos de la placa (cara componentes y cara de soldadura) en papel de acetato.
Posteriormente se unirn las dos copias procurando la correspondencia entre las pistas
de las dos caras, dejando una ranura sin unir por donde se introducir la placa.
3.- El conjunto (copias en papel de acetato y placa) se expondr a la luz ultravioleta
de la insoladora. sta recubre la placa y las copias en acetato con un material plstico
al cual se le aplica el vaco evitando que se formen burbujas de aire entre el papel de
acetato y la placa. A continuacin se expone el conjunto a la luz ultravioleta durante
el tiempo que aconseje el fabricante. Este tiempo de exposicin depende de la
lmpara utilizada, de la distancia de sta respecto de la placa, del material fotosensible
y del envejecimiento del mismo. El fabricante recomendar cual es el tiempo ptimo.
4.- Una vez acabada la exposicin, se retira la placa y se coloca dentro del lquido
revelador, el tiempo de atacado de revelado depende del fabricante de la placa de
circuito impreso, quien indicar cual es el ms adecuado. De todas formas, el proceso
puede darse por finalizado cuando las pistas se vean ntidamente y el resto de la
superficie se aprecie libre de cualquier sustancia fotosensible (se observa el cobre
limpio).
Cuando la placa ya est revelada se limpia con agua, que producir una
parada del proceso de revelado y ya se puede pasar al atacado: donde se sumerge la
placa en el atacador rpido o en la disolucin y se observa como desaparece el cobre
que no conforma el trazado de las pistas.
Una vez haya desaparecido toda la superficie de cobre que no conforma las
pistas se secar la placa del atacador y se limpiar para finalizar el proceso de
atacado.
5.- Finalmente se limpia la emulsin fotosensible que recubre las pistas (y que
impedir la soldadura) con alcohol o bien con acetato.
6.- Se realizarn los agujeros para soldar los terminales y despus se sueldan.
133
6.3.5.
Soldadura de los Componentes.
Existen diversos mtodos para poner en contacto permanente dos

conductores elctricos, o lo que es lo mismo, realizar entre ellos una conexin
elctrica, pero el ms til, por sus excelentes caractersticas de sencillez, seguridad y
rapidez es la soldadura realizada mediante la aportacin de la fusin de una aleacin
metlica.
El proceso de soldadura consiste por tanto, en unir dos conductores de tipo y
forma diferentes (terminales de componentes entre s o un circuito impreso hilos y
cables, chasis metlicos) de forma que mediante la adicin de un tercer material
conductor en estado lquido, por fusin a una determinada temperatura, se forme un
compuesto intermetlico entre los tres conductores de tal manera que al enfriarse a la
temperatura ambiente se obtenga una unin rgida permanente.
La realizacin de la soldadura requiere unas condiciones iniciales a las que
superficies conductoras que se vayan a unir, as como los utensilios para soldar y
conseguir una soldadura de calidad. Se ha de tener en cuenta y vigilar constantemente
el estado de limpieza de los conductores que se pretenden soldar, ya que la presencia
de xidos, grasa y cualquier tipo de suciedad impide que la soldadura realizada sea de
la calidad necesaria de forma que pueda mantenerse sin ninguna degradacin con el
tiempo.
134
6.4.
CONDICIONES FACULTATIVAS
Los permisos de carcter obligatorio necesarios para realizar la obra o la

utilizacin de la misma tendrn que obtenerse por parte de la empresa contratante,
quedando la empresa contratista al margen de todas las consecuencias derivadas de la
misma.
Cualquier retardo producido en el proceso de fabricacin por causas
debidamente justificadas, siendo stas alienas a la empresa contratista, ser aceptada
por el contratante, no teniendo ste ltimo derecho a reclamacin por daos y
prejuicios.
Cualquier demora no justificada supondr el pago de una multa por valor del
6% del importe total de fabricacin, para cada fraccin del retardo temporal (acordado
en el contrato).
La empresa contratista se compromete a proporcionar las mayores
facilidades al contratista para que la obra se realice de una forma rpida y adecuada.
El aparato cumplir los requisitos mnimos respecto el Proyecto encargado,
cualquier variacin o mejora sustancial en el contenido del mismo tendr que ser
consultada con el tcnico diseador (proyectista). Durante el tiempo que se haya
estimado la instalacin, el tcnico proyectista podr anunciar la suspensin
momentnea si as lo estimase oportuno.
Las caractersticas de los elementos y componentes sern las especificadas
en la memoria y el pliego de condiciones, teniendo en cuenta su perfecta colocacin y
posterior uso.
La contratacin de este proyecto se considerar vlida una vez las dos partes
implicadas, propiedad y contratista, se comprometan a concluir las clusulas del
contrato, por el cual tendrn que ser firmados los documentos adecuados en una
reunin conjunta en haber llegado a un acuerdo.
Los servicios de la empresa contratista se consideran finalizados des del
mismo momento en que el aparato se ponga en funcionamiento, despus la previa
comprobacin de su correcto funcionamiento.
El presupuesto no incluye gastos de tipo energtico ocasionados por el
proceso de instalacin, ni las obras que fuesen necesarias, que irn a cargo de la
empresa contratante.
El cumplimiento de las elementales comprobaciones por parte de la empresa
instaladora, no ser competencia del proyectista, el cual queda fuera de toda
responsabilidad derivada del incorrecto funcionamiento del equipo como
consecuencia de esta omisin.
135
6.5.
CONCLUSIONES.
Las partes interesadas manifiestan que conociendo los trminos de este

Pliego de Condiciones y del proyecto adjunto, y estn de acuerdo con el que en l se
manifiesta.
136
7 ANEXOS
137
UC1526
UC2526
UC3526
Regulating Pulse Width Modulator

FEATURES
DESCRIPTION
8 To 35V Operation
5V Reference Trimmed To 1%
1Hz To 400kHz Oscillator Range
Dual 100mA Source/Sink Outputs
Digital Current Limiting
Double Pulse Suppression
Programmable Deadtime
Under-Voltage Lockout
Single Pulse Metering
Programmable Soft-Start
Wide Current Limit Common Mode Range
TTL/CMOS Compatible Logic Ports
The UC1526 is a high performance monolithic pulse width modulator

circuit designed for fixed-frequency switching regulators and other
power control applications. Included in an 18-pin dual-in-line package are a temperature compensated voltage reference, sawtooth oscillator, error amplifier, pulse width modulator, pulse metering and
setting logic, and two low impedance power drivers. Also included
are protective features such as soft-start and under-voltage lockout,
digital current limiting, double pulse inhibit, a data latch for single
pulse metering, adjustable deadtime, and provision for symmetry correction inputs. For ease of interface, all digital control ports are TTL
and B-series CMOS compatible. Active LOW logic design allows
wired-OR connections for maximum flexibility. This versatile device
can be used to implement single-ended or push-pull switching regulators of either polarity, both transformerless and transformer coupled. The UC1526 is characterized for operation over the full military
temperature range of -55C to +125C. The UC2526 is characterized
for operation from -25C to +85C, and the UC3526 is characterized
for operation from 0 to +70C.
Symmetry Correction Capability
Guaranteed 6 Unit Synchronization
BLOCK DIAGRAM
6/93
UC1526
UC2526
UC3526
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Note 1, 2)
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS (Note 3)
Input Voltage (+VIN) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +40V

Collector Supply Voltage (+VC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +40V
Logic Inputs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to +5.5V
Analog Inputs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to +VIN
Source/Sink Load Current (each output) . . . . . . . . . . . . . 200mA
Reference Load Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA
Logic Sink Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15mA
Power Dissipation at TA = +25C (Note 2) . . . . . . . . . . 1000mW
Power Dissipation at TC = +25C (Note 2) . . . . . . . . . . 3000mW
Operating Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150C
Storage Temperature Range . . . . . . . . . . . . . . -65C to +150C
Lead Temperature (soldering, 10 seconds) . . . . . . . . . . +300C
Note 1: Values beyond which damage may occur.
Note 2: Consult packaging section of databook for thermal
limitations and considerations of package.
Input Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +8V to +35V

Collector Supply Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +4.5V to +35V
Sink/Source Load Current (each output) . . . . . . . . . 0 to 100mA
Reference Load Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0 to 20mA
Oscillator Frequency Range . . . . . . . . . . . . . . . . 1Hz to 400kHz
Oscillator Timing Resistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2k to 150k
Oscillator Timing Capacitor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1nF to 20F
Available Deadtime Range at 40kHz . . . . . . . . . . . . . 3% to 50%
Operating Ambient Temperature Range
UC1526 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55C to +125C
UC2526 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -25C to +85C
UC3526 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0C to +70C
Note 3: Range over which the device is functional and
parameter limits are guaranteed.
CONNECTION DIAGRAMS
DIL-18, SOIC-18 (TOP VIEW)
J or N Package, DW Package
PACKAGE PIN FUNCTION

FUNCTION
PIN
PLCC-20, LCC-20
(TOP VIEW)
Q and L Packages
N/C
+Error
-Error
Comp.
CSS _
_____
Reset
- Current Sense
+ Current Sense
_________
Shutdown
RTIMING
CT
RD
Sync
Output A
VC
N/C
Ground
Output B
+VIN
VREF
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: +VIN = 15V, and over operating ambient temperature, unless otherwise
specified, TA = TJ.
PARAMETER
TEST CONDITIONS
UC1526 / UC2526
UC3526
UNITS
MIN
TYP
MAX
MIN
TYP
MAX
4.95
5.00
5.05
4.90
5.00
5.10
10
20
10
30
mV
Reference Section (Note 4)

Output Voltage
TJ = + 25C
Line Regulation
+VIN = 8 to 35V
Load Regulation
IL = 0 to 20mA
10
30
10
50
mV
Temperature Stability
Over Operating TJ
15
50
15
50
mV
Total Output
Voltage Range
Over Recommended
Operating Conditions
4.90
5.00
5.10
4.85
5.00
5.15
Short Circuit Current
VREF = 0V
25
50
100
25
50
100
mA
0.2
0.4
0.2
0.4
Under
-Voltage Lockout
_______
RESET Output Voltage
VREF = 3.8V
VREF = 4.8V
2.4
Note 4: IL = 0mA.
4.8
2.4
4.8
UC1526
UC2526
UC3526
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: +VIN = 15V, and over operating ambient temperature, unless otherwise
specified, TA = TJ.
PARAMETER
TEST CONDITIONS
UC1526 / UC2526
MIN
TYP
MAX
UC3526
MIN
UNITS
TYP
MAX
Oscillator Section (Note 5)

Initial Accuracy
TJ = + 25C
Voltage Stability
+VIN = 8 to 35V
0.5
0.5
Temperature Stability
Over Operating TJ
10
Minimum Frequency
RT = 150k
, CT = 20
F
Maximum Frequency
RT = 2k
, CT = 1.0nF
Sawtooth Peak Voltage
+VIN = 35V
Sawtooth Valley Voltage
+VIN = 8V
1
400
%
Hz
400
3.0
0.5
5
1
3.5
1.0
kHz
3.0
0.5
3.5
1.0
V
V
Error Amplifier Section (Note 6)

Input Offset Voltage
RS 2k
Input Bias Current

Input Offset Current
10
mV
-350
-1000
-350
-2000
nA
35
100
35
200
nA
DC Open Loop Gain
RL 10M
64
72
60
72
dB
HIGH Output Voltage
VPIN1-VPIN2 150mV, ISOURCE =

100
A
3.6
4.2
3.6
4.2
LOW Output Voltage
A
VPIN2-VPIN1 150mV, ISINK = 100
Common Mode Rejection
Rs 12k
70
94
70
94
dB
Supply Voltage Rejection
+VIN = 12 to 18V
66
80
66
80
dB
0.2
0.4
0.2
0.4
PWM Comparator (Note 5)

Minimum Duty Cycle
VCOMPENSATION = +0.4V
Maximum Duty Cycle
VCOMPENSATION = +3.6V
0
45
49
2.4
4.0
0
45
49
2.4
4.0
%
%
Digital Ports (SYNC, SHUTDOWN, and RESET)

HIGH Output Voltage
ISOURCE =40
A
LOW Output Voltage
ISINK = 3.6mA
HIGH Input Current
VIH = +2.4V
-125
-200
LOW Input Current
VIL = +0.4V
-225
-360
100
110
-3
-10
0.2
0.4
0.2
V
0.4
-125
-200
-225
-360
100
120
mV
-3
-10
Current LImit Comparator (Note 7)

Sense Voltage
RS 50
90
Input Bias Current
80
Soft-Start Section
Error Clamp Voltage
RESET = +0.4V
Cs Charging Current
RESET =+2.4V
0.1
0.4
50
100
150
ISOURCE = 20mA
12.5
13.5
ISOURCE = 100mA
12
0.1
0.4
50
100
150
12.5
13.5
Output Drivers (Each Output) (Note 8)

HIGH Output Voltage
LOW Output Voltage
13
ISINK = 20mA
0.2
ISINK = 100mA
VC = 40V
Rise Time
Fall Time
____________
SHUTDOWN = +0.4V
Collector Leakage
Power Consumption (Note 9)

Standby Current
12
13
0.3
0.2
1.2
2.0
1.2
2.0
50
150
50
150
CL = 1000pF
0.3
0.6
0.3
0.6
CL = 1000pF
0.1
0.2
0.1
0.2
18
30
18
30
mA
Note 4: IL = 0mA.
Note 5: FOSC = 40kHz (RT = 4.12k 1%, CT = 0.1F 1%,
RD = 0)
Note 6: VCM = 0 to +5.2V

Note 8: VC = +15V
Note 9: +VIN = +35V, RT = 4.12k
0.3
UC1526
UC2526
UC3526
APPLICATIONS INFORMATION
Voltage Reference
The reference regulator of the UC1526 is based on a temperature compensated zener diode. The circuitry is fully
active at supply voltages above +8V, and provides up to
20mA of load current to external circuitry at +5.0V. In systems where additional current is required, an external
PNP transistor can be used to boost the available current.
A rugged low frequency audio-type transistor should be
used, and lead lengths between the PWM and transistor
should be as short as possible to minimize the risk of oscillations. Even so, some types of transistors may require
collector-base capacitance for stability. Up to 1 amp of
load current can be obtained with excellent regulation if
the device selected maintains high current gain.
Figure 2. Under-Voltage Lockout Schematic

Soft-Start Circuit
The soft-start circuit protects the power transistors and

rectifier diodes from high current surges during power
supply turn-on. When supply voltage is first applied
to the
_______
UC1526, the under-voltage lockout circuit holds RESET
LOW with Q3. Q1 is turned on, which holds the soft-start
capacitor voltage at zero. The second collector of Q1
clamps the output of the error amplifier to ground, guaranteeing zero duty cycle at the driver outputs. When
the
_______
supply voltage reaches normal operating range, RESET
will go HIGH. Q1 turns off, allowing the internal 100mA
current source to charge CS. Q2 clamps the error amplifier output to 1VBE above the voltage on CS. As the softstart voltage ramps up to +5V, the duty cycle of the PWM
linearly increases to whatever value the voltage regulation loop requires for an error null.
Figure 1. Extending Reference Output Current

Under-Voltage Lockout
The under-voltage lockout circuit protects the UC1526
and the power devices it controls from inadequate supply
voltage, If +VIN is too low,
the circuit disables the output
_______
drivers and holds the RESET pin LOW. This prevents
spurious output pulses while the control circuitry is stabilizing, and holds the soft-start timing capacitor in a discharged state.
The circuit consists of a +1.2V bandgap reference and
comparator circuit which is active when the reference
voltage has risen to 3VBE or +1.8V at 25C. When the reference voltage rises to approximately +4.4V,
the circuit
_______
enables the output drivers and releases the RESET pin,
allowing a normal soft-start. The comparator has 200mV
of hysteresis to minimize oscillation at the trip point.
When +VIN to the PWM is removed and the reference
_______
drops to +4.2V, the under-voltage circuit pulls RESET
LOW again. The soft-start capacitor is immediately discharged, and the PWM is ready for another soft-start cycle.
Figure 3. Soft-Start Circuit Schematic

Digital Control Ports
The three digital control ports of the UC1526 are bi-directional. Each pin can drive TTL and 5V CMOS logic directly, up to a fan-out of 10 low-power Schottky gates.
Each pin can also be directly driven by open-collector
The UC1526 can operate from a +5V supply by connecting the VREF pin to the +VIN pin and maintaining the supply between +4.8 and +5.2V.
UC1526
UC2526
UC3526
APPLICATIONS INFORMATION (cont.)

TTL, open-drain CMOS, and open-collector voltage comparators; fan-in is equivalent to 1 low-power Schottky
gate. Each port is normally HIGH; the pin_____
is pulled
LOW
_
to activate the particular function. Driving SYNC LOW initiates
a discharge cycle in the oscillator. Pulling
____________
SHUTDOWN LOW
immediately inhibits all PWM output
_______
pulses. Holding RESET LOW discharges the soft-start
capacitor. The logic threshold is +1.1V at +25C. Noise
immunity can be gained at the expense of fan-out with an
external 2k pull-up resistor to +5V.
Multiple devices can be synchronized together by programming one master unit for the desired frequency and
then sharing its sawtooth and clock waveforms with the
slave units. All CT terminals
______ are connected to the CT pin
of the master, _____
and _all SYNC terminals are likewise connected to the SYNC pin of the master. Slave RT terminals are left open or connected to VREF. Slave RD
terminals may be either left open or grounded.
Error Amplifier
The error amplifier is a transconductance design, with an
output impedance of 2M . Since all voltage gain takes
place at the output pin, the open-loop gain/frequency
characteristics can be controlled with shunt reactance to
ground. When compensated for unity-gain stability with
100pF, the amplifier has an open-loop pole at 800Hz.
The input connections to the error amplifier are determined by the polarity of the switching supply output voltage. For positive supplies, the common-mode voltage is
+5.0V and the feedback connections in Figure 6A are
used. With negative supplies, the common-mode voltage
is ground and the feedback divider is connected between
the negative output and the +5.0V reference voltage, as
shown in Figure 6B.
Figure 4. Digital Control Port Schematic

Oscillator
The oscillator is programmed for frequency and dead time
with three components: RT, CT and RD. Two waveforms
are generated: a sawtooth waveform at pin 10 for pulse
width modulation, and a logic clock at pin 12. The following procedure is recommended for choosing timing values:
Output Drivers
The totem-pole output drivers of the UC1526 are designed to source and sink 100mA continuously and
200mA peak. Loads can be driven either from the output
pins 13 and 16, or from the +VC, as required.
Since the bottom transistor of the totem-pole is allowed to
saturate, there is a momentary conduction path from the
+VC terminal to ground during switching. To limit the resulting current spikes a small resistor in series with pin 14
is always recommended. The resistor value is determined by the driver supply voltage, and should be chosen
for 200mA peak currents.
1. With RD = 0 (pin 11 shorted to ground) select values

for RT and CT from Figure 7 to give the desired oscillator
period. Remember that the frequency at each driver output is half the oscillator frequency, and the frequency at
the +VC terminal is the same as the oscillator frequency.
2. If more dead time is required, select a large value of
RD. At 40kHz dead time increases by 400ns/ .
3. Increasing the dead time will cause the oscillator frequency to decrease slightly. Go back and decrease the
value of RT slightly to bring the frequency back to the
nominal design value.
The UC1526 can be synchronized to an external logic
clock by programming the oscillator to free-run at a frequency 10% slower than the sync frequency. A periodic
______
LOW logic pulse approximately 0.5s wide at the SYNC
pin will then lock the oscillator to the external frequency.
Figure 5. Oscillator Connections and Waveforms
UC1526
UC2526
UC3526
Figure 6. Error Amplifier Connections
Figure 8. Single-Ended Configuration
Figure 7. Push-Pull Configuration
Figure 9. Driving N-channel Power Mosfets
TYPICAL CHARACTERISTICS
Oscillator Period vs RT and CT
Oscillation Period
6
Data Sheet No. PD60147-L
IR2110/IR2113
HIGH AND LOW SIDE DRIVER
Features
Floating channel designed for bootstrap operation
Fully operational to +500V or +600V

Tolerant to negative transient voltage
dV/dt immune
Gate drive supply range from 10 to 20V
Undervoltage lockout for both channels
Separate logic supply range from 5 to 20V
Logic and power ground 5V offset
CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down
Cycle by cycle edge-triggered shutdown logic
Matched propagation delay for both channels
Outputs in phase with inputs
Description
The IR2110/IR2113 are high voltage, high speed
power MOSFET and IGBT drivers with independent
high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies
enable ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL
output. The output drivers feature a high pulse
current buffer stage designed for minimum driver
cross-conduction. Propagation delays are matched
to simplify use in high frequency applications. The
floating channel can be used to drive an N-channel
power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 500 or 600 volts.
Product Summary
VOFFSET (IR2110)
(IR2113)
500V max.
600V max.
IO+/-
2A / 2A
VOUT
10 - 20V
ton/off (typ.)
120 & 94 ns
Delay Matching
10 ns
Packages
14 Lead PDIP
IR2110/IR2113
16 Lead PDIP
w/o leads 4 & 5
IR2110-2/IR2113-2
14 Lead PDIP
w/o Lead 4
IR2110-1/IR2113-1
16 Lead SOIC
IR2110S/IR2113S
Typical Connection
up to 500V or 600V
HO
V DD
V DD
VB
HIN
HIN
VS
SD
SD
LIN
LIN
V CC
V SS
V SS
COM
VCC
www.irf.com
TO
LOAD
LO
IR2110/IR2113
Absolute Maximum Ratings
Absolute maximum ratings indicate sustained limits beyond which damage to the device may occur. All voltage parameters are absolute voltages referenced to COM. The thermal resistance and power dissipation ratings are measured
under board mounted and still air conditions. Additional information is shown in Figures 28 through 35.
Symbol
VB
Definition
Min.
Max.
High side floating supply voltage (IR2110)
-0.3
525
(IR2113)
-0.3
625
Units
High side floating supply offset voltage
VB - 25
VB + 0.3
VHO
High side floating output voltage
VS - 0.3
VB + 0.3
VCC
Low side fixed supply voltage
-0.3
25
VLO
Low side output voltage
-0.3
VCC + 0.3
VDD
Logic supply voltage
-0.3
VSS + 25
VSS
Logic supply offset voltage
VCC - 25
VCC + 0.3
VIN
Logic input voltage (HIN, LIN & SD)
VSS - 0.3
VDD + 0.3
50
VS
dVs/dt
PD
RTHJA
Allowable offset supply voltage transient (figure 2)

Package power dissipation @ TA +25C
(14 lead DIP)
1.6
(14 lead DIP w/o lead 4)
1.5
(16 lead DIP w/o leads 4 & 5)
1.6
(16 lead SOIC)
1.25
(14 lead DIP)
75
Thermal resistance, junction to ambient
(14 lead DIP w/o lead 4)
85
(16 lead DIP w/o leads 4 & 5)
75
(16lLead SOIC)
100
TJ
Junction temperature
150
TS
Storage temperature
-55
150
TL
Lead temperature (soldering, 10 seconds)
300
V/ns
C/W
Recommended Operating Conditions

The input/output logic timing diagram is shown in figure 1. For proper operation the device should be used within the
recommended conditions. The VS and VSS offset ratings are tested with all supplies biased at 15V differential. Typical
ratings at other bias conditions are shown in figures 36 and 37.
Symbol
Definition
VB
High side floating supply absolute voltage
VS
High side floating supply offset voltage
Min.
Max.
VS + 10
VS + 20
Units
(IR2110)
Note 1
500
(IR2113)
Note 1
600
VB
VHO
High side floating output voltage
VS
VCC
Low side fixed supply voltage
10
20
VLO
Low side output voltage
VCC
VDD
Logic supply voltage
VSS + 4.5
VSS + 20
VSS
Logic supply offset voltage
VIN
TA
-5
Logic input voltage (HIN, LIN & SD)
VSS
VDD
Ambient temperature
-40
125
Note 1: Logic operational for VS of -4 to +500V. Logic state held for VS of -4V to -VBS.
www.irf.com
IR2110/IR2113
Dynamic Electrical Characteristics
VBIAS (VCC , VBS , VDD) = 15V, CL = 1000 pF, TA = 25C and VSS = COM unless otherwise specified. The dynamic
electrical characteristics are measured using the test circuit shown in Figure 3.
Symbol
Definition
Figure Min. Typ. Max. Units Test Conditions
ton
Turn-on propagation delay
120
150
VS = 0V
toff
Turn-off propagation delay
94
125
VS = 500V/600V
tsd
Shutdown propagation delay
110
140
VS = 500V/600V
tr
Turn-on rise time
10
25
35
tf
Turn-off fall time
11
17
25
Delay matching, HS & LS turn-on/off
10
MT
ns
Figure 5
Static Electrical Characteristics

VBIAS (VCC, VBS, VDD) = 15V, TA = 25C and VSS = COM unless otherwise specified. The VIN, VTH and IIN parameters
are referenced to VSS and are applicable to all three logic input leads: HIN, LIN and SD. The VO and IO parameters are
referenced to COM and are applicable to the respective output leads: HO or LO.
Symbol
Definition
Figure Min. Typ. Max. Units Test Conditions
VIH
Logic 1 input voltage
12
9.5
VIL
Logic 0 input voltage
13
6.0
VOH
High level output voltage, VBIAS - VO
14
1.2
VOL
Low level output voltage, VO
15
0.1
IO = 0A
IO = 0A
ILK
Offset supply leakage current
16
50
VB=VS = 500V/600V
IQBS
Quiescent VBS supply current
17
125
230
VIN = 0V or VDD
IQCC
Quiescent VCC supply current
18
180
340
IQDD
Quiescent VDD supply current
19
15
30
VIN = 0V or VDD
IIN+
Logic 1 input bias current
20
20
40
VIN = VDD
21
22
7.5
8.6
1.0
9.7
VIN = 0V
23
7.0
8.2
9.4
24
7.4
8.5
9.6
25
7.0
8.2
9.4
IO+
Logic 0 input bias current

VBS supply undervoltage positive going
threshold
VBS supply undervoltage negative going
threshold
VCC supply undervoltage positive going
threshold
VCC supply undervoltage negative going
threshold
Output high short circuit pulsed current
26
2.0
2.5
IO-
Output low short circuit pulsed current
27
2.0
2.5
IINVBSUV+
VBSUVVCCUV+
VCCUV-
www.irf.com
VIN = 0V or VDD
VO = 0V, VIN = VDD

PW 10 s
VO = 15V, VIN = 0V
PW 10 s
IR2110/IR2113
Functional Block Diagram
VB
UV
DETECT
VDD
HV
LEVEL
SHIFT
R Q
S
VDD /VCC
LEVEL
SHIFT
HIN
PULSE
FILTER
PULSE
GEN
R
R
Q
HO
S
VS
SD
VCC
VDD /VCC
LEVEL
SHIFT
LIN
S
R Q
UV
DETECT
LO
DELAY
COM
VSS
Lead Definitions
Symbol Description
VDD
Logic supply
HIN
Logic input for high side gate driver output (HO), in phase
SD
Logic input for shutdown
LIN
Logic input for low side gate driver output (LO), in phase
VSS
Logic ground
VB
High side floating supply
HO
High side gate drive output
VS
High side floating supply return
VCC
Low side supply
LO
Low side gate drive output
COM
Low side return
Lead Assignments
14 Lead PDIP
IR2110/IR2113
4
14 Lead PDIP w/o Lead 4 16 Lead PDIP w/o Leads 4 & 5 16 Lead SOIC (Wide Body)
IR2110-1/IR2113-1
IR2110-2/IR2113-2
Part Number
IR2110S/IR2113S
www.irf.com
STP75NE75
STP75NE75FP
N - CHANNEL 75V - 0.01 - 75A TO-220/TO-220FP

STripFET POWER MOSFET
TYPE
V DSS
R DS(on)
ID
STP75NE75
STP75NE75FP
75 V
75 V
< 0.013
< 0.013
75 A
40 A
TYPICAL RDS(on) = 0.01

EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY
100% AVALANCHE TESTED
APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
3
DESCRIPTION
This Power MOSFET is the latest development of
STMicroelectronics unique Single Feature
Size strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low
on-resistance, rugged avalanche characteristics
and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
TO-220
TO-220FP
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

APPLICATIONS
SOLENOID AND RELAY DRIVERS
DC MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS
DC-DC CONVERTERS
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol
Parameter
Value
STP75NE75
V DS
V DGR
Un it
STP75NE75FP
Drain-source Voltage (VGS = 0)
75
Drain- gate Voltage (RGS = 20 k)
75
20
V GS
ID
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T c = 25 o C
75
40
V
A
ID
Drain Current (continuous) at T c = 100 oC
53
28
Drain Current (pulsed)
300
160
Total Dissipation at T c = 25 oC
160
50
Derating F actor
1.06
0.37
W /o C
I DM ()
P tot
V ISO
Insulation Withstand Voltage (DC)
dv/dt
Peak Diode Recovery voltage slope
Ts tg
Tj
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
() Pulse width limited by safe operating area
May 1999
2000
7
-65 to 175
175
V
V/ns
o
o
C
C
( 1) ISD 75 A, di/dt 300 A/s, VDD V(BR)DSS, Tj TJMAX
1/9
STP75NE75/FP
THERMAL DATA
R thj -case
R thj -amb
R thc-sink
Tl
Thermal Resistance Junction-case
Max
TO-220
TO-220FP
0.94
2.7
Thermal Resistance Junction-ambient

Max
Thermal Resistance Case-sink
Typ
Maximum Lead Temperature F or Soldering Purpose
62.5
0.5
300
C/W
C/W
C/W
o
C
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbo l
Max Value
Unit
IAR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive

(pulse width limited by Tj max)
Parameter
75
E AS
Single Pulse Avalanche Energy

(starting Tj = 25 o C, ID = IAR , V DD = 30V)
200
mJ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase = 25 oC unless otherwise specified)

OFF
Symbo l
V (BR)DSS
Parameter
Drain-source
Breakdown Voltage
Test Con ditions

I D = 250 A
V GS = 0
I DSS
V DS = Max Rating
Zero Gate Voltage
Drain Current (V GS = 0) V DS = Max Rating
IGSS
Gate-body Leakage
Current (VDS = 0)
Min.
Typ.
Max.
75
Unit
V
T c = 125 oC
V GS = 20 V
1
10
A
A
100
nA
ON ()
Symbo l
Parameter
Test Con ditions
V GS(th)
Gate Threshold Voltage V DS = V GS
ID = 250 A
R DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V GS = 10V
ID = 37.5 A
I D(o n)
On State Drain Current
V DS > ID(o n) x R DS(on )ma x

V GS = 10 V
Min.
Typ.
Max.
Unit
0.01
0.013
75
DYNAMIC
Symbo l
g f s ()
C iss
C os s
C rss
2/9
Parameter
Test Con ditions
Forward
Transconductance
V DS > ID(o n) x R DS(on )ma x
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V DS = 25 V
f = 1 MHz
I D =37.5 A
V GS = 0
Min.
Typ.
Max.
Unit
40
5300
850
310
pF
pF
pF
STP75NE75/FP
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
SWITCHING ON
Symbo l
Parameter
Test Con ditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t d(on)
tr
Turn-on Delay T ime

Rise Time
V DD = 40 V
I D = 40 A
R G = 4.7
V GS = 10 V
(Resistive Load, see fig. 3)
32
130
Qg
Q gs
Q gd
Total G ate Charge

Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V DD = 60 V ID = 75 A V GS = 10 V
150
30
62
200
nC
nC
nC
Typ.
Max.
Unit
ns
ns
SWITCHING OFF
Symbo l
Parameter
Test Con ditions
Min.
t d(of f)
tf
Turn-off Delay T ime

Fall T ime
V DD = 40 V
I D = 40 A
V GS = 10 V
R G = 4.7
(Resistive Load, see fig. 3)
150
45
ns
ns
tr (Voff)
tf
tc
Off-voltage Rise T ime

Fall T ime
Cross-over Time
V clamp = 60 V
I D = 75 A
V GS = 4.5 V
R G = 4.7
(Induct ive Load, see fig. 5)
35
60
100
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE

Symbo l
Parameter
Test Con ditions
ISD
I SDM ()
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
V SD ()
Forward On Voltage
I SD = 75 A
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I SD = 75 A
di/dt = 100 A/s
T j = 150 o C
V DD = 30 V
(see test circuit, fig. 5)
t rr
Q rr
I RRM
Min.
Typ.
Max.
Unit
43
170
A
A
1.5
V GS = 0
130
ns
0.6
() Pulsed: Pulse duration = 300 s, duty cycle 1.5 %

() Pulse width limited by safe operating area
Safe Operating Area for TO-220
Safe Operating Area for TO-220FP
3/9
STP75NE75/FP
Thermal Impedance for TO-220
Thermal Impedance forTO-220FP
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Transconductance
Static Drain-source On Resistance
4/9
LM723
HIGH PRECISION VOLTAGE REGULATOR
INPUT VOLTAGE UP TO 40V

OUTPUT VOLTAGE ADJUSTABLE FROM 2
TO 37V
POSITIVE OR NEGATIVE SUPPLY
OPERATION
SERIES, SHUNT, SWITCHING OR
FLOATING OPERATION
OUTPUT CURRENT TO 150mA WITHOUT
EXTERNAL PASS TRANSISTOR
ADJUSTABLE CURRENT LIMITING
DESCRIPTION
Plastic DIP-14
SO-14
The LM723 is a monolithic integrated

programmable voltage regulator, assembled in
14-lead dual in-line plastic and SO-14
micropackage. The circuit provides internal
current limiting. When the output current excedes
150mA an external NPN or PNP pass element
may be used. Provisions are made for adjustable
current limiting and remote shut-down.
BLOCK DIAGRAM
September 1998
1/12
LM723
Symbol
Parameter
Value
Unit
LM723
LM723C
Vi
DC Input Voltage
40
40
V i-o
Dropout Voltage
40
40
Io
Output Current
150
150
mA
I ref
Current from Vref
15
25
mA
To p
Operating Temperature
-55 to 125
0 to 70
T stg
Storage Temperature
-65 to 150
-65 to 150
150
125
Plastic DIP-14
SO-14
Tj
Junction Temperature

Symbol
Parameter
R thj-a mb Thermal Resistance Junction-Ambient
Max
200
160
PIN CONNECTION (top views)
ORDER CODES
Type
Plastic DIP-14
SO-14
LM723
LM723C
LM723N
LM723CN
LM723CD
TEST CIRCUIT (pin configuration relative to the plastic package)
Vi = 12V
Vo = 5V
Io = 1mA
R1/R2 10K
2/12
Unit
o
C/W
LM723
ELECTRICAL CHARACTERISTICS FOR LM723 (refer to the test circuits, Tamb = 25 oC,
unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
V o/V i Line Regulation
Vo /V o Load Regulation
Test Conditions
Min.
Vi = 12 to 15V
Vi = 12 to 40V
Vi = 12 to 15V
-55 C Tamb 125 C
Io = 1 to 50 mA
Io = 1 to 10 mA
-55 C Tamb 125 C
V REF
Reference Voltage
Iref = 160 A
SVR
f = 100 Hz to 10 KHz
6.95
Typ.
Max.
Unit
0.01
0.02
0.1
0.2
0.3
%
%
%
0.03
0.15
0.6
%
%
7.15
7.35
74
86
Cref = 0
Cref = 5 F
V o /T Output Voltage Drift

I sc
Output Current Limit
Vi
Input Voltage Range
Vo
Output Voltage Range
150
65
Rsc = 10 Vo = 0
Id
Quiescent Current
K VH
Long Term Stability
eN
Output Noise Voltage
40
37
38
mA
Vi = 30 V Io = 0 mA
2.3
BW = 100 Hz to 10 KHz
ppm/ oC
mA
9.5
V o -V i
V
dB
dB
Cref = 0
Cref = 5 F
0.1
%/1000
hrs
20
2.5
V
V
ELECTRICAL CHARACTERISTICS FOR LM723C (refer to the test circuits, Tamb = 25 oC,
unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
V o/V i Line Regulation
Vo /V o Load Regulation
Test Conditions
Min.
Vi = 12 to 15V
Vi = 12 to 40V
Vi = 12 to 15V
0oC Tamb 70oC
Io = 1 to 50 mA
Io = 1 to 10 mA
0 C Tamb 70 C
V REF
Reference Voltage
Iref = 160 A
SVR
Typ.
Max.
Unit
0.01
0.1
0.1
0.5
0.3
%
%
%
0.03
0.2
0.6
%
%
7.15
7.5
6.8
74
86
Cref = 0
Cref = 5 F
V o /T Output Voltage Drift

I sc
Output Current Limit
Vi
Input Voltage Range
Vo
Output Voltage Range
150
65
Rsc = 10 Vo = 0
V o -V i
Id
Quiescent Current
K VH
Long Term Stability
eN
Output Noise Voltage
Vi = 30 V Io = 0 mA
ppm/ oC
mA
9.5
40
37
38
mA
2.3
Cref = 0
Cref = 5 F
V
dB
dB
0.1
%/1000
hrs
20
2.5
V
V
3/12
LM723
Figure 1 : Maximum Output Current vs. Voltage
Drop.
Figure 2 : Current Limiting Characteristics.
Figure 3 : Current Limiting Characteristics vs.

Junction Temperature.
Figure 4 : Load Regulation Characteristics

without Current Limiting.
Figure 5 : Load Regulation Characteristics with

Current Limiting.
Figure 6 : Load Regulation Characteristics with

Current Limiting
4/12
LM723
Figure 7 : Line Regulation vs. Voltage Drop.
Figure 8 : Load Regulation vs. Voltage Drop.
Figure 9 : Quiescent Drain Current vs. Input

Voltage.
Figure 10 : Line Transient Response.
Figure 11 : Load Transient Response.
Figure 12 : Output Impedance vs. Frequency.
5/12
LM723
TABLE 1: Resistor Values (K) for standard Output Voltages
Output
Voltage
Applicable Figures
+3
Fixed Output 5%
Output Adjustable 10% *
R1
R2
R1
P1
R2
13, 16, 17, 18, 21, 23
4.12
3.01
1.8
0.5
1.2
+5
13, 16, 17, 18, 21, 23
2.15
4.99
0.75
0.5
2.2
+6
13, 16, 17, 18, 21, 23
1.15
6.04
0.5
0.5
2.7
+9
14, 16, 17, 18, 21, 23
1.87
7.15
0.75
2.7
+12
14, 16, 17, 18, 21, 23
4.87
7.15
+15
14, 16, 17, 18, 21, 23
7.87
7.15
3.3
+28
14, 16, 17, 18, 21, 23
21
7.15
5.6
+45
19
3.57
48.7
2.2
10
39
+75
19
3.57
78.7
2.2
10
68
+100
19
3.57
102
2.2
10
91
+250
19
3.57
255
2.2
10
240
-6**
15
3.57
2.43
1.2
0.5
0.75
-9
15
3.48
5.36
1.2
0.5
-12
15
3.57
8.45
1.2
0.5
3.3
-15
15
3.65
11.5
1.2
0.5
4.3
-28
15
3.57
24.3
1.2
0.5
10
-45
20
3.57
21.2
2.2
10
33
-100
20
3.57
97.6
2.2
10
91
-250
20
3.57
249
2.2
10
240
Note:
* Replace R1/R2 divider with the circuit of fig24.
** V+ must be connected to a +3V or greater supply.
TABLE 2: Formulae for Intermediate Output Voltages

Outputs from +2 to +7V
Fig.13, 16, 17, 18, 21, 23
R2
V O = [ Vref x
]
R1 + R2
Outputs from +4 to +250V

Fig.19
Vr ef R2 R 1
x
; R3 = R 4
VO =
R1
2
Current Limiting
O utputs from +7 to +37V

F ig.14, 16, 17, 18, 21, 23
R1 + R2
V O = [ Vref x
]
Outputs from -6 to -250V

Fig.15, 20
Vr ef R1 + R 2
; R = R4
VO =
x
R1 3
2
Foldback Current Limiting

VO R3 VSENSE (R3 + R4)
IKNEE =
x
R sc R4
R sc R4
R2
I LIMI T =
I SHORT
6/12
CKT
VSENSE
R sc
VSENSE R 3 + R4
=
x
R4
Rsc
LM723
APPLICATION INFORMATION (pin numbers relative to the plastic package).
Figure 13 : Basic Low Voltage Regulator
(Vo = 2 to 7V).
R1 R2
for minimum temperature drift.
R1 + R2
R3 may be eliminated for minimum component count.
Typical performance
Regulated Output Voltage.......................... ................. .........5V
Line Regulation (Vi = 3V) ......................... ................. ...0.5mV
Load Regulation (IO = 50mA) ................... ................. ... 1.5mV
Note; R3 =
Figure 15 : Negative Voltage Regulator.
Typical performance
Regulated Output Voltage .................... ............... ...............15V
Line Regulation (Vi = 3V)............. ................. ................. ..1mV
Load Regulation (IO = 100mA) ..................... ................. ..2mV
Figure 14 : Basic High Voltage Regulator

(Vo = 7 to 37V).
R1 R2
for minimum temperature drift.
R1 + R2
R3 may be eliminated for minimum component count.
Typical performance
Regulated Output Voltage......................... ................. ........ 15V
Line Regulation (Vi = 3V).............. ................. .............. 1.5mV
Load Regulation (IO = 50mA).................. ................. .... 4.5mV
Note; R3 =
Figure 16 : Positive Voltage Regulator (external
Typical performance
Regulated Output Voltage............... ................. ............... + 15V
Line Regulation (Vi = 3V)........................ ................. .... 1.5mV
Load Regulation (IO = 1A)............. ................. ............... 15mV
7/12
LM723
APPLICATION INFORMATION (continued).
Figure 17 : Positive Voltage Regulator (External
PNP Pass Transistor)
Typical performance
Regulated Output Voltage.......................... ................. .........5V
Line Regulation (Vi = 3V) ......................... ................. ...0.5mV
Load Regulation (IO = 1 A) .................. ............... ..........1.5mV
Figure 19 : Positive Floating Regulator
Typical performance
Regulated Output Voltage .................... ............... ............100 V
Line Regulation (Vi = 20V)............................ ............... 15 mV
Load Regulation (IO = 50mA) ....................... ............ ... 20 mV
8/12
Figure 18 : Foldback current limiting
Typical performance
Regulated Output Voltage......................... ................. ......... 5 V
Line Regulation (Vi = 3V).............. ................. .............. 0.5mV
Load Regulation (IO = 10mA).................. ................. ....... 1mV
Current Limit Knee..................... ............... ................. ....20 mA
Figure 20 : Negative Floating Regulator
Typical performance
Regulated Output Voltage............... ................. ............ - 100 V
Line Regulation (Vi = 20V)...................... ................. .... 30 mV
Load Regulation (IO = 100 mA)............... ................. .... 20 mV
LM723
APPLICATION INFORMATION (continued).
Figure 21 : Positive Switching Regulator
Figure 22 : Remote Shutdown Regulator With

Current Limiting
Note: current limi t transistor may be used for shutdown if

current limiting is not required.
Typical performance
Regulated Output Voltage.......................... ................. ........5 V
Line Regulation (Vi = 30 V) ........................... ............... 10 mV
Load Regulation (IO = 2 A) .................. ............... ..........80 mV
Figure 23 : Shunt Regulator.
Typical performance
Regulated Output Voltage......................... ................. ......... 5 V
Line Regulation (Vi = 3 V) ....................... ................. ... 0.5 mV
Load Regulation (IO = 50 mA)............ ................. ........ 1.5 mV
Figure 24 : Output Voltage Adjust
Typical performance
Regulated Output Voltage .................... ............... ................5 V
Line Regulation (Vi = 10 V)................. ............... .............2 mV
Load Regulation (IO = 100 mA) ............... ................. ......5 mV
9/12

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Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

AUTOR: Oscar Fernndez - Pacheco Gmez .

FECHA: Agosto 2002.

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

NDICE MEMORIA DESCRIPTIVA

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

El campo de la electrnica de potencia tiene que ver con el procesado de

Por consiguiente, la prdida de potencia en el convertidor es:

y se debe a elementos resistivos, elementos capacitivos, dispositivos magnticos

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

rendimientos entre el 60% y 90%; frente a las lineales que tienen un

generacin de EMI (emisin electromagntica) tanto conducida como

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

El convertidor a estudiar en este proyecto es un convertidor reductor Buck

Figura 1.1.3. Configuracin Buck tpica

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

De lo que trata este proyecto es de estudiar la posibilidad de introducir un

Figura 1.1.4. Configuracin Buck con rectificacin sncrona

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

OBJETIVO DEL PROYECTO

El objetivo principal de este proyecto es el de disear y construir fsicamente

El estudio del prototipo proporcionar una serie de resultados de

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Hasta el presente, los convertidores de este tipo, se han dedicado hacia el

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

DESCRIPCIN Y FUNCIONAMIENTO DEL CIRCUITO

La planta del prototipo no es mas que una configuracin de convertidor

C18 C20 C21 C22 C23 C24

Figura 1.4.1. Planta del prototipo.

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Circuito de retardo generador de dead time

En muchos convertidores de altas prestaciones, es necesaria la sincronizacin

Tabla 1.4.1. Funcin NOR para dos entradas

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Funcionamiento del circuito:

Figura 1.4.2. Circuito generador de dead time

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Como resultado de simular el circuito generador de dead-time se ha obtenido

Figura 1.4.3. Canal 1 PWM original

El siguiente regulador de tensin ha sido diseado para poder alimentar

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

El diseo es bastante simple. La resistencia R28 hace posible la polarizacin

Figura 1.4.4. Regulador de tensin

Vinmin Vz 33V 15V

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

margen aceptable y soportable por un diodo Zener de Vz = 15 V.

Para realizar un control de tipo corriente media [4] en un convertidor es

Impedancia efectiva en el primario =

Impedancia efectiva en el primario =

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Estos 2 m equivalen a un 10 % de la impedancia generada por el MOSFET

Figura 1.4.5. Sensado de corriente

Figura 1.4.5.bis Rectificacin y filtro de la onda de corriente

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

Regulador de tensin usando el CI723

Se ha diseado un regulador de tensin usando un CI723 en su configuracin

Figura 1.4.6. Regulador de tensin de precisin.

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

El driver IR2110 es un integrado bastante usado comercialmente para

Convertidor Reductor con Rectificacin Sncrona

El regulador de PWM es el integrado que va a permitir configurar la

Figura 1.4.8. Regulador de PWM (Modulador de Anchura de pulsos).