UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

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ÁREA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

QUINTO LABORATORIO:

CURVAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR

2020-I
Realizado por:

Ayala Aguado, Victor Raúl (20170320K)

Flores Vivas, Andrés ()
Aguilar Zavaleta, Daniel ()
Trabajo realizado en:
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA
___________________________
Supervisado por:
Ing. Córdova Bernuy Victor
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CURVAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR

Ayala Aguado Victor Raúl, Fellow, Flores Vivas Andrés, Fellow, Aguilar Zavaleta Daniel, Fellow.
Resumen—Neste relatório iremos detalhar o funcionamento do
transistor, um dos dispositivos eletrônicos mais importantes,
explicaremos seu funcionamento, configurações, principais
características, curvas características, condições de
polarização, utilizando gráficos gerados na simulação.
Palabras clave—Transistor bipolar, polarización, base,
colector, emisor.
I. INTRODUCCIÓN
bipolar porque la carga en el dispositivo es
transportada por dos portadores de diferente polaridad
(huecos y electrones). A menudo, el BJT se designa
simplemente como transistor. Dispone de tres
terminales, conocidas como emisor (E), base (B) y
colector (C). En las figuras (c) y (d) se muestran los

El transistor es el componente semiconductor símbolos. La dirección de la flecha en el emisor

probablemente más importante de la electrónica determina si el transistor es de tipo npn o pnp, como

actual, se dice que fue el componente que marco el se ilustra en las figuras (c) y (d).

verdadero inicio de la revolución electrónica, puesto

que ha sido el punto de partida para la invención de la
mayoría de los dispositivos que hoy conocemos
(radios, televisores, reproductores de audio, video,
computadoras, teléfonos), entre algunas de sus
características más importantes están la de • Polarización de un BJT:
conmutador o switch y amplificador de señal.
Al utilizar un transistor para amplificar cl voltajc (o la
II. FUNDAMENTO TEÓRICO corriente), se tiene que polarizar el dispositivo. Las
• Transistor Bipolar (BJT): razones principales para la polarización son activar el
dispositivo y, en particular, situar el punto de
El transistor de unión bipolar (BJT), desarrollado en
operación cn la región característica donde el
los años sesenta, fue el primer dispositivo utilizado
dispositivo opera con mayor linealidad, de modo que
para amplificar señales. Consiste en un cristal de
cualquier cambio en la señal de entrada provoque un
silicio (o germanio) al cual se le han agregado
cambio proporcional en la señal de salida. En la
impurezas, de modo tal que queda intercalada una
práctica, normalmente se utiliza una fuente de cd fiJa,
capa de silicio tipo p (o tipo n) entre dos capas de
y los elementos del circuito se seleccionan para
silicio tipo n (o tipo p). Por consiguiente, existen dos
polarizar las uniones colectorbase y cmisor-base con
tipos de transistores: npn y pnp. Las estructuras
la magnitud y polaridad apropiadas. Existen muchos
básicas de los transistores npn y pnp se muestran en
tipos de cit. cuitos dc polarización; el más utilizado sc
las figuras (a) y (b). Un BJT puede verse como dos
ilustra en la figura (a).
uniones pn conectadas una contra otra. Se le llama
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actúa como elemento común a los circuitos de entrada
y salida. Observe que en este modo de conexión, las
señaes de entrada y salida siempre están en oposición
de fase.

• Configaraciones básicas del transistor

Configuración en Base Común:

En la figura se muestra un amplificador base comú

práctico. La señal se inyecta al emisor a través de Ci y
se extrae amplificada por colector vía Co. La base,
conectada dinámicamente a tierra a través de Cb,
actúa como elemento común a los circuitos de entrada
y de salida. Las señales de entrada y salida siempre
están en fase.
Configuración de Colector Común:
En la figura se muestra un amplificador colector
común práctico. La señal se introduce por la base a
través de Ci y se extrae por el emisor vía Co. El
colector, conectado dinámicamente a tierra a través de
Ce, actúa como elemento común a los circuitos de
entrada y salida. Las señales de entrada y salida
siempre están en fase.

Configuración en Emisor Común:

En la figura se muestra un amplificador emisor común

práctico. La señal se inyecta a la base a través de Ci y
se recibe amplificada del colector vía Co. El emisor,
conectado dinámicamente a tierra a través de Ce,
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PUNTO DE OPERACIÓN

El término polarización es un vocablo que incluye III. CUESTIONARIO

todo lo referente a la aplicación de voltajes de cd para 1)Hacer los cálculos empleando simuladores.
establecer un nivel fijo de corriente y voltaje. Para
amplificadores de transistor, el voltaje y la corriente
de cd resultantes establecen un punto de operación
sobre las características, el cual define la región que se
empleará para la amplificación de la señal aplicada.
Ya que el punto de operación es un punto fijo sobre
las características, se le conoce también como punto
quiesciente. Por definición, quiesciente significa
quieto, inmóvil, inactivo. La Figura 9 muestra una
característica general de salida de un dispositivo con Para IB = 40uA, β=187.636
cuatro puntos de operación indicados. El circuito de
VCE (V) IC (mA) IC (mA)
polarización puede diseñarse para establecer la Teórico
0.2 5.505 7.505
operación del dispositivo en cualquiera de estos
0.5 7.532 7.505
puntos o en otros dentro de la región activa. 1 7.572 7.505
2 7.649 7.505
3 7.725 7.505
4 7.802 7.505
5 7.875 7.505
6 7.949 7.505
7 8.025 7.505
8 8.098 7.505
9 8.175 7.505
10 8.249 7.505

I C vs V CE (I B =40uA)
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0 2 4 6 8 10 12
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Para IB = 80uA, β=187.636
VCE (V) IC (mA) IC (mA) IB (uA) IC (mA) β
Teórico 2 0.333 166.5
0.2 10.727 7.505
5 0.9 180
0.5 15.233 7.505
1 15.315 7.505 10 1.877 187.7
2 15.468 7.505 20 3.863 193.15
3 15.62 7.505 30 5.861 195.366667
4 15.771 7.505 40 7.874 196.85
5 15.92 7.505 50 9.887 197.74
6 16.081 7.505
60 11.895 198.25
7 16.231 7.505
8 16.388 7.505 70 13.915 198.785714
9 16.535 7.505 80 15.92 199
10 16.693 7.505 90 17.931 199.233333
100 19.941 199.41

I C vs V CE (I B =80uA)
I B (uA) vs I C (mA) (V CE =5v)
18
16 25
14
20
12
10 15
8
6 10
4
5
2
0 0
0 2 4 6 8 10 12 0 20 40 60 80 100 120

β vs I C (mA)
205
200
195
190
185
180
175
170
165
160
0 5 10 15 20 25
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Para VCE=5v

IB (uA) VBE (V)

10 0.6581
20 0.6777
30 0.6897
40 0.6985
50 0.7057
60 0.7118
70 0.7171
80 0.7219
90 0.7263
100 0.7304
110 0.7342
120 0.7378

I B vs V BE
140
120
100
80
60
40
20
0
0.64 0.66 0.68 0.7 0.72 0.74 0.76