Memorias PROM, EPROM y Flash

le Read-Only Memory o ROM

El término PROM significa Programmab

programable. Es una memoria digital donde el valor de cada bit depende del

estado de un fusible, que puede ser quemado una sola vez. Por esto la

memoria puede ser programada o pueden ser escritos los datos una sola vez a

través de un dispositivo especial, llamado programador PROM. Su contenido

puede ser leído por el usuario pero no modificado.

Estas memorias son utilizadas para grabar datos permanentes en

cantidades menores a las ROMs, o cuando los datos deben cambiar en muchos

o todos los casos. Pequeñas PROM se usan como generadores de funciones,

normalmente en conjunción con un multiplexor para el estudio de los sistemas

de inyección automotrices, también es importante conocer este concepto.

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Figura 17. Memoria Prom.

Fuente: http://www.solarisdigital.com

le Programmable ROM) , cualquier

rción puede borrarse exponiéndola a una luz ultravioleta y luego

reprog

ás modernos incorporan en sus sistemas memorias

lash, por lo que se describirán brevemente. La memoria flash es una forma

evoluc

En la memoria EPROM (Erasab

po

ramarse. La EEPROM o EAROM (Electrically Alterable ROM) es una

memoria de solo lectura reprogramable eléctricamente sin necesidad de

extraerlas de la tarjeta del circuito. Estas memorias suelen denominarse RMM

(read mostly memories), memorias de casi-siempre lectura, ya que no suelen

modificarse casi nunca, pues los tiempos de escritura son significativamente

mayores que los de lectura. Son adecuadas para situaciones en las que las

operaciones de escritura existen, pero son mucho menos frecuentes que las de

lectura.

Los Automóviles m

ionada de la memoria EEPROM que permite que múltiples posiciones de

memoria sean escritas o borradas en una misma operación de programación

mediante impulsos eléctricos, frente a las anteriores que sólo permite escribir o

borrar una única celda cada vez.

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Por ello, estas memorias permi n funcionar a velocidades muy

superiores cuando los sistemas emplean lectura y escritura en diferentes puntos

de est

tipo no volátil , ya que la información que

almacena no se pierde en cuanto se desconecta de la corriente, una

caract

d de transferencia de estas tarjetas, al igual que la capacidad

e las mismas, se ha ido incrementando progresivamente. La nueva generación

de tarj

y características muy

n, además, características como gran resistencia a los golpes y

on muy silencioso, ya que no contiene ni actuadores mecánicos ni partes

móvile

mente entre 10.000 y un millón,

depen

te

a memoria al mismo tiempo.

Las memorias flash son de

erística muy valorada para la multitud de usos en los que se emplea este
tipo de memoria.

La velocida

etas permitirá velocidades de hasta 7-30 MB/s.

El coste de estas memorias es muy bajo respecto a otro tipo de memorias

similares como EEPROM y ofrece rendimientos

superiores.

Ofrece

s. Su pequeño tamaño también es un factor determinante a la hora de

escoger para un dispositivo portátil, así como su ligereza y versatilidad para

todos los usos hacia los que está orientado.

Sin embargo, todos los tipos de memoria flash sólo permiten un número

limitado de escrituras y borrados, general

diendo de la celda, de la precisión del proceso de fabricación y del voltaje

necesario para su borrado.

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Este tipo de memoria está fabricado con puertas lógicas NOR y NAND

para almacenar los 0’s ó 1’s correspond ntes. Actualmente hay una gran

divisió

plo JFFS originalmente para NOR,

evoluc

os de tarjetas de memoria. Esto permite funcionar en

condic

s multinacionales dedicadas a la producción de hardware.

Tradic

ie

n entre los fabricantes de un tipo u otro, especialmente a la hora de elegir

un sistema de archivos para estas memorias. Sin embargo se comienzan a

desarrollar memorias basadas en ORNAND

Los sistemas de archivos para estas memorias están en pleno desarrollo

aunque ya en funcionamiento como por ejem

ionado a JFFS2 para soportar además NAND o YAFFS , ya en su

segunda versión, para NAND. Sin embargo, en la práctica se emplea un

sistema de archivos FAT por compatibilidad, sobre todo en las tarjetas de

memoria extraíble.

Otra característica de reciente aparición ha sido la resistencia térmica de

algunos encapsulad

iones extremas de temperatura como desiertos o lugares donde hay

nieve ya que el rango de temperaturas soportado abarca desde los menos 25

ºC hasta los 85 ºC.

Existen varios estándares de encapsulados promocionados y fabricados

por la mayoría de la

Las memorias flash, como una variante de EEPROM son, un arreglo de

celdas con un transistor evolucionado con dos puertas en cada intersección

ionalmente sólo almacenan un bit de información. Las nuevas memorias

flash, llamadas también dispositivos de celdas multi-nivel, pueden almacenar

más de un bit por celda variando el número de electrones que almacenan.