MMANTENIMIENTO Y

REPARACION DE
COMPUTADORES
Guía de trabajo 03

Universidad Santiago de Cali
Facultad de ingeniería
Prof: Ing. Edwin J. Ortega Z.
Colombia 2015

Memorias
Ing. Edwin J. Ortega Z.

Memorias
Según la RAE la memoria es un Dispositivo físico, generalmente electrónico, en el que se almacenan
datos e instrucciones para recuperarlos y utilizarlos posteriormente. De acuerdo a la anterior
definición podemos definir la memoria como cualquier dispositivo capaz de almacenar datos para su
posterior uso.

Clasificación de las memorias.

Ópticas
Discos
Magnéticas
Cintas

Registros de
desplazamiento
Memorias
Acceso secuencial

Chips acoplados
por carga

LIFO
FIFO

ROM
Semiconductoras
PROM
Solo lectura
EPROM

EEPROM
Acceso Aleatorio

DRAM

Lectura escritura

SDRAM

FLASH

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Memorias
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Memorias Magnéticas
Las memorias magnéticas usan diferentes patrones de magnetización sobre una superficie cubierta
con una capa magnetizada para almacenar la información. Las memorias magnéticas son no volátiles.
Se llega a la información usando uno o más cabezales de lectura/escritura. 1
Memorias Ópticas
Las memorias en disco óptico almacenan información usando agujeros minúsculos grabados con un
láser en la superficie de un disco circular. La información se lee iluminando la superficie con un diodo
láser y observando la reflexión.
Memorias Semiconductoras
Usa circuitos integrados basados en semiconductores para almacenar
información. Un chip de memoria de semiconductor puede contener
millones de minúsculos transistores o condensadores.
Memoria aleatoria
Se llaman memorias de acceso aleatorio a todas aquéllas que permiten
su acceso a cualquiera de sus posiciones de almacenamiento, ya sea
para leer o escribir datos. 2
Memoria secuencial
Las memorias de acceso son memorias en la cuales para acceder a un registro en particular se tienen
que leer registro por registro desde el inicio hasta alcanzar el registro particular que contiene el dato
que se requiere.
Memoria Volátil.
La memoria volátil es aquella memoria cuya información se pierde al interrumpirse el flujo de
corriente eléctrica.
Memoria no Volátil.
La memoria no volátil es aquella memoria cuya información permanece aunque se interrumpa el flujo
de corriente eléctrica.
Memoria de Lectura y Escritura
Son las memorias que permiten que la información almacenada en ellas se pueda leer y reescribir en
cualquier momento sin tratamientos o procesos diferentes al de lectura.

1

Como el cabezal de lectura/escritura solo cubre una parte de la superficie, el almacenamiento magnético es de
acceso secuencial y debe buscar, dar vueltas o las dos cosas.
2
El concepto de aleatoriedad en el acceso no debe confundirse con el hecho de que la memoria permita la
modificación de los datos.
Las memorias de sólo lectura (ROM) permiten un acceso aleatorio a sus datos al igual que la memoria RAM, y
aunque esta última, que sí permite la grabación de datos, se llame Memoria de Acceso Aleatorio, no monopoliza
esta característica de acceso.

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Memorias
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Memoria de Solo Lectura
Son aquellas Memorias que contienen instrucciones o datos que se pueden leer pero no modificar.
Algunos tipos de memoria de solo lectura permiten su borrado y reescritura pero requieren de
configuraciones o tratamientos especiales, además son de tipo no volátil lo que significa que la
información almacenada en ellas permanece aun sin fuente de alimentación de corriente.3
Memoria Dinámica de Acceso Aleatorio
La DRAM se usa generalmente como memoria principal de sistemas de computo. Se denomina
dinámica, ya que para mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada
cierto período, en un ciclo de refresco. Su principal ventaja es la posibilidad de construir memorias
con una gran densidad de posiciones y que todavía funcionen a una velocidad alta
Memoria Estática de Acceso Aleatorio
Llamada SRAM4 es un tipo de memoria basada en semiconductores que a diferencia de la memoria
DRAM, es capaz de mantener los datos (mientras esté alimentada) sin necesidad de circuito de
refresco (no se descargan). Sin embargo, sí son memorias volátiles, es decir que pierden la
información si se les interrumpe la alimentación eléctrica. Debido al alto coste de fabricación de la
SRAM y a su alta velocidad, su uso más común está en la memoria caché de los computadores.
Memoria FLASH
Memoria derivada de la EEPROM, permite la lectura y escritura de múltiples posiciones de memoria
en la misma operación. Gracias a ello, la tecnología flash, siempre mediante impulsos eléctricos,
permite velocidades de funcionamiento muy superiores frente a la tecnología EEPROM primigenia,
que sólo permitía actuar sobre una única celda de memoria en cada operación de programación. Se
trata de la tecnología empleada en los
dispositivos
pendrive,
cámaras
fotográficas, celulares etc.5
Memoria ROM
Es un medio de almacenamiento
utilizado en ordenadores y dispositivos
electrónicos, que permite sólo la lectura
de la información y no su escritura,
independientemente de la presencia o
no de una fuente de energía. Estas
memorias se fabrican con los datos
almacenados de forma permanente, y
por lo tanto, su contenido no puede ser
modificado de ninguna forma.
Celdas de memoria ROM
3 Las
4

memorias de solo lectura aunque no sean llamadas memorias RAM, también son son de acceso aleatorio.
No debe ser confundida con la SDRAM (Syncronous DRAM).

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En comparación con los discos duros convencionales, las tarjetas de memoria flash resultan ser bastante
caras, ya se eleva la relación precio-capacidad de almacenaje.

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Memoria PROM
Es una memoria digital donde el valor de cada bit depende del estado de un fusible que puede ser
quemado una sola vez. Por esto la memoria puede ser programada (pueden ser escritos los datos) una
sola vez a través de un dispositivo especial, un programador PROM.
Memoria EPROM
Su nombre proviene del ingles Erasable
Programmable Read-Only Memory (ROM
programable borrable). Es una memoria no volátil
que puede ser borrada y reprogramada. Una vez
programada, una EPROM se puede borrar
solamente mediante exposición a una fuerte luz
ultravioleta. Esto es debido a que los fotones de la
luz excitan a los electrones de las celdas provocando
que se descarguen. Las EPROMs se reconocen
fácilmente por una ventana transparente en la parte
alta del encapsulado, a través de la cual se puede ver
el chip de silicio y que admite la luz ultravioleta durante el borrado.
Memoria EEPROM
Es un tipo de memoria ROM que puede ser programado, borrado y reprogramado eléctricamente, a
diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante un aparato que emite rayos ultravioletas.
Aunque una EEPROM puede ser leída un número ilimitado de veces, sólo puede ser borrada y
reprogramada entre 100.000 y un millón de veces.6

Memorias RAM
La memoria RAM (Random
Access Memory Module o
memoria de acceso aleatorio) es
un tipo de memoria que utilizan
los sistemas microprocesados
para almacenar los datos y
programas a los que necesita
tener un rápido acceso. Se trata de
una memoria de tipo volátil, es
decir, que se borra cuando
apagamos el ordenador.

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Las memorias EEPROM son las predecesoras a las memorias tipo flash donde la diferencia radica en que las
memorias flash pueden ser leídas y escritas parcialmente mientras las EEPROM deben ser borradas en
totalidad y ser reprogramadas.

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Estructura

La memoria RAM consta de varios registros, cada uno de los cuales almacena una sola palabra de
datos y tiene una dirección única. Las RAMS comúnmente vienen con capacidades de palabras de
1K, 4K, 8K, 16K, 64K, 128K, 256K, y 1024K, y tamaños de palabras de 1, 4, u 8 bits. La capacidad
de las palabras y el tamaño de estas puede extenderse combinando circuitos integrados de memoria.
Operación de lectura. El código de dirección selecciona un registro del circuito de memoria para
leer o escribir. A fin de leer el contenido de registro seleccionado, la entrada lectura/escritura (R/-W)
debe ser un 1. además, la entrada (CS) selección de CI debe ser activada (un 0 de este caso). La
combinación de R/-W es igual a 1 y CS es igual a 0 habilita los buffers de salida de manera que el
contenido de registro seleccionado aparecerá en las cuatro salidas de datos. R/-W igual a 1 también
deshabilita los buffers de entrada de manera que las entradas de datos no afecten la memoria durante
la operación de lectura.
Operación de escritura. Para escribir una nueva palabra de cuatro bits en el registro seleccionado se
requiere que R/-W igual a 0 y CS igual 0. esta combinación habilita los buffers de entrada de manera
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que la palabra de cuatro bits aplicada a las entradas de datos se cargara en el registro seccionado. R/W igual a 0 también deshabilita los buffers de salida que son de tres estados, de manera que las salidas
de datos se encuentran en el estado de alta-z, durante una operación de escritura. La operación de
escritura, desde luego, destruye la palabra que antes estaba almacenada en la dirección
Selección de CI. Muchos circuitos de memoria tienen una o mas entradas CS que se usan para
habilitar o deshabilitar el circuito en su totalidad. En el modo deshabilitado todas las salidas y entradas
de datos se deshabilitan (alta-z) de manera que no puede tener lugar no la operación de lectura ni de
escritura. En este modo en contenido de la memoria no se afecta. La razón para tener entradas CS
será más clara cuando se combinen CI de memoria para tener mayores memorias. Observe que
muchos fabricantes llaman a estas entradas CE (habilitación de circuito). Cuando las entradas CS o
CE se encuentran en un estado activo, se dice que el CI de memoria a sido seleccionado; de otro modo
se dice que no está seleccionado.
Muchos CI de memoria están diseñados para consumir una potencia mucho menor cuando no están
seleccionados. En sistemas de memoria grandes, para una operación dada de memoria, serán
seleccionados una o más CI de memoria mientras que los demás no.
Terminales comunes de entrada/ salida. A fin de conservar terminales en un encapsulado de CI,
los fabricantes a menudo combinan los funciones de entradas y salida de datos utilizando terminales
comunes de entrada/salida. La entrada R/-W controla la función de estas terminales E/S. Durante una
operación de lectura, las terminales de entrada y salida actúan como salida de datos que reproducen
el contenido de la localidad de dirección seleccionada.
Durante una operación de escritura, las terminales de S/E actúan como entrada de datos. A las cuales
se aplican los datos al ser escritos
Memorias DIMM y SIMM
SIMM (siglas de Single In-line Memory Module), es un
formato para módulos de memoria RAM que consisten en
placas de circuito impreso sobre las que se montan los
integrados de memoria DRAM. Estos módulos se inserta en
zócalos sobre la placa base. Los contactos en ambas caras
están interconectados. Fueron muy populares desde
principios de los 80 hasta finales de los 90.
DIMM son las siglas de «Dual In-line Memory Module» y
que podemos traducir como Módulo de Memoria en línea
doble. Son módulos de memoria RAM utilizados en
ordenadores personales. Se trata de un pequeño circuito impreso que contiene chips de memoria y se
conecta directamente en ranuras de la placa base. Los módulos DIMM son reconocibles externamente

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por poseer sus contactos (o pines) separados en ambos lados, a diferencia de los SIMM 7 que poseen
los contactos de modo que los de un lado están unidos con los del otro.

Tipos de memorias DIMM
SDR
SDRAM:
Originalmente
conocido
simplemente como DIMM, solo puede aceptar un
comando y la transferencia de una palabra de datos
por ciclo de reloj. Las frecuencias de reloj típicas son
66, 100 y 133 MHz. 8 Chips están hechos con una
variedad de tamaños de bus de datos (el más común
4, 8 ó 16 bits), pero los chips son generalmente
montados en módulos DIMMs de 168-pines que leen
o escriben 64 o 72 bits a la vez y velocidades
máximas de transferencia de 2133 MB/s

DDR SDRAM: (Double Data Rate) significa doble
tasa de transferencia de datos en español. Son
módulos de memoria RAM compuestos por
memorias síncronas (SDRAM), disponibles en
encapsulado DIMM, que permite la transferencia de
datos por dos canales distintos simultáneamente en un mismo ciclo de reloj. Los módulos DDR
soportan una capacidad máxima de 1 GiB. Los chips DDR son montados en modulos de 184 contactos
con frecuencias de reloj desde 100 hasta 266 Mhz y velocidades máximas de transferencia de 4264
MB/s
DDR2 SDRAM: Las memorias DDR2 son una mejora de las memorias DDR (Double Data Rate),
que permiten que los búferes de entrada/salida trabajen al doble de la frecuencia del núcleo,
permitiendo que durante cada ciclo de reloj se realicen cuatro transferencias. Montado en modulos de
de 240 contactos con velocidades de reloj desde 100 hasta 400 Mhz y velocidades máximas de
transferencia de 9600 MB/s
DDR3 SDRAM: tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector
especial de 240 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). También se les
denomina DIMM tipo DDR3, debido a que cuentan con conectores físicamente independientes por
ambas caras como el primer estándar DIMM. Con velocidades de bus desde 133 hasta 250 Mhz y
velocidades máximas de transferencia de 16000 MB/s
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Las memorias DIMM comenzaron a reemplazar a las SIMM como el tipo predominante de memoria cuando
los microprocesadores Intel Pentium dominaron el mercado.
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No se debe confundir la frecuencia de reloj con el front-side bus. El FSB bus incluye señales de datos,
direcciones y control, así como señales de reloj que sincronizan el funcionamiento de los dispositivos en
sistemas microprocesados.

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