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MMANTENIMIENTO Y

REPARACION DE
COMPUTADORES
Gua de trabajo 03

Universidad Santiago de Cali


Facultad de ingeniera
Prof: Ing. Edwin J. Ortega Z.
Colombia 2015

Memorias
Ing. Edwin J. Ortega Z.

Memorias
Segn la RAE la memoria es un Dispositivo fsico, generalmente electrnico, en el que se almacenan
datos e instrucciones para recuperarlos y utilizarlos posteriormente. De acuerdo a la anterior
definicin podemos definir la memoria como cualquier dispositivo capaz de almacenar datos para su
posterior uso.

Clasificacin de las memorias.

pticas
Discos
Magnticas
Cintas

Registros de
desplazamiento
Memorias
Acceso secuencial

Chips acoplados
por carga

LIFO
FIFO

ROM
Semiconductoras
PROM
Solo lectura
EPROM

EEPROM
Acceso Aleatorio

DRAM

Lectura escritura

SDRAM

FLASH

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Memorias
Ing. Edwin J. Ortega Z.

Memorias Magnticas
Las memorias magnticas usan diferentes patrones de magnetizacin sobre una superficie cubierta
con una capa magnetizada para almacenar la informacin. Las memorias magnticas son no voltiles.
Se llega a la informacin usando uno o ms cabezales de lectura/escritura. 1
Memorias pticas
Las memorias en disco ptico almacenan informacin usando agujeros minsculos grabados con un
lser en la superficie de un disco circular. La informacin se lee iluminando la superficie con un diodo
lser y observando la reflexin.
Memorias Semiconductoras
Usa circuitos integrados basados en semiconductores para almacenar
informacin. Un chip de memoria de semiconductor puede contener
millones de minsculos transistores o condensadores.
Memoria aleatoria
Se llaman memorias de acceso aleatorio a todas aqullas que permiten
su acceso a cualquiera de sus posiciones de almacenamiento, ya sea
para leer o escribir datos. 2
Memoria secuencial
Las memorias de acceso son memorias en la cuales para acceder a un registro en particular se tienen
que leer registro por registro desde el inicio hasta alcanzar el registro particular que contiene el dato
que se requiere.
Memoria Voltil.
La memoria voltil es aquella memoria cuya informacin se pierde al interrumpirse el flujo de
corriente elctrica.
Memoria no Voltil.
La memoria no voltil es aquella memoria cuya informacin permanece aunque se interrumpa el flujo
de corriente elctrica.
Memoria de Lectura y Escritura
Son las memorias que permiten que la informacin almacenada en ellas se pueda leer y reescribir en
cualquier momento sin tratamientos o procesos diferentes al de lectura.

Como el cabezal de lectura/escritura solo cubre una parte de la superficie, el almacenamiento magntico es de
acceso secuencial y debe buscar, dar vueltas o las dos cosas.
2
El concepto de aleatoriedad en el acceso no debe confundirse con el hecho de que la memoria permita la
modificacin de los datos.
Las memorias de slo lectura (ROM) permiten un acceso aleatorio a sus datos al igual que la memoria RAM, y
aunque esta ltima, que s permite la grabacin de datos, se llame Memoria de Acceso Aleatorio, no monopoliza
esta caracterstica de acceso.

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Memorias
Ing. Edwin J. Ortega Z.

Memoria de Solo Lectura


Son aquellas Memorias que contienen instrucciones o datos que se pueden leer pero no modificar.
Algunos tipos de memoria de solo lectura permiten su borrado y reescritura pero requieren de
configuraciones o tratamientos especiales, adems son de tipo no voltil lo que significa que la
informacin almacenada en ellas permanece aun sin fuente de alimentacin de corriente.3
Memoria Dinmica de Acceso Aleatorio
La DRAM se usa generalmente como memoria principal de sistemas de computo. Se denomina
dinmica, ya que para mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada
cierto perodo, en un ciclo de refresco. Su principal ventaja es la posibilidad de construir memorias
con una gran densidad de posiciones y que todava funcionen a una velocidad alta
Memoria Esttica de Acceso Aleatorio
Llamada SRAM4 es un tipo de memoria basada en semiconductores que a diferencia de la memoria
DRAM, es capaz de mantener los datos (mientras est alimentada) sin necesidad de circuito de
refresco (no se descargan). Sin embargo, s son memorias voltiles, es decir que pierden la
informacin si se les interrumpe la alimentacin elctrica. Debido al alto coste de fabricacin de la
SRAM y a su alta velocidad, su uso ms comn est en la memoria cach de los computadores.
Memoria FLASH
Memoria derivada de la EEPROM, permite la lectura y escritura de mltiples posiciones de memoria
en la misma operacin. Gracias a ello, la tecnologa flash, siempre mediante impulsos elctricos,
permite velocidades de funcionamiento muy superiores frente a la tecnologa EEPROM primigenia,
que slo permita actuar sobre una nica celda de memoria en cada operacin de programacin. Se
trata de la tecnologa empleada en los
dispositivos
pendrive,
cmaras
fotogrficas, celulares etc.5
Memoria ROM
Es un medio de almacenamiento
utilizado en ordenadores y dispositivos
electrnicos, que permite slo la lectura
de la informacin y no su escritura,
independientemente de la presencia o
no de una fuente de energa. Estas
memorias se fabrican con los datos
almacenados de forma permanente, y
por lo tanto, su contenido no puede ser
modificado de ninguna forma.
Celdas de memoria ROM
3 Las
4

memorias de solo lectura aunque no sean llamadas memorias RAM, tambin son son de acceso aleatorio.
No debe ser confundida con la SDRAM (Syncronous DRAM).

En comparacin con los discos duros convencionales, las tarjetas de memoria flash resultan ser bastante
caras, ya se eleva la relacin precio-capacidad de almacenaje.

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Memoria PROM
Es una memoria digital donde el valor de cada bit depende del estado de un fusible que puede ser
quemado una sola vez. Por esto la memoria puede ser programada (pueden ser escritos los datos) una
sola vez a travs de un dispositivo especial, un programador PROM.
Memoria EPROM
Su nombre proviene del ingles Erasable
Programmable Read-Only Memory (ROM
programable borrable). Es una memoria no voltil
que puede ser borrada y reprogramada. Una vez
programada, una EPROM se puede borrar
solamente mediante exposicin a una fuerte luz
ultravioleta. Esto es debido a que los fotones de la
luz excitan a los electrones de las celdas provocando
que se descarguen. Las EPROMs se reconocen
fcilmente por una ventana transparente en la parte
alta del encapsulado, a travs de la cual se puede ver
el chip de silicio y que admite la luz ultravioleta durante el borrado.
Memoria EEPROM
Es un tipo de memoria ROM que puede ser programado, borrado y reprogramado elctricamente, a
diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante un aparato que emite rayos ultravioletas.
Aunque una EEPROM puede ser leda un nmero ilimitado de veces, slo puede ser borrada y
reprogramada entre 100.000 y un milln de veces.6

Memorias RAM
La memoria RAM (Random
Access Memory Module o
memoria de acceso aleatorio) es
un tipo de memoria que utilizan
los sistemas microprocesados
para almacenar los datos y
programas a los que necesita
tener un rpido acceso. Se trata de
una memoria de tipo voltil, es
decir, que se borra cuando
apagamos el ordenador.

Las memorias EEPROM son las predecesoras a las memorias tipo flash donde la diferencia radica en que las
memorias flash pueden ser ledas y escritas parcialmente mientras las EEPROM deben ser borradas en
totalidad y ser reprogramadas.

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Estructura

La memoria RAM consta de varios registros, cada uno de los cuales almacena una sola palabra de
datos y tiene una direccin nica. Las RAMS comnmente vienen con capacidades de palabras de
1K, 4K, 8K, 16K, 64K, 128K, 256K, y 1024K, y tamaos de palabras de 1, 4, u 8 bits. La capacidad
de las palabras y el tamao de estas puede extenderse combinando circuitos integrados de memoria.
Operacin de lectura. El cdigo de direccin selecciona un registro del circuito de memoria para
leer o escribir. A fin de leer el contenido de registro seleccionado, la entrada lectura/escritura (R/-W)
debe ser un 1. adems, la entrada (CS) seleccin de CI debe ser activada (un 0 de este caso). La
combinacin de R/-W es igual a 1 y CS es igual a 0 habilita los buffers de salida de manera que el
contenido de registro seleccionado aparecer en las cuatro salidas de datos. R/-W igual a 1 tambin
deshabilita los buffers de entrada de manera que las entradas de datos no afecten la memoria durante
la operacin de lectura.
Operacin de escritura. Para escribir una nueva palabra de cuatro bits en el registro seleccionado se
requiere que R/-W igual a 0 y CS igual 0. esta combinacin habilita los buffers de entrada de manera
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que la palabra de cuatro bits aplicada a las entradas de datos se cargara en el registro seccionado. R/W igual a 0 tambin deshabilita los buffers de salida que son de tres estados, de manera que las salidas
de datos se encuentran en el estado de alta-z, durante una operacin de escritura. La operacin de
escritura, desde luego, destruye la palabra que antes estaba almacenada en la direccin
Seleccin de CI. Muchos circuitos de memoria tienen una o mas entradas CS que se usan para
habilitar o deshabilitar el circuito en su totalidad. En el modo deshabilitado todas las salidas y entradas
de datos se deshabilitan (alta-z) de manera que no puede tener lugar no la operacin de lectura ni de
escritura. En este modo en contenido de la memoria no se afecta. La razn para tener entradas CS
ser ms clara cuando se combinen CI de memoria para tener mayores memorias. Observe que
muchos fabricantes llaman a estas entradas CE (habilitacin de circuito). Cuando las entradas CS o
CE se encuentran en un estado activo, se dice que el CI de memoria a sido seleccionado; de otro modo
se dice que no est seleccionado.
Muchos CI de memoria estn diseados para consumir una potencia mucho menor cuando no estn
seleccionados. En sistemas de memoria grandes, para una operacin dada de memoria, sern
seleccionados una o ms CI de memoria mientras que los dems no.
Terminales comunes de entrada/ salida. A fin de conservar terminales en un encapsulado de CI,
los fabricantes a menudo combinan los funciones de entradas y salida de datos utilizando terminales
comunes de entrada/salida. La entrada R/-W controla la funcin de estas terminales E/S. Durante una
operacin de lectura, las terminales de entrada y salida actan como salida de datos que reproducen
el contenido de la localidad de direccin seleccionada.
Durante una operacin de escritura, las terminales de S/E actan como entrada de datos. A las cuales
se aplican los datos al ser escritos
Memorias DIMM y SIMM
SIMM (siglas de Single In-line Memory Module), es un
formato para mdulos de memoria RAM que consisten en
placas de circuito impreso sobre las que se montan los
integrados de memoria DRAM. Estos mdulos se inserta en
zcalos sobre la placa base. Los contactos en ambas caras
estn interconectados. Fueron muy populares desde
principios de los 80 hasta finales de los 90.
DIMM son las siglas de Dual In-line Memory Module y
que podemos traducir como Mdulo de Memoria en lnea
doble. Son mdulos de memoria RAM utilizados en
ordenadores personales. Se trata de un pequeo circuito impreso que contiene chips de memoria y se
conecta directamente en ranuras de la placa base. Los mdulos DIMM son reconocibles externamente

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por poseer sus contactos (o pines) separados en ambos lados, a diferencia de los SIMM 7 que poseen
los contactos de modo que los de un lado estn unidos con los del otro.

Tipos de memorias DIMM


SDR
SDRAM:
Originalmente
conocido
simplemente como DIMM, solo puede aceptar un
comando y la transferencia de una palabra de datos
por ciclo de reloj. Las frecuencias de reloj tpicas son
66, 100 y 133 MHz. 8 Chips estn hechos con una
variedad de tamaos de bus de datos (el ms comn
4, 8 16 bits), pero los chips son generalmente
montados en mdulos DIMMs de 168-pines que leen
o escriben 64 o 72 bits a la vez y velocidades
mximas de transferencia de 2133 MB/s

DDR SDRAM: (Double Data Rate) significa doble


tasa de transferencia de datos en espaol. Son
mdulos de memoria RAM compuestos por
memorias sncronas (SDRAM), disponibles en
encapsulado DIMM, que permite la transferencia de
datos por dos canales distintos simultneamente en un mismo ciclo de reloj. Los mdulos DDR
soportan una capacidad mxima de 1 GiB. Los chips DDR son montados en modulos de 184 contactos
con frecuencias de reloj desde 100 hasta 266 Mhz y velocidades mximas de transferencia de 4264
MB/s
DDR2 SDRAM: Las memorias DDR2 son una mejora de las memorias DDR (Double Data Rate),
que permiten que los bferes de entrada/salida trabajen al doble de la frecuencia del ncleo,
permitiendo que durante cada ciclo de reloj se realicen cuatro transferencias. Montado en modulos de
de 240 contactos con velocidades de reloj desde 100 hasta 400 Mhz y velocidades mximas de
transferencia de 9600 MB/s
DDR3 SDRAM: tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector
especial de 240 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). Tambin se les
denomina DIMM tipo DDR3, debido a que cuentan con conectores fsicamente independientes por
ambas caras como el primer estndar DIMM. Con velocidades de bus desde 133 hasta 250 Mhz y
velocidades mximas de transferencia de 16000 MB/s
7

Las memorias DIMM comenzaron a reemplazar a las SIMM como el tipo predominante de memoria cuando
los microprocesadores Intel Pentium dominaron el mercado.
8
No se debe confundir la frecuencia de reloj con el front-side bus. El FSB bus incluye seales de datos,
direcciones y control, as como seales de reloj que sincronizan el funcionamiento de los dispositivos en
sistemas microprocesados.

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