Electronica de Potencia Componente Practico

CARACTERÍSTICAS DEL SCR, MOSFET E IGB 1
UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA

UNAD
ELECTRÓNICA DE POTENCIA
COMPONENTE PRÁCTICO VIRTUAL
CARACTERÍSTICAS DEL SCR, MOSFET E IGBT
Tutor:
HECTOR JULIAN PARRA
Grupo:
203039_25
Integrantes:
Edwin Esteban Barragan Tafur. C.C 1.110.488.847
Valentina Milord Morad. C.C. 1.110.584.363
Facultad de Ciencias Básicas, Tecnología e Ingeniería

Universidad Nacional Abierta y A Distancia
Componente Práctico (203039_25)
MAYO 2020
INTRODUCCIÓN
La actividad se compone de tres prácticas las cuales se deben realizar de manera virtual, en
la No.1, 2 y 3 se debe realizar el montaje del circuito en PROTEUS para validar las
características del SCR, MOSFET E IGBT; para ello se determina los momentos en los que
los dispositivos electrónicos entran en estado de conducción, se analiza mediante las
gráficas la saturación en cada una de características de transferencia y drenaje de los
semiconductores de potencia.
Se desarrolla de manera individual y se evidencia los resultados en el componente práctico

virtual con su respectivo formato con normas APA.
TABLA DE CONTENIDO
INTRODUCCIÓN..................................................................................................................2
CONTENIDO.........................................................................................................................4
Edwin Esteban Barragán.....................................................................................................4
Valentina Milord Morad....................................................................................................11
CONCLUSIONES................................................................................................................13
BIBLIOGRAFÍA..................................................................................................................14
CONTENIDO
Actividades a desarrollar
1. El desarrollo del componente práctico virtual del curso Electrónica de potencia es

obligatorio, para ello el estudiante debe inscribirse a las prácticas a través del aplicativo
de oferta integrada de laboratorios en campus virtual.
2. El intervalo de tiempo para desarrollar la práctica es informado en el momento que el

estudiante se inscribe por el Aplicativo Oferta Integrada de Laboratorios - OIL.
3. Es necesario que el estudiante verifique de forma previa a los encuentros sincrónicos

con el tutor del componente práctico, los circuitos que deben construir en cada práctica
en el simulador, y de ser necesario realizar de forma previa un reconocimiento de
dichos dispositivos.
4. El producto esperado es la asistencia a las asesorías síncronas las cuales serán

registradas por el respectivo tutor del componente práctico, su participación activa en el
desarrollo de dichos encuentros, la entrega de evidencias de avances en dichas sesiones,
y la entrega de un informe final en formato IEEE que el estudiante debe enviar a su
tutor de prácticas vía correo electrónico institucional.
5. El tutor de prácticas de laboratorio asignado en el centro orientará y evaluará el

desempeño del estudiante. El tutor deberá reportar la calificación final en el aplicativo
de oferta integrada de laboratorios.
6. Se sugiere usar el software Proteus para realizar la simulación de circuitos electrónico,

el cual se puede descargar e instalar la versión de prueba usando el link que encuentra
en el entorno de aprendizaje práctico del curso. Es preciso aclarar, que se puede
emplear cualquier otro simulador.
Práctica No.1 Características del SCR
RV3
2k
R2
37%
100
RV1
2k
R1
48%
100
U1 V2
S8010R 25V
V1
15V
Figura No.1 El SCR

Procedimiento:
1. Realice el montaje del circuito de la figura, anexando los voltímetros y amperímetros
que sean necesarios a fin de monitorear estos parámetros en el análisis del circuito.
2. Ajuste el voltaje en V2 de modo tal que el VAK sea aproximadamente 15 voltios.
3. Con el potenciómetro RV1 de 2K, vaya aumentando lentamente la corriente que ingresa
por el pin de disparo del SCR, justo hasta que el SCR conduzca. Responda a las
siguientes preguntas: ¿Cuánto fue el valor de la corriente de puerta que hizo conducir al
SCR? ¿Qué sucede con el valor del V AK y por qué?, ¿Cuál era el voltaje V AK y la
corriente IAK justo antes del cierre del SCR y justo después del cierre del SCR?
Cálculo de RS=R2+RV1
Rs=15 v
Igt min =14.8 mA
Igt max =15 mA
Vgt =2.5 V
Rsmin =(Vs−Vgt )/ Igt max
15V −2.5 V
Rsmin = =0.83
15 mA
Rsmax =( Vs−Vgt )/ Igt min
15V −2.5 V
Rsmin = =0.919
14.9
R/: En la práctica se utilizó un potenciómetro de 10k al realizar el aumento de corriente en
el voltaje de la fuente de 15V que ingresa el pin de disparo del SCR:
 ¿Cuánto fue el valor de la corriente de puerta que hizo conducir al SCR?
R: 14.9 mA
 ¿Qué sucede con el valor del VAK y por qué?

R: El valor de VAK aumento aproximadamente al voltaje de la fuente de 25V debido a que
la puerta se dispara y el SCR entra en conducción
 ¿Cuál era el voltaje VAK y la corriente IAK justo antes del cierre del SCR
R: justo antes del cierre el voltaje era de 20.4V VAK y la corriente -1.02 mA IAK y después
del cierre 24.9V y -0.02 mA
4. Una vez haya analizado el SCR en estado de conducción, ahora reduzca lentamente la
corriente de disparo, observando en cada momento tanto el voltaje V AK como la
corriente IAK. Explique: ¿por qué no se vuelve a abrir el SCR (es decir pasar a estado
OFF), si la corriente de excitación de la puerta se volvió a reducir? – Ahora realice una
reconfiguración en el circuito de disparo (circuito del lado izquierdo) de forma tal que
el SCR pase a estado OFF, y explique la forma en que se debe proceder.
R: Al momento de reducir la corriente de disparo se puede observar que el V AK
aumenta a 24.6V el IAK disminuye a -0.07mA en un 99%, 24.7V y -0.05mA 98%,
24.8V y -0.04 97%,24.9V y -0.03 96%,24.9V y -0.02 95%,24.9V y -0.01 94%
finalmente al 91% el VAK llega al valor de 25V de la fuente V1; se puede observar que
al reducir la corriente de puerta el voltaje V AK se va a sostener, se valida abriendo la
puerta del SCR observando que el voltaje se conserva.
IG VAK
0 0 0
0, 0,63 0
5
1, 17,50 0
0
1, 17,06 0
5
2, 16,65 2,78
0
2, 5,24 2,67
5
3, 6,83 2,82
0
3, 16,02 2,81
5
4, 9,46 2,78
0
4, 10,74 2,73
5
5, 7,35 2,53
0
Estabilización de la señal: 2,80
IG
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0 1 2 3 4 5 6
IG vs. VAK
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
IG IAK
Práctica No.2: Características del MOSFET
RV1
4k
R2 R4
RV2 46%
10k 75 500
R3 R1
43%
1k 75 RV4
RV3 Q1
V1
IRF740
52%
V2
25V
15V
50%
1k
1k
Figura No.2 El MOSFET
Procedimiento:
Características de transferencia
1. Realice el montaje del circuito de la figura, anexando los voltímetros y amperímetros
que sean necesarios a fin de monitorear estos parámetros en el análisis del circuito.
2. Ajuste el divisor de voltaje de la fuente V1 de forma tal que V DS1 = 10 V, y teniendo el
potenciómetro RV1 aproximadamente al 50% de su escala.
3. Ajuste el divisor de voltaje de la fuente de V2 de forma que V GS inicie en cero voltios.
Posteriormente, con el ajuste del potenciómetro RV3, vaya observando como disminuye
el valor de VDS y aumenta el valor de IDS en la medida que se va aumentando el valor de
alimentación de la puerta VGS, hasta llegar a 5 voltios.
4. Repita los pasos 2 y 3 anteriores para diferentes valores con
VDS2 = 12V
VDS1 = 15V
Diligencie las siguientes tablas con los datos tomados en su análisis:
Circuito Características del MOSFET

Características de transferencia
VDS inicial = 10 V VDS inicial= 12 V VDS inicial = 15 V
VGS IDS (mA) VDS (V) IDS (mA) VDS (V) IDS (mA) VDS (V)
(V)
0 0 10 0 12 0 15
0.58 0 10 0 12 0 15
1.11 0 10 0 12 0 15
1.49 0 10 0 12 0 15
2.07 1.19 9.19 1.19 11 1.19 14
2.5 12.9 0.05 14.6 0.06 17.1 0.07
3 13.0 0.02 14.7 0.03 17.1 0.03
3.55 13.0 0.01 14.7 0.02 17.1 0.02
4.05 13 0.01 14.7 0.01 17.1 0.02
4.51 13 0.01 14.7 0.01 17.1 0.01
5 13 0.01 14.7 0.01 17.1 0.01
Grafica de circuito características del MOSFET:

Detallado en el eje x
VDS inicial =9.19v
VGS= 0 a 5v donde empieza a oscilar 2.07v
Detallado en el eje y
IDS (mA)= 0 a 1,19mA conduce 12.9 a 13mA
VDS inicial =12v – 15v
VGS= 0 a 5v donde empieza a oscilar 2.07v
IDS (mA)= 0 a 1,19mA conduce 14.6 a 14.7mA – oscila 17.1mA
Seleccione un incremento gradual del voltaje VGS de forma tal que pueda ir observando los
cambios en IDS.
R/: 2.07 VTH
A partir del análisis de la anterior tabla concluya entonces ¿cuál es la mínima tensión de
disparo de puerta? que asegura la correcta conmutación del Mosfet.
R/: 1.19 mA
Consulte en las hojas de características de los fabricantes, ¿cuál es el valor típico del voltaje
VGS que asegura un correcto funcionamiento del Mosfet sin riesgo de apertura?
R/: 3v
Circuito Características del MOSFET
Características de drenaje
VGS1 VGS2 VGS3 VGS4

2.07 2.5 3 3.55
VDS IDS (mA) VDS (V) IDS (mA) VDS (V) IDS (mA) VDS (V) IDS (mA)
(V)
0 0 0 0 0 0 0 0
1.38 1.18 1.35 2.33 1.35 2.34 1.35 2.34
2.22 1.18 2.11 3.64 2.11 3.65 2.11 3.65
3.00 1.18 3.08 5.32 3.08 5.34 3.08 5.34
4.07 1.18 4.15 7.16 4.14 7.18 4.14 7.19
5.04 1.18 5.01 8.65 5.01 8.68 5.01 8.69
6.19 1.19 6.04 10.4 6.04 10.5 6.04 10.5
7.22 1.19 7.08 12.2 7.08 12.3 7.07 12.3
8.14 1.19 8.03 13.9 8.02 13.9 8.02 13.9
9.15 1.19 9.02 15.6 9.01 15.6 9.00 15.6
10.0 1.19 10.0 17.3 10.0 17.3 10.00 17.3
11.0 1.19 10.06 18.3 10.6 18.3 10.6 18.3
12.0 1.19
13.0 1.19
14.0 1.19
15.0 1.19
Grafica de circuito características del MOSFET drenaje:

VGS inicial =2.07v
VDS= 0 a 15v
IDS (mA)= 0 a 1.19mA
VGS inicial =2.5v
VDS= 0 a 10v
VGS inicial =3v
VDS= 0 a 10v
VGS inicial =3.55v
VDS= 0 a 10v
Práctica No.3: Características V-I del IGBT
RV1
4k
R2 R5
RV2 50%
10k 75 500
R3 R1
50%
1k 75 RV5
RV3 Q1
IRG4BC20F V3
100%
V2
60V
15V
0%
1k
1k
Procedimiento:
Características de IGBT
1. Realice el montaje del circuito de la figura.
2. Inicialmente mantenga los divisores de voltaje de V1 y V2 en el cero y los valores de

R1 y R2 a un 50% de su valor resistivo total.
3. Haga ajustes en el circuito de potencia para que inicialmente VCE=10V.
4. Lentamente varié RV3 (aumentando VGE) y anote VCE e IC en cada 0.5V de cambio
tenga en cuenta que el VGE máximo debe ser 10 voltios.
VCE inicial = 15 V VCE inicial= 20 V VCE inicial = 25 V
VGE (V) ICE (mA) VGE (V ICE (mA) VCE (V) ICE (mA) VCE (V)
0 0.00 15.2 0.00 20 0.00 25
0.58 0.00 15.2 0.00 20 0.00 25
1.11 0.00 15.2 0.00 20 0.00 25
1.61 0.00 15.2 0.00 20 0.00 25
2.07 0.00 15.2 0.00 20 0.00 25
2.50 0.00 15.2 0.00 20 0.00 25
3.00 0.00 15.2 0.00 20 0.00 25
3.5 0.00 15.2 0.00 20 0.00 25
4.05 0.00 15.2 0.00 20 0.00 25
4.5 0.00 15.2 0.00 20 0.00 25
5.00 0.00 15.2 0.00 20 0.00 25
5.32 3.04 8.53 3.15 12.9 3.27 17.6
5.51 6.52 0.86 8.53 0.87 10.6 0.89
6.02 6.53 0.85 8.54 0.86 10.6 0.87
6.53 6.53 0.85 8.54 0.86 10.6 0.87
7.02 6.53 0.85 8.54 0.86 10.6 0.87
7.50 6.53 0.83 8.54 0.86 10.6 0.87
5. El mínimo voltaje de compuerta VGE, el cual es requerido para que el IGBT conduzca es
llamado VTH. Registre este valor VTH= 5.32
6. Repita los pasos anteriores 2 – 3 - 4 con diferentes valores de VCE y dibuje la gráfica de
VGE vs IC.
Grafica de circuito características de transferencia IGBT:

VCE inicial =15V
VGE= 0 a 7.5V donde empieza a conducir 5.32V
IC (mA)= 0 a 3.04mA conduce
VGE vs IC
7
6
5
4
3
2
1
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8
VCE inicial =20V
VCE inicial =25V
VGE vs IC
12
10
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8
7. Responda a la pregunta: a partir de los resultados de los numerales anteriores explique

¿cómo se debe proceder para activar y desactivar el Mosfet?
R/: Mediante un voltaje fijo en la entrada de VCE inicial se puede observar como el IGBT
entra en estado de conducción al variar la fuente VGE, mediante el DATASHEET se
pudo determinar el voltaje de rotura (VTH) en el gate emisor es de 5.32V disminuyendo
el voltaje no entre en conducción en cambio al aumentarlo se presenta la saturación del
IGBT.
Características de Colector
1. Inicialmente ajuste el valor de V2 hasta que el VGE sea 6V o mayor (en cualquier caso
debe ser mayor a VTH), adicionalmente ajuste el circuito para que VCE = 10V.
2. Lentamente varié el divisor de voltaje de V1 y anote los valores de V CE e IC para un
voltaje constante de compuerta (VGE).
3. Repita los pasos anteriores con diferentes valores de VGE y anote los valores de IC vs
VGE. Identifique la relación que existe entre estos parámetros.
CARACTERÍSTICAS DE COLECTOR
VCE1 VCE2 VCE2
VTH 5.32 5.85 6.33

VCE(V) I C(mA) VCE (V) IC (mA) VCE (V) IC (mA)
0 0.01 0 0.01 0 0.01
0.72 0.22 0.72 0.22 0.72 0.22
1.26 2.86 0.76 0.74 0.76 0.74
2.10 2.88 0.78 1.24 0.78 1.24
2.91 2.90 0.80 1.73 0.80 1.73
3.70 2.92 0.81 2.19 0.80 2.19
4.46 2.94 0.82 3.07 0.81 2.64
5.19 2.96 0.82 3.48 0.82 3.07
5.90 2.98 0.83 3.87 0.82 3.48
6.59 2.99 0.83 4.25 0.83 3.87
7.25 3.01 0.84 4.61 0.83 4.25
7.90 3.03 0.84 4.96 0.83 4.61
8.53 3.04 0.84 5.30 0.84 4.96
9.14 3.06 0.84 5.62 0.84 5.30
10.03 3.09 0.85 5.93 0.84 5.62
10.9 3.10 0.85 6.24 0.84 5.94
11.4 3.11 0.85 6.53 0.85 6.24
11.9 3.13 0.85 6.81 0.85 6.53
12.4 3.14
12.9 3.15
13.4 3.16
13.9 3.18
14.4 3.19
14.8 3.20
15.2 3.21
VCE inicial = 5.32V
VGE= 0 a 15.2V
IC (mA)= 0 a 3.21mA
VCE inicial = 5.85V
VGE= 0 a 0.85V
IC (mA)= 0 a 6.81mA
VCE inicial = 6.33V
VGE= 0 a 0.85V
IC (mA)= 0 a 6.53mA
CONCLUSIONES
1. Se determinaron las características de los semiconductores de potencia los cuales

permiten entrar en estado de conducción con un voltaje inicial fijo en su drenaje o
colector, para los dispositivos implementados en las practicas se estableció la rotura
o voltaje de umbral en su compuerta o GATE para el inicio de conducción y
saturación de los semiconductores.
2. Al graficar las curvas características fue posible analizar el estado de saturación de
los dispositivos de potencia al polarizar positivamente su colector o drenaje.
3. El trabajo ha permitido evidenciar las características de estado de conducción de los
dispositivos de potencia en implementaciones industriales con alto grado de
eficacia y bajos costos.
BIBLIOGRAFÍA
Rectificadores. Mohan, N. Undeland, T. Robbins, W.(2009). Electrónica de potencia:
convertidores, aplicaciones y diseño (pp. 71-104). Recuperado de
http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reader.action?
ppg=90&docID=10565530&tm=1482452282595
Convertidores DC-DC. Mohan,N. Undeland,T. Robbins,W.(2009). Electrónica de
potencia: convertidores, aplicaciones y diseño (pp. 142-175). Recuperado de
ppg=161&docID=10565530&tm=1482452528454
Convertidores DC-AC. Mohan,N. Undeland,T. Robbins,W.(2009). Electrónica de
potencia: convertidores, aplicaciones y diseño (pp. 176-218). Recuperado de
ppg=195&docID=10565530&tm=1482452656289

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CARACTERÍSTICAS DEL SCR, MOSFET E IGB 1

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA

Facultad de Ciencias Básicas, Tecnología e Ingeniería

Se desarrolla de manera individual y se evidencia los resultados en el componente práctico

1. El desarrollo del componente práctico virtual del curso Electrónica de potencia es

2. El intervalo de tiempo para desarrollar la práctica es informado en el momento que el

3. Es necesario que el estudiante verifique de forma previa a los encuentros sincrónicos

4. El producto esperado es la asistencia a las asesorías síncronas las cuales serán

5. El tutor de prácticas de laboratorio asignado en el centro orientará y evaluará el

6. Se sugiere usar el software Proteus para realizar la simulación de circuitos electrónico,

Práctica No.1 Características del SCR

Figura No.1 El SCR

2. Ajuste el voltaje en V2 de modo tal que el VAK sea aproximadamente 15 voltios.

Igt max =15 mA

 ¿Qué sucede con el valor del VAK y por qué?

Práctica No.2: Características del MOSFET

Figura No.2 El MOSFET

Circuito Características del MOSFET

Grafica de circuito características del MOSFET:

R/: 2.07 VTH

Circuito Características del MOSFET

VGS1 VGS2 VGS3 VGS4

Grafica de circuito características del MOSFET drenaje:

Práctica No.3: Características V-I del IGBT

2. Inicialmente mantenga los divisores de voltaje de V1 y V2 en el cero y los valores de

Grafica de circuito características de transferencia IGBT:

7. Responda a la pregunta: a partir de los resultados de los numerales anteriores explique

VCE1 VCE2 VCE2

VTH 5.32 5.85 6.33

1. Se determinaron las características de los semiconductores de potencia los cuales

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