TP - Electrónica - Parte 1

UNIVERSIDAD NACIONAL DE CÓRDOBA
Facultad de Ciencias Exactas, Física y Naturales
ELECTRÓNICA (5607/7407)
TRABAJO PRÁCTICO
PARTE 1
Integrantes: Cortés, Valeria Constanza

Diaz, Ana Paula
Montero, Felipe
08/09/2021
En el presente trabajo se analizan los valores de variables de dos circuitos con

transistor (npn y pnp), en base a una simulación hecha en LTspice.
Las variables estudiadas son:
● Corriente en la base del transistor (Ib) en función del tiempo
● Corriente en el emisor del transistor (Ie) en función del tiempo
● Tensión entre la base y emisor (Vbe) en función del tiempo
● Tensión entre el colector y emisor (Vce) en función del tiempo
● La potencia en el transistor en función del tiempo
● El valor de potencia media en el transistor
● La potencia en la carga en función del tiempo
● El valor de potencia media en la carga
● La corriente eficaz en la carga
Resultados y Discusión
Transistor NPN
A continuación se presenta el diagrama LTSpice del circuito con transistor NPN
(BC548):
Figura N° 1. Circuito con transistor npn (BC548) diseñado con LTspice.
En las imágenes siguientes se muestran los resultados de simulación:

Figura N° 2. Fuente de tensión V2.. Transistor npn.
En la Figura N°2 se observa el comportamiento de la fuente de tensión V2. Es una fuente de

pulsos con valor mínimo de -1 V, máximo de 3,3 V, ciclo de trabajo 30 % y periódo 5
segundos.
Figura N° 3. Corriente en la base (Ib) en función del tiempo. Transistor npn.
En la Figura N°3 se puede observar que la corriente en la base (y sobre R1) varía entre 0
mA y 0,934 mA. El valor de 0,934 mA se observa cuando la tensión en la fuente V2 es de
3,3 V.
Figura N° 4. Corriente en el colector (Ic) en función del tiempo. Transistor npn.
La corriente en el colector (y en la carga) varía entre 0 mA y 98,77 mA. Se observa que se

cumple Ic = β Ib, siendo β = 105,75 (98,77 mA = 105,75 x 0,934 mA). A su vez,
comparando la figura N°3 con las anteriores se ve que cuando la corriente de la base es Ib
= 0, entonces Ic = 0 y la tensión en V2 es -1 V.
Figura N° 5. Corriente en el emisor (Ie) en función del tiempo. Transistor npn.
La corriente en el emisor varía entre 0 mA y -99,708 mA. El valor de corriente se muestra

negativo, debido a que la corriente sale del transistor. La corriente en el emisor se observa
cuando la tensión en V2 es de 3,3 V. Se corrobora que el valor de corriente Ie es igual a la
suma de Ib + Ic (98,77 mA + 0,934 mA = 99,704 mA).
Figura N° 6. Tensión entre base y emisor (Vbe) en función del tiempo. Transistor npn.
En la Figura N°6 se observa que la tensión entre base y emisor varía entre -1 V y 0,8 V.
Cuando la fuente V2 tiene una tensión de 3,3 V, la corriente que circula por R1 es 0,934 mA
(Figura N° 1). Luego, la caída de tensión sobre R1 es 0,934 mA x 2,67 Kohm = 2,5 V y la
tensión entre base y emisor es 3,3 V - 2,5 V = 0,8 V.
Figura N° 7. Tensión entre colector y emisor (Vce) en función del tiempo. Transistor npn.
En la Figura N° 7 se puede observar que la tensión entre colector y emisor varía entre 20 V
y 9,1 V. Cuando la tensión de la fuente V2 es -1 V, la tensión entre colector y emisor es 20 V
(igual a la tensión V1) y no circula corriente por la carga (Figura N° 10).
Figura N° 8. Potencia en el transistor en función del tiempo. Transistor npn.
En la Figura N° 8 observamos que la potencia en el transistor toma valores entre 0 mW y

900 mW.
5
1
El valor de la potencia media en el transistor es: 5
∫ 900 𝑚𝑊 𝑑𝑡 = 270 mW
3,5
Figura N° 9. Potencia en la carga en función del tiempo. Transistor npn.
El gráfico denota que la potencia en la carga varía entre 0 W y 1,08 W. Además, se ve que
disipa energía cuando pasa corriente por la carga y V2 es 3,3V.
5
1
El valor de la potencia media en la carga es: 5
∫ 1, 07 𝑊 𝑑𝑡 = 0, 321 𝑊
3,5
Figura N° 10. Corriente en la carga en función del tiempo. Transistor npn.
En la Figura N° 10 se observa que la corriente en la carga varía entre 0 mA y 98,77 mA

cuando pasa corriente por la base (Ib = 0.934 mA).
5
1 2
La corriente eficaz en la carga es: 5
∫ 98, 77 𝑚𝐴 𝑑𝑡 = 54 mA
3,5
Transistor PNP
En la figura N° 11 se muestra el circuito LTSpice estudiado con transistor pnp y en
las figuras siguientes se muestran los resultados de simulación.
Figura N° 11. Circuito con transistor pnp (BC857A) diseñado con LTspice.
Figura N° 12. Fuente de tensión V2. Transistor pnp.
En la Figura N°12 se observa el comportamiento de la fuente de tensión V2. Es una fuente

de pulsos con valor mínimo de 0 V, máximo de 19 V, ciclo de trabajo 70 % y periódo 5
segundos.
Figura N° 13. Corriente en la base (Ib) en función del tiempo. Transistor pnp.
En la Figura N° 13 se puede observar que la corriente varía entre -0,02 mA y -0,964 mA. La
corriente es negativa porque sale del transistor. La corriente de -0,964 mA se observa
cuando la fuente V2 está en 0 V.
Figura N° 14. Corriente en el colector (Ic) en función del tiempo. Transistor pnp.
Se observa que la corriente en el colector varía entre 0,256 mA y 12,33 mA. La corriente de
12,33 mA se genera cuando la tensión en la fuente V2 está en 0 V (y cuando se observa
corriente en la base, Figura N° 13). La corriente es positiva porque entra al transistor.
Figura N° 15. Corriente en el emisor (Ie) en función del tiempo. Transistor pnp.
La corriente en el emisor varía entre -0,235 mA y -11,374 mA. Los valores negativos se
deben a que la corriente sale del transistor. La corriente de -11,374 mA se observa cuando
la tensión en la fuente V2 está en 0 V y cuando hay corriente en la base (Figura N° 13).
Figura N° 16. Tensión entre base y emisor (Vbe) en función del tiempo. Transistor pnp.
La tensión entre la base y el emisor varía entre 19,4 V y 18,04 V. El valor de 19,4 V ocurre
cuando la tensión en V2 es de 19 V y la corriente en R1 es de 0,02 mA, por lo que tiene una
caída de tensión de 0,4 V. El valor de 18,04 V ocurre cuando la tensión en V2 es de 0 V.
Figura N° 17. Tensión entre colector y emisor (Vce) en función del tiempo. Transistor pnp.
Se puede observar que la tensión entre colector y emisor varía entre 20 V y 18,78 V. Los 20
V se producen cuando la fuente V2 tiene una tensión de 19 V (cuando no circula corriente
por R1).
Figura N° 18. Potencia disipada por el transistor en función del tiempo. Transistor pnp.
La potencia en el transistor varía entre 5,12 mW y 231,35 mW.La potencia media en el

transistor es
3,5 5
1
5
* ( ∫ 5, 12 𝑚𝑊 𝑑𝑡 + ∫ 231, 35 𝑚𝑊 𝑑𝑡) = 72, 989 𝑚𝑊
0 3,5
Figura N° 19. Potencia disipada en la carga (R2) en función del tiempo. Transistor pnp.
La potencia en la carga varía entre 0 y 14,23 mW. Se observa que la carga disipa energía (y
circula corriente por la misma) cuando la tensión en la fuente V2 es de 0 V.
5
1
La potencia media en la carga es 5
∫ 14, 23 𝑚𝑊 𝑑𝑡 = 4, 27 𝑚 𝑊
3,5
Figura N° 20. Corriente en la carga (R2) en función del tiempo. Transistor pnp.
La corriente en la carga varía entre 0,235 mA y 11,37 mA. La corriente eficaz es
3,5 5
1 2 2
5
( ∫ 0, 235 𝑚𝐴 𝑑𝑡 + ∫ 11, 37 𝑚𝐴 𝑑𝑡) = 6,23 mA
0 3,5

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En el presente trabajo se analizan los valores de variables de dos circuitos con

Figura N° 1. Circuito con transistor npn (BC548) diseñado con LTspice.

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Figura N° 2. Fuente de tensión V2.. Transistor npn.

En la Figura N°2 se observa el comportamiento de la fuente de tensión V2. Es una fuente de

Figura N° 3. Corriente en la base (Ib) en función del tiempo. Transistor npn.

Figura N° 4. Corriente en el colector (Ic) en función del tiempo. Transistor npn.

La corriente en el colector (y en la carga) varía entre 0 mA y 98,77 mA. Se observa que se

Figura N° 5. Corriente en el emisor (Ie) en función del tiempo. Transistor npn.

La corriente en el emisor varía entre 0 mA y -99,708 mA. El valor de corriente se muestra

Figura N° 8. Potencia en el transistor en función del tiempo. Transistor npn.

En la Figura N° 8 observamos que la potencia en el transistor toma valores entre 0 mW y

Figura N° 9. Potencia en la carga en función del tiempo. Transistor npn.

Figura N° 10. Corriente en la carga en función del tiempo. Transistor npn.

En la Figura N° 10 se observa que la corriente en la carga varía entre 0 mA y 98,77 mA

Figura N° 12. Fuente de tensión V2. Transistor pnp.

En la Figura N°12 se observa el comportamiento de la fuente de tensión V2. Es una fuente

La potencia en el transistor varía entre 5,12 mW y 231,35 mW.La potencia media en el

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