Laboratorio de Electrónica de Potencia I – UNMSM

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

(Universidad del Perú, DECANA DE AMÉRICA)
FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA

Profesora: ♦ Dra. Teresa Núñez Zúñiga

Tema: ♦ Lab 1: El SCR

Informe: ♦ Previo N°1

Curso: ♦ Electrónica de Potencia I

Alumno: ♦ Villanueva Arquinigo Jesus Angel

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LAB 1: EL SCR

Cuestionario previo.
1. Haga una introducción teórica de los SCR.

El rectificador controlado de silicio es un tipo de tiristor formado por cuatro capas de material
semiconductor con estructura PNPN o bien NPNP que se emplea como dispositivo de control.

Un SCR posee tres conexiones: ánodo, cátodo y gate. La puerta es la encargada de controlar el
paso de corriente entre el ánodo y el cátodo. Funciona básicamente como un diodo
rectificador controlado, permitiendo circular la corriente en un solo sentido. Mientras no se
aplique ninguna tensión en la puerta del SCR no se inicia la conducción y en el instante en que
se aplique dicha tensión, el tiristor comienza a conducir. Trabajando en corriente alterna el SCR
se desexcita en cada alternancia o semiciclo. Trabajando en corriente continua, se necesita un
circuito de bloqueo forzado, o bien interrumpir el circuito.

Fig. 1 Estructura y símbolo del SCR.

Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector de Q1), se producen dos

corrientes: IC2 = IB1. IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente
de colector de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2), este a su vez
causa más corriente en IC2, que es lo mismos que IB1 en la base de Q1. Este proceso
regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2 causando el encendido del SCR.

Fig. 2 Funcionamiento del SCR.

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 Parámetros del SCR:

 VRDM: Máximo voltaje inverso de cebado (VG = 0)

 VFOM: Máximo voltaje directo sin cebado (VG = 0)
 IF: Máxima corriente directa permitida.
 PG: Máxima disipación de potencia entre compuerta y cátodo.
 VGT-IGT: Máximo voltaje o corriente requerida en la compuerta (G) para el cebado
 IH: Mínima corriente de ánodo requerida para mantener cebado el SCR
 dv/dt: Máxima variación de voltaje sin producir cebado.
 di/dt: Máxima variación de corriente aceptada antes de destruir el SCR.

 Curva característica del SCR:

En la siguiente figura se muestra la dependencia entre el voltaje de conmutación y la corriente

de compuerta. Cuando está polarizado en inversa se comporta como un diodo común. En la
región de polarización en directo, se comporta también como un diodo común, siempre que ya
haya sido activado (On). Para valores altos de corriente de compuerta (IG), el voltaje de ánodo
a cátodo es menor (VC). Si la IG disminuye, el voltaje ánodo-cátodo aumenta. Concluyendo, al
disminuir la corriente de compuerta IG, el voltaje ánodo-cátodo tenderá a aumentar antes de
que conduzca.

Fig. 3 Curva característica del SCR.

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2. Indique el modelo equivalente con transistores.

En el siguiente modelo equivalente del SCR podemos observar que la base del transistor PNP
Q1 se conecta directamente al colector del transistor NPN Q2 y el colector del transistor Q1
está unido a la base del transistor Q2; esta unión será la compuerta del SCR. El emisor de Q1
será el ánodo del SCR y el emisor de Q2 será el cátodo del SCR. El funcionamiento se explicó en
la pregunta anterior.

Fig. 4 Modelo equivalente con transistores.

3. ¿Qué es tensión de disparo V gk y corriente de mantenimiento I H ?

a. Tensión de disparo V gk:

Es aquella tensión que se origina al aplicar una corriente de disparo por la compuerta; esta
tensión encenderá al SCR. El valor de la tensión varía de acuerdo a modelos de SCR.

Fig. 5 Tensión de disparo V gk

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b. Corriente de mantenimiento I H :

Es el valor de la corriente en el ánodo por debajo del cual el SCR cambia de la región de
conducción en directa a la región de bloqueo en directa. El valor se incrementa con valores
decrecientes de IG y es máximo con IG = 0. También se dice que es el valor mínimo que debe
circular por el ánodo – cátodo para que el SCR conduzca, si el valor de la corriente es menor se
apaga el dispositivo.

Fig. 6 Corriente de mantenimiento I H

4. Simule cada uno de los circuitos de esta experiencia y presente

resultados para así saber lo que ocurrirá en esta práctica.

1.- Con el ohmímetro unir el electrodo de control (G) al ánodo (A), del SCR; colocar el (+) del
ohmímetro al ánodo del SCR y el (-) del ohmímetro al cátodo del mismo; el SCR debe pasar
de estado de no-conducción al estado de conducción, este estado debe mantenerse aún
desconectado (G) del (A). El SCR vuelve al estado de bloqueo al interrumpir la conexión con
el ohmímetro.

Armamos el circuito sugerido en Proteus tal como se indica en la siguiente figura:

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Fig. 7 Primer circuito

Iniciamos la simulación y observamos que hay una alta impedancia entre el ánodo y el cátodo
por lo que el SCR está en estado de bloqueo (no-conducción).

Fig. 8 Estado de no-conducción del SCR.

Cerramos el switch y observamos que el SCR pasa a estado de conducción con una baja
resistencia.

Fig. 9 Estado de conducción del SCR.

2.- Disparo del SCR con alimentación AC.

Diseñe el circuito de la siguiente figura considerando las características del SCR que va a
utilizar, considere una resistencia de carga pequeña de 100-200 Ω de 5-10 W.

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Fig. 10 Segundo circuito.

Se usará el siguiente circuito para este procedimiento:

Fig. 11 Diseño del segundo circuito.

 Indicar cuál es el propósito de R1.

Su función es limitar la corriente que ingresa por la compuerta cuando el potenciómetro está
en cero y circule una alta corriente.

 El rango del ángulo de disparo que se logra con este circuito.

Sabemos que I H =5 mA , I ¿=1 m A ,V ¿ =0.6 V .

Con el switch cerrado, para un valor instantáneo de voltaje AC, el SCR entra en conducción
consideramos RV1=0 y R1=150 para limitar la corriente.

V AC =1 m A ( 0+ 150 )+ 0.6=0.75V

Entonces:

0.7 5
sen α = =0. 05896
12.72

α =3.38 °

Consideremos ahora el potenciómetro con un valor de 10kΩ:

V AC =1 m A ( 10000+150 ) +0.6=10.75 V

Entonces:

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10.75
sen α = =0.8451
12.72

α =57.6854 °

Entonces el ángulo puede variar entre 3.38° y 57.6854°.

 ¿Cuál es la desventaja de este circuito de disparo?

La desventaja es que el ángulo de disparo no llega a 90° debido a que solo con la resistencia
como elemento divisor de tensión, no es posible aumentar dicho parámetro.

 Usando el osciloscopio dibujar las ondas en V ent , V ak ,V g ,V carga.

En la simulación del osciloscopio observamos V ent de color amarillo, V ak de color azul, V carga
de color fucsia y V g de color verde.

Fig. 12 V ent , V ak ,V g ,V carga.

3.- Determinar en el siguiente circuito:

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Fig. 13 Tercer circuito.

 Tensión de disparo V gk.

Para nuestro circuito la tensión de disparo será V gk =0.6 V

 Corriente de mantenimiento I H .

Para nuestro circuito la corriente de mantenimiento será I H =5 mA .

Diseñar el circuito considerando el SCR que va a utilizar.

El diseño para el tercer circuito será el siguiente:

Fig. 14 Tercer circuito.

 Colocar el potenciómetro P2 de tal forma que la resistencia entre DB sea cero.

Variamos el potenciómetro para que la resistencia entre los puntos DB sea cero.

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Fig. 15 Resistencia cero entre los puntos DB de RV3.

 Cerrar el interruptor SW.

Cerramos el switch para empezar con las mediciones.

Fig. 16 Switch cerrado.

 Ir aumentando P2 hasta que se provoque el disparo del SCR.

Aumentamos el potenciómetro RV3 hasta que se provoque el disparo.

Fig.17 Circuito en disparo con switch cerrado.

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 Abrir el interruptor SW.

Llegado el momento del disparo abrimos el switch y registramos los valores que se observan:

Fig. 18 Switch abierto.

 Aumentar lentamente P1 hasta que el SCR retorne a la condición de bloqueo. El

último valor de corriente observado es la corriente de mantenimiento I H .

Aumentamos el valor del potenciómetro RV2 hasta volver al estado de corte.

Fig. 19 Estado de bloqueo.

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Diseñar el circuito de la siguiente figura.

Fig.20 Cuarto circuito.

Utilizaremos el siguiente circuito para este procedimiento:

Fig. 21 Diseño del cuarto circuito.

 Hallar el rango del ángulo de disparo teóricamente.

Sabemos que I H =5 mA , I ¿=1 mA , V ¿ =0.6 V .

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Con el switch cerrado, para un valor instantáneo de voltaje AC, el SCR entra en conducción
consideramos RV1=0 y R1=150 para limitar la corriente.

V AC =1 mA ( 0+10 0 ) +0.6=0.7 V

Entonces:

0.7 0
sen α = =0. 055
12.72

α =3.1547 °

Consideremos ahora el potenciómetro con un valor de 5kΩ:

V AC =1 mA ( 5 000+10 0 ) +0.6=5.7 V

Entonces:

5.7
sen α = =0. 4481
12.72

α =26.6227 °

Entonces el ángulo puede variar entre 3.1547° y 26.6227°.

 Usando el osciloscopio dibuje las ondas en V ent , V ak ,V g ,V carga ,V c .Compare las

ondas gráficamente.

Podemos ver en la simulación del osciloscopio V ent de color amarillo, V ak de color azul, V g de
color fucsia y V c de color verde.

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Fig. 22 Resultados en el osciloscopio del cuarto circuito.

 Indique otros circuitos de disparo de los SCR. Explique.

 Disparo por puerta.

Es el proceso utilizado normalmente para disparar un tiristor. Consiste en la aplicación en la

puerta de un impulso positivo de intensidad, entre los terminales de puerta y cátodo a la vez
que mantenemos una tensión positiva entre ánodo y cátodo.
- El valor requerido de VT necesario para disparar el SCR es: VT = VG + IG × R
- R viene dada por la pendiente de la recta tangente a la curva de máxima disipación de
potencia para obtener la máxima seguridad en el disparo R = VFG / IFG.

 Disparo por módulo de tensión.

Es el debido al mecanismo de multiplicación por avalancha. Esta forma de disparo no se

emplea para disparar al tiristor de manera intencionada. Sin embargo, ocurre de forma fortuita
provocada por sobre tensiones anormales en los equipos electrónicos.

 Disparo por gradiente de tensión.

Una subida brusca del potencial de ánodo en el sentido directo de conducción provoca el
disparo. Este caso más que un método, se considera un inconveniente.

 Disparo por radiación.

Está asociado a la creación de pares electrón-hueco por la absorción de la luz del elemento
semiconductor. El SCR activado por luz se llama LASCR.

 Disparo por temperatura.

El disparo por temperatura está asociado al aumento de pares electrón - hueco generados en
las uniones del semiconductor. Así, la suma de las corrientes tiende rápidamente al aumentar
la temperatura. La tensión de ruptura permanece constante hasta un cierto valor de la
temperatura y disminuye al aumentar ésta.

Bibliografía.
 Guía N°1 de Laboratorio de Electrónica de Potencia I – FIEE UNMSM.
 https://www.academia.edu/7728470/CIRCUITOS_DE_DISPARO_DE_TIRISTORES_PARA
_RECTIFICADORES_CONTROLADOS?auto=download
 https://www.bwass.org/bucket/10_CIRCUITO_DE_DISPARO_PARA_SCR.pdf
 https://es.wikipedia.org/wiki/Rectificador_controlado_de_silicio

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 https://www.monografias.com/trabajos78/rectificador-controlado-silicio-
scr/rectificador-controlado-silicio-scr.shtml
 https://unicrom.com/scr-silicon-controled-rectifier/

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