INSTITUTO TECNOLÓGICO SUPERIOR DE IRAPUATO

SEMICONDUCTORES
DE POTENCIA
ACTIVIDAD 3
“CURVAS TIPÍCAS DE CONMUTACIÓN DE UN BJT DE POTENCIA (TIP 31C)”

UNIDAD III
Ingeniería electrónica

PRESENTA:
Rosas Chávez Israel Azael/LIS19110718

PROFESOR: Dr. Gerardo Vázquez Guzmán

IRAPUATO, GTO. FECHA: 06/03/2023

Página 1 de 21
 I. INTRODUCCIÓN
El desarrollo y las implementaciones tecnológicas son debido a las características que pueden
generar los circuitos electrónicos, de esta manera el transistor es uno de los elementos fundamentales
por los cuales existen diferentes configuraciones que nos permiten entregar grandes cantidades de
corriente, los cuales pueden ser implementados en convertidores elevadores, reductores, aplicaciones
en fuentes de alimentación, el siguiente trabajo consta en simular y determinar el las curvas típicas
de conmutación ante una carga inductiva.

II. OBJETIVO
Simular y comparar las curvas típicas de conmutación de un bjt durante el tiempo de corte y saturación
de un transistor de potencia tip31c.

III. Desarrollo
El transistor es un dispositivo de tres zonas, teniendo un material tipo n en medio de dos zonas de
material tipo p, en este caso se denomina un transistor tipo pnp, o bien tener una zona tipo p con dos
zonas tipo n a cada lado cuyo caso estaríamos hablando de un transistor tipo npn como se muestra en
la figura 1.

Figura 1. Representación de la estructura de un transistor.

La zona central se denomina base, y las laterales emisor y colector. Cada una de las zonas consta de un
terminal por donde extraer las corrientes.

La zona de emisor es la más fuertemente dopada de las 3, es la zona encargada de emitir o inyectar
portadores mayoritarios hacia la base. Huecos en el caso de un transistor pnp o electrones en el caso
del transistor pnp.
La base tiene un nivel de dopado netamente inferior al de la zona de emisor. Se trata de una zona con
un espesor muy inferior al de las capas exteriores. Su misión es la de dejar pasar la mayor parte
posible de portadores inyectados por el emisor hacia el colector.

La zona de colector, como su propio nombre indica es la encargada de recoger o colectar los
portadores que inyectados por el emisor han sido capaces de atravesar la base. Es la zona con un nivel
de dopado inferior de las tres.

si polarizamos las dos uniones en directa, diremos que el transistor está trabajando en la zona de
saturación. En el caso de que la unión de emisor la polaricemos en directa y la unión de colector en
inversa, estaremos en la zona activa. Cuando las dos uniones se polarizan en inversa, se dice que el
transistor está en la zona de corte. Por último, si la unión de emisor se polariza en inversa y la unión de
colector en directa, el transistor se encuentra en activa inversa.

Página 2 de 21
Zona activa:
El transistor trabaja en esta zona cuando la unión de emisor está polarizada en directa y la unión de
colector lo está en inversa la polarización del transistor se puede ver representado en la figura 2.

Figura 2. Representación de la zona activa de un transistor.

En realidad, sí que hay un pequeño aumento de la corriente de colector a medida que aumenta (en
valor absoluto) la tensión VCB. Es decir, las curvas no son perfectamente horizontales, sino que tienen
una pequeña pendiente positiva. Esto se debe al efecto Early o de modulación de anchura de la base.

Al aumentar el módulo de la tensión VCB (recordemos que es positiva del lado del colector para un
transistor pnp) estamos aumentando la polarización inversa de la unión de colector. Esto hará que la
zona de carga espacial correspondiente a esta unión aumente, por lo que la anchura efectiva de la base
(donde existen portadores) disminuirá. Esta disminución de la anchura efectiva de la base tendrá como
consecuencia que los portadores inyectados por el emisor van a tenerlo más fácil a la hora de atravesar
la misma. Es decir, aumentará en número de portadores que llegarán al colector o, lo que es lo mismo,
aumentará . Si  aumenta y si tenemos en cuenta que IC = IE . Para un determinado valor de IE, a
medida que aumenta VCB aumenta  y por lo tanto aumenta IC como se pude ver representado en la
figura 3.

Figura 3. Características de salida del transistor bjt en estado de corte.

Región de saturación:

En esta zona de trabajo las dos uniones del transistor están polarizadas en directa. En esta zona las dos
uniones están polarizadas en directa, anulándose la corriente de colector en apenas 0,2 V.
Manteniendo la polarización directa de la unión de emisor, es decir, para una corriente de emisor dada,
para tensiones negativas de VCB o incluso positivas por debajo de la tensión de codo (menores de 0,6
V aproximadamente) estamos en la situación de zona activa (curvas horizontales) figura 4.

Página 3 de 21
 Figura 4. Representación de la zona de saturación de un transistor.

A medida que polarizamos en directa la unión de colector, en dicha unión aparece una corriente (que
crece exponencialmente con la tensión aplicada) que se opone a la debida a los portadores que vienen
desde el emisor atravesando la base. Si además tenemos en cuenta que al polarizar la unión de colector
en directa estamos aplicando un campo eléctrico que también se opone a la llegada de portadores
desde la base figura 5.

Figura 5. Curva característica de la zona de saturación.

Actividad: Obtención de las curvas típicas de s típicas de conmutación de un BJT de potencia durante
el encendido y el apagado con el uso de un transistor tip31c.

Los elementos implementados fueron:

 Fuente de alimentación de dc a 10v.

 Inductor de 10uH.
 Diodo ideal.
 Transistor de potencia tip31c.
 Fuente de alimentación por pulsos.
 Resistencia de 50Ω.

Como se puede ver representado en la figura 5 se encuentra el circuito implementado en visión y el

circuito realizado en pspice con los parámetros determinados.

Página 4 de 21
 D1

DC

I/P1
R1

GND1

Figura 6. Circuito implementado para las curvas típicas de conmutación (Visio).

Figura 7. Circuito implementado en pspice para las curvas típicas de conmutación.

Características del transistor NPN TIP31C

Figura 8. Hoja de datos del transistor tip31c.

Página 5 de 21
 Figura 9. Hoja de datos del transistor tip31c en conmutación.

La señal de entrada fue de un voltaje de 10V a una frecuencia de 25KHz mostrado en la figura
10.

10V

5V

0V
0s 0.2ms 0.4ms 0.6ms 0.8ms 1.0ms 1.2ms 1.4ms 1.6ms 1.8ms 2.0ms
V(Q1:b)
Time

Figura 10. Señal de control.

Cuando el transistor está en saturación o en corte las pérdidas son despreciables. Pero si tenemos en
cuenta los efectos de retardo de conmutación, al cambiar de un estado a otro se produce un pico de
potencia disipada, ya que en esos instantes el producto IC x VCE va a tener un valor apreciable, por lo
que la potencia media de pérdidas en el transistor va a ser mayor. Estas pérdidas aumentan con la
frecuencia de trabajo, debido a que al aumentar ésta, también lo hace el número de veces que se
produce el paso de un estado a otro.
De esta manera se puede ver representado como es que como si se representara una fuente de corriente
y de esta manera en la zona activa llegue a un valor máximo de corriente de 3.4A ante una carga
inductiva.

Página 6 de 21
La primera característica a evaluar es en el estado de corte donde se puede apreciar en la
figura 11 que al aumentar la tensión VCB estamos aumentando la polarización inversa de la unión de
colector. Esto hará que la zona de carga correspondiente a esta unión aumente, por lo que la anchura
efectiva de la base (donde existen portadores) disminuirá. Esta disminución de la anchura efectiva de
la base tendrá como consecuencia que los portadores inyectados por el emisor van a tenerlo más fácil a
la hora de atravesar la misma.
4.88

2.50

0.918ms 0.950ms 1.000ms 1.050ms 1.100ms 1.150ms 1.200ms 1.250ms 1.300ms 1.350ms 1.400ms 1.450ms
V(V1:+) I(L1)
Time

Figura 12. Corriente de colector del transistor en estado de corte.

Región de saturación en la corriente de colector del transistor, a medida que polarizamos en directa la
unión de colector, en dicha unión aparece una corriente (que crece exponencialmente con la tensión
aplicada) que se opone a la debida a los portadores que vienen desde el emisor atravesando la base. Si
además tenemos en cuenta que al polarizar la unión de colector en directa estamos aplicando un campo
eléctrico que también se opone a la llegada de portadores desde la base como se muestra en la figura
13.

4.88

2.50

1.459ms 1.500ms 1.550ms 1.600ms 1.650ms 1.700ms 1.750ms 1.800ms 1.850ms 1.900ms 1.950ms 2.000ms
V(V1:+) I(L1)
Time

Figura 12. Corriente de colector del transistor en estado de saturación.

Posteriormente en la corriente de base, si mantenemos VBE constante, un aumento de VCE implica un

aumento de la tensión VCB, o lo que eso mismo, estamos aplicando una mayor polarización inversa a
la unión de colector, lo que lleva implícito (como ya se ha descrito anteriormente) una disminución de
la anchura efectiva de la base, habrá menos portadores que se recombinan en la base figura 13 y 14.

Página 7 de 21
 200m

100m

0
499.99624us 499.99800us 500.00000us 500.00200us 500.00400us 500.00600us 500.00800us 500.00956us
V(V1:+) IB(Q1)
Time

Figura 13. Corriente de base del transistor en estado de saturación.

258m

200m

100m

-55m
0.999838ms 1.000000ms 1.000500ms 1.001000ms 1.001500ms 1.002000ms 1.002457ms
V(V1:+) IB(Q1)
Time

Figura 14. Corriente de base del transistor en estado de corte.

712mV

600mV

400mV

200mV

0V
499.9843us 499.9900us 500.0000us 500.0100us 500.0200us 500.0300us 500.0400us 500.0500us 500.0600us 500.0681us
V(V1:+) V(Q1:b,Q1:e)
Time

Figura 15. Voltaje base-emisor del transistor en estado de saturación.

Como se puede ver representado en la figura 15 la unión de base a emisor debe estar polarizada
directamente (voltaje de la región p más positivo) con un voltaje resultante de polarización directa
entre la base y el emisor de aproximadamente 0.6 a 0.7 V mínimo que en este caso de 712mV.

Página 8 de 21
 888mV

500mV

0V

-269mV
1.000000ms 1.000400ms 1.000800ms 1.001200ms 1.001600ms 1.002000ms 1.002400ms 1.002701ms
V(V1:+) V(Q1:b,Q1:e)
Time

Figura 16. Voltaje base-emisor del transistor en estado de corte.

Como se puede apreciar el voltaje cae de acuerdo a la cantidad de energía almacenada en el inductor y
por ende el voltaje que necesita el diodo para poder conducir.
10.94V

8.00V

4.00V

0V
400.0us 450.0us 500.0us 550.0us 600.0us 648.2us
V(V1:+) V(Q1:c,Q1:e)
Time

Figura 17. Voltaje colector-emisor del transistor en estado de corte.

Tal como el modo de saturación es el inverso del modo de corte, el activo inverso es el opuesto del
modo activo. Un transistor en modo activo inverso conduce, hasta amplifica, pero la corriente fluye en
el sentido contrario, desde el emisor al colector. En modo activo, las corrientes de la base y del
colector entran al dispositivo, y la IE sale. Para relacionar la corriente del emisor con la del colector,
tenemos otro valor constante Figura 17 y 18.
11.9V

8.0V

4.0V

0V
0.9575ms 1.0000ms 1.0500ms 1.1000ms 1.1500ms 1.2000ms 1.2500ms 1.3000ms 1.3500ms 1.4000ms 1.4500ms 1.5000ms
V(V1:+) V(Q1:c,Q1:e)
Time

Página 9 de 21
 Figura 18. Voltaje colector-emisor del transistor en estado de saturación.
Comparación de diferentes tipos de transistores de potencia en curvas de conmutación de encendido y
apagado.

Tip31c se definió la corriente a un 80% en este caso el tip31c tiene una corriente continua de 3A En
este caso se propuso de 2.8A.

El circuito implementado se muestra en la figura 19.

Figura 19. Circuito implementado con un transistor de potencia tip31C..

375m

250m

125m

0
500.0012us 500.0016us 500.0020us 500.0024us 500.0028us 500.0032us 500.0036us 500.0040us 500.0044us
V(Q1:b) IB(Q1)
Time
Figura 20. Corriente de base del transistor en estado de saturación.
303m

200m

-141m
1.0000ms 1.0005ms 1.0010ms 1.0015ms 1.0020ms 1.0025ms 1.0030ms 1.0035ms 1.0040ms 1.0045ms 1.0050ms
V(Q1:b) IB(Q1)
Time

Página 10 de 21
 Figura 21. Corriente de base del transistor en estado de corte.
4.00

2.00

-1.18
0.98677ms 0.99000ms 0.99500ms 1.00000ms 1.00500ms 1.01000ms 1.01500ms 1.01779ms
V(R1:2) IC(Q1)
Time

Figura 22. Corriente de colector del transistor en estado de corte.

2.88

2.00

1.00

-0.75
1.498737ms 1.499000ms 1.499500ms 1.500000ms 1.500500ms 1.501000ms 1.501500ms
V(R1:2) IC(Q1)
Time

Figura 23. Corriente de colector del transistor en estado de saturación.

20.0V

10.0V

0V

-3.7V
499.800us 500.000us 500.200us 500.400us 500.600us 500.800us 501.000us 501.145us
V(R1:2) V(Q1:c,0)
Time

Figura 24. Voltaje colector emisor del transistor en estado de saturación.

Página 11 de 21
 20.0V

10.0V

0V

-3.7V
1.001437ms 1.001600ms 1.001800ms 1.002000ms 1.002200ms 1.002400ms 1.002600ms 1.002800ms
V(R1:2) V(Q1:c,0)
Time

Figura 25. Voltaje colector emisor del transistor en estado de corte.

847mV

500mV

0V

-165mV
1.000ms 1.001ms 1.002ms 1.003ms 1.004ms 1.005ms 1.006ms 1.007ms
V(Q1:b,0)
Time

Figura 26. Voltaje base emisor del transistor en estado de corte.

750mV

500mV

250mV

0V

1.499443ms 1.499600ms 1.500000ms 1.500400ms 1.500800ms 1.501200ms 1.501600ms 1.501840ms

V(Q1:b,0)
Time

Figura 27. Voltaje base emisor del transistor en estado de saturación.

Como se observa en la figura 20 la curva comenzará en cero la corriente de base y terminará en un

valor máximo de corriente de base, donde puede haber un pequeño aumento en la corriente de
colectoremisor debido a las fugas de corriente. En el estado de corte, la corriente de colector-emisor es
muy baja y prácticamente constante, independientemente de la corriente de base. Esto se debe a que la
unión colector-emisor está polarizada en inversa, lo que evita que fluya corriente a través del
dispositivo.

Como se aprecia en la figura 21 en el estado de saturación, la corriente de colector-emisor es máxima

y prácticamente constante, independientemente de la corriente de base. Esto se debe a que la unión

Página 12 de 21
colector-emisor está polarizada en directa y la unión base-emisor está polarizada en directa con un
voltaje suficiente para hacer que el BJT sature. En este estado, el BJT se comporta como un interruptor
cerrado y la caída de tensión en la resistencia de carga es baja.

De esta manera, la curva de conmutación de saturación tendrá una corriente de colector-emisor

prácticamente constante en el eje vertical y la corriente de base en el eje horizontal. La curva
comenzará en cero corrientes de base y terminará en un valor máximo de corriente de base, donde la
corriente de colector-emisor alcanza su valor máximo.

En la figura 22 En el estado de corte, la corriente de colector-emisor es prácticamente cero,

independientemente de la corriente de base. Esto se debe a que la unión colector-emisor está
polarizada en inversa y no hay flujo de corriente a través del BJT. En este estado, el BJT se comporta
como un interruptor abierto y la caída de tensión en la resistencia de carga es máxima. Por lo tanto, la
curva de conmutación de corte tendrá una corriente de colector-emisor prácticamente cero en el eje
horizontal y la corriente de base en el eje vertical. La curva comenzará en cero corrientes de base y
terminará en un valor máximo de corriente de base, donde la corriente de colector-emisor aún será
prácticamente cero.

En la figura 23 en el estado de saturación, la corriente de colector-emisor es máxima y prácticamente

constante, independientemente de la corriente de base. Esto se debe a que la unión colector-emisor
está polarizada en directa y la unión base-emisor está polarizada en directa con un voltaje suficiente
para hacer que el BJT sature. En este estado, el BJT se comporta como un interruptor cerrado y la
caída de tensión en la resistencia de carga es baja.

Consiguientemente, la curva de conmutación de saturación tendrá una corriente de colector-emisor

prácticamente constante en el eje horizontal y la corriente de base en el eje vertical. La curva
comenzará en cero corrientes de base y terminará en un valor máximo de corriente de base, donde la
corriente de colector-emisor alcanza su valor máximo.

En la figura 24 En la curva de conmutación de corte medida con el voltaje base-emisor, se puede

observar una transición abrupta desde una corriente de colector-emisor no nula a prácticamente cero
cuando el voltaje base-emisor disminuye. Esta transición es conocida como la región de corte del BJT.
A medida que el voltaje base-emisor continúa disminuyendo, la corriente de colector-emisor se
mantiene cercana a cero, indicando que el transistor sigue en la región de corte. Por último, cuando el
voltaje base-emisor alcanza un valor negativo, la corriente de colector-emisor se invierte y fluye en
dirección opuesta. Esta región se conoce como la región inversa y es un estado no deseado en el que el
transistor puede verse dañado.

En la figura 25 se puede observar que la curva de conmutación de saturación medida con el voltaje
base-emisor, se puede observar una zona plana donde la corriente de colector-emisor es constante,
mientras que el voltaje base-emisor aumenta. Esta zona plana es conocida como la región de
saturación del BJT.

A medida que el voltaje base-emisor continúa aumentando, la corriente de colector-emisor comienza a

disminuir. En esta etapa, el transistor se encuentra en la región activa, donde la corriente de colector-
emisor varía linealmente con el voltaje base-emisor. Por último, en la región de corte, la corriente de
colector-emisor se aproxima a cero y la curva de conmutación de saturación se asemeja a una línea
recta horizontal en el eje de corriente.

En la figura 26 la curva de conmutación de corte medida con el voltaje colector-emisor, se puede

observar una transición abrupta desde una corriente de colector-emisor no nula a prácticamente cero

Página 13 de 21
cuando el voltaje colector-emisor aumenta. Esta transición es conocida como la región de corte del
BJT.
A medida que el voltaje colector-emisor continúa aumentando, la corriente de colector-emisor se
mantiene cercana a cero, indicando que el transistor sigue en la región de corte. Por último, cuando el
voltaje colector-emisor alcanza un valor negativo, la corriente de colector-emisor se invierte y fluye en
dirección opuesta. Esta región se conoce como la región inversa.

En la figura 27 se puede ver representada En la curva de conmutación de saturación medida con el

voltaje colector-emisor, se puede observar una zona amplia y plana donde la corriente de colector-
emisor se mantiene constante en función del voltaje colector-emisor.
Esta zona se conoce como la región de saturación del BJT. A medida que el voltaje colector-emisor
continúa aumentando, la corriente de colector-emisor puede comenzar a aumentar ligeramente, pero
todavía permanece en la región de saturación.
Por último, cuando el voltaje colector-emisor alcanza un valor negativo, la corriente de colector-
emisor se invierte y fluye en dirección opuesta. Esta región se conoce como la región inversa.

Segundo circuito implementado con el transistor tip41c

Figura 28. Circuito implementado con un transistor de potencia tip41C

446m

375m

250m

125m

500.00000us 500.00040us 500.00080us 500.00120us 500.00160us 500.00200us 500.00240us 500.00280us 500.00313us

IB(Q2) V(R2:2)
Time

Figura 29. Corriente de base del transistor en estado de saturación tip41.

Página 14 de 21
813m

500m

-471m
1.003ms 1.004ms 1.005ms 1.006ms 1.007ms 1.008ms 1.009ms 1.010ms
IB(Q2) V(R2:2)
Time

Figura 30. Corriente de base del transistor en estado de corte tip41.

3.75

2.50

1.25

-0.57
1.00100ms 1.00200ms 1.00300ms 1.00400ms 1.00500ms 1.00600ms 1.00700ms 1.00800ms 1.00878ms
IC(Q2) V(R2:2)
Time

Figura 31. Corriente de colector del transistor en estado de saturación tip41c.

3.75

2.50

1.25

-0.57
499.6us 499.8us 500.0us 500.2us 500.4us 500.6us 500.8us 501.0us 501.2us 501.4us 501.6us
IC(Q2) V(R2:2)
Time

Página 15 de 21
 Figura 32. Corriente de colector del transistor en estado de saturación tip41c.

20V

10V

0V

499.699us 500.000us 500.400us 500.800us 501.200us 501.600us 502.000us 502.400us 502.800us 503.093us
V(D2:1,0) V(Q2:b)
Time

Figura 33. Voltaje colector emisor del transistor en estado de saturación tip41.

23.5V

20.0V

10.0V

0V

0.99683ms 0.99800ms 1.00000ms 1.00200ms 1.00400ms 1.00600ms 1.00800ms 1.00984ms

V(D2:1,0) V(Q2:b)
Time

Figura 34. Voltaje colector emisor del transistor en estado de corte tip41.

934mV

500mV

0V

-127mV
496.0us 498.0us 500.0us 502.0us 504.0us 506.0us 508.0us 510.0us 512.0us 513.8us
V(Q2:b,0)
Time

Página 16 de 21
 Figura 35. Voltaje base emisor del transistor en estado de saturación tip41.

896mV

500mV

0V

-355mV
0.9938ms 0.9960ms 1.0000ms 1.0040ms 1.0080ms 1.0120ms 1.0160ms 1.0200ms
V(Q2:b,0)
Time

Figura 36. Voltaje base emisor del transistor en estado de corte tip41.

En el tercer circuito implementado se utilizó el 2SC4793 que tiene un voltaje de operación de 230V.

Figura 37. Circuito implementado con el transistor 2SC4793.

895m

750m

500m

250m

0
499.9829us 499.9900us 500.0000us 500.0100us 500.0200us 500.0300us 500.0400us
V(R1:2) IB(Q3)
Time

Figura 38. Corriente de base del transistor en estado de saturación 2SC4793.

Página 17 de 21
925m

500m

-244m
0.998ms 1.000ms 1.002ms 1.004ms 1.006ms 1.008ms 1.010ms 1.012ms 1.014ms 1.016ms 1.018ms 1.020ms
V(R1:2) IB(Q3)
Time

Figura 39. Corriente de base del transistor en estado de corte 2SC4793.

885m

750m

500m

250m

499.9933us 499.9960us 500.0000us 500.0040us 500.0080us 500.0120us 500.0160us 500.0200us

V(R1:2) IC(Q3)
Time

Figura 40. Corriente de colector del transistor en estado de saturación 2SC4793.

903m

500m

-123m
1.007625ms 1.008000ms 1.008500ms 1.009000ms 1.009500ms 1.010000ms 1.010500ms 1.011000ms 1.011500ms 1.012000ms 1.012500ms 1.013086ms
V(R1:2) IC(Q3)
Time

Página 18 de 21
 Figura 41. Corriente de colector del transistor en estado de corte 2SC4793.

52.8V

40.0V

20.0V

0V

-6.4V
499.841us 499.880us 499.920us 499.960us 500.000us 500.040us 500.080us 500.120us 500.160us 500.200us 500.240us 500.280us
V(R1:2) V(D1:1,0)
Time

Figura 41. Voltaje colector emisor del transistor en estado de saturación 2SC4793.

54.5V

40.0V

20.0V

0V

1.0095ms 1.0096ms 1.0097ms 1.0098ms 1.0099ms 1.0100ms 1.0101ms 1.0102ms

V(R1:2) V(D1:1,0)
Time

Figura 42. Voltaje colector emisor del transistor en estado de corte 2SC4793.

947mV

750mV

500mV

250mV

0V
490.63us 495.00us 500.00us 505.00us 510.00us 515.00us 520.00us 525.00us 527.78us
V(Q3:b,0)
Time

Página 19 de 21
 Figura 43. Voltaje base-emisor del transistor en estado de saturación 2SC4793.

933mV

500mV

0V

-259mV
0.99532ms 1.00000ms 1.00500ms 1.01000ms 1.01500ms 1.02000ms 1.02456ms
V(Q3:b,0)
Time

Figura 44. Voltaje base-emisor del transistor en estado de corte 2SC4793.

Resultados:
Para realizar una comparación entre las gráficas de conmutación de encendido y apagado de un BJT de
potencia media y uno de potencia alta, es necesario tener en cuenta que las principales diferencias
entre ambos transistores se encuentran en su capacidad para manejar niveles de voltaje y corriente más
altos en el caso del BJT de potencia alta.

En la gráfica de conmutación de encendido, que muestra la relación entre la corriente de base y la

corriente de colector-emisor en la región activa del transistor, se puede observar que el BJT de
potencia alta tiene una pendiente más pronunciada que el de potencia media. Esto se debe a que el BJT
de potencia alta tiene una mayor ganancia de corriente y, por lo tanto, una mayor capacidad para
amplificar la señal de entrada.

En la gráfica de conmutación de apagado, que muestra la relación entre la corriente de base y la

corriente de colector-emisor cuando el transistor se encuentra en la región de corte, se puede observar
que el BJT de potencia alta tiene una transición más gradual entre la zona activa y la zona de corte.
Esto se debe a que el BJT de potencia alta tiene una mayor capacidad para manejar niveles de
corriente y voltaje más altos antes de que el transistor se encuentre completamente apagado.

IV. Conclusión
Como se puede ver representado el hecho de tener un inductor como carga, modifica el punto de
operación de un transistor ya que lo somete a las condiciones de trabajo más desfavorables dentro de
la zona activa, de esta manera se comprende que el funcionamiento del mismo se ve alterado porque
la bobina (inductancia) se va a oponer a las variaciones de la corriente que le está transmitiendo el
transistor, además que como se puede ver representado en el tiempo de corte y saturación se tienen
tiempos en donde la bobina se carga y esta electricidad que se mantiene cargada, tienen un tiempo
para descargarse afectando al transistor En las curvas de conmutación de un BJT de voltaje medio, la
región activa del transistor puede extenderse hasta una corriente de colector-emisor de varios
amperios. Por lo tanto, la curva de conmutación de saturación puede mostrar un área amplia y plana
donde la corriente de colector-emisor es constante en función de la corriente de base. Además, la

Página 20 de 21
curva de conmutación de corte puede mostrar una transición abrupta desde una corriente de colector-
emisor no nula a prácticamente cero.

Por otro lado, en las curvas de conmutación de un BJT de voltaje alto, la región activa del transistor
se encuentra en un rango de corriente más bajo, y la curva de conmutación de saturación puede
mostrar una pendiente más pronunciada que la del BJT de voltaje medio. Además, la curva de
conmutación de corte puede mostrar una zona de transición más amplia donde la corriente de
colector-emisor disminuye gradualmente a medida que la corriente de base se reduce.

V. Bibliografía

 Electrónica de Potencia. Muhammad H. Rashid. Tercera Edición. Pearson Educación.

 Mohan, N., Undeland, T. M., & Robbins, P. W. (2009). Electrónica de potencia:
Convertidores, aplicaciones y diseño (3a. ed.). México: Mc Graw Hill
 Hart, D. W. (2005). Electrónica de potencia. México: Pearson Education
 Erickson, R. W. & Maksimovic, D. (2001). Fundamentals of power electronics (2a. ed.).
México: Springer Science+Business Media Inc.

Página 21 de 21