Transistores BJT

Germain Rosadio Vega

Departamento de Ingenierı́a Fı́sica
Facultad de Ciencias
Universidad Nacional de Ingenierı́a
Lima, Perú
grosadiov@uni.pe

Resumen—En este décimo primer laboratorio se estudian las En analogı́a con los diodos, un transistor npn es similar a
caracterı́sticas básicas del transistor de unión bipolar (BJT) dos diodos unidos por la sección del cátodo, como se muestra
modelo 2N2222A y su funcionamiento en su operación activa, en la Fig. 1, donde se atribuye los términos emisor, base y
en saturación y en corte cuando está en la configuración emisor
común. También se obtienen las curvas caracterı́sticas de entrada colector según se observa.
y de colector del transistor en tal configuración con ayuda de la En cambio, la composición de un transistor pnp es como
herramienta de simulación Multisim y de análisis Matlab. la de dos diodos unidos por el ánodo, su representación es
Index Terms—Diodos, semiconductor, portadores mayoritarios y similar a la de la Fig. 1 con las letras N y P intercambiadas.
minoritarios, transistor BJT.
04 de agosto de 2020 II-B. Configuración de emisor común
Este tipo de configuración se llama ası́ porque el emisor es
I. I NTRODUCCI ÓN común o sirve de referencia para las terminales de entrada y
salida (en este caso es común para las terminales base y co-
L OS transistores BJT son uno de los dispositivos electróni-
cos más importantes cuya principal caracterı́stica es la
de amplificar señales débiles y también pueden actuar como
lector), en la mayorı́a de situaciones el emisor está conectado
directamente a tierra como se muestra en la Fig. 2(a). Como
interruptores (abarca gran parte de la electrónica digital y
memoria digital). Su funcionamiento es similar al principio
de los diodos ya que también están constituidos por mate-
riales semiconductores como el silicio. Además existen dos
clases: tipo n-p-n y tipo p-n-p, para cada uno existen diversas
aplicaciones y la más común es como amplificador de tensión.

II. F UNDAMENTO TE ÓRICO

II-A. El transistor BJT
El transistor de unión bipolar, o BJT (bipolar junction
transistor), o simplemente transistor, es un dispositivo semi-
conductor de tres capas que consta de dos capas de material
tipo n y una de material tipo p (transistor tipo npn) o de dos
capas de material tipo p y una de material tipo n (transistor
tipo pnp).
Figura 1. Semiconductor como la unión de un material tipo p entre materiales
tipo n.
(a) Transistor npn con el terminal emisor (b) Representación de un
conectado a tierra. transistor npn en los cir-
cuitos.
Figura 2. Representaciones del transistor npn en su configuración habitual,
es decir, con la base-emisor y colector-emisor polarizados en directa.
se observa en la Fig. 2(b), el sı́mbolo del transistor npn tiene
la dirección de la flecha saliendo del mismo; esto indica que
que las corrientes IB e IC atraviesan entrando al transistor y
se suman para dar una salida de IE , cumpliendo que
IE = IB + IC (1)
Por otro lado, la representación de un transistor pnp es
similar a la de la Fig. 2(a) pero el sı́mbolo de la flecha ahora
serı́a entrante, esto indica que la corriente IE está entrando al
transistor y se divide en IB e IC ; aquı́ igual se cumple (1).
Existen otro tipo de configuraciones como la configuración
de base común, o configuración de colector común, que en
analogı́a con la de emisor común, tienen una conexión a
tierra con la base y colector respectivamente. Además en los
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transistores BJT siempre se cumple (1) en cualquier tipo de

configuración o tipo (pnp o npn).

III. P REGUNTAS DEL CUESTIONARIO

1. Explique el principio fı́sico de funcionamiento de
un transistor de unión bipolar p-n-p (BJT). ¿Cómo
deben polarizarse las uniones p-n y n-p?, Cuales son
las consideraciones básicas que uno debe tomar en
cuenta.
El principio de los transistores es el mismo que en el de
los diodos, pues ambos están compuestos por materiales (a) Transistor BJT (b) Transistor FET
tipo p y n. Para un correcto funcionamiento del transistor
pnp, las terminales deben polarizarse como en la Fig. 3, Figura 4. Representación de las diferencias entre los transistores BJT y FET.
es decir, con el diodo emisor-base polarizado en directa
y el diodo colector-base en inversa. 3. En la configuración emisor común, muestre las curvas
Si se supone que inicialmente la terminal B se deja caracterı́sticas de ambos elementos, identificando las
en circuito abierto, tendrı́amos sólo la malla grande de regiones de operación y las condiciones de operación
las baterı́as y las terminales E y C. Esta situación es en cada una.
equivalente a tener dos diodos con sus ánodos juntos, La configuración emisor común se muestra en la Fig. 2;
y sea cual fuere la polarización de las fuentes, habrı́a por a diferencia de diodo, que se describe por una curva
lo menos un diodo que se opondrı́a a la corriente y ası́ caracterı́stica, el transistor requiere de dos curvas carac-
no circula ninguna corriente por el circuito completo. terı́sticas, una correspondiente a la base-emisor, y la otra
Cuando se conecta el terminal B según la Fig. 3, la al colector-emisor (para el caso en que el emisor sea la
primera malla emisor-base contendrá el material p-n, el referencia).
cual actuarı́a como un diodo en este subcircuito, dejando La curva es siempre corriente vs tensión, entonces
pasar una pequeña corriente IB . Pero ya que seguirı́an tendrı́amos las curvas caracterı́sticas del transistor como
entrando corriente IE por E y que pasan al material n, la se muestra en la Fig. 5.
corriente tenderı́a a ir a la terminal negativa del transistor,
osea la terminal C, y entonces se tendrı́a que para un flujo
entrante IE , por B sale un pequeño flujo IB y el flujo
restante IC por C.

(a) Curva caracterı́stica de entrada.

Figura 3.

2. ¿Cuál es la diferencia de este tipo de elementos a

comparación de los transistores de efecto de campo?
El transistor de efecto de campo (FET) es un dispositivo
de tres terminales que se utiliza en varias aplicaciones
similares a las del transistor BJT. Las diferencias prin-
cipales entre los dos tipos de transistor, BJT y FET,
son que: El transistor BJT es un dispositivo controlado
por una corriente de entrada (Fig. 4(a)), mientras que (b) Curva caracterı́stica de colector.
el transistor JFET es un dispositivo controlado por un
voltaje de entrada (Fig. 4(b)). Figura 5. Curvas caracterı́sticas de un transistor npn en configuración de
emisor común. B, C y E representan la terminal base, colector y emisor
En cada caso la corriente del circuito de salida la controla respectivamente.
un parámetro del circuito de entrada: en un caso un nivel
de corriente, y en el otro un voltaje aplicado. La Fig. 5(a) corresponde a la gráfica IB vs VBE , es decir,

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a la corriente base vs la tensión entre las terminales

base-emisor, cuya región es equivalente a la de un diodo
(región pn inferior de la Fig. 1), por lo que es de esperar
que esta primera curva caracterı́stica del transistor sea la
de un diodo, con una barrera de potencial de 0.7 V (en
diodo de silicio).
En la Fig. 5(b) tenemos la gráfica de la corriente de
colector IC vs la tensión entre las terminales colector-
emisor VCE . Aquı́ se observa que el transistor presenta
diferentes regiones en las que su funcionamiento varı́a,
estas son:
Región activa: Esta región está en funcionamiento cuan-
do VCE se encuentra en el rango de 1 a 40 voltios,
aquı́ el transistor tiene un funcionamiento normal,
porque las variaciones en la señal de entrada producen
variaciones proporcionales en la señal de salida. En
esta región, el diodo de base-emisor está polarizado en
directa y el diodo de base-colector está polarizado en
inversa (la tensión en el colector es mucho mayor que
en la base).
Región de saturación: Esta región tiene lugar cuando
VCE toma valores entre 0 y unas décimas de voltio. En
esta región, el diodo de colector no tiene la suficiente
tensión positiva como para capturar todos los electro-
nes libres inyectados en la base. Además, la corriente
de base IB es mayor que la normal y la ganancia de
corriente βdc es menor que la normal.
Región de corte: Esta región se encuentra debajo de la
curva IB = 0. Y aunque la corriente base es nula,
existe una pequeña corriente en el colector.
Región de disrupción: Esta última región se encuentra
cuando VCE supera los 40 voltios. El transistor nunca
deberı́a funcionar en esta región porque se destruirı́a.
A diferencia del diodo zener, que está optimizado para
trabajar en la zona de disrupción, el transistor no está
preparado para operar en esta región.
4. Busque el diseño de un circuito en el que el transistor
BJT (n-p-n) funcione como interruptor en la región
de saturación y corte. Establezca la ecuación para
calcular la corriente de saturación.
5. ¿Que otros tipos de transistores existen y cuáles son
las principales aplicaciones de cada uno?.
Hay muchos tipos de transistores, algunos son:
Transistores de uniunión: También conocidos como
unijuntura o UJT (UniJunction Transistor). Su estruc-
tura interna está compuesta sólo por dos materiales
semiconductores: una barra de tipo N en donde se
encuentran dos bases y un material incrustado tipo P
que actúa como el emisor (Fig. 6). El funcionamiento
de este transistor se basa en tres regiones llamadas de
corte, de saturación y de resistencia negativa.
Transistores Bipolares: También conocidos como tran-
sistores BJT (“Bipolar Junction transistor”). Dentro
de este tipo podemos encontrar los transistores PNP y
NPN, a pesar de tener dos tipos diferentes su funciona-
(a) (b)
Figura 6. Transistor UJT.
miento es el mismo solo tienen una pequeña diferencia
y es que los primeros se utilizan para voltajes positivos
y los segundos para negativos. Los BJT se controlan a
través de la corriente y son los más comunes, debido
a que se utilizan en la electrónica analógica como
amplificadores y en la digital como interruptores.
Transistores de efecto de campo: Conocidos como
transistores FET (“Field Effect Transistor”) porque
generan un campo eléctrico que es el que controla
el funcionamiento del dispositivo. Una de sus
caracterı́sticas principales es que estos componentes
se pueden comportar como si fueran resistencias y
capacitores dando la posibilidad de hacer circuitos
utilizando puros transistores FET.
Fototransistor: Un fototransistor tiene solo dos termina-
les. Su funcionamiento es prácticamente el mismo al
de un transistor normal, ya que es posible regular la
corriente de colector a través de la base que en este
caso seria el encapsulado. Su funcionamiento depende
directamente de cuánta luz llegue a la base, ya que
mientras más luz llegue más corriente genera.
Figura 7. Representación de un fototransistor.
IV. P ROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL
Paso 1
Medir en el multı́metro el β (hF E ) del transistor. Montar el
circuito de la Fig. 8. Para diferentes corrientes de base (mida
IB ) observar en el osciloscopio la curva caracterı́stica IC vs
VCE . Reproducir las curvas en papel milimetrado, indique la
corriente de base, IB , para cada curva.
Paso 2
I. Para el circuito de la Fig. 9.
a. Analizar el circuito y hallar las ecuaciones para calcu-
lar IB , IC e ICsat .

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Paso 4
De las curvas caracterı́sticas IC vs VCE , obtenidas en el
paso 1, calcular el βdc .

V. DATOS EXPERIMENTALES
Paso 1
Figura 8. Primer circuito Primero observamos la curva caracterı́stica VB vs VCE
(o VA ) del primer circuito cuando fijamos VBB = 10 V
obteniendo lo que se muestra en la Fig. 11.
b. Para RC = 500 Ω, calcular la ICsat,max . Luego,
calcular IB,max .
0
c. Para garantizar la saturación, tomar IB = 1.2(IB,max ),
con este valor calcular RB .
Montar el circuito con el valor de RB calculado. Medir
IB , IC y VCE . ¿Está en saturación el transistor?

(a) Gráfica XY. (b) Medición de la gráfica XY.

Figura 11. Gráfica XY obtenida al acoplar un osciloscopio al primer circuito

(Fig. 8) conectando CH1 con A y CH2 con B. El eje Y corresponde al voltaje
de la resistencia RC , es decir VB ; y el eje X, al voltaje en A, osea VCE .

Luego, para distintos valores de VBB (se cambia este voltaje

con el propósito de variar IB ), obtenemos las distintas curvas
caracterı́sticas IC (mA) vs VCE del transistor como se ve en
la Fig. 12

Figura 9. Segundo circuito

II. Ahora disminuya VBB , ¿cuándo está el transistor en corte?

Mida VC cuando el transistor está en corte y saturación.

Paso 3
En el circuito anterior, reemplazar la fuente DC por una
señal cuadrada (TTL, 0-5 V) del generador de funciones
(Fig.10), de 500 Hz, observar en el osciloscopio esta señal
y la salida VC. Graficar y explicar.

Figura 12. Curvas caracterı́sticas del transistor obtenidas de las mediciones

realizadas de IC y VCE en el primer circuito con valores fijos de VBB e iguales
a 0, 5, 10, 15 y 20 voltios y en cada configuración con valores variables de
V1 desde 0 a 10 voltios (esto para que se logre el barrido en el eje x).

Paso 2
I. Después del cálculo correspondiente en este paso, se
configuró RB con el valor obtenido y se procedió a medir
IB , IC y VCE , esto se muestra en la Fig. 13.
Figura 10. Tercer circuito II. Ahora disminuimos VBB a 0.7 voltios y medimos como
se muestra en la Fig. 14.

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VI. C ÁLCULOS Y RESULTADOS

Paso 1
Haremos un análisis del primer circuito para un valor fijo
de V1 = 10 V .
1. Para la primera malla, correspondiente a la región emisor-
base, obtenemos por la ley de Kirchhoff que
VBE = VBB − IB .RB
VBB − VBE
IB =
RB
(10 − 0.7) V
=
500 kΩ
IB = 18.6 µA (2)
Figura 13. Mediciones del segundo circuito con ayuda de las sondas de 2. De la Fig. 11 vemos que la tensión en la resistencia RC
corriente y voltaje.
es de -4.05 voltios. Este signo negativo cobra sentido al
darse cuenta de que en la segunda malla, correspondiente
a la región colector-emisor, la corriente IC va en sentido
antihorario, por lo que la polarización de RC es de + a -
desde la puesta a tierra VB , entonces tendrı́amos que
VB = −IC .RC
VB
IC = −
RC
(−4.05 V )
=−
(1 kΩ)
IC = 4.05 mA (3)
Al observar esta relación entre VB e IC , deducimos
que en cualquier medición de estos valores tenemos
VB (V ) = −IC (mA) (4)
Figura 14. Mediciones del segundo circuito cuando el transistor se encuentra
en el lı́mite de la región de corte.
Finalmente, calculamos la ganancia de corriente con los
resultados (2) y (3).
Paso 3
IC 4.05 mA
Aquı́ cambiamos la fuente VBB por un generador de fun- βcd = = ≈ 217.7 (5)
IB 18.6 µA
ciones configurado a onda cuadrada de 0 a 5 voltios. Esto se
muestra en la Fig. 15 Para VBB = 10 V .
Paso 2
Primero hay que notar que la composición segundo circuito
(Fig. 9) se trata del mismo que el primero (Fig. 8). Entonces
podemos decir que la ganancia de corriente βcd para el
segundo circuito es el mismo que el primero, el cual según
(5) resultó aproximadamente 217.7.
a. Ahora analicemos el segundo circuito por mallas.
Para la primera malla correspondiente al diodo base-
(a) Medición de las señales obser- (b) Se desplazó verticalmente las emisor tenemos
vadas. señales alejándolas del eje x para
que se comparen. VBE = VBB − IB .RB
Figura 15. Señales observadas al acoplar un osciloscopio al segundo circuito VBB − VBE
(cuando cambiamos la fuente por un generador de onda cuadrada) conectando
IB =
RB
CH1 directamente a la señal de entrada y CH2 a VC . La señal amarilla
corresponde a la onda cuadrada generada y la turqueza a la señal de salida
(5 − 0.7) V
=
VCE . RB
4.3
IB = (6)
RB

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Y en la segunda malla con el colector-emisor VII. D ISCUSI ÓN DE RESULTADOS

VCC = VCE + IC .RC Paso 1
VCC − VCE • En los resultados obtuvimos (4), esto nos sirve para notar
IC = (7) que la curva caracterı́stica VB (V ) vs VCE (V ) obtenida
RC
en la Fig. 11 es equivalente a una curva IC (mA) vs
Para tener IC,sat hacemos VCE se aproxime a cero
VCE (V ) con el canal Y invertido (invertido por el signo
VCC negativo de (4)). Y esto es precisamente lo que se observa
IC,sat = (8)
RC en la Fig. 12, donde la curva amarilla (con IB = 18.6 µA
b. Reemplazando RC = 500 Ω en (8) correspondiente a VBB = 10 V ) es equivalente a la de la
Fig. 11 con el canal Y invertido.
5V
IC,sat = = 10 mA • Otra diferencia que encontramos entre la Fig. 11 y 12
500 Ω es que la primera abarca también la parte donde VCE
Ahora como IC = β.IB , si queremos hallar IB,max es negativo. Estos valores negativos significan que la
entonces le corresponderı́a un IC,max el cual es IC,sat , polarización del diodo colector-emisor ya no será directa
entonces (+ - respectivamente), sino inversa, y entonces el tran-
IC,sat sistor ya no funcionarı́a correctamente pues no está en la
IB,max = ≈ 45.94 µA
β configuración habitual (la cual es una polarización directa
c. Ahora tomamos que la corriente en la base es IB 0
= en el diodo base-emisor y en el diodo colector-emisor),
1.2(IB,max ), y con esta nueva corriente hallamos RB por esto la corriente IC se mantiene nula durante una
según (6) polarización inversa en el colector-emisor y por la misma
razón no se optó por considerar esta región en la Fig. 12.
4.3 V
RB = ≈ 78.0 kΩ
1.2(IB,max ) Paso 2
Paso 3 • En los resultados se obtuvo que la corriente saturada
del colector IC,sat es de 10 mA, y en las mediciones
En nuestro análisis del tercer circuito para la onda cuadrada
de la Fig. 13 se obtuvo que la corriente de 9.58 mA.
consideraremos dos casos, cuando VBB = 5 V y cuando es
Estos valores están muy cercanos, se diferencian apenas
nulo.
en 0.5 mA, entonces podrı́amos decir que el transistor
En los casos donde VBB = 5 V tendremos exactamente
está cerca de la saturación.
la misma configuración que el segundo circuito, para este
• En la región de corte tendrı́amos que IB = 0 y ya que
caso, se habı́a obtenido que VC = 211 mV (medida hecha
estamos trabajando con el mismo transistor que en el
en la Fig. 13). Entonces ese valor será la tensión de salida.
primer circuito, la curva limitante de la región de corte
Ahora para los valores nulos de la señal de entrada, VBB =
es la curva verde de la Fig. 12. En tal configuración
0, la primera malla se comporta como circuito abierto y
(VBB = 0.7 V ) tenemos que VC = 4.86 mV .
IB = 0 y debido a la relación IC = β.IC tendremos que
IC = 0 y entonces VC = VCC = 5 V . Paso 3
En resumen para el paso 3 obtenemos que • En este procedimiento obtuvimos que la tensión entre
( colector-emisor está dada por (9). Este resultado se com-
211 mV ; VBB = 5 V
VC = (9) prueba observando la Fig. 15 donde la expresión describe
5 V; VBB = 0 correctamente la curva turqueza.
Paso 4 • Algo interesante a discutir del efecto del transistor en la
onda de entrada cuadrada, es que produce un efecto de
Por último calcularemos la ganancia de corriente βdc de los
inversión de la onda, es decir, mientras que la tensión
datos graficados en la Fig. 12 según
de entrada es igual a 5 voltios, la de salida es casi nula
IC (211 mV exactamente); y cuando la tensión de entrada
β=
IB es nula, la de salida es 5 voltios. Cuando se observa
la tensión de salida y se compara con la entrada, da
la impresión de que se trata de una señal invertida, si
Cuadro I
VALORES β CALCULADOS DE LA F IG . 12
vemos a la señal de entrada como pulsos, la señal de
salida producirı́a pulsos cada vez que se apaga el pulso
VBB IB (µA) IC (mA) βdc de entrada, y la de salida se apagarı́a cada que la señal
20 38.6 8.0261 207.93 de entrada envı́a pulsos.
15 28.6 5.9895 209.42
10 18.6 3.9832 214.15 Paso 4
5 8.6 1.8713 217.59
0.7 0 0.059564 − Aquı́ se obtuvo los valores de la ganancia de corriente
βdc para las distintas curvas graficadas en la Fig. 12, estos

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resultados se muestran en la Tabla I y se nota que las beta

se mantienen cerca del valor de 200, difiriendo un poco entre
ellas al ir de una curva a otra.
VIII. C ONCLUSIONES
1. El transistor 2N2222A utilizado en el primer circuito
(Fig. 8) tiene una ganancia de corriente βcd , o beta de
continua, igual a aproximadamente 217.7 para VBB =
10 V .
Además se obtuvieron las curvas caracterı́sticas de dicho
transistor las cuales se muestran en la Fig. 12.
2. El transistor del segundo circuito, con RB = 78 kΩ está
próximo a saturarse pues se mide una corriente en el
colector IC = 9.58 mA y para la saturación se requiere
que IC,sat = 10 mA.
Además, el transistor está en la región de corte cuando
VBB < 0.7 V o equivalentemente IB < 0. Esta región es
la que se encuentra por debajo de la curva verde en la
Fig. 12.
3. El transistor del tercer circuito (Fig. 10) actúa como un
interruptor que se cierra cuando detecta un pulso (cuando
la señal cuadrada entrante tiene 5 voltios) entrante y se
abre cuando no se envı́a tal pulso (cuando la señal es
nula).
4. El valor de la ganancia de corriente βdc del transistor del
primer circuito se mantiene cercano a 210 en lo que varı́a
IB según los resultados de la Tabla I.
R EFERENCIAS
[1] ON Semiconductor, “P2N2222A datasheet,” Disponible en URL:
https://www.onsemi.com/pub/Collateral/P2N2222A-D.PDF, 2013.
[2] A. P. Malvino and D. J. Bates, Principios de electrónica. McGraw-Hill,
2007.
[3] R. L. Boylestad and L. Nashelsky, Electrónica: teorı́a de circuitos y
dispositivos electrónicos. PEARSON educación, 2009.
[4] C. K. Alexander and M. N. Sadiku, Fundamentos de circuitos elétricos.
AMGH Editora, 2013.

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