UES – FMO Asignatura: Laboratorio Intermedio II

Depto. de CCNN y Matemáticas Ciclo/Año: I/2022

Sección de Física Docente: Lic. Víctor Manuel Villalta Méndez

PRÁCTICA DE LABORATORIO 3.
“POLARIZACIÓN DE UN TRANSISTOR BJT”

I. OBJETIVOS.
Que los/las estudiantes:
1) Reconozcan físicamente un transistor BJT, e identifiquen sus terminales.
2) Polaricen un transistor BJT y determinen experimentalmente sus parámetros característicos.

II. FUNDAMENTO TEÓRICO.

¿Qué es un transistor?
Los transistores son dispositivos semiconductores usados comúnmente como amplificadores o
switches eléctricamente controlados. Los transistores han sido uno de los componentes claves
en la electrónica moderna gracias a su flexibilidad, confiabilidad y bajo costo. Miles de
transistores son utilizados en circuitos integrados que componen la mayoría de los equipos
digitales y electrónicos hoy día. Reemplazaron a los tubos de vacío en el siglo XX por su pequeño
tamaño, bajo costo, habilidad para controlar corrientes altas, alta eficiencia, largo periodo de
vida, baja disipación de potencia, entre otras características. Internamente los transistores están
compuestos por material tipo P y N como los diodos. Se puede casi visualizar un transistor como
dos diodos unidos de cierta forma, como se muestra en la figura 1.

Figura 1. Esquema representativo de un transistor.

Tipos de Transistores. Existen varios tipos de transistores dependiendo de sus materiales y

configuración interna. Los más comunes son los transistores de unión bipolar (“bipolar
junction”) o BJT y los transistores de efecto de campo (“field effect”) o FET. Los BJT son usados
para amplificar y switching y su nombre es derivado de su funcionamiento interno que utiliza el
movimiento de electrones y huecos (portadores de carga positiva). Tienen tres terminales
denominadas: colector (C), base (B) y emisor (E). Cada terminal está conectada a uno de los
materiales que componen el BJT. La relación de las corrientes y voltajes que pasan por estas
terminales dicta sus regiones de operación y sus relaciones matemáticas para análisis de
circuitos.
Los BJT tienen tres tipos de configuraciones internas: NPN, PNP y Heterojunction Bipolar (HB).
Los NPN tienen dos capas de material tipo N y una de tipo P entre medio, como muestra la
figura 2.

Figura 2. Transistor NPN.

Estos BJT son los más comúnmente utilizados, ya que el movimiento de electrones es mucho
más rápido que el movimiento de huecos y esto permite controlar mayores valores de corriente
y produce mayor rapidez de operación. Los PNP tienen dos capas de material tipo P y una de
tipo N entre medio (ver figura 3).

Figura 3. Esquemas ilustrativos de las uniones y de

las terminales de los topis de transistores BJT.

Estos BJT funcionan con el movimiento de huecos. Los últimos BJT están compuestos por
materiales semiconductores distintos al material N y P y son útiles por su habilidad de controlar
frecuencias muy altas, hasta varios cientos de GHz.
Los símbolos utilizados para representar a los transistores se muestran en la figura 4.

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 Figura 4. Símbolo de los transistores BJT.

Los FET utilizan el campo eléctrico para controlar la conductividad de los canales
semiconductores. Pueden ser construidos de una variedad de materiales, pero el más común es
el silicio. Los FET tienen tres terminales de importancia para su funcionamiento y análisis, las
cuales son: gate (G), drain (D) y source (S). Hay varios tipos de FET, por ejemplo: MOSFET, JFET,
CMOS, MESFET, entre otros. Vienen de dos variedades: canal P y canal N. Dado que en esta
práctica no se utilizarán los FET, no entraremos en detalle sobre sus ecuaciones o
funcionamiento interno.

Figura 5. Símbolo de los transistores FET.

Regiones de operación de los transistores BJT.

Los transistores bipolares tienen cuatro regiones de operación principales, de manera parecida
a los diodos. En cada región, la corriente es controlada de forma distinta y las uniones o
“diodos” internos están en un modo de polarización distinto.
• Foward active o Activa directa: Unión E–B en polarización directa, unión B–C en
polarización inversa, la corriente del C–E es proporcional a la corriente de la base, para
variaciones pequeñas de corriente de base la proporción es grande.
• Reverse active o Activa inversa: Unión E–B en polarización directa, unión B–C en
polarización inversa, la relación de corrientes es inversa al modo activo.
• Saturation o Saturación: Ambos uniones en polarización directa, entonces el BJT
funciona como un switch abierto dejando pasar toda corriente por ella.

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 • Cutoff o Corte: Ambos uniones en polarización inversa, entonces el BJT funciona como
un switch cerrado bloqueando toda corriente por ella.

Modelo básico del transistor BJT. Un modelo físico básico de este dispositivo es aquel que
introduce sus principales características y que estudia su utilización en el análisis de los circuitos
de polarización. “Polarizar” un transistor es una condición previa a muchas aplicaciones lineales
y no-lineales ya que establece las corrientes y tensiones en continua que van a circular por el
dispositivo. La figura 6 muestra estos parámetros entre las terminales del transistor BJT y los
sentidos de referencia.

Figura 6. Símbolo y sentidos de referencia para

un transistor bipolar a) NPN y b) PNP.

Corrientes y voltajes en un transistor de unión o BJT. Un transistor bipolar de unión está formado
por dos uniones PN en contraposición. Físicamente, el transistor está constituido por tres
regiones semiconductoras – emisor, base y colector – siendo la región de base muy delgada (<
1µm). El modo normal de hacer operar a un transistor es en la zona directa. En esta zona, los
sentidos de las corrientes y tensiones en los terminales del transistor se muestran en la figura 6a
para un transistor NPN y en la figura 6b para un PNP. Para las corrientes, en ambos casos, se
verifica que:
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 (1)

Mientras que para los voltajes, se cumple que:

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 En transistores NPN
(2)
𝑉𝐸𝐶 = 𝑉𝐵𝐶 + 𝑉𝐸𝐵 En transistores PNP

El modelo de interés para el estudio de los transistores bipolares es el que desarrollaron Ebers
y Moll. Este modelo relaciona las corrientes con las tensiones en los terminales del transistor
(ver material de apoyo)

III. SUGERENCIAS PARA EL DESARROLLO EXPERIMENTAL.

Para el desarrollo de esta práctica de laboratorio se requieren los siguientes materiales y
equipos: un transistor 2N3904 (NPN), un transistor 2N3906 (PNP), una resistencia de 100 k (½

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W), una resistencia de 1 k (½ W), una resistencia de 200 k (½ W), un multímetro digital, dos
fuentes de voltaje directo, una breadboard y conectores.

Parte A. Determinación del patillaje y del tipo transistor BJT.

Seleccione uno de los transistores e identifique su tipo y sus terminales. Para ello, siga los
siguientes pasos:
1) Numeración de las patillas: poniendo el transistor en la posición mostrada en la figura 7,
numere las patillas correlativamente.

Figura 7. Numeración de las

patillas del transistor.

2) Determinación de la base: con un polímetro puesto en medida de semiconductores, haga las

medidas que se piden en la tabla 1.

Figura 8. Mediciones para determinar la base del transistor.

Tabla 1. Mediciones entre las terminales del transistor.

Punta Roja en patilla Punta Negra en patilla Resistencia ()
1 2
2 1
1 3
3 1
2 3
• A partir de los datos de la tabla No 1, indique cuál de las terminales es la base.

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3) Determinación del tipo de transistor: con la información de la tabla No 1, determinar si el
transistor es NPN o PNP.
4) Determinación del emisor y del colector: una vez determinado el tipo de transistor, monte el
circuito mostrado en la figura 9 (note que este circuito, a efectos de explicación, se ha
realizado para un transistor NPN; para un transistor PNP no hay más que cambiar la
polaridad de la fuente). Luego, complete las mediciones que se piden en las tablas 2 y 3.

Figura 9. Circuito usado para determinar el emisor y colector del

transistor.

Tabla 2. Identificación de las terminales del transistor BJT.

Punta Roja en patilla Punta Negra en patilla Corriente (mA)
1 2
2 1
1 3
3 1
2 3

Tabla 3. Voltaje entre las terminales del transistor BJT.

Punta Roja en patilla Punta Negra en patilla Voltaje
Base Emisor
Base Colector
Colector Emisor
Emisor Colector
Emisor Base

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 Colector Base
5) Repita el procedimiento para el otro transistor.
6) Escriba sus conclusiones.
Parte B. Polarización de un transistor BJT.
1) Monte el circuito que se muestra en la figura 10, con los siguientes valores: RB = 100 k, RC =
1 k, VCC = 15 V y VBB variable. Observe que este circuito está instalado para el transistor
NPN.

Figura 10. Circuito de polarización de un transistor BJT.

2) Realice las mediciones que se piden la siguiente tabla 4 y no olvide que los valores de
intensidad corriente se calculan, lo mismo que el valor de hFE:
Tabla 4. Medidas del voltaje y corriente en la polarización de un transistor BJT.
𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐶𝐸 𝑉𝐵𝐵 −𝑉𝐵𝐸 𝐼𝐶
𝑉𝐵𝐵 (V) 𝑉𝐵𝐸 (V) 𝑉𝐶𝐸 (V) 𝐼𝐶 = (A) 𝐼𝐵 = (A) ℎ𝐹𝐸 =
𝑅𝐵 𝑅𝐶 𝐼𝐵
1.5
3.0
4.5
6.0
7.5
9.0
10.5
12.0

3) Mida el hFE del transistor usando el polímetro disponible y compárelo con el promedio del
hFE calculado con los datos de la tabla No 4.

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4) Trace en EXCEL las gráficas “IC vs VCE” y “IC vs IB”. ¿Qué tendencia presentan estas gráficas?
¿Se verifican las predicciones teóricas?
5) Escriba sus conclusiones de esta práctica.

Responda las siguientes preguntas:

1) ¿Cuál es la diferencia de un transistor PNP y NPN?
2) ¿Qué mide el parámetro hFE?
3) ¿Un transistor es un elemento que amplifica corriente o voltaje? Justifique su respuesta.