UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN AGUSTÍN

FACULTAD DE INGENIERIA DE PRODUCCION Y SERVICIOS

DEPARTAMENTO ACADEMCO DE INGENIERIA ELECTRICA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA ELÉCTRICA
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS II

FACULTAD DE INGENIERÍAS DE PRODUCCIÓN Y

SERVICIOS

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA

ELÉCTRICA

CIRCUITOS ELECTRÓNICOS II

DOCENTE: ING. MIGUEL IVAR ORDOÑEZ CARPIO

ALUMNO: JOSÉ LUIS VALDIVIA GUILLEN

TEMA: LABORATORIO N° 05
AMPLIFICADOR OPERACIONAL BJT-MOSFET

GRUPO “B”
AREQUIPA-PERÚ 2020
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LABORATORIO DE SIMULACION 5
CIRCUITOS ELECTRONICOS 2
AMPLIFICADOR OPERACIONAL BJT-MOSFET
Para el siguiente circuito asumir: 𝛽 = 100, 𝑉𝐵𝐸(𝑜𝑛) = 0.7𝑉 𝑦 𝑉𝐴 = ∞.

PROCEDIMIENTO.-
Realizar el análisis en DC y calcular el voltaje en la salida.

𝐼𝑄 1𝑚𝐴
𝐼𝐸1 = 𝐼𝐸2 = = = 0.5𝑚𝐴
2 2
𝐼𝐶1 = 𝐼𝐶2 ≈ 𝐼𝐸1 = 0.5𝑚𝐴
𝑉𝑜2 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶2 (𝑅𝐶 ) = 12 − 0.5(22.6) = 0.7𝑉
𝑉𝑜 = 𝑉𝑜2 − 𝑉𝐵𝐸3 = 0.7 − 0.7 = 0𝑉

 Implementar el circuito en Orcad y medir el voltaje en la salida para análisis en

DC. Contrastar con el valor calculado.
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 Realizar el análisis en AC y calcular la ganancia de voltaje Avf=vo/vi

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 Conectar una señal de prueba y por simulación medir la salida y verificar la

ganancia del amplificador con el calculado.

 Rediseñar el circuito usando MOSFET, el nuevo circuito es mostrado a

continuación:

NOTA: Asumir que los MOSFET tienen los siguientes parámetros: VTN=1V,
Kn=1mA/V2, y λ=0.
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 Encontrar el valor de RD para la condición cuando vi=0, vo=0.

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 Realizar el análisis en AC y encontrar la ganancia de voltaje en lazo cerrado.

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 Por simulación verificar la ganancia.

5. CUADRO COMPARATIVO
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Teórico Simulado
IC1 0.5mA 0.5227mA
IC2 0.5mA 0.4877mA
VO2 0.7V 0.9775V
VO 0V 0.185V
Avf(BJT) 5.68 5.65
Avf(MOSFET) 3.56 3.5087

6. CONCLUSIONES

Se ha logrado simular el amplificador operacional para el BJT y

MOSFET los resultados experimentales se aproximan a los teóricos.
Se observa que cuando se adiciona una realimentación al
amplificador diferencial tanto par BJT como el MOSFET, mejora la
forma de onda dándole una mayor estabilidad.
A consecuencia de mejorar la distorsión y el desfasaje cae la ganancia
en el circuito realimentado.
- Con una disminución del 10 por ciento en los parámetros de
conducción del MOSFET, la ganancia de lazo cerrado ha disminuido
menos del 2 por ciento.

8. REFERNCIAS:
- Spice for power electronic end elctric power tercera edición
muhammad rashid.microelectronic circuits
- adel s. sedra, kenneth c. smith - 7th edition
- Microelectronics. circuit analysis and desing - donald
a. neamen - 4th edition
- circuitos-electronicos-norbert-r-malik