Informe 2 ML839 Electronica de Potencia

Facultad de Ingeniería Mecánica - FIM
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA
FACULTAD DE INGENIERÍA MECÁNICA
2do Informe de Laboratorio
DISPARO DEL TIRISTOR CON CIRCUITOS

INTEGRADOS UJT Y PUT
Curso: ELECTRÓNICA DE POTENCIA
Profesor: Ing. Arévalo Macedo, Robinson
Sección: A
Apellido Apellido
Nombres Especialidad
Paterno Materno
Maldonado Berrospi Ever Ruben M4
Toro Santillán Omar M4
2020
INFORME DE LABORATORIO N.º 2 – ELECTRONICA DE POTENCIA
Índice
1. Objetivos
2. Equipos y materiales
3. Simulación en Proteus
4. Cuestionario
5. Observaciones y Conclusiones
22
Objetivos
 Diseñar circuitos de disparo de tiristores usando circuitos integrados UJT y PUT.
 Usando los circuitos diseñados disparar un tiristor que activa una carga. [1]
Equipos y Materiales
 Osciloscopio digital
 Multímetro digital
 01 tiristor 2N3669 o su equivalente
 01 PROTOBOARD
 01 foco o motor monofásico
 Condensadores electrolíticos de 0.22, 0.5, 1, 5, 10, 30 y 50uF a 50V
 Resistencias cuyos valores determinó en el diseño
 01 potenciómetro de 100K para 2W
Cálculos previos
Primera Parte
22
SOLUCIÓN
Datos:
R P=100 K ; C=0.22 μF ,0.5 μF ,1 μF , 5 μF , 10 μF ,30 μF , 50 μF
22
Segunda parte
SOLUCIÓN
22
Simulación en Proteus
Primera parte
1. Diseñar e implementar el circuito de disparo de la figura para VZ=30V

2. Considerar que todas las resistencias y potenciómetros deben disipar potencias de
2W o más.
3. Para C=0.22uF cerrar el interruptor SW1 y anote lo que ocurre, luego cierre el
interruptor SW2 anotando lo sucedido, luego variar RP observe y anote.
4. Cambiar el valor de C por los demás y repita el paso 3.
5. Para los pasos 3 y 4 colocar el osciloscopio entre los terminales del condensador y
grafique la forma de onda.
22
Para C=0.22uF
R=100k
R=50k
R=20k
22
Para C=0.5uF
R=100k
R=50K
R=20k
22
Para C=10uF
22
Para C=30uF
22
Para C=50uF
22
Segunda parte
1. Diseñar e implementar el circuito de la figura para VZ=30V.

2. Repetir los pasos 3, 4 y 5 de la primera parte.
22
22
Para C=0.5uF
22
Para C=10uF
22
Para C=30uF
22
Para C=50uF
22
Cuestionario
1. Hacer el fundamento teórico del experimento realizado.
EL TRANSISTOR UJT
Este dispositivo se utiliza, fundamentalmente, como generador de pulsos de disparo para

SCR y TRIAC.
El UJT es un componente que posee tres terminales: dos bases y un emisor, tal como se
muestra en la siguiente figura:
En la figura se puede apreciar la constitución de un UJT, que en realidad está compuesto

solamente por dos cristales. Al cristal P se le contamina con una gran cantidad de
impurezas, presentando en su estructura un número elevado de huecos. Sin embargo, al
cristal N se le dopa con muy pocas impurezas, por lo que existen muy pocos electrones
libres en su estructura. Esto hace que la resistencia entre las dos bases RBB sea muy alta
cuando el diodo del emisor no conduce. Para entender mejor cómo funciona este
dispositivo, vamos a valernos del circuito equivalente de la figura siguiente:
22
R1 y R2 equivale a la resistencia de los tramos de cristal N comprendidos entre los

terminales de las bases. El diodo D equivale a la unión formada por los cristales P-N entre
el terminal del emisor y el cristal N.
Mientras el diodo del emisor no entre en conducción, la resistencia entre bases es igual a:
Si en estas condiciones aplicamos una tensión de alimentación VBB entre las dos bases, la
tensión que aparece entre el emisor y la base será la que corresponda en el circuito
equivalente a R1; es decir, en el divisor de tensión se cumplirá que:
Si llamamos η=R1/RBB, la ecuación queda: V1 = η VBB.

El término η representa la relación intrínseca existente entre las tensiones V1 y VBB.
Así, por ejemplo, si un UJT posee una relación intrínseca característica igual a 0,85 y
queremos determinar la tensión que aparecerá entre el terminal de emisor y la base 1 al
aplicar 12V entre bases, bastará con operar de la siguiente forma:
Al valor de V1 se le conoce como tensión intrínseca, y es aquélla que hay que aplicar para
que el diodo comience a conducir. En nuestro ejemplo, si aplicamos una tensión de 8V al
emisor, éste no conducirá, ya que en el cátodo del diodo D existe un potencial positivo de
10,2V correspondiente a la tensión intrínseca, por lo que dicho diodo permanecerá
polarizado inversamente. Sin embargo, si aplicamos una tensión superior a 10,9V (los
10,2V de V1 más 0,7V de la tensión de barrera del diodo D), el diodo comenzará a conducir,
produciéndose el disparo o encendido del UJT. En resumen, para conseguir que el UJT entre
en estado de conducción es necesario aplicar al emisor una tensión superior a la intrínseca.
En la siguiente figura, se muestra el esquema de uno de estos circuitos:

22
Su funcionamiento es como sigue: Al aplicar una tensión VCC al circuito serie R-C, formado
por la resistencia variable RS y el condensador CS, dicho condensador comienza a cargarse.
Como este condensador está conectado al emisor, cuando se supere la tensión intrínseca, el
UJT entrará en conducción. Debido a que el valor óhmico de la resistencia R1 es muy
pequeño, el condensador se descarga rápidamente, y en el terminal de B1 aparecerá un
impulso de tensión.
En la siguiente figura, se muestra una típica aplicación del generador de pulsos de diente de
sierra con UJT para controlar el disparo de un SCR. Mediante este circuito controlamos la
velocidad de un motor serie (o de cualquier otro tipo de carga: estufas, lámparas, etc.)
gracias a la regulación de la corriente que realiza sobre medio ciclo del SCR.
EL TRANSISTOR PUT
El Transistor Unijuntura Programable (Programable Unijunction Transistor, PUT) es un

dispositivo compuesto de 4 capas semiconductoras, similar a un SCR. Sin embargo, el
disparo del mismo es respecto del ánodo en vez del cátodo. Mediante un divisor de tensión
resistivo se establece precisamente la tensión de disparo (tensión de pico, Vp, del PUT). Los
PUTs se utilizan casi exclusivamente para control de fase en circuitos de rectificación
controlada, y en algunos casos, se los utiliza como osciladores.
Operación del PUT:

El PUT tiene 3 terminales, un ánodo (A), un cátodo (K) y una compuerta (G). El símbolo
eléctrico del PUT y su correspondiente circuito equivalente se ven en la figura.
22
En la figura puede verse que el PUT es como un SCR disparado por ánodo, esto es, si la
compuerta se hace negativa respecto del ánodo, el dispositivo pasará del estado de bloqueo
(o de corte) al estado de conducción.
Una característica interesante que presenta este dispositivo es que tiene una región o zona
de trabajo de resistencia negativa. Cuando la tensión entre ánodo y cátodo, Vak, supera a la
tensión de pico Vp (la cual es programada mediante el divisor resistivo; R1, R2), el
dispositivo entra en conducción, con lo cual cae la tensión Vak y aumenta la corriente. Esto
ocurre hasta que se llega a la tensión de valle (Vv), el cual es un punto estable de operación.
De esta forma, se obtiene la región de resistencia negativa, delimitada entre los puntos de
pico y de valle. Esto puede verse claramente en la figura.
La tensión de pico Vp es esencialmente la misma que la tensión de referencia del divisor de

tensión, excepto por la caída de tensión en la juntura de la compuerta.
Una de las aplicaciones típicas de este dispositivo es en un oscilador de relajación, como el
de la figura 3. Para analizar más fácilmente cómo funciona este circuito, es conveniente
hablar del equivalente de Thevenin para la fuente de tensión externa y el divisor resistivo,
aplicado en la compuerta. Estos parámetros quedan definidos:
22
Las corrientes de pico, Ip, y de valle, Iv, dependen de la impedancia equivalente en la

compuerta, Rg, y de la tensión de alimentación Vs. Por lo tanto, la curva característica del
PUT es sensible respecto de variaciones en Rg y Vs.
La red RC compuesta por Rt y Ct controla la frecuencia de oscilación junto con R1 y R2. El

periodo de oscilación T está dado en forma aproximada por:
2. Datos técnicos del UJT y PUT
El primer circuito que se simuló en el laboratorio funciona de la siguiente manera:

Normalmente el Tiristor trabaja con polarización directa entre ánodo y cátodo (la
corriente circula en el sentido de la flecha del tiristor). Por ello en este circuito solo es
necesario aplicar un pulso en la compuerta (G) para activarlo.
Pero en el segundo circuito, a diferencia del primero, utiliza un condensador. Por ello
este circuito se usa principalmente para controlar la potencia que se entrega a una
carga, en nuestro caso un foco. La potencia suministrada a la carga se controla
variando el ángulo de conducción, pero solo conducirá un semiciclo.
22
DATOS DEL TRANSISTOR JUNTURA PROGRAMABLE (PUT) 2N6027
22
DATOS DEL TRANSISTOR UNIJUNTURA (UJT) 2N2646
3. Comportamiento de la lámpara en función de C

En el caso del circuito integrado UJT, el condensador afecta la frecuencia de oscilación.
Al aumentar el valor del condensador de 0.5 a 1 uF, el valor de la frecuencia de
oscilación en el condensador bajo de casi del 50%.
Además, el valor del condensador afecta el ángulo de disparo y por tanto la luminancia,
por lo que teóricamente la luminosidad tendría que disminuir con un C de mayor valor.
4. Elección del circuito integrado de disparo
El PUT es más flexible que el UJT ya que la compuerta se conecta a un divisor de

tensión que permita variar la frecuencia del oscilador sin modificar la constante de
tiempo RC.
5. Dificultades al realizar el experimento
La imposibilidad de realizar presencialmente la experiencia de laboratorio dificulta en

gran manera la comprensión plena del curso. Sin embargo, los cálculos fueron
realizados teóricamente y la parte experimental se ejecutó mediante el software de
simulación por ordenador Proteus 8.8 Profesional. Dicha simulación está dentro de la
categoría teórica, por lo que en la práctica no se logró implementar en forma tangible la
experiencia. Por lo tanto, se sugiere, para una próxima ocasión, llevar a cabo la
experiencia de laboratorio.
Sería muy beneficioso, tanto para la simulación virtual como para la experimentación
en laboratorio, contar con una explicación más didáctica sobre la manera en que se
22
debería abordar la experiencia. Así se podrá obtener resultados más certeros. Se

tendría conclusiones de mejor calidad por parte de los alumnos, se mejoraría
grandemente el aprendizaje y se despejaría todo tipo de dudas.
Bibliografía
[1] I. R. Arevalo, «"Manual de laboratorio de Electronica de Potencia",» Facultad de Ingenieria
Mecanica, LIma, XX.
[2] M. H. Rashid, "ELECTRONICA DE POTENCIA", Circuitos,Dispositivos y Aplicaciones, CD Mexico:

Prentice Hall , 1995.
22

Informe 2 ML839 Electronica de Potencia

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Profesor: Ing. Arévalo Macedo, Robinson

Maldonado Berrospi Ever Ruben M4

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1. Diseñar e implementar el circuito de disparo de la figura para VZ=30V

1. Diseñar e implementar el circuito de la figura para VZ=30V.

Este dispositivo se utiliza, fundamentalmente, como generador de pulsos de disparo para

En la figura se puede apreciar la constitución de un UJT, que en realidad está compuesto

R1 y R2 equivale a la resistencia de los tramos de cristal N comprendidos entre los

Si llamamos η=R1/RBB, la ecuación queda: V1 = η VBB.

En la siguiente figura, se muestra el esquema de uno de estos circuitos:

El Transistor Unijuntura Programable (Programable Unijunction Transistor, PUT) es un

Operación del PUT:

La tensión de pico Vp es esencialmente la misma que la tensión de referencia del divisor de

Las corrientes de pico, Ip, y de valle, Iv, dependen de la impedancia equivalente en la

La red RC compuesta por Rt y Ct controla la frecuencia de oscilación junto con R1 y R2. El

2. Datos técnicos del UJT y PUT

El primer circuito que se simuló en el laboratorio funciona de la siguiente manera:

DATOS DEL TRANSISTOR JUNTURA PROGRAMABLE (PUT) 2N6027

DATOS DEL TRANSISTOR UNIJUNTURA (UJT) 2N2646

3. Comportamiento de la lámpara en función de C

4. Elección del circuito integrado de disparo

El PUT es más flexible que el UJT ya que la compuerta se conecta a un divisor de

5. Dificultades al realizar el experimento

La imposibilidad de realizar presencialmente la experiencia de laboratorio dificulta en

debería abordar la experiencia. Así se podrá obtener resultados más certeros. Se

[2] M. H. Rashid, "ELECTRONICA DE POTENCIA", Circuitos,Dispositivos y Aplicaciones, CD Mexico:

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