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Universidad Pedaggica y Tecnolgica de Colombia

Facultad Seccional Sogamoso


Escuela de Ingeniera Electrnica
Laboratorio de Electrnica I

CURVAS CARACTERSTICAS DEL BJT

Nombres Cdigo

1. OBJETIVOS Figura 1. a) Transistor Q1, con polarizacin fija. b) algunos tipos


Obtener de forma prctica las caractersticas elctricas del de encapsulados de transistores.
transistor de juntura bipolar. a)
Observar experimentalmente el comportamiento en VCC
potencia, de los BJT.
Observar el funcionamiento del transistor, dentro de cada
regin de trabajo. Rc

2. MATERIALES Y EQUIPOS Vbb


Q1
Rb
Osciloscopio
Generador de seales
Fuente de alimentacin DC variable
Multmetro
0
Transistores 2N2222N, 2N2907, TIP 31 Y TIP 32.
Figura 2. Regiones usuales de operacin del BJT.
Diodos D1N4007
Convertidor tres a dos
Protoboard.
Resistencias.

3. INTRODUCCIN
Los transistores son uno de los dispositivos que se encuentran
con mayor frecuencia en circuitos electrnicos. Gracias a su
aparicin en los aos cuarenta, se dispar a nivel mundial el
desarrollo de diversos dispositivos que hoy da hacen parte
tanto de nuestra vida diaria como de mltiples procesos en la
industria y la investigacin. Esta prctica estar enfocada en
determinar algunas de las caractersticas de este tipo de
dispositivos mediante el empleo de algunos equipos de
laboratorio. Zonas de funcionamiento de un transistor:
Zona activa: la juntura base-emisor debe estar polarizada
4. MARCO TERICO en directo (VBE = 0.7v) y la juntura base-colector debe estar
polarizada en inverso.
Un transistor puede controlar una corriente de colector
(relativamente grande), con una pequea inyeccin corriente Zona de corte: Se produce cuando la juntura base-emisor
en su base. El transistor de juntura bipolar, vara su nivel de no recibe el potencial suficiente para encenderse (V BE < 0.7
resistencia en funcin de la corriente de base. Obsrvese en la o negativo). En dicho caso no existen corrientes en el
figura 2, que a medida que la corriente de colector IC disminuye, transistor ya que si la corriente en la base es cero, la
el voltaje entre colector emisor VCE aumenta. Debido a las corriente de colector tambin ser cero (IB = 0 , IC = 0). La
caractersticas elctricas y trmicas de un dispositivo resistencia equivalente entre el colector y el emisor
semiconductor. aparece con un valor grande haciendo que prcticamente
se presente un circuito abierto en la trayectoria C-E. En un

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transistor que tenga slo resistencia en su colector se Tabla 2. Valores de obtenidos con multmetro para un
produce Vcecorte = Vcc. 2N3906.
REF. TRANSISTOR:
Zona de saturacin: Se produce cuando se hace crecer la
corriente de base a un valor tan alto que el transistor MULTMETRO BETA HOJA TCNICA:
intentara conducir tambin una corriente de colector muy
1 2 3
grande (contemplando no exceder la mxima que pueda
Marca:
soportar el dispositivo), pero el circuito introduce un
Ref:
lmite, si la Ic crece se puede llegar a VRC = Ic Rc Vcc y en
ese caso, VCE 0 y la Ic no puede crecer ms. La resistencia Marca:
equivalente entre el colector y el emisor aparece con un Ref:
valor pequeo haciendo que prcticamente se presente Marca:
un corto circuito en la trayectoria C-E. Ref:

5. PROCEDIMIENTO Tabla 3. Valores de obtenidos con multmetro para un TIP 31.


REF. TRANSISTOR:
1. Elija un transistor 2N3904, y utilice por lo menos tres
MULTMETRO BETA HOJA TCNICA:
multmetros diferentes para medir el beta del transistor.
Tenga cuidado de insertarlo en las ranuras correctas de
1 2 3
acuerdo a su tipo.
Marca:
Ref:
Luego, tome medidas a otros dos transistores de la misma
Marca:
referencia (pueden pedirse prestados los dispositivos a otros
Ref:
grupos de trabajo) y reporte las mediciones en la siguiente
Marca:
tabla:
Ref:

Tabla 1. Valores de obtenidos con multmetro para un 2N3904


Tabla 4. Valores de obtenidos con multmetro para un TIP 32.
REF. TRANSISTOR:
REF. TRANSISTOR:
MULTMETRO BETA HOJA TCNICA: MULTMETRO BETA HOJA TCNICA:
1 2 3
1 2 3
Marca:
Marca:
Ref:
Ref:
Marca:
Marca:
Ref:
Ref:
Marca:
Marca:
Ref:
Ref:

Taller
2. Con el circuito de la figura 3, escoja uno de los transistores
1. Qu puede observar de los datos obtenidos?
NPN trabajados en el literal anterior y con el osciloscopio,
2. El beta es el mismo para los diferentes transistores?
mida en formato XY, el voltaje entre emisor - colector y
Justifique.
entre emisor el otro terminal de Re; Recuerde que IC
(VRe / Re) [mA]. Vare V2 y observe los resultados.
Repita el procedimiento (numeral 1) para el 2N3906, TIP 31 Y
TIP 32 y anexe los resultados en las siguientes tablas.

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Figura 3. Circuito de pruebas para un BJT. Para el informe:


D1 Grafique y haga una interpolacin para obtener la recta de
carga DC del circuito. Segn los datos obtenidos,
D1N4007 VOFF = 0 establezca los valores de , .
RB Q1 V1
VAMPL = 10v
Graficar posteriormente vs . Segn la grfica obtenida,
FREQ = 300Hz determine el Beta () del transistor utilizado. Recuerde
10k Q2N3904 que
V2
1Vdc I C
hFE
Re 1k I B

0 Obtenga la curva de potencia del transistor utilizado.

Asegrese de aislar la tierra del osciloscopio con el conector Taller


tres a dos para evitar daos a los equipos. 4. Qu cambios se realizaran al circuito de la figura 5 para
utilizar un transistor PNP y realizar las mismas mediciones?
Taller:
1. Explique de manera concreta el funcionamiento del Repita el procedimiento desde el numeral 2 para un transistor
circuito. PNP. Analice los cambios necesarios para hacer funcionar
2. Por qu es posible obtener la caracterstica de salida del correctamente el circuito.
transistor sin medir la corriente de colector?
3. Para cada delta de corriente dentro de la regin activa el Para el informe:
sigue igual? Incluya en el informe las curvas obtenidas para mnimo 3
valores diferentes de V2 (fotografas) y concluya.
Para el informe:
Incluya en el informe las curvas obtenidas para mnimo 3 Cambiando la fuente V1 por una fuente DC de 10.7V, realice el
valores diferentes de V2 (fotografas) y concluya. barrido de voltaje de la fuente V2 hasta el valor de V1 (utilizar
multmetros). Apunte los valores de V_CE, I_B y de I_C en la
Cambiando la fuente V1 por una fuente DC de 10.7V, realice el siguiente tabla:
barrido de voltaje de la fuente V2 hasta el valor de V1 (utilizar
multmetros). Apunte los valores de , y de en la Tabla 6. Valores medidos para el circuito de la figura 3 con PNP
siguiente tabla: reemplazando V1 por una fuente DC.
IB IC VCE
Tabla 5. Valores medidos para el circuito de la figura 3 con NPN
reemplazando V1 por una fuente DC.
IB IC VCE

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Para el informe: - Gua SI Sistema Internacional de Unidades. ICONTEC. ISBN


Grafique y haga una interpolacin para obtener la recta de 958938329-7
carga DC del circuito. Segn los datos obtenidos,
establezca los valores de , . - Gua sobre incertidumbre en la medicin industrial.
Graficar posteriormente vs . Segn la grfica obtenida, ICONTEC. ISBN 958938365.
determine el Beta () del transistor utilizado. Recuerde
que NOTA: El informe de laboratorio se debe realizar de acuerdo al
I C formato establecido.
hFE asignatura.
I B

Obtenga la curva de potencia del transistor utilizado.

5. TEMAS RELACIONADOS

1. Qu determina el beta de un transistor en el momento de


su fabricacin? Explique de manera concreta.
2. La resistencia en un dispositivo semiconductor aumenta o
disminuye con el aumento de la temperatura? Explique a
nivel fsico a qu se debe este fenmeno.
3. Explique es un modelo de pequea seal y un modelo de
seal grande para un transistor BJT y que tipos de modelos
existen.
4. Qu es una red de polarizacin de un transistor? Para
qu sirve?
5. Mencione los tipos de polarizacin de transistores BJT y
establezca las caractersticas de cada una.

6. BIBLIOGRAFA

BOYLESTAD, Robert L. Electrnica: Teora de Circuitos. Editorial


Prentice Hall, 1995.

FLOYD, Thomas. A. Dispositivos Electrnicos. Editorial Limusa,


2003.

MALVINO, Albert Paul. Principios de electrnica. Editorial


McGraw-Hill, 1991.

MILLMAN, Jacob. Electrnica integrada. Editorial Hispano


Americano, 1986.

SAVANT, Cj, Jr. Diseo Electrnico. Circuitos y sistemas.


Editorial Prentice Hall. Tercera edicin, 2000.
Las mediciones realizadas en esta prctica y el manejo de
unidades, deben estar basadas en las guas establecidas para
este curso:

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