UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y INGENIERÍA ELÉCTRICA

Mg. Luis Ponce MartínezDOCENTE: Mg. Luis Ponce Martínez UNMSM 1

 ESQUEMA DEL CAPÍTULO

1–1 Estructura atómica

1–2 Aislantes, conductores y semiconductores
1–3 Bandas de energía
1–4 Semiconductores tipo N y tipo P
1–5 Corriente en semiconductores

Mg. Luis Ponce Martínez UNMSM 2

 INTRODUCCIÓN
Los dispositivos electrónicos tales como diodos,
transistores y circuitos integrados están hechos con
un material semiconductor; para entender cómo
funcionan debe tenerse conocimiento básico de la
estructura de los átomos y la interacción de las
partículas atómicas. Un concepto importante
presentado en este capítulo es el de la unión pn, que
se forma cuando se unen dos tipos de material
semiconductor. La unión pn es fundamental para la
operación de dispositivos tales como el diodo y
ciertos tipos de transistores.
Mg. Luis Ponce Martínez UNMSM 3
 1-1. ESTRUCTURA ATÓMICA
Toda la materia está compuesta por
átomos, y todos los átomos se
componen de electrones, protones y
neutrones. En esta sección se les
hará recordar sobre la estructura del
átomo, las órbitas y capas de los ELECTRÓN LIBRE
electrones, los electrones de
valencia, los iones y dos materiales
semiconductores: el silicio y el
germanio. La configuración de
ciertos electrones en un átomo es el
factor clave para determinar cómo
un material dado conduce corriente
eléctrica.

Mg. Luis Ponce Martínez UNMSM 4

 1-1. ESTRUCTURA ATÓMICA

Un átomo* es la partícula más pequeña de un elemento que retiene

las características de éste. Cada uno de los 109 elementos conocidos
tiene átomos que son diferentes de los de todos los demás elementos;
es decir, cada elemento presenta una estructura atómica única. De
acuerdo con el modelo de Bohr, los átomos tienen una estructura de
tipo planetario que consta de un núcleo central rodeado por electrones
que describen órbitas. El núcleo se compone de partículas cargadas
positivamente llamadas protones y partículas sin carga llamadas
neutrones. Las partículas básicas de carga negativa se llaman
electrones.

Mg. Luis Ponce Martínez UNMSM 5

 (a) Átomo de hidrógeno
1-1. ESTRUCTURA ATÓMICA
Cada tipo de átomo tiene un
cierto número de electrones y
protones que los distinguen de
los átomos de todos los demás
elementos. Por ejemplo, el átomo
más simple es el de hidrógeno y
tiene un protón y un electrón,
como muestra la figura. El átomo
de helio, que ilustra la figura ,
tiene dos protones y dos
neutrones en el núcleo y dos
electrones en órbita alrededor del
núcleo.
(b) Átomo de helio
Mg. Luis Ponce Martínez UNMSM 6
 1-1. ESTRUCTURA ATÓMICA : NÚMERO ATÓMICO
El número atómico es igual al número
de protones en el núcleo, el cual es
igual al número de electrones en un
átomo eléctricamente balanceado
(neutro). Por ejemplo, el número
atómico del hidrógeno es 1 y el del
helio es 2. En su estado normal (o
neutro), todos los átomos de un
elemento dado tienen el mismo número
de electrones que protones: las cargas
positivas cancelan las negativas y la
carga neta del átomo es cero.
Mg. Luis Ponce Martínez UNMSM 7
 1-1. ESTRUCTURA ATÓMICA : CAPAS Y ÓRBITAS DE
LOS ELECTRONES
Los electrones giran alrededor del
núcleo de un átomo a ciertas
distancias de él. Los electrones
cercanos al núcleo tienen menos
energía que aquellos que describen
órbitas más distantes. Sólo existen
valores discretos (separados y
distintos) de energías del electrón
dentro de las estructuras atómicas.
Por consiguiente, los electrones
deben describir órbitas a distancias
discretas del núcleo.
Mg. Luis Ponce Martínez UNMSM 8
1-1. ESTRUCTURA ATÓMICA : NIVELES DE ENERGÍA
Un átomo dado tiene un número fijo de
capas. Cada capa tiene un número fijo
máximo de electrones a niveles de
energía permisibles. Las diferencias de
los niveles de energía en una capa son
mucho más pequeñas que las diferencias
de energía entre capas. Las capas se
designan 1, 2, 3 y así sucesivamente, y la
1 es la más cercana al núcleo. La figura
muestra este concepto de banda de
energía: la primera capa tiene un nivel
de energía y la segunda tiene dos niveles
de energía. Pueden existir más capas en
otros tipos de átomos, según el
elemento.
Mg. Luis Ponce Martínez UNMSM 9
1-1. ESTRUCTURA ATÓMICA : NÚMERO DE ELECTRONES
El número máximo de electrones (Ne)
EN CADA CAPA
que puede existir en cada capa de un
átomo es un hecho de la naturaleza y se
calcula con la fórmula :
𝑵𝒆 = 𝟐𝒏𝟐
El número máximo de electrones que
puede existir en la capa más interna
(capa 1) es:
𝟐 𝟐
𝑵𝒆 = 𝟐𝒏 = 𝟐(𝟏) = 𝟐
Se usara lo mismo para las siguientes
capas de energía.
Mg. Luis Ponce Martínez UNMSM 10
 1-1. ESTRUCTURA ATÓMICA :IONIZACIÓN
Los electrones de valencia poseen más
energía y están ligeramente enlazados al
átomo que los electrones internos, así que
pueden saltar con facilidad a órbitas más
altas dentro de la capa de valencia cuando el
átomo absorbe energía externa . Si un átomo
de valencia adquiere una cantidad suficiente
de energía puede escapar con facilidad de la
capa externa y la influencia del átomo. La
partida de un electrón de valencia deja a un
átomo previamente neutro con un exceso de
carga positiva (más protones que electrones).
El proceso de perder un electrón de valencia
se conoce como ionización y el átomo
cargado positivamente resultante se conoce
como ion positivo.
Mg. Luis Ponce Martínez UNMSM 11
 DEFINICIÓN DE ELECTRONVOLTIO
(eV)
• Es la unidad de energía utilizada comúnmente en el
estudio de semiconductores
• Se define como la energía potencial electrostática puesta
en juego al llevar un electrón de una posición a otra con
una diferencia de potencial de 1V.

1e𝑽 = 𝟏 ∨∗ 𝟏, 𝟔 ∗ 𝟏𝟎−𝟏𝟗 𝑪 = 𝟏, 𝟔 ∗ 𝟏𝟎−𝟏𝟗 𝑱

Mg. Luis Ponce Martínez UNMSM 12

 1–2 AISLANTES, CONDUCTORES
Y SEMICONDUCTORES
En función de sus propiedades eléctricas, los
materiales se clasifican en tres grupos:
Conductores(metales), Semiconductores y
Aislantes.
Cuando los átomos se combinan para formar
un material sólido cristalino, se acomodan en
una configuración simétrica. Los átomos
dentro de la estructura cristalina se mantienen
juntos gracias a los enlaces covalentes, que
son creados por la interacción de los
electrones de valencia de los átomos. El silicio
es un material cristalino.

Mg. Luis Ponce Martínez UNMSM 13

 METALES

▪ Los metales son Conforme se aumenta la ▪ La conductividad de

conductores de la temperatura: los semiconductores
▪ Los metales mantienen la
electricidad conductividad casi puede controlarse de
▪ Los aislantes y los constante, con un ligero forma muy precisa
semiconductores no descenso. mediante procesos
son conductores de ▪ Los semiconductores tecnológicos(dopados
(intrínsecos) incrementan
la electricidad. o extrínsecos)
su conductividad
exponencialmente.
▪ Los aislantes no conducen
Mg. Luis Ponce Martínez UNMSM 14
 Los aislantes son materiales con una
resistencia tan alta, que no es posible
la conducción eléctrica a través de
ellos. Un caso extremo, de este tipo de
Aislantes
materiales, es el diamante.

En el diamante,
material aislante,
existe una
barrera de
energía muy alta
entre un orbital
2p lleno y los
restantes vacíos.
Mg. Luis Ponce Martínez UNMSM 15
 Semiconductores
Los semiconductores se encuentran situados,
entre los conductores y los aislantes, ya que a
temperaturas muy bajas difícilmente conducen la
corriente eléctrica y más bien se comportan como
aislantes pero, al elevar su temperatura o al ser
sometidos a un campo eléctrico externo, su
comportamiento cambia al de los conductores.
Estos semiconductores son conocidos como
intrínsecos y, en ellos, las bandas de conducción y
valencia se encuentran separadas por una barrera
de energía (banda prohibida) más pequeña de
aproximadamente 1 eV (1.1 eV para el Si y 0.7
eV para el Ge).

Mg. Luis Ponce Martínez UNMSM 16

INTRODUCCIÓN A BANDAS DE ENERGÍA
▪ El potencial característico de la Banda prohibida
estructura cristalina es una Banda conducción
4N estados
2𝑁 𝑒 −
función periódica en el espacio. 0 electrones
Subcapa pቐ

▪ Debido al acoplamiento entre las 6𝑁 𝑒𝑠𝑡𝑎𝑑𝑜𝑠

capas más exteriores de 𝐸𝐺

electrones de los átomos, la
mecánica cuántica determina que Banda 2𝑁 𝑒 −
Valencia Subcapa sቐ
sus niveles de energía están 4N estados 2𝑁 𝑒𝑠𝑡𝑎𝑑𝑜𝑠
4N electrones
próximos entre sí y forman una
banda de energía. Niveles de energía del átomo no afectados
Espacio
d1 d2 d3 interatómico

Mg. Luis Ponce Martínez UNMSM 17

 RELACION ENTRE AISLANTES,
SEMICONDUCTORES Y METALES
BANDA DE
BANDA DE Electrones CONDUCCION
CONDUCCION libres BANDA DE
CONDUCCION

BANDA ≈ 1𝑒𝑉
𝐸𝐺 ≈ 6𝑒𝑉
PROHIBIDA

BANDA DE
BANDA DE Huecos VALENCIA BANDA DE
VALENCIA VALENCIA

Mg. Luis Ponce Martínez UNMSM 18

 TIPOS DE SEMICONDUCTORES
• No contienen impurezas que
modifiquen la conductividad
Intrínsecos • Los huecos y electrones libres se crean
por pares mediante la ruptura de
enlaces covalentes

• Contienen impurezas para modificar de

Extrínsecos forma controlada la conductividad
• Los átomos de las impurezas sustituyen
o dopados a los átomos del semiconductor.

Mg. Luis Ponce Martínez UNMSM 19

 SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS
• Los semiconductores extrínsecos se
forman añadiendo pequeñas cantidades
de impurezas a los semiconductores II III IV V VI
puros. El objetivo es modificar su
comportamiento eléctrico al alterar la
densidad de portadores de carga libres.
• Estas impurezas se llaman dopantes.
Así, podemos hablar de
semiconductores dopados.
• En función del tipo de dopante,
obtendremos semiconductores dopados
tipo p o tipo n.
• Para el silicio, son dopantes de tipo n
los elementos de la columna V, y tipo p
los de la III p n
Mg. Luis Ponce Martínez UNMSM 20
 DOPADO TIPO N
▪Sustitución de un átomo de
silicio por algún átomo de la
columna V de la tabla
periódica (impurezas
donadoras)
▪Se requiere poca energía para
liberar uno de los electrones
de la capa de valencia
▪El resto forma enlace Impurezas donadoras
Semiconductor Tipo n
covalente con cuatro átomos
de silicio vecinos. P: [Ne]𝟑𝒔𝟐 𝟑𝐩𝟑
Mg. Luis Ponce Martínez UNMSM 21
 DOPADO TIPO P
➢ Sustitución de un átomo de silicio por algún átomo de la columna III de la tabla
periódica (impurezas aceptadoras)
➢ Queda un enlace covalente no satisfecho, que fácilmente atrapa electrones de enlaces
covalentes vecinos: se genera un hueco.
➢ Así el átomo de la impureza puede formar enlace covalente con cuatro átomos de silicio
vecinos

P: [He]𝟑𝒔𝟐 𝟑𝐩𝟏
Impurezas aceptadoras
Semiconductor Tipo p

Mg. Luis Ponce Martínez UNMSM 22

 1-3 BANDAS DE ENERGÍA
➢ Las bandas están formadas por
"estados" discretos, pero separados
por muy poca energía: se pueden
tratar de forma continua.
➢ A 0 K la banda de valencia de un
semiconductor está completa y no
puede haber conducción.
➢ Para que la banda de valencia
contribuya a la conducción, debe
generarse un hueco. Para ello, un
electrón de la banda de valencia debe
pasar a la de conducción.
Mg. Luis Ponce Martínez UNMSM 23
 1–4 SEMICONDUCTORES TIPO “N”

BC 𝑬𝑪
𝑬𝑫 𝑬𝒈
BV 𝑬𝑽

La introducción de impurezas donadoras equivale a la

presencia de un nivel energético en el interior de la banda
prohibida, cercano al fondo de la banda de conducción

Mg. Luis Ponce Martínez UNMSM 24

 1–4 SEMICONDUCTORES TIPO “P”
T =0K T = 50K T =300K

BC 𝑬𝑪
𝑬𝑨 𝑬𝒈

BV 𝑬𝑽

Semiconductores tipo P
La introducción de impurezas aceptadoras equivale a la
presencia de un nivel energético en el interior de la
banda prohibida, cercano a la banda de valencia.

Mg. Luis Ponce Martínez UNMSM 25

 1–5 CORRIENTE EN SEMICONDUCTORES
• Densidad De Corriente
Se define la densidad de
corriente en una dirección
x, como la carga que
atraviesa una superficie
perpendicular a dicha
dirección por unidad de
tiempo y superficie:
Mg. Luis Ponce Martínez
Suponiendo un sólo tipo En general se usara la
de portadores (huecos) densidad de la
desplazándose en
dirección x a una velocidad corriente para los
media 𝑣𝑝𝑥 se tiene que: portadores “n” y “p”
las siguientes
fórmulas:
UNMSM 26
 Corriente De Arrastre
➢ Es debida a la presencia de un campo eléctrico que acelera a los electrones y
huecos. Se denomina también corriente de deriva (drift).
➢ En ausencia de campo eléctrico, los portadores se mueven aleatoriamente y no hay
un transporte neto de carga.
➢ Con la presencia de un campo eléctrico, al movimiento aleatorio se superpone una
componente que provoca un movimiento neto en la dirección del campo eléctrico.
➢ El resultado es una velocidad media en la dirección del campo eléctrico que es
proporcional al campo eléctrico aplicado:

Mg. Luis Ponce Martínez UNMSM 27

 Corriente de Arrastre (1)
El coeficiente de proporcionalidad se denomina
movilidad(μ) y:
• Depende de la temperatura
• Es diferente para electrones y huecos (𝜇𝑛 > 𝜇𝑝 )
• Existe una velocidad de saturación (𝑣𝑠𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑐𝑖ó𝑛 )
𝜇0
𝜇=
𝜇0 𝐸
1+𝑣
𝑠𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑐𝑖ó𝑛

Mg. Luis Ponce Martínez UNMSM 28

 Corriente de Arrastre (2)
Densidad de corriente debida al arrastre de dos tipos
de portadores :

՜ ՜ ՜
𝐽𝑛 = −𝑞𝑛 𝑣 𝑛 = 𝑞𝑛𝜇𝑛 𝐸 ՜ ՜
𝐽= 𝑞(𝑛𝜇𝑛 + 𝑝𝜇𝑛 ) 𝐸 = 𝜎՜
𝐸
՜ ՜ ՜
𝐽𝑝 = 𝑞𝑛 𝑣 𝑛 = 𝑞𝑝𝜇𝑝 𝐸 𝐿ey 𝑑e 𝑂hm

𝒅𝒐𝒏𝒅𝒆 𝝈 ≅ 𝒄𝒐𝒏𝒅𝒖𝒄𝒕𝒊𝒗𝒊𝒅𝒂𝒅(𝛀𝒄𝒎)−𝟏
Mg. Luis Ponce Martínez UNMSM 29
 Corriente de Difusión
▪ La diferente concentración de portadores provoca un flujo de éstos a
las zonas de menor concentración
▪ Es consecuencia del movimiento térmico aleatorio de los portadores
▪ Se demuestra que:
En dirección x: 𝜕𝑛(𝑥) 𝜕𝑝(𝑥)
𝐽𝑛,𝑥 = 𝑞𝐷𝑛 𝐽𝑝,𝑥 = 𝑞𝐷𝑝
𝜕𝑥 𝜕𝑥
՜ ՜ ՜ ՜
En general: 𝐽𝑛 = 𝑞𝐷 𝑛
𝑛∇ 𝐽𝑝 = −𝑞𝐷 𝑝 𝑝∇
Donde 𝐷𝑛 y 𝐷𝑝 se denominan coeficiente de difusión para electrones y
huecos respectivamente. (Dimensiones 𝑐𝑚2 /s)
Mg. Luis Ponce Martínez UNMSM 30
 Corriente Total
▪ Sumando las dos contribuciones anteriores a la corriente, la densidad
de corriente de electrones y huecos es:
՜ ՜ ՜
𝐽𝑛 = −𝑞𝑛 𝑣 𝑛 = 𝑞𝑛𝜇𝑛 𝐸
՜ ՜ ՜
𝐽
𝐽 = 𝐽𝑛 + 𝑝
՜ ՜ ՜
𝐽𝑝 = 𝑞𝑛 𝑣 𝑛 = 𝑞𝑝𝜇 𝐸
𝑝
▪ Corriente arrastre ∝ concentración: la contribución de los
minoritarios es muy pequeña.
▪ Corriente difusión ∝ gradiente de la concentración: la contribución
de los minoritarios a la corriente puede ser considerable si hay un
importante gradiente de concentración.
Mg. Luis Ponce Martínez UNMSM 31