Generalidades

Los portadores elctricos y el enlace atmico (I)

La carga elctrica (y su movimiento) es la responsable de las
propiedades elctricas de un material
Tipos de cargas elctricas mviles en un material: electrones,
huecos (espacios dejados por los electrones) e iones
Tipos de enlaces segn los materiales:
Metlico: los electrones estn compartidos por todos los ncleos
atmicos del material (nube electrnico). Facilidad de movimiento.
Covalente: los electrones estn compartidos por un par de tomos.
Alto
grado de localizacin electrnica y gran dificultad de movimiento por
el
material.
Inico: iones positivos y negativos forman el material mediante
fuertes
interacciones electrostticas, por tanto, los electrones tienen una
gran
dificultad de movimiento por el material.
Movimiento de la
carga elctrica
(segn el tipo de
enlace atmico)


Movimiento de la carga elctrica en el interior de
un
material (modelo microscpico)
a) En ausencia de un campo elctrico externo:
movimiento
aleatorio (colisiones con el entorno) sin direccin
espacial
Preferente < v >= 0
b) En presencia de un campo elctrico externo, E:
la carga
elctrica se desplaza por el material por medio de
colisiones
con el entorno y en una direccin resultante
paralela a E
< v > 0 I 0 corriente elctrica
Niveles electrnicos en un tomo aislado
Orbitales s, p, d, f: niveles de energa discretos y nmeros cunticos
Ocupacin de los orbitales: Principio de exclusin de Pauli (dos electrones en cada
distinto nivel de energa)
Niveles electrnicos en un slido
(unin de N tomos, donde N es del
orden de 1023)
Necesidad de superponer N orbitales s,
N orbitales p, N orbitales d
Ocupacin de los N orbitales: Principio
de exclusin de Pauli (dos electrones en
cada distinto nivel de energa).
Los orbitales de cada tomo deben,
por tanto, diferenciarse levemente de los
de otro tomo para que el slido pueda
contener los 2N electrones
Ensanchamiento de los orbitales en
una banda (o rango de energas)

Los electrones del slido rellenan
progresivamente las bandas de menor a
mayor energa.
Las bandas internas llenas NO colaboran al
transporte de carga elctrica pues no hay
posibilidad de excitar un electrn a otro nivel
vaco.
La banda externa o ltima S puede colaborar
a las propiedades elctricas del material:
Banda externa llena: los electrones
pueden ser excitados a otra banda
superior (necesariamente vaca)
Banda externa no llena: los electrones
pueden ser excitados a niveles
energticos superiores (vacos) de la
misma banda o a otra banda superior
(necesariamente vaca)
Estructura de bandas de los metales
de la columna IA (tabla peridica),
p.ej. el sodio
En el caso del sodio, 1s22s22p63s1
La ltima banda s est semi llena
(banda de valencia) y muy lejos de
la siguiente banda p. Existe entre
ellas una gran diferencia
energtica: gap de energa
Sin embargo, los electrones (3s)
son excitados muy fcilmente
dentro de la misma banda a los
niveles vacos.
La banda 3s es, simultneamente,
la banda de valencia y de
conduccin
Alta conductividad elctrica
La conductividad elctrica en los metales (II)
Estructura de bandas de los metales de la columna IIA (tabla peridica),
p.ej. el
magnesio
En el caso del Magnesio, 1s22s22p63s23p0
La ltima banda s est llena y se solapa con la ltima banda p vaca
(bandas de
valencia y conduccin mezcladas).
Los electrones (3s) son excitados muy fcilmente a niveles vacos
superiores y
muy cercanos (3p). Alta conductividad elctrica
Estructura de bandas de los metales de la columna IIIA (tabla peridica),
p.ej.
el aluminio
En el caso del Magnesio, 1s22s22p63s23p1
La ltima banda s est llena y se solapa con la ltima banda p semillena
(bandas de valencia y conduccin mezcladas).
Los electrones (3s y 3p) son excitados muy fcilmente a niveles vacos
superiores y muy cercanos (3p). Alta conductividad elctrica.
Estructura de bandas de los metales
de transicin
Columnas IIIB hasta VIIIB, (p.ej.
desde el Sc hasta el Ni):
Banda d parcialmente ocupada
Solapamiento d-s
Interacciones magnticas que
dificultan la conductividad elctrica
(orbitales f)
Columna IB: Cu, Ag y Au
Banda d llena: electrones d
fuertemente ligados al ncleo
Banda s semillena: electrones s
dbilmente ligados al ncleo
No hay solapamiento d-s. LA
conduccin (alta) se debe a los
electrones s.
En un metal puro la conductividad elctrica est determinada
por su
estructura de bandas. El valor de s depende del nmero de
portadores y de la movilidad de los mismos, m.
El valor de m depende a su vez de la velocidad de
desplazamiento de
las cargas elctricas dentro del material.
En un metal real (con defectos) la movilidad y velocidad de
las cargas
elctricas depende crticamente del nmero y tipo de
defectos
estructurales.
A mayor nmero de defectos, menor distancia entre
colisiones, menor
movilidad y menor conductividad elctrica.
Factores que afectan a la conductividad elctrica:
La temperatura
Las imperfecciones de la red cristalina
El procesamiento y endurecimiento del material
Los electrones se desplazan por el material como ondas
electromagnticas
que ajustan su periodicidad a la de la red cristalina.
Cualquier
irregularidad en esta red cristalina provoca una dispersin
(colisin) de
dicha onda electrnica y, por tanto, una disminucin de su
movilidad y
velocidad (disminucin de la conductividad elctrica).





La temperatura
Un aumento de la temperatura del material supone un
aumento de la energa de vibracin de los tomos de la red
cristalina. Los tomos oscilan en torno a sus posiciones de
equilibrio y dispersan a las ondas electrnicas.
Disminucin de la movilidad de los electrones y de la
conductividad elctrica.
Aumento lineal de la resistividad elctrica con la temperatura.
rT=rr(1+aDT)
Las imperfecciones de la red
Los defectos reticulares (vacantes, impurezas, dislocaciones, fronteras de
grano,)
son irregularidades de la red cristalina y, por tanto, dispersan las ondas
electrnicas.
Aumento de la resistividad del material: dependiente del nmero de
imperfecciones
e independiente de la temperatura
Ejemplo: resistividad, rD, debida a una fraccin atmica de tomos de
solucin
slida o de impurezas presentes en el material, x.
rD=b(1-x)x
Todos los mecanismos de procesamiento de un material destinados a
aumentar su resistencia mecnica se basan en la creacin de
irregularidades cristalinas en el material. Por tanto, todos estos
mtodos de procesamiento aumentan a su vez la resistividad
elctrica.
Endurecimiento por solucin slida: introduccin de impurezas o
vacantes
Endurecimiento por dispersin o envejecimiento: introduccin de
precipitados en el material
Endurecimiento por deformacin en fro: creacin de dislocaciones
Endurecimiento por control del tamao de grano: creacin o
aumento de
fronteras de grano Los mtodos de endurecimiento del material son
ms o menos perjudiciales para la conductividad elctrica del material
segn sean las distancias entre las irregularidades introducidas:
distancias pequeas, menor movilidad de los electrones y mayor
resistividad elctrica
Los mtodos de reblandecimiento de los materiales (templados)
disminuyen las irregularidades internas del material y mejoran sus
propiedades elctricas
conductoras
Fuertes enlaces covalente o inicos
La banda de valencia est llena y muy alejada energticamente de la
banda
de conduccin. El gap es tan grande que los electrones no pueden ser
excitados para el transporte o conduccin de la carga elctrica.
Medio alternativo de transporte de carga elctrica: difusin o
movimiento de iones
La movilidad de los iones es varios rdenes de magnitud menor que
la de los electrones: mi=ZqD/kT
Conductividad elctrica inica es muy pequea: si=nZqmi
Las impurezas y vacantes aumentan la conductividad inica
a) Las impurezas pueden tambin difundirse y ayudar al movimiento
de los
iones (o de la corriente elctrica)
b) Las vacantes son necesarias para la difusin substitucional de los
iones
El aumento de la temperatura favorece la difusin y, por tanto, la
conductividad inica
Habitualmente son materiales aislantes, p.ej. los plsticos
Mtodos para la reduccin de la resistividad elctrica en un polmero:
1. Adicin de compuestos inicos, precipitados o impurezas en la matriz
polimrica:
Los iones migran a la superficie del polmero, atraen la humedad y sta
disipa la
electricidad esttica (materiales protectores para las descargas elctricas)
Polmeros con fibras de carbono recubiertas de nquel / Polmeros con
una mezcla
hbrida de fibras metlicas y de carbono, vidrio o aramidas: materiales con
elevada
rigidez y conductividad elctrica, materiales de proteccin contra la
radiacin
electromagntica
2. Fabricacin de polmeros con una buena conductividad elctrica
inherente:
Dopado de polmeros con impurezas con exceso/defecto de electrones:
la carga
elctrica se desplaza saltando de un tomo a otro de la cadena
Proceso de ligadura cruzada de las cadenas polimricas: la carga
elctrica se
mueve fcilmente de una cadena a otra
Dos electrones en los ltimos
orbitales s y otros
dos en los ltimos orbitales p (ns2
np2)
Hibridacin s-p en cada tomo: se
forman
cuatro orbitales para ocho electrones
(dos
llenos y dos vacos)
En el material se forman dos
bandas, una con
4N niveles energticos llenos (banda
de
valencia) y otra con 4N niveles
energticos
vacos (banda de conduccin)
Diferencia de energa entre ambas
bandas es el
gap de energa semiconductor, Eg.
Un aporte de energa trmica o una diferencia de potencial externa
es
suficiente para que un nmero ne de electrones de la banda de
valencia
salte el pequeo gap semiconductor y llegue a la banda de
conduccin.
En la banda de valencia se formar (o quedar) un nmero idntico
de
huecos nh
En esta situacin, la carga elctrica es transportada por los ne
electrones
(corriente elctrica negativa) y los nh huecos (corriente elctrica
positiva)
La conductividad elctrica ser: s=neqme+nhqmh=nq(me+mh)
Al aumentar el aporte energtico,
aumenta el nmero de electrones que
pueden superar el gap semiconductor
y, por tanto la conductividad elctrica
de un material
semiconductor intrnseco
El nmero de electrones (o huecos)
que a una temperatura dada, T, supera
la barrera energtica del gap es
(segn una ley tipo
Arrhenius):
ne= nh= n0exp(-Eg/2kT)
La conductividad del semiconductor
intrnseco ser:
s=noq(me+mh)exp(-Eg/2kT)
Aumenta con la temperatura!
Los semiconductores extrnsecos son semiconductores intrnsecos (Si o
Ge)
con un pequeo contenido de impurezas:
a) Impurezas con exceso de electrones respecto al Si o al Ge, p.ej. los
elementos de la columna VA con cinco electrones, N, P, As y Sb
b) Impurezas con defecto de electrones respecto al Si o al Ge, p.ej. los
elementos de la columna IIIA con tres electrones, B, Al y Ga
El electrn o hueco en exceso est dbilmente ligado al ncleo de la
impureza
y, por tanto, puede ser excitado muy fcilmente.





Estructura de bandas de un
semiconductor extrnseco con
impurezas donoras (con exceso
de electrones), llamado tipo n
El electrn extra slo debe superar
un gap muy pequeo, Ed para
acceder a la banda de
conduccin.
Estructura de bandas de un semiconductor extrnseco con impurezas
aceptoras (con defecto de electrones o exceso de huecos), llamado tipo p
El hueco extra slo debe superar un gap muy pequeo, Ea para acceder a
la banda
de valencia.
Las impurezas aaden al semiconductor intrnseco un nivel de energa
adicional el
que se sitan los electrones o huecos extras:
a) muy cerca de la banda de conduccin (electrones de las impurezas
donoras)
b) muy cerca a la banda de valencia (huecos de las impurezas aceptoras)
Efecto de la temperatura o la diferencia de potencial
Un aporte energtico puede ahora excitar: a) electrones de las impurezas
(muy
fcilmente, gap pequeo) y b) electrones del semiconductor intrnseco
(difcilmente, gap grande)
El nmero de electrones o huecos excitados a una temperatura T ser:
Dado que Eg>>Ed, a temperaturas no muy
altas los electrones o huecos excitados
provendrn mayoritariamente de las
impurezas y, por tanto, ntotal es
aproximadamente nimpurezas.
Semiconductores estequiomtricos: formados con elementos de
estructuras
cristalinas y de bandas muy similares al Si y al Ge.
Ejemplos clsicos: compuestos formados con elementos de la columna
IIIA (ns2np1) y
VA (ns2np3)
Hibridacin de los orbitales s-p (cuatro por tomo) y formacin de dos
bandas en todo el
material con 4N orbitales disponibles cada una de ellas: la de valencia
llena y la
de conduccin vaca.
Existencia de gap en el compuesto semiconductor
Posibilidad de dopar (tipo n o p) al compuesto semiconductor
Altas movilidades de los portadores de carga en estos compuestos, alta
conductividad
elctrica
Semiconductores no estequiomtricos o imperfectos: compuestos inicos
que
tienen un exceso de aniones(-) (produciendo un semiconductor tipo p) o
cationes(+) (produciendo uno tipo n)
Habitualmente xidos y sulfuros
1. Ejemplo: ZnO (aislante) con exceso de Zn. Los tomos extra de Zn se
ionizan
(Zn2+) y quedan libres los electrones. Semiconductor tipo n (exceso de
electrones)
2. Ejemplo: FeO (aislante) donde se substituyen tres iones Fe2+ por dos
iones
Fe3+. Creacin de una vacante en el material aceptora de electrones.
Semiconductor tipo p (defecto de electrones)
Termistores: basados en la fuerte dependencia trmica de la
conductividad
elctrica de los semiconductores
Ejemplos: termmetros, alarmas contra incendio (un aumento brusco
de la
temperatura provoca una gran variacin de corriente elctrica en el
termistor, lo
que permite activar la alarma)
Transductores (medidores) de presin: al aplicarse presin sobre un
semiconductor, sus tomos y sus estructura de bandas se comprimen,
disminuyendo el gap semiconductor. Esto hace que la conductividad y
la
corriente elctrica aumenten bajo la accin de una presin mecnica
Aplicaciones de los semiconductores
(dispositivos elctricos) (II)

Diodos o dispositivos de unin p-n: rectificadores de corriente
Transistores o uniones n-p-n/p-n-p: amplificacin de corriente,
puertas o dispositivos lgicos (circuitos integrados, chips de
memoria, microprocesadores,)
En un gran nmero de aplicaciones elctricas y electrnicas se
necesita
materiales que impidan el paso de corriente elctrica o la aslen:
aislantes
cermicos y plsticos (polmeros).
Alta resistencia elctrica y muy baja conductividad elctrica.
Gap energtico entre las bandas de conduccin y de valencia muy
grande.
Comportamiento dielctrico.
Bajo altos campos o voltajes elctricos, un material dielctrico
puede perder
su capacidad para impedir el paso de corriente elctrica entre dos
conductores, ruptura dielctrica.
Espesor del dielctrico muy pequea, d
Campo o voltaje elctrico aplicado excesivo, V
Por tanto, un aislante elctrico debe ser material dielctrico con una
resistencia dielctrica alta:
En un material dielctrico, los electrones estn fuertemente ligados
a sus
respectivos ncleos atmicos sin poder abandonar sus posiciones
de
equilibrio.
Al aplicar un campo elctrico externo, cada tomo del dielctrico se
distorsiona
levemente: su nube electrnica se desplaza una distancia muy
pequea
respecto a su posicin inicial, igual que su ncleo de carga positiva
lo hace
en sentido contrario. El resultado es un tomo deformado con un
polo de
carga positivo y otro negativo, dipolo elctrico, p=qd.
El resultado final en todo el material es la formacin de Z dipolos
por unidad de
volumen, polarizacin del dielctrico, P=Zqd
Tipos de polarizacin
Electrnica
Inica
Molecular
Dependencia de la polarizacin de
un material dielctrico
Constante dielctrica del material, e
Campo elctrico externo, E
Temperatura (desorden trmico)
Aplicacin: acumulacin de carga elctrica en los condensadores
dielctricos
Cualquier material o asociacin de materiales metlicos puede
acumular carga elctrica en sus superficies. Condensador.
La inclusin de un material dielctrico aumenta el nivel de carga
almacenado en el condensador e impide su descarga (alta resistencia
dielctrica y elctrica).

C=e(A/d)

Asociacin de materiales metlicos separados por un dielctrico:
condensador dielctrico. Aplicaciones: almacn de carga o energa,
atenuador de oscilaciones
elctricas en la red...
Propiedad de algunos materiales dielctricos basada en la estrecha
relacin
ente su estructura cristalina y la polarizacin.
a) Al aplicar una diferencia de potencial, el material se polariza, sus tomos
y
molculas se distorsionan y el material en su conjunto cambia de tamao:
electrostriccin
b) Al aplicar una presin sobre el material dielctrico, ste se contrae, sus
tomos y
molculas cambian de tamao y se forman dipolos elctricos. Esta
polarizacin
produce, a su vez, una diferencia de potencial entre los extremos del
material:
Piezoelectricidad








Nota: La piroelectricidad es un fenmeno anlogo pero causado por el
calentamiento del material dielctrico
Normalmente, al retirar el
campo elctrico de un
material polarizado una
parte o todos de sus
dipolos formados
desaparecen debido al
desorden trmico.
En los materiales
ferroelctricos, el
ordenamiento de los
dipolos es tan intenso que
un gran nmero de ellos
permanece orientados
incluso despus de retirar
el campo elctrico externo.