Comparación entre FET y BJT .

Los transistores de efecto de campo o FET (Field Electric Transistor) son particularmente
interesantes en circuitos integrados y pueden ser de dos tipos: transistor de efecto de campo de
unión o JFET y transistor de efecto de campo metal-óxido semiconductor (MOSFET). Son
dispositivos controlados por tensión con una alta impedancia de entrada (1012Ω). Ambos
dispositivos se utilizan en circuitos digitales y analógicos como amplificador o como conmutador.
Sus características eléctricas son similares aunque su tecnología y estructura física son totalmente
diferentes.

Existen dos grandes grupos de FET: los de unión (JFET) y los metalóxido semiconductor
(MOSFET). Dentro de los MOSFET está el de acumulación, el cual ha propiciado los rápidos
avances de los dispositivos digitales.

Ventajas del FET:

1) Son dispositivos controlados por tensión con una impedancia de entrada muy elevada (107 a
1012Ω).
2) Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
3) Los FET son más estables con la temperatura que los BJT.
4) Los FET son más fáciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar
más dispositivos en un C1, pudiéndose incluir un mayor número de FET en un solo chip (requieren
menor área), de aquí que memorias y microprocesadores se implementen únicamente con MOSFET
5) Los FET se comportan como resistencias controlados por tensión para valores pequeños de
tensión drenaje-fuente.
6) La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para
permitir su utilización como elementos de almacenamiento.
7) Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.
8) Debido a que los FET son dispositivos sensibles al voltaje, con una gran impedancia de entrada
(del orden de 10 Mohm a 1 Gohm). Al ser mucho más alta que la correspondiente a los BJT, se
prefieren como etapa de entrada en amplificadores multietapa.
9) Los FET de potencia controlan potencia elevadas y conmutan grandes corrientes.
10) Los FET no son tan sensibles a la radiación como los BJT.

Desventajas que limitan la utilización de los FET:

1) Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada.
2) Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT.
3) Los FET se pueden dañar debido a la electricidad estática.
Diferencias entre FET y BJT.
Transistor de efecto de campo (FET)
Baja ganancia de voltaje
Alta ganancia de corriente
Alta impedancia de entrada
Generación de ruido baja
Tiempo de conmutación alta
Se daña con la estática
Algunos requieren una entrada para apagarlo.
Dispositivo controlado por voltaje
Mayor costo
gm (factor de transconductancia
ID es una función de Vgs
Relación cuadrática entre Vgs e Id
Transistor bipolar de unión (BJT)
Alta ganancia de voltaje
Baja ganancia de corriente
Baja impedancia de entrada
Generación de ruido media
Tiempo de conmutación media
Uso rudo
Requiere una entrada de cero para apagarlo
Dispositivo controlado por corriente
Barato
ß (beta factor de amplificación)
IC es una función de IB
Relación lineal entre Ib e Ic