Amplificador Multietapa BJT y MOSFET

Amplificador Multietapa BJT y MOSFET

Carolina Arango Gonzalez
u5600239@unimilitar.edu.co
Laura Daniela Acevedo Virgues
u5600267@unimilitar.edu.co

RESUMEN: ​Para este laboratorio se realizó una
práctica donde se diseñó un amplificador multietapa, y
para ello se utilizaron dos transistores un MOSFET y un
BJT. Como primera etapa se acopló un MOSFET de
enriquecimiento en autopolarización y como segunda
etapa un BJT en polarización universal.
Además, se implementó un pre-amplificador con la
función de aumentar el nivel de la señal.
Los MOSFET también trabajan en 3 regiones: corte,
lineal u óhmica, saturación o activa.
Para utilizar un transistor BJT como amplificador es
necesario aplicar algún tipo de polarización con el fin de
mantenerlo en la zona de activación. También se
utilizaran polarizaciones para mantener al MOSFET en
región óhmica.

​ABSTRACT: ​For this laboratory a practice was
carried out where a multi-stage amplifier was designed,
and for this purpose two transistors were used, a
MOSFET and a BJT. As a first stage a MOSFET in
self-polarization enrichment was coupled and as a
second stage a BJT in universal polarization.
In addition, a pre-amplifier with the function of increasing
the signal level was implemented.
Para realizar un amplificador se toma en cuenta que se
acopla un transistor BJT y/o un MOSFET en cascada.
Cada sistema se representa por una ganancia de voltaje
Av en condiciones de carga, es por esto que se
consideran impedancias de entrada e impedancias de
salida de las configuraciones conectadas.
Hay 3 formas de conectar estos sistemas:

El acople RC, utiliza un capacitor de acoplamiento para

1. INTRODUCCIÓN aislar las dos etapas desde un punto de vista DC.

Una de las características más importantes del FET es

su alta impedancia de entrada. Los FET son más
estables a la temperatura que los BJT, y en general son
más pequeños que los BJT, lo que los hace
particularmente útiles en chips de circuitos integrados.
Las ganancias de voltaje de CA típicas para
amplificadores de BJT son mucho mayores que para los
FET[1].

Imagen 2. Conexión RC. [2]

Como se observa en la imagen 2, ambos sistemas se

conectan a través de un capacitor. Este se conecta en la
salida de la primera etapa y a la entrada de la segunda
etapa.

Imagen 1. Transistor MOSFET y BJT. [1]

Los BJT son dispositivos de corriente controlados por La conexión cascodo no tiene un capacitor de acople
corriente. Este trabaja en tres regiones: corte, saturación entre etapa y etapa, sino que simplemente se conectan
y activación. con un cable.

1
Amplificador Multietapa BJT y MOSFET
.

Esta configuración elimina la necesidad de tener dos

fuentes DC el voltaje de la resistencia RS determina el
control de la compuerta.

Imagen 3. Conexión cascodo. [2]

La conexión cascodo proporciona una impedancia de

entrada relativamente alta, como una ganancia de
voltaje baja para la primera etapa, lo cual hace que la Figura 4. Configuración de polarización del JFET. [3]
capacitancia de Miller esté en su valor mínimo. [2]
Para el desarrollo de las ecuaciones se tiene que:
Finalmente está la conexión Darlington, la cual es una
conexión entre dos transistores de unión bipolar que -VGS - VRS=0
operan como un transistor “super beta”. [2]
VGS= -IDRS (5)

Además se tiene:
ID= IS

VDS= VDD- ID(RS+RD)

VS=ID RS

VD= VDS+VS = VDD-VRD (6)

Se tiene en cuenta que, el transistor BJT utilizado es tipo

npn y tiene las siguientes ecuaciones en análisis DC:

IE= ( β +1)IB (7)

Imagen 4. Conexión Darlington. IC= β IB (8)

26mV
En esta conexión ​el transistor compuesto actúa como re = IE
(9)
una sola unidad de ganancia de corriente. [2]

2. MATERIALES Y MÉTODOS
Se tiene en cuenta que, el transistor MOSFET utilizado
es de tipo enriquecimiento, por lo tanto se hace uso de
las siguientes ecuaciones:

Figura 5. Configuración de polarización por medio del

divisor de voltaje. [3]

CONFIGURACIÓN DE AUTOPOLARIZACIÓN Se tiene que:

Rth= R1//R2 (10)

2
Amplificador Multietapa BJT y MOSFET
.

R2 V CC
E th = R1+R2
​(11)

Eth- IB(Rth) - VBE - IERE= 0 (12)

Altas Frecuencias
Eth−V BE
IB = Rth + (β+1)RE
(​ 13)

-VCC + RCIC + VCE +REIE= 0 (14)

VCE= VCC - IC(RC+RE) (15)

26mV
re = IE
(16)

Teniendo en cuenta las configuraciones anteriores, se

implementó el siguiente multietapa:

CÁLCULOS

MOSFET

Figura 6. Amplificador multietapa con acople por RC.​ [4]

Figura 7. Amplificador multietapa circuito en AC. [4]

Teniendo en cuenta la figura anterior, se tienen las

siguientes ecuaciones en análisis AC: BJT

Etapa 1:

Zi= RG (17)

Zo= RD (18)

Av= -gm (RD//Rth// β re ) (19)

Etapa 2:

Zi= R1//R2// β re (20)

Zo= RC (21)

Av= −RC
re
(22)

Para los capacitores (bajas frecuencias)

3
Amplificador Multietapa BJT y MOSFET
.

Ganancia total de voltaje

Potencia

Capacitores (bajas frecuencias)

PreAmplificador

Figura 7. Preamplificador. [3]

Para este laboratorio se hizo uso del amplificador de la

figura 3.
Capacitores Altas frecuencias I E = 2.86mA

26mV
re = IE

re = 9.64 Ω

4
Amplificador Multietapa BJT y MOSFET
.
R1//R2
Av = re
(47kΩ// 3.3kΩ)
Av = 9.64
Av =− 319.7
Z i = R1// re
Z i = 82kΩ//(295)(9.09Ω)
Z i = 2288.601 Ω
1 ANÁLISIS DE RESULTADOS
Figura 7. Simulación en multisim.
Figura 8. Señal del amplificador multietapa.
Para la realización de este amplificador multietapa con
las indicaciones dadas, se tuvo que hacer uso de las
ecuaciones vistas. Como primera instancia, para saber
que configuración iría primero, se tuvo en cuenta que la
impedancia de entrada de todo el amplificador
multietapa debía de ser de 10K como mínimo, es por
eso que se empleó un transistor MOSFET en
autopolarización, ya que la impedancia de entrada de
estos es alta. En el caso de la impedancia de salida, que
tenia que ser máximo de 8Ω se empleo un BJT en
5
divisor de voltaje, ya que la impedancia de salida de
estos es muy baja.
La configuración del MOSFET tuvo una ganancia
mediana y negativa (por esto se eligió). El BJT también
obtuvo una ganancia negativa y alta; al realizar los
respectivos cálculos, la ganancia total de amplificador
multietapa fue de 30.6294.
En el análisis DC, se tuvo en cuenta un voltaje de 20V
como alimentación del circuito, esto quiere decir que
ambas etapas fueron alimentadas con el mismo voltaje.
Este análisis se realizó de forma independiente ya que
los capacitores se comportan como un corto circuito en
DC, por lo que se obtuvieron mallas de entrada y salida
para cada polarización. En el caso del MOSFET, el VGS
fue obtenido a partir de la corriente, de K y del Vp, con
este valor obtenido se pudo hallar la transconductancia y
a su vez, está transconductancia fue utilizada para hallar
la ganancia de voltaje. se obtuvo un análisis en AC el
cual la primera se tiene en cuenta las impedancias de
salida , de entrada y ganancias . La primera etapa está
afectada por la segunda por lo que cambió la ganancia
de la primera etapa cambia con respecto a las
resistencias que tiene en paralelo.
En el caso del BJT, se realizó el respectivo análisis,
donde este nos permite encontrar los puntos importantes
para este desarrollo. Para obtener la ganancia deseada,
fue necesario buscar las resistencias correctas siendo
cercanas para que RTH fuera grande y así obtener una
corriente grande, ya que de estas se deriva todo. A raíz
de que la ganancia de voltaje de esta polarización
depende de la corriente IE, se tuvo que tener en cuenta
que para obtener el resultado esperado se tuvo que
jugar con el valor de las resistencias, ya que de estas
depende también el valor de la corriente IB la cual es
deriva en IE. se obtuvo en esta polarización fue un Rth
alto, al hallar re esta fuera pequeña y así garantizar el
valor que se necesitaba para obtener la ganancia de
voltaje de 30
En el análisis AC se realizó no hubo ningún cambio en
las impedancias y ganancia de la segunda etapa, se
tuvo en cuenta que la frecuencia es inversa a la
capacitancia.
Se realizaron dos tipos de análisis, uno en bajas
frecuencias y otro en altas. Para las bajas frecuencias se
tuvo en cuenta los capacitores C1, C2 y C3. Como ya se
tenían las frecuencias, lo que se realizó fue un despeje
para hallar el valor de cada capacitor teniendo en cuenta
que la FR es inversamente proporcional a la resistencia
que se asignaron los valores de las a cada una, para
obtener un filtro pasa altos con una frecuencia de corte
de 100 Hz .
En la ecuación se tiene que hallar otra resistencia, y
para ello es necesario mirar el análisis frecuencial que
se realizó anteriormente.
La frecuencia más baja que se pedía en la guia era de
100Hz, al tener la resistencias, se observó la más
pequeña (la cual fue de 110Ω), y a esa se le asignó el
valor de 100Hz, mientras que a las mas grandes, se le
fueron asignados valores más pequeños que fueron de
10Hz.
Para el análisis en altas frecuencias se diferencia porque
se hace en base al modelo AC , donde se pedía un
máximo de 17KHz, se obtuvo que Ri=12KΩ y
Amplificador Multietapa BJT y MOSFET
.

Ro=49.729Ω. Teniendo en cuenta esto, a la resistencia amplificador multietapa la ganancia se verá afectada ya
más pequeña se le asignó el valor de 17KHz, y a la más que va a reducirse.
grande se le asignó un valor de 1,7KHz. Así, con estos
valores ya fue posible hallar los capacitores
interelectricos.

Para la potencia, se tuvo que la corriente se podía hallar

teniendo resistencia y voltaje entre la etapa uno y la
etapa dos; el voltaje utilizado es el dado por el voltaje
pico pico, y la resistencia, al saber que la potencia que
se pide es de salida, fue Rth, y de esta forma se halló la
corriente. Seguido de esto, se multiplicó esta corriente
por el beta obteniendo la corriente de colector, para así
este resultado convertirlo en rms y por último de utilizar Figura 11. Simulación del preamplificador en Tinkercad
la fórmula para obtener la potencia. Así de esta forma, el
resultado de la potencia fue de 0.095 W, el cual no es el
resultado esperado.

Figura 12. Simulación del preamplificador en tinkercad.

Las figuras 11 y 12, hacen una muestra de cómo la

señal va variando . Así como se puede ver, que la figura
Figura 9. Simulación en tinkercad. 11 muestra cuando la señal se amplifica y la figura 12
muestra la señal cuando es pequeña.
Cómo se observa en la figura 9, la señal salió recortada,
esto debido a que el generador de señales tenia un
máximo de 10V, por lo tanto no se iba a observar la
imagen en el osciloscopio como se puede observar en el
osciloscopio de multisim.

Figura 13. Osciloscopio preamplificador.

Se observa que la señal salió recortada, y el voltaje Vcq

es 2.11V. Esta señal se recortó ya que el VCC es de
12V, por lo tanto el Vcq debía de ser de 6V, por lo tanto
Figura 10. Simulación en multisim Preamplificador
la señal se obtuvo de esta forma.

Básicamente para este preamplificador, se aplica un

análisis AC similar para hallar los capacitores. Aquí la
ganancia de voltaje estuvo dada por R1, R2, y re. Dicha
ganancia fue negativa. Para hallar la impedancia de
entrada simplemente se realizó un paralelo entre R1 y
𝛽re. Los valores de las resistencias fueron tomados de
un ejemplo.
En el análisis AC el capacitor de 10ⲙF se asume como
un corto circuito, y al conectar este preamplificador al

6
Amplificador Multietapa BJT y MOSFET
.

2 CONCLUSIONES [3] BOYLESTAD, ROBERT L. y NASHELSKY, LOUIS,

Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos electrónicos, 8ª.ed,
Ed. PEARSON EDUCACIÓN, México, 2003.
- Para este laboratorio fue necesario tener los
conceptos claros, ya que para la realización de [4] Amplificador multietapa con acople por RC realizado por:
la guia, la creación del preamplificador fue de 0 Laura Acevedo y Carolina Arango.
prácticamente, lo único es que daban ciertos
parámetros. En el caso de las resistencias, fue
complicado hallarlas, ya que varían los voltajes Tinkercad​:
o las corrientes, y de esta forma no se cumplía
con los paramentos.
Amplificador Multietapa

- Para la obtención de una ganancia de voltaje https://www.tinkercad.com/things/iw7fs3lNnS8

variable, fue necesario implementar un -frantic-migelo/editel?sharecode=YFr--r2I2q14l
potenciómetro en la polarización del divisor de
voltaje, más específicamente en RC, esto divLhHiBT5cIuLDox_UGlQPGjS5oJU
debido a que, al poner el potenciómetro en 0, la
ganancia de voltaje tenía que ser mínima de Preamplificador
30. https://www.tinkercad.com/things/iw6MHr
- No fue posible la obtención de la potencia mT2nU-shiny-bruticus-kasi/editel?shareco
pedida en la guía, la cual fue de 20W. La de=FAvCODPnJCeTORPf7RvylmhpruEe-
potencia obtenida según los cálculos realizados Jmw7urn8t9-rAM
fue mucho menor. Para obtener una potencia
más alta, se debía de jugar con el voltaje.
Aunque se intentó, no fue posible obtener el
resultado esperado.

- Se tuvo que tener en cuenta que las

polarizaciones que se escogieran tuvieran
ambas un resultado negativo en la ganancia de
voltaje, ya que al multiplicar ambas, la ganancia
sería positiva.

- Fue relativamente sencillo encontrar la forma

de que las impedancias dadas en la guía fueran
las correctas en el diseño, ya que, se tenía la
posibilidad de escoger una polarización sencilla
y simplemente darle el valor de la impedancia
de entrada o salida a una resistencia. Además
se tuvo en cuenta el funcionamiento de cada
transistor y que convenía más a la hora de
implementar el amplificador multietapa.

- Para el preamplificador se tomó un diseño

realizado, únicamente se cambió el beta, lo que
quiere decir que se implementó un transistor
BJT. Se concluye que el circuito entero tiene un
solo transistor MOSFET, y dos transistores
BJT.

- La señal del osciloscopio en la simulación de

multisim salió recortada, esto debido a que el
generador de voltaje solo llega hasta 10V.

REFERENCIAS
​ omado de:
[1]​ T
https://circuitoslistos.com/index.php/2019/11/10/cual-es-la-difere
ncia-entre-un-transistor-bjt-y-un-mosfet/

[2] Material de clase de electrónica, realizado por: Angie

Julieth Valencia Catañeda.